JPS6355991A - 半導体レ−ザ波長安定化装置 - Google Patents
半導体レ−ザ波長安定化装置Info
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- JPS6355991A JPS6355991A JP61199364A JP19936486A JPS6355991A JP S6355991 A JPS6355991 A JP S6355991A JP 61199364 A JP61199364 A JP 61199364A JP 19936486 A JP19936486 A JP 19936486A JP S6355991 A JPS6355991 A JP S6355991A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F2/002—Demodulating light; Transferring the modulation of modulated light; Frequency-changing of light using optical mixing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体レーザの波長を原子や分子の吸収線に
制御して安定化する半導体レーザ波長安定化装置の構造
の改善に関する。
制御して安定化する半導体レーザ波長安定化装置の構造
の改善に関する。
（従来の技術）
第４図は本出願人により出願済みの半導体レーザ波長安
定化装置の先行技術（特願昭６１−１１８９４号明細書
）を示す構成ブロック図である。
定化装置の先行技術（特願昭６１−１１８９４号明細書
）を示す構成ブロック図である。
ＬＤＩは半導体レーザ、ＰＥ１はこの半導体レーザＬＤ
１を冷却または加熱するベルチェ素子、ＴＳｌは前記半
導体レーザの温度を測定する温度センサ、０丁１はこの
温度センサの測定値に基づき前記ベルチェ素子ＰＥＩを
駆動して前記半導体レーザＬＤＩの温度を一定に制御す
る温度制御手段、ＴＢＩはこれらを格納して温度を安定
させる恒温槽、８８１は前記半導体レーザＬＤ１の出力
光を２方向に分離するビームスプリッタ、ＵＭＩはこの
ビームスプリッタ８８１の一方の出射光を入射し変調手
段を構成する音響光学変調器、ＣＬｌはこの音響光学変
調器ＵＭ１の回折光出力を入射し特定の波長の光を吸収
する標準物質（ここではＣ５）を封入した吸収セル、Ｐ
ＣＩはこの吸収セルＣＬ１の透過光を入射するフォトダ
イオード等の光検出器、Ａ１はこの光検出ｌ５ＰＤＩの
出力電気信号を入力する増幅器、ＬＡＩはこの増幅器Ａ
１の電気出力を入力するロックインアンプ、Ｃ７０はこ
のロックインアンプＬＡＩの出力を入力し前記半導体レ
ーザＬＤＩの電流をυ１部する制御手段を構成するＰＩ
Ｄコントローラ、ＳＷｌは前記音響光学変調器ｔＪＭ１
にその一端が接続するスイッチ、ＳＧ１はその出力で前
記スイッチＳＷ１が周波数ｆｉ（例えば２ ｋ Ｈｚ
）でオンオフする信号発生器、ＳＧ２は前記スイッチＳ
Ｗ１の他端に接続する周波数ｆｏ （例えば８０Ｍｔ
−１ｚ）の第２の信号発生器である。
１を冷却または加熱するベルチェ素子、ＴＳｌは前記半
導体レーザの温度を測定する温度センサ、０丁１はこの
温度センサの測定値に基づき前記ベルチェ素子ＰＥＩを
駆動して前記半導体レーザＬＤＩの温度を一定に制御す
る温度制御手段、ＴＢＩはこれらを格納して温度を安定
させる恒温槽、８８１は前記半導体レーザＬＤ１の出力
光を２方向に分離するビームスプリッタ、ＵＭＩはこの
ビームスプリッタ８８１の一方の出射光を入射し変調手
段を構成する音響光学変調器、ＣＬｌはこの音響光学変
調器ＵＭ１の回折光出力を入射し特定の波長の光を吸収
する標準物質（ここではＣ５）を封入した吸収セル、Ｐ
ＣＩはこの吸収セルＣＬ１の透過光を入射するフォトダ
イオード等の光検出器、Ａ１はこの光検出ｌ５ＰＤＩの
出力電気信号を入力する増幅器、ＬＡＩはこの増幅器Ａ
１の電気出力を入力するロックインアンプ、Ｃ７０はこ
のロックインアンプＬＡＩの出力を入力し前記半導体レ
ーザＬＤＩの電流をυ１部する制御手段を構成するＰＩ
Ｄコントローラ、ＳＷｌは前記音響光学変調器ｔＪＭ１
にその一端が接続するスイッチ、ＳＧ１はその出力で前
記スイッチＳＷ１が周波数ｆｉ（例えば２ ｋ Ｈｚ
）でオンオフする信号発生器、ＳＧ２は前記スイッチＳ
Ｗ１の他端に接続する周波数ｆｏ （例えば８０Ｍｔ
−１ｚ）の第２の信号発生器である。
上記のような構成の半導体レーザ波長安定化装置の動作
を以下に説明する。半導体レーザＬＤ１は恒温槽ＴＢＩ
内で温度センサＴＳＩからの検出信号を入力する制御手
段ＣＴＩによりベルチェ素子ＰＥ１を介して一定温度に
制御されている。半導体レーザＬＤ１の出力光はビーム
スプリッタＢＳ１で２方向に分離され、反射光は外部へ
の出力光となり透過光は音響光学変調器ＵＭＩに入射す
る。スイッチＳＷ１がオンの時音響光学変調５ＵＭ１は
信号発生器ＳＧ２の周波数ｆｏの出力で駆動されるので
、周波数ν０の入射光の大部分は回折して周波数（ドツ
プラ）シフトを受け、１次回折光として周波数νｏ＋ｆ
ｏの光が吸収セルＣＬ１に入射する。スイッチＳＷ１が
オフのときは入射光は全てＯ次回折光として周波数ν０
で吸収セルＣＬＩに入射する。スイッチＳＷ１は信号発
生器ＳＧＩの周波数ｆ１のクロックで駆動されるので、
吸収セルＣＬ１に入射する光は変調周波数ｆ電、変調深
さｆＤの周波数変調を受けることになる。吸収セルＣＬ
Ｉに音響光学変調器ＵＭ１で変調された光が入射すると
、第５図の動作説明図に示すようにＣｓ原子の吸収信号
の箇所でのみ透過光量が変調を受けて出力に信号が現れ
る。この信号を光検出器ＰＤ１で電気信号に変換し増幅
器Ａ１を介してロックインアンプＬＡＩにおいて周波数
ｆ、で同期整流すれば、第６図の周波数特性曲線図に示
すような１数機分波形が１ｑられる。ＰＩＤコントロー
ラＣＴ２により半導体レーザＬＤＩの電流を制御して、
ロックインアンプＬＡ１の出力を前記１数機分波形の中
心にロック（制御）すれば半導体レーザの出力光はνｓ
ｆｏ／２の安定な周波数となる。
を以下に説明する。半導体レーザＬＤ１は恒温槽ＴＢＩ
内で温度センサＴＳＩからの検出信号を入力する制御手
段ＣＴＩによりベルチェ素子ＰＥ１を介して一定温度に
制御されている。半導体レーザＬＤ１の出力光はビーム
スプリッタＢＳ１で２方向に分離され、反射光は外部へ
の出力光となり透過光は音響光学変調器ＵＭＩに入射す
る。スイッチＳＷ１がオンの時音響光学変調５ＵＭ１は
信号発生器ＳＧ２の周波数ｆｏの出力で駆動されるので
、周波数ν０の入射光の大部分は回折して周波数（ドツ
プラ）シフトを受け、１次回折光として周波数νｏ＋ｆ
ｏの光が吸収セルＣＬ１に入射する。スイッチＳＷ１が
オフのときは入射光は全てＯ次回折光として周波数ν０
で吸収セルＣＬＩに入射する。スイッチＳＷ１は信号発
生器ＳＧＩの周波数ｆ１のクロックで駆動されるので、
吸収セルＣＬ１に入射する光は変調周波数ｆ電、変調深
さｆＤの周波数変調を受けることになる。吸収セルＣＬ
Ｉに音響光学変調器ＵＭ１で変調された光が入射すると
、第５図の動作説明図に示すようにＣｓ原子の吸収信号
の箇所でのみ透過光量が変調を受けて出力に信号が現れ
る。この信号を光検出器ＰＤ１で電気信号に変換し増幅
器Ａ１を介してロックインアンプＬＡＩにおいて周波数
ｆ、で同期整流すれば、第６図の周波数特性曲線図に示
すような１数機分波形が１ｑられる。ＰＩＤコントロー
ラＣＴ２により半導体レーザＬＤＩの電流を制御して、
ロックインアンプＬＡ１の出力を前記１数機分波形の中
心にロック（制御）すれば半導体レーザの出力光はνｓ
ｆｏ／２の安定な周波数となる。
このような構成の半導体レーザ波長安定化装置によれば
、レーザの発振周波数が変調されていないので、瞬時的
にも非常に安定な光源となる。
、レーザの発振周波数が変調されていないので、瞬時的
にも非常に安定な光源となる。
また音響光学変調器ＵＭ１の回折効率が変化しても、変
調に寄与しない光の成分（Ｏ次回折光）が増えて信号強
度が下がるのみで、中心波長には影響しない。
調に寄与しない光の成分（Ｏ次回折光）が増えて信号強
度が下がるのみで、中心波長には影響しない。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記のような構成の半導体レーザ波長安
定化装置では、ビームスプリッタやレンズ等を使用し空
間伝搬で光の回路を構成しているので、光学系の位置合
せが必要となり、また吸収セルの入射端や出射端での戻
り光や反射光との干渉等が問題であった。
定化装置では、ビームスプリッタやレンズ等を使用し空
間伝搬で光の回路を構成しているので、光学系の位置合
せが必要となり、また吸収セルの入射端や出射端での戻
り光や反射光との干渉等が問題であった。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたも
ので、調整が簡単で小型の半導体レーザ波長安定化装置
を実現することを目的とする。
ので、調整が簡単で小型の半導体レーザ波長安定化装置
を実現することを目的とする。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明は標準物質の吸収スペクトル線に半導体レーザの
波長を制御して波長を安定化する半導体レーザ波長安定
化装置に係るもので、その特徴とするところは標準物質
中を通る光ファイバに半導体レーザの出力光の一部を入
射し、前記光ファイバ中を伝搬する光のエバネッセント
波部分での吸収を利用する点にある。
波長を制御して波長を安定化する半導体レーザ波長安定
化装置に係るもので、その特徴とするところは標準物質
中を通る光ファイバに半導体レーザの出力光の一部を入
射し、前記光ファイバ中を伝搬する光のエバネッセント
波部分での吸収を利用する点にある。
（実施例）
以下本発明を図面を用いて詳しく説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成ブロック図である
。第４図と同じ部分は同一の記号を付して説明を省略す
る。ＦＢＩは半導体レーザＬＤ１の出力光を入射するシ
ングルモードの光ファイバ、ＣＰＩはこの光ファイバＦ
Ｂ１の出力光を入力するファイバカブラ、Ｆｅ２はこの
ファイバカブラＣＰ１の一方の出力光を入射するシング
ルモードの光ファイバ、Ｆｅ３は前記ファイバカブラＣ
Ｐ１の他の出力光を入射するシングルモードの光ファイ
バ、０Ｍ２はこの光ファイバＦＢ３の出力光を入力する
導波路型の音響光学変調器、Ｆｅ２はこの音響光学変調
器ＬＩＭ２の出力光を入射して光検出器ＰＤ１に出射す
るシングルモードの光ファイバ、Ｃ１０は特定の波長の
光を吸収する標準物質（ここではＣｓ）を封入しその中
を前記光ファイバＦＢ４が通る吸収セル、ａは前記光フ
ァイバＦＢ４のクラッド部を取り除いてコア部のみとし
た部分である。
。第４図と同じ部分は同一の記号を付して説明を省略す
る。ＦＢＩは半導体レーザＬＤ１の出力光を入射するシ
ングルモードの光ファイバ、ＣＰＩはこの光ファイバＦ
Ｂ１の出力光を入力するファイバカブラ、Ｆｅ２はこの
ファイバカブラＣＰ１の一方の出力光を入射するシング
ルモードの光ファイバ、Ｆｅ３は前記ファイバカブラＣ
Ｐ１の他の出力光を入射するシングルモードの光ファイ
バ、０Ｍ２はこの光ファイバＦＢ３の出力光を入力する
導波路型の音響光学変調器、Ｆｅ２はこの音響光学変調
器ＬＩＭ２の出力光を入射して光検出器ＰＤ１に出射す
るシングルモードの光ファイバ、Ｃ１０は特定の波長の
光を吸収する標準物質（ここではＣｓ）を封入しその中
を前記光ファイバＦＢ４が通る吸収セル、ａは前記光フ
ァイバＦＢ４のクラッド部を取り除いてコア部のみとし
た部分である。
上記のような構成の半導体レーザ波長安定化装置の動作
を以下に説明する。温度制御された半導体レーザＬＤ１
の出力光は光ファイバＦＢＩを介して伝搬しファイバカ
ブラＣＰ１で２方向に分岐し、一方の出力は外部への出
力光となり他方の出力は光ファイバＦＢ３を介して導波
路型音響光学変調器ＬＩＭ２に入射する。従来例と同様
にして音響光学変調器ＬＩＭ２で変調された光は、光フ
ァイバＦＢ４を伝搬して吸収セルＣＬ２内を通過する。
を以下に説明する。温度制御された半導体レーザＬＤ１
の出力光は光ファイバＦＢＩを介して伝搬しファイバカ
ブラＣＰ１で２方向に分岐し、一方の出力は外部への出
力光となり他方の出力は光ファイバＦＢ３を介して導波
路型音響光学変調器ＬＩＭ２に入射する。従来例と同様
にして音響光学変調器ＬＩＭ２で変調された光は、光フ
ァイバＦＢ４を伝搬して吸収セルＣＬ２内を通過する。
吸収セルＣＬ２内では光ファイバＦＢ４のコア部ａの外
側に伝搬光がしみ出した部分すなわちエバネッセント波
を生じ、この部分の電界が周囲のＣＳガスと相互作用し
て、特定の波長において吸収が生じる。したがって光フ
ァイバＦＢ４の出力を光検出器ＰＤ１で検出すれば、吸
収信号が得られ、従来例の場合と同様にしてロックイン
アンプＬＡ１等を介して半導体レーザＬＤ１に帰還すれ
ば、吸収の中心付近に半導体レーザの発振周波数を制御
できる。
側に伝搬光がしみ出した部分すなわちエバネッセント波
を生じ、この部分の電界が周囲のＣＳガスと相互作用し
て、特定の波長において吸収が生じる。したがって光フ
ァイバＦＢ４の出力を光検出器ＰＤ１で検出すれば、吸
収信号が得られ、従来例の場合と同様にしてロックイン
アンプＬＡ１等を介して半導体レーザＬＤ１に帰還すれ
ば、吸収の中心付近に半導体レーザの発振周波数を制御
できる。
このような構成の半導体レーザ波長安定化装置によれば
、第４図の従来例と同様の長所を有する外に、光学系が
すべて光ファイバで構成できるので、位置合せが不要で
調整が簡単となり、かつ小型化できる。
、第４図の従来例と同様の長所を有する外に、光学系が
すべて光ファイバで構成できるので、位置合せが不要で
調整が簡単となり、かつ小型化できる。
なお上記の実施例で吸収セルＣＬ２内を通る光ファイバ
ＦＢ４としてシングルモードファイバを用いているが、
これに限らず、マルチモードファイバでもよい。
ＦＢ４としてシングルモードファイバを用いているが、
これに限らず、マルチモードファイバでもよい。
また変調手段として用いている音響光学変調器ＵＭ２は
周波数変調がかかればどのような変調器でもよく、例え
ば電気光学素子を用いた位相変調器を用いてもよい。こ
れには例えば縦型変調器。
周波数変調がかかればどのような変調器でもよく、例え
ば電気光学素子を用いた位相変調器を用いてもよい。こ
れには例えば縦型変調器。
横型変調器、進行波形変調器などがある（ＡｍｎＯｎ
Ｙａｒ＋’ｒ：光エレクトロニクスのｌ１ｉｌ（丸首
）、ｐ２４７〜１）２５３）。また音響光学変調器で外
部変調せずに半導体レーザの注入電流を変調してもよい
。
Ｙａｒ＋’ｒ：光エレクトロニクスのｌ１ｉｌ（丸首
）、ｐ２４７〜１）２５３）。また音響光学変調器で外
部変調せずに半導体レーザの注入電流を変調してもよい
。
また上記の実施例ではロックインアンプＬＡ１の参照周
波数として変調周波数ｆＴＩＬを用いたがその整数倍の
周波数としてもよい。
波数として変調周波数ｆＴＩＬを用いたがその整数倍の
周波数としてもよい。
また吸収セルＣＬ２の標準物質としては、Ｃｓのほかに
例えばＲｂ、ＮＨ３、Ｈ２０などを用いてもよい。
例えばＲｂ、ＮＨ３、Ｈ２０などを用いてもよい。
また上記の実施例では制御手段の出力で半導体レーザの
電流を制御しているが、これに限らず半導体レーザの温
度をちり罪してもよい。
電流を制御しているが、これに限らず半導体レーザの温
度をちり罪してもよい。
またスイッチＳＷ１の代りに乗算器を用いて音響光学変
調器の励振周波数を変調してもよい。
調器の励振周波数を変調してもよい。
第３図は本発明の第２の実施例で飽和吸収法（参考；堀
、角田、北野、藪崎、小川：飽和吸収分光を用いた半導
体レーザの周波数安定化、信学技報０ＱＥ８２−１１６
）を用いた半導体レーザ波長安定化装置を示す要部構成
ブロック図である。
、角田、北野、藪崎、小川：飽和吸収分光を用いた半導
体レーザの周波数安定化、信学技報０ＱＥ８２−１１６
）を用いた半導体レーザ波長安定化装置を示す要部構成
ブロック図である。
第３図は第１図の１の部分を変形したもので、Ｆｅ５は
音響光学変調器ＩＪＭ２の出力光を伝搬するシングルモ
ードの光ファイバ、ＣＦ２はこの光ファイバＦＢ５がそ
の一端に接続するファイバカブラ、Ｆｅ６はこのファイ
バカブラＣＰ２の他端に接続する単一モードの光ファイ
バ、ｂは吸収セルＯＬ２内で前記光ファイバＦＢ６のク
ラッド部を取り除いてコア部のみとした部分、２は前記
ＦＢ６のハーフミラ−・コーティングされた端面、ＰＤ
２はこの端面２の透過光を検出する第１の光検出器、Ｐ
Ｄ３は光ファイバＦＢ６の端面２からの反射光をファイ
バカブラＣＰ２を介して検出する第２の光検出器、Ａ２
は光検出器ＰＤ２．ＰＤ３の電気出力を入力しロックイ
ンアンプＬＡＩに出力する差動増幅器である。
音響光学変調器ＩＪＭ２の出力光を伝搬するシングルモ
ードの光ファイバ、ＣＦ２はこの光ファイバＦＢ５がそ
の一端に接続するファイバカブラ、Ｆｅ６はこのファイ
バカブラＣＰ２の他端に接続する単一モードの光ファイ
バ、ｂは吸収セルＯＬ２内で前記光ファイバＦＢ６のク
ラッド部を取り除いてコア部のみとした部分、２は前記
ＦＢ６のハーフミラ−・コーティングされた端面、ＰＤ
２はこの端面２の透過光を検出する第１の光検出器、Ｐ
Ｄ３は光ファイバＦＢ６の端面２からの反射光をファイ
バカブラＣＰ２を介して検出する第２の光検出器、Ａ２
は光検出器ＰＤ２．ＰＤ３の電気出力を入力しロックイ
ンアンプＬＡＩに出力する差動増幅器である。
音響光学変調器ＵＭ２の出力光は光ファイバ「Ｂ５を介
してファイバカブラＣＰ２に入射し、光ファイバＦ８６
を伝搬してコア部分すの外側に生じたエバネッセント波
がポンプ光として付近の標準物質（例えばＣｓ）の光吸
収を飽和させる。光ファイバＦＢ６を伝搬した光の大部
分（例えば９０％）は端面２を介して光検出器ＰＤ２に
入射するが、一部（例えば１０％〉が端面２で反射して
光ファイバＦＢ６を逆向きに伝搬し、そのエバネッセン
ト波が前記ポンプ光と重畳するプローブ光として吸収を
行う。このプローブ光はファイバカブラＣＰ２により光
ファイバＦＢ７に導かれ、光検出器ＰＤ３に入射する。
してファイバカブラＣＰ２に入射し、光ファイバＦ８６
を伝搬してコア部分すの外側に生じたエバネッセント波
がポンプ光として付近の標準物質（例えばＣｓ）の光吸
収を飽和させる。光ファイバＦＢ６を伝搬した光の大部
分（例えば９０％）は端面２を介して光検出器ＰＤ２に
入射するが、一部（例えば１０％〉が端面２で反射して
光ファイバＦＢ６を逆向きに伝搬し、そのエバネッセン
ト波が前記ポンプ光と重畳するプローブ光として吸収を
行う。このプローブ光はファイバカブラＣＰ２により光
ファイバＦＢ７に導かれ、光検出器ＰＤ３に入射する。
光検出器ＰＤ２．ＰＤ３の出力は差動増幅器Ａ２におい
て引埠されてドツプラ広がりによる吸収信号が消去され
、鋭い吸収スペクトルを有する飽和吸収信号としてロッ
クインアンプに出力される。第１図と同様な帰還ループ
により、半導体レーザＬＤ１の発振周波数を飽和吸収ス
ペクトルのピークに第１図装置の場合より高安定度で制
御することができる。
て引埠されてドツプラ広がりによる吸収信号が消去され
、鋭い吸収スペクトルを有する飽和吸収信号としてロッ
クインアンプに出力される。第１図と同様な帰還ループ
により、半導体レーザＬＤ１の発振周波数を飽和吸収ス
ペクトルのピークに第１図装置の場合より高安定度で制
御することができる。
なお上記の実施例で端面２にハーフミラ−・コーティン
グをしているが、これに限らず、例えば光ファイバＦＢ
６の中間にハーフミラ−を挿入してもよい。 。
グをしているが、これに限らず、例えば光ファイバＦＢ
６の中間にハーフミラ−を挿入してもよい。 。
（発明の効果）
以上述べたように本発明によれば、光学系の位置合せが
不要で調整が簡単かつ小型の半導体レーザ波長安定化装
置を簡単な構成で実現することができる。
不要で調整が簡単かつ小型の半導体レーザ波長安定化装
置を簡単な構成で実現することができる。
第１図は本発明に係る半導体レーザ波長安定化装置の一
実施例を示す構成ブロック図、第２図は第１図装置の動
作を説明するための説明図、第３図は本発明に係る半導
体レーザ波長安定化装置の他の実施例を示す構成ブロッ
ク図、第４図は従来の半導体レーザ波長安定化装置を示
す構成ブロック図、第５図は第４図装置の動作を説明す
るための動作説明図、第６図は第４図装置の動作を説明
するための特性曲線図である。 ＬＤｌ・・・半導体レーザ、ＦＢ４．ＦＢ６・・・光フ
ァイバ、ＵＭ２・・・変調手段、Ｃ１０・・・吸収セル
、ＰＤｌ、ＰＤ２．ＰＤ３・・・光検出器、ＬＡｌ・・
・ロックインアンプ、Ｃｒ２・・・制御手段、ａ、ｂ・
・・光ファイバコア。 尾２図 篤３図
実施例を示す構成ブロック図、第２図は第１図装置の動
作を説明するための説明図、第３図は本発明に係る半導
体レーザ波長安定化装置の他の実施例を示す構成ブロッ
ク図、第４図は従来の半導体レーザ波長安定化装置を示
す構成ブロック図、第５図は第４図装置の動作を説明す
るための動作説明図、第６図は第４図装置の動作を説明
するための特性曲線図である。 ＬＤｌ・・・半導体レーザ、ＦＢ４．ＦＢ６・・・光フ
ァイバ、ＵＭ２・・・変調手段、Ｃ１０・・・吸収セル
、ＰＤｌ、ＰＤ２．ＰＤ３・・・光検出器、ＬＡｌ・・
・ロックインアンプ、Ｃｒ２・・・制御手段、ａ、ｂ・
・・光ファイバコア。 尾２図 篤３図
Claims (3)
- （１）標準物質の吸収スペクトル線に半導体レーザの波
長を制御して波長を安定化する半導体レーザ波長安定化
装置において、標準物質中を通る光ファイバに半導体レ
ーザの出力光の一部を入射し、前記光ファイバ中を伝搬
する光のエバネッセント波部分での吸収を利用すること
を特徴とする半導体レーザ波長安定化装置。 - （２）半導体レーザの出力光の一部を入射して周波数変
調する音響光学変調器と、特定の波長で吸収を起こす標
準物質を封入しこの標準物質内を通過するように設けら
れた光ファイバコアに前記音響光学変調器の出力光を入
射する吸収セルと、この吸収セルの透過光を電気信号に
変換する光検出器と、この光検出器の出力電気信号に関
連する電気信号を入力して前記変調手段の変調周波数ま
たはその整数倍の周波数で同期整流するロックインアン
プと、このロックインアンプの出力が一定値となるよう
に前記半導体レーザの電流または温度を制御する制御手
段とを備えた特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ
波長安定化装置。 - （３）標準物質としてＲ＿ｂまたはＣ＿ｓを用いた特許
請求の範囲第１項記載の半導体レーザ波長安定化装置。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61199364A JPS6355991A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
| GB8627744A GB2187592B (en) | 1985-12-26 | 1986-11-20 | Semiconductor laser wavelength stabilizer |
| US06/937,359 US4833681A (en) | 1985-12-26 | 1986-12-03 | Semiconductor laser wavelength stabilizer |
| US06/942,448 US4893353A (en) | 1985-12-20 | 1986-12-16 | Optical frequency synthesizer/sweeper |
| US06/943,670 US4856899A (en) | 1985-12-20 | 1986-12-18 | Optical frequency analyzer using a local oscillator heterodyne detection of incident light |
| DE3643629A DE3643629C2 (de) | 1985-12-26 | 1986-12-19 | Vorrichtung zur Stabilisierung der Wellenlänge eines Halbleiterlasers |
| DE3643553A DE3643553C2 (de) | 1985-12-20 | 1986-12-19 | Vorrichtung zum Erzeugen und Wobbeln optischer Frequenzen |
| DE3643569A DE3643569C2 (de) | 1985-12-20 | 1986-12-19 | Analysator für optische Frequenzen |
| GB8630375A GB2185567B (en) | 1985-12-20 | 1986-12-19 | Optical frequency analyzer |
| GB8630374A GB2185619B (en) | 1985-12-20 | 1986-12-19 | Optical frequency synthesizer/sweeper |
| US07/293,020 US4912526A (en) | 1985-12-20 | 1989-01-03 | Optical frequency synthesizer/sweeper |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61199364A JPS6355991A (ja) | 1986-08-26 | 1986-08-26 | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355991A true JPS6355991A (ja) | 1988-03-10 |
| JPH0523512B2 JPH0523512B2 (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=16406529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61199364A Granted JPS6355991A (ja) | 1985-12-20 | 1986-08-26 | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355991A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02299280A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 発振波長安定化半導体レーザ装置 |
| FR2674079A1 (fr) * | 1991-03-15 | 1992-09-18 | France Telecom | Perfectionnement aux telecommunications optiques coherentes. |
| US5333089A (en) * | 1992-03-19 | 1994-07-26 | Alcatel N.V. | Optical communications system employing fiber-optic amplifiers and control of the transmitter wavelength |
-
1986
- 1986-08-26 JP JP61199364A patent/JPS6355991A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02299280A (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 発振波長安定化半導体レーザ装置 |
| FR2674079A1 (fr) * | 1991-03-15 | 1992-09-18 | France Telecom | Perfectionnement aux telecommunications optiques coherentes. |
| US5333089A (en) * | 1992-03-19 | 1994-07-26 | Alcatel N.V. | Optical communications system employing fiber-optic amplifiers and control of the transmitter wavelength |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0523512B2 (ja) | 1993-04-02 |
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