JPS6356977A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS6356977A JPS6356977A JP20046186A JP20046186A JPS6356977A JP S6356977 A JPS6356977 A JP S6356977A JP 20046186 A JP20046186 A JP 20046186A JP 20046186 A JP20046186 A JP 20046186A JP S6356977 A JPS6356977 A JP S6356977A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
量子井戸構造を活性層とする横方向注入レーザにおいて
、量子井戸を構成する第２の半４体層（バリア層）の厚
さをド・ブロイ波長以上に十分大きくして、第１の半導
体層（ウェルＮ）に十分の数のキャリア（電子と正孔）
が局在できるようにし、ウェル層にキャリアを横方向に
注入することにより、各ウェル層間にキャリア注入の不
均一を生じさせないようにして、レーザの低しきい値化
をはかる。
、量子井戸を構成する第２の半４体層（バリア層）の厚
さをド・ブロイ波長以上に十分大きくして、第１の半導
体層（ウェルＮ）に十分の数のキャリア（電子と正孔）
が局在できるようにし、ウェル層にキャリアを横方向に
注入することにより、各ウェル層間にキャリア注入の不
均一を生じさせないようにして、レーザの低しきい値化
をはかる。
本発明は量子井戸構造を活性層とする横方向注入レーザ
の量子井戸構造に関する。
の量子井戸構造に関する。
半導体レーザは光通信用の電源として多用されるように
なり、その性能改善のための技術開発が活発に行われて
いる。
なり、その性能改善のための技術開発が活発に行われて
いる。
本出願人はさきに、光の横方向の閉じ込め効果を向上し
、しきい値電流を低減し、かつ集積化に通した量子井戸
構造を活性層とする横方向注入レーザを特願昭６０−２
７０５９号明細書に開示したが、本発明はこのレーザを
さらに低しきい値化、短波長化するための量子井戸構造
を提起する。
、しきい値電流を低減し、かつ集積化に通した量子井戸
構造を活性層とする横方向注入レーザを特願昭６０−２
７０５９号明細書に開示したが、本発明はこのレーザを
さらに低しきい値化、短波長化するための量子井戸構造
を提起する。
量子井戸構造を活性層とする従来例のレーザとして、量
子井戸層に対して垂直に電流を流す型のものについて、
低しきい値の発振が報告されている。
子井戸層に対して垂直に電流を流す型のものについて、
低しきい値の発振が報告されている。
量子井戸レーザが低しきい値で発振するのはウェル層の
長さをド・ブロイ（ｄｅ Ｂｒｏｇｌｉｅ）波長以下に
して、量子サイズ効果によりウェル層内の電子、または
正孔が２次元電子ガス化することにより、伝翼おび、価
電子帯の最低量子準位の状態密度が高いことに起因して
いる。
長さをド・ブロイ（ｄｅ Ｂｒｏｇｌｉｅ）波長以下に
して、量子サイズ効果によりウェル層内の電子、または
正孔が２次元電子ガス化することにより、伝翼おび、価
電子帯の最低量子準位の状態密度が高いことに起因して
いる。
従って、ウェル層に注入された電流密度と光学利得の関
係は通常のダブルヘテロ（ＤＨ）構造のレーザに比べて
、小さい電流で大きい利得を得ることができるが、単一
量子井戸（ＳＱＷ） レーザにおいては、光学利得は５
００ｃｍ−’を越すと飽和する傾向を示す＋（第３図参
照）。
係は通常のダブルヘテロ（ＤＨ）構造のレーザに比べて
、小さい電流で大きい利得を得ることができるが、単一
量子井戸（ＳＱＷ） レーザにおいては、光学利得は５
００ｃｍ−’を越すと飽和する傾向を示す＋（第３図参
照）。
１） Ｄｕｔｔａ ｅｔ ａｌ、、Ｊ、八ｐｐ
１．Ｐｈｙｓ、 ５３（１９８２）？２２１゜そこで
、多数の量子井戸を垂直方向に近接して並べ、光の閉じ
込めをよくするとともに、１つの量子井戸に課する光学
利得を小さいレベルに抑えて低しきい値で発振する多重
量子井戸（ＭＱＷ） レーザが開発された。
１．Ｐｈｙｓ、 ５３（１９８２）？２２１゜そこで
、多数の量子井戸を垂直方向に近接して並べ、光の閉じ
込めをよくするとともに、１つの量子井戸に課する光学
利得を小さいレベルに抑えて低しきい値で発振する多重
量子井戸（ＭＱＷ） レーザが開発された。
しかしながら、従来のＭＱＷレーザでは、ＭＱＷを構成
する半導体層に対して垂直にキャリア（電子と正孔）の
注入を行っているので、十分な量子効果を得ることがで
きる程度にバリア高さが大きく、かつ厚いバリア層を用
いた場合は、キャリアは各バリア層をトンネルして各ウ
ェル層に注入されるため、注入キャリア数に不均一を生
じる（第４図参照）。従って、並べる量子井戸数を多く
できなかった。
する半導体層に対して垂直にキャリア（電子と正孔）の
注入を行っているので、十分な量子効果を得ることがで
きる程度にバリア高さが大きく、かつ厚いバリア層を用
いた場合は、キャリアは各バリア層をトンネルして各ウ
ェル層に注入されるため、注入キャリア数に不均一を生
じる（第４図参照）。従って、並べる量子井戸数を多く
できなかった。
＾ｌＸＧａ、、Ａｓ （バリア層） ／ＧａＡｓ （ウ
ェル層）のＭＱＷではバリア高さは最低でｘ−０，２を
必要とし、バリア層数は高々、４〜６が最適値である。
ェル層）のＭＱＷではバリア高さは最低でｘ−０，２を
必要とし、バリア層数は高々、４〜６が最適値である。
注入キャリアの不均一性を改善するために、さらにバリ
ア高さの低いバリア層を用いると、各々の量子井戸に局
在する波動関数が拡がってしまい、十分な量子サイズ効
果が得られなくなる（第５図参照）。
ア高さの低いバリア層を用いると、各々の量子井戸に局
在する波動関数が拡がってしまい、十分な量子サイズ効
果が得られなくなる（第５図参照）。
これに対して、本発明者等が提起した横方向注入ｊ１Ω
讐レーザについてつぎに説明する。
讐レーザについてつぎに説明する。
第６図は量子井戸構造を活性層とする横方向注入レーザ
の構造を説明する断面図である。
の構造を説明する断面図である。
図において、
１ は５ｒ−ＧａＡｓ 基牟反、
２．４はクラッド層で厚さ１μｍの
高抵抗（ＨＲ）−Ａ１ｘＧａ＋−ｘＡ４（ｘ＝０．４５
）、 ３は多重量子井戸（Ｍ叶）構造の活性層、３Ａは横方向
注入レーザの′活性層（発光領域）で、幅０．５〜１．
５μｍ ５はｐ型不純物（Ｚｎ）の拡散により形成したｐ型領域
（ｐ型電極領域）、 ５Ａはｐ型拡散による無秩序化領域、 ６はｎ型不純物（Ｓｔ）の拡散により形成したｎ型領域
（ｎ型電極領域）、 ６Ａはｎ型拡散による無秩序化領域、 である。
）、 ３は多重量子井戸（Ｍ叶）構造の活性層、３Ａは横方向
注入レーザの′活性層（発光領域）で、幅０．５〜１．
５μｍ ５はｐ型不純物（Ｚｎ）の拡散により形成したｐ型領域
（ｐ型電極領域）、 ５Ａはｐ型拡散による無秩序化領域、 ６はｎ型不純物（Ｓｔ）の拡散により形成したｎ型領域
（ｎ型電極領域）、 ６Ａはｎ型拡散による無秩序化領域、 である。
無秩序化領域５Ａ、 ６Ａは、ＧａＡｓとＡｌＧａＡｓ
が相互拡散して無秩序化し、平均組成の混晶が形成され
た領域で、これにより活性層が横方向にダブルヘテロ構
造を形成し、横方向の光の閉じ込めを向上するものであ
る。
が相互拡散して無秩序化し、平均組成の混晶が形成され
た領域で、これにより活性層が横方向にダブルヘテロ構
造を形成し、横方向の光の閉じ込めを向上するものであ
る。
つぎに、これレーザの製造工程の概略を説明する。
まず、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）法、有機金
属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法、液相エピタキシャル
成長（ＬＰＥ）法等により、５ｒ−ＧａＡｓ基板１上に
１１Ｒ’−ＡＩＧａＡｓクラッド層２、Ｍ［ｌＷ構造の
活性層３、ＨＲ−ＡＩＧａＡｓクラッド層４を順次成長
する。
属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法、液相エピタキシャル
成長（ＬＰＥ）法等により、５ｒ−ＧａＡｓ基板１上に
１１Ｒ’−ＡＩＧａＡｓクラッド層２、Ｍ［ｌＷ構造の
活性層３、ＨＲ−ＡＩＧａＡｓクラッド層４を順次成長
する。
つぎに、６００℃でＺｎを拡散してｎ型領域５を形成し
、８５０°ＣでＳｉを拡散してｎ型領域６を形成する。
、８５０°ＣでＳｉを拡散してｎ型領域６を形成する。
これらの領域形成は上記の気相拡散に代わってイオン注
入を用いてもよい。
入を用いてもよい。
以上の工程により基板に横方向注入ＭＱＷレーザが形成
される。
される。
第７図は従来例のＭＱＷ構造（ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ
の周期構造）を説明するＡ１．Ｇａ、、Ａｓの混晶比Ｘ
の厚さ方向の分布図である。
の周期構造）を説明するＡ１．Ｇａ、、Ａｓの混晶比Ｘ
の厚さ方向の分布図である。
図において、１叶は厚さ８０人でＧａＡｓ層が５層、厚
さ１２０人のＡｌｘＧａ＋−Ｊｓ（ｘ＝０．３）ａｔが
４層交互に積層して形成する。
さ１２０人のＡｌｘＧａ＋−Ｊｓ（ｘ＝０．３）ａｔが
４層交互に積層して形成する。
以上説明した横方向注入ＭＱＷレーザでは、キャリアは
電極より直接各ウェル層に横方向（ウェル層に平行）に
注入されるため、各ウェル層の注入キャリア数は均一で
あり、従ってＭＱＨの層数を増やすことができる。
電極より直接各ウェル層に横方向（ウェル層に平行）に
注入されるため、各ウェル層の注入キャリア数は均一で
あり、従ってＭＱＨの層数を増やすことができる。
しかしながら、横方向注入ＭＱＷ レーザにおいても従
来例のＭＯＷ構造を活性層に用いると、バリア層はウェ
ル層よりは厚いが、それでもド・ブロイ波長以下である
ため、各ウェルの波動関数の裾野が重なり合い、完全な
量子サイズ効果が得られないという欠点があった。
来例のＭＯＷ構造を活性層に用いると、バリア層はウェ
ル層よりは厚いが、それでもド・ブロイ波長以下である
ため、各ウェルの波動関数の裾野が重なり合い、完全な
量子サイズ効果が得られないという欠点があった。
上記問題点の解決は、量子井戸構造の活性層と、該活性
層を挟む絶縁性または半絶縁性半導体層のクラッド層と
、該クラッド層を通して該活性層にたがいに間隔を隔て
て導電性不純物を導入して形成されたｐ型およびｎ型領
域を有し、該ｐ型およびｎ型領域内の量子井戸構造は無
秩序化され、該活性層は横方向にダブルヘテロ構造をも
つ組子井戸横方向注入レーザにおいて、 量子井戸構造は少なくとも、 電子、または正孔のド・ブロイ波長より小さい厚さの第
１の半導体層と、 該第１の半導体層を挟む、禁制帯幅が該第１の半導体層
より大きく、かつ該ド・ブロイ波長以上の厚さの第２の
半導体層 とを有することにより達成される。
層を挟む絶縁性または半絶縁性半導体層のクラッド層と
、該クラッド層を通して該活性層にたがいに間隔を隔て
て導電性不純物を導入して形成されたｐ型およびｎ型領
域を有し、該ｐ型およびｎ型領域内の量子井戸構造は無
秩序化され、該活性層は横方向にダブルヘテロ構造をも
つ組子井戸横方向注入レーザにおいて、 量子井戸構造は少なくとも、 電子、または正孔のド・ブロイ波長より小さい厚さの第
１の半導体層と、 該第１の半導体層を挟む、禁制帯幅が該第１の半導体層
より大きく、かつ該ド・ブロイ波長以上の厚さの第２の
半導体層 とを有することにより達成される。
量子井戸構造は５（ＩＷ 、またはＭＱＷ構造のいずれ
でもよい。
でもよい。
本発明はレーザの素子厚を薄くでき、集積化が容易で、
低しきい値で、かつ寄生型容量の小さい横方向注入量子
井戸レーザにおいては、横方向より各ウェル層に均一に
キャリアを注入できるため、バリア層の厚さと高さの制
約を受けることはなく、従って、量子井戸構造のバリア
層の厚さをド、ブロイ波長以上にし、さらにバリア高さ
を十分に大きくとって、注入キャリアを各ウェル内に十
分の密度に局在させることにより、さらに低しきい値化
を行ったものである。
低しきい値で、かつ寄生型容量の小さい横方向注入量子
井戸レーザにおいては、横方向より各ウェル層に均一に
キャリアを注入できるため、バリア層の厚さと高さの制
約を受けることはなく、従って、量子井戸構造のバリア
層の厚さをド、ブロイ波長以上にし、さらにバリア高さ
を十分に大きくとって、注入キャリアを各ウェル内に十
分の密度に局在させることにより、さらに低しきい値化
を行ったものである。
第１図は本発明の横方向！ＩＱ−レーザの一実施例を説
明する説明１４ＡＩＸＧａ、−，Ａｓの混晶比Ｘの厚さ
方向の分布図である。
明する説明１４ＡＩＸＧａ、−，Ａｓの混晶比Ｘの厚さ
方向の分布図である。
図において、厚さ１μｍのクラッド層のＨＲ−ＡＩＸＧ
ａ＋−ｘＡｓ（ｘ＝０．７ン層間に挟まれた４Ｑ諌はウ
ェル層として、厚さ６０人のＧａＡｓ層を４層、バリア
層として、厚さ３００人のＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓ（ｘ＝
０．７）層を３層 交互に積層して形成する。
ａ＋−ｘＡｓ（ｘ＝０．７ン層間に挟まれた４Ｑ諌はウ
ェル層として、厚さ６０人のＧａＡｓ層を４層、バリア
層として、厚さ３００人のＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓ（ｘ＝
０．７）層を３層 交互に積層して形成する。
最上層の厚さ０．５層１ｍのＧａＡｓ層はオーミックコ
ンタクトをとるためのコンタクト層である。
ンタクトをとるためのコンタクト層である。
ＭＱＷ層に垂直方向にキャリアを注入する場合には、バ
リア高さはｘ＝０．３と低かったが、本発明では横方向
注入により、Ｘ＝０．７と高（することができる。
リア高さはｘ＝０．３と低かったが、本発明では横方向
注入により、Ｘ＝０．７と高（することができる。
また、バリア層の厚さは本発明では横方向注入により、
、 ＧａＡｓのド・ブロイ波長３００ Å以上と厚（す
ることができる。
、 ＧａＡｓのド・ブロイ波長３００ Å以上と厚（す
ることができる。
また、活性層のＸ値の上昇にともない、活性層とクラッ
ド層との屈折率差を十分とって垂直方向の光の閉じ込め
をよくするためにクラッド層のＩＩ！？−へ１．Ｇａ１
−．４５層もＸ−０，７と従来例より大きくする。
ド層との屈折率差を十分とって垂直方向の光の閉じ込め
をよくするためにクラッド層のＩＩ！？−へ１．Ｇａ１
−．４５層もＸ−０，７と従来例より大きくする。
第２図は本発明の横方向！’ｌＱＷレーザの他の実施例
を説明するＸＭｆ〆Ａ］甚ａ、−、Ａｓの混晶比Ｘの厚
さ方向の分布図である。
を説明するＸＭｆ〆Ａ］甚ａ、−、Ａｓの混晶比Ｘの厚
さ方向の分布図である。
図において、厚さ１μｍのクラッド層の）ＩＲ−Ａ１．
Ｇａ＋−、Ａｓ（ｘ＝０．７）Ｎ間に挟まれたＭＱＷは
ウェル層として、厚さ６０人ＡＩＸＧａｐ−Ｊｓ（ｘ
＝０．２）層を５層、 バリア層として、厚さ３００人のＡｌＡｓ層を６層交互
に積層して形成する。
Ｇａ＋−、Ａｓ（ｘ＝０．７）Ｎ間に挟まれたＭＱＷは
ウェル層として、厚さ６０人ＡＩＸＧａｐ−Ｊｓ（ｘ
＝０．２）層を５層、 バリア層として、厚さ３００人のＡｌＡｓ層を６層交互
に積層して形成する。
発振波長はウェル層がＧａＡｓ （第１図の例）のとき
８３００〜８５００人であるが、この場合は約６５００
人となり、可視光用の短波長レーザが得られる。
８３００〜８５００人であるが、この場合は約６５００
人となり、可視光用の短波長レーザが得られる。
レーザを計測に用いる場合その精度は波長で決まるため
、短波長レーザは計測用に用いられる場合が多い。しか
しながら、現在の短波長レーザはガスレーザが主流をし
め、装置が大型であるため、半４体レーザの出現が期待
されていた。
、短波長レーザは計測用に用いられる場合が多い。しか
しながら、現在の短波長レーザはガスレーザが主流をし
め、装置が大型であるため、半４体レーザの出現が期待
されていた。
一般に可視光用の半導体レーザの低しきい値化は難しい
が、本発明によりウェル層にもＡＩを含む組成のエビ層
を用いて注入キャリアの不均一性のない、低しきい値の
短波長半導体レーザが得られるようになった。
が、本発明によりウェル層にもＡＩを含む組成のエビ層
を用いて注入キャリアの不均一性のない、低しきい値の
短波長半導体レーザが得られるようになった。
実施例においては、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系のレーザ
にについて説明したが、無秩序化が可能なその他の組成
（ＧａＰ／ＧａＡｓＰ、 ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ超格
子等）のレーザについても全く同様の効果が得られる。
にについて説明したが、無秩序化が可能なその他の組成
（ＧａＰ／ＧａＡｓＰ、 ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ超格
子等）のレーザについても全く同様の効果が得られる。
以上詳細に説明したように本発明によれば、低しきい値
、短波長の横方向注入量子井戸レーザが得られる。
、短波長の横方向注入量子井戸レーザが得られる。
第１図は本発明の横方向ＭＱＷレーザの一実施例を説明
する１［Ｊ’！ＡｔＸｃａ、−、Ａｓの混晶比χの厚さ
方向の分布図、 第２図は本発明の横方向ＭＱＷレーザの他の実施例を説
明する説緋ずり＾１．Ｇａ、−，Ａｓの混晶比Ｘの厚さ
方向の分布図、 第３図は電流密度に対する光学利得の関係図、第４図は
？１１層に垂直注入の場合の各ウェル層のキャリア分布
を示す図、 第５図は各バリア層を低くしたときの波動関数の拡がり
を示す図、 第６図は量子井戸構造を活性層とする横方向注入レーザ
の構造を説明する断面図、 第７図は従来例のＭＱＷ構造（ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ
の周期構造）を説明するＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓの混晶比
×の厚さ方向の分布図である。 図において、 １は５Ｉ−ＧａＡｓ基板、 ２．４はクラッド層でＨＲ−ＡＩＧａＡｓ層、３はＭＱ
Ｗ構造の活性層、 ３Ａは横方向注入レーザの活性層（発光領域）、５はｐ
型領域（ｐ型電極領域）、 ５＾はｐ型拡散による無秩序化領域、 ６はｎ型領域（ｎ型電極領域）、 ６Ａはｎ型拡散による無秩序化領域、 である。 セｔｆ）夫臘イ列ｅ１発帝図 第２ 図 亭３ ＠ 第４圀 亭５因 オ！行？７６１丁う主、き＼Ｌ−丈゛０ 前１ｆ口 四
？１第６圀 ／’７ＱＷ／：χ介争図 阜７ 図
する１［Ｊ’！ＡｔＸｃａ、−、Ａｓの混晶比χの厚さ
方向の分布図、 第２図は本発明の横方向ＭＱＷレーザの他の実施例を説
明する説緋ずり＾１．Ｇａ、−，Ａｓの混晶比Ｘの厚さ
方向の分布図、 第３図は電流密度に対する光学利得の関係図、第４図は
？１１層に垂直注入の場合の各ウェル層のキャリア分布
を示す図、 第５図は各バリア層を低くしたときの波動関数の拡がり
を示す図、 第６図は量子井戸構造を活性層とする横方向注入レーザ
の構造を説明する断面図、 第７図は従来例のＭＱＷ構造（ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ
の周期構造）を説明するＡｌｘＧａ＋−ｘＡｓの混晶比
×の厚さ方向の分布図である。 図において、 １は５Ｉ−ＧａＡｓ基板、 ２．４はクラッド層でＨＲ−ＡＩＧａＡｓ層、３はＭＱ
Ｗ構造の活性層、 ３Ａは横方向注入レーザの活性層（発光領域）、５はｐ
型領域（ｐ型電極領域）、 ５＾はｐ型拡散による無秩序化領域、 ６はｎ型領域（ｎ型電極領域）、 ６Ａはｎ型拡散による無秩序化領域、 である。 セｔｆ）夫臘イ列ｅ１発帝図 第２ 図 亭３ ＠ 第４圀 亭５因 オ！行？７６１丁う主、き＼Ｌ−丈゛０ 前１ｆ口 四
？１第６圀 ／’７ＱＷ／：χ介争図 阜７ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 量子井戸構造の活性層と、該活性層を挟む絶縁性または
半絶縁性半導体層のクラッド層と、該クラッド層を通し
て該活性層にたがいに間隔を隔てて導電性不純物を導入
して形成されたｐ型およびｎ型領域を有し、該ｐ型およ
びｎ型領域内の量子井戸構造は無秩序化され、該活性層
は横方向にダブルヘテロ構造をもち、 該量子井戸構造は少なくとも、 電子、または正孔のド・ブロイ波長より小さい厚さの第
１の半導体層と、 該第１の半導体層を挟む、禁制帯幅が該第１の半導体層
より大きくかつ該ド・ブロイ波長以上の厚さの第２の半
導体層 とを有することを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20046186A JPS6356977A (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20046186A JPS6356977A (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6356977A true JPS6356977A (ja) | 1988-03-11 |
Family
ID=16424690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20046186A Pending JPS6356977A (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6356977A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5027363A (en) * | 1988-12-09 | 1991-06-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| JPH0823136A (ja) * | 1994-07-07 | 1996-01-23 | Nec Corp | 多重量子井戸半導体レーザ |
| WO1996020522A1 (en) * | 1994-12-28 | 1996-07-04 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Semiconductor laser element |
| JP2004179428A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
-
1986
- 1986-08-27 JP JP20046186A patent/JPS6356977A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5027363A (en) * | 1988-12-09 | 1991-06-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| US5108949A (en) * | 1988-12-09 | 1992-04-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser and laser fabrication method |
| JPH0823136A (ja) * | 1994-07-07 | 1996-01-23 | Nec Corp | 多重量子井戸半導体レーザ |
| WO1996020522A1 (en) * | 1994-12-28 | 1996-07-04 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Semiconductor laser element |
| JP2004179428A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
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