JPS635703B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は流体雰囲気中の水素の濃度を決定する
装置に関する。このような装置は、水素の存在を
検出しかつ監視する様々な用途に用いられる。気
体雰囲気中の水素の検出装置の例として、煙検出
器と、変圧器、モータおよび発電機における不活
性冷却媒体雰囲気用の検出装置と、原子炉格納雰
囲気モニタ等がある。

液体中の水素の検出の一例は、ナトリウム冷却
原子炉の液体ナトリウム中の水素の測定を含む。
この測定はナトリウムと水の熱交換器または蒸気
発生器からナトリウムへの水漏れを検出するため
の方策である。

水素検出装置として幾つかのものが公知であ
る。例えば拡散セルはある種の材料の高度の水素
透過性に基づくもので、雰囲気からの水素を濃縮
しそしてそれを感圧検知器、例えば電離計、質量
分析器、ペニングゲージ（Penning gauge）等に
適用して検知器内の水素の分圧を測定することに
用いられてきた。他の方策は非導電流体中の水素
イオンを測定するものである（例えばPHメータ）。
他の公知装置は電気化学反応を利用して水素濃度
に比例する電圧を発生するもので、このような装
置は燃料電池に類似している。

ガス検出に関する従来の出版物の中には次のも
のがある。

アナリテイカル・ケミストリー（Analytical
Chemistry）第２号第33巻（1961年２月）142〜
177頁に記載のラブロツク（J.E.Lovelock）著
「Ionization Methods for the Analysis of
Gases and Vapors（ガスと蒸気を分析するため
の電離方法）」。この論文は電離型のガス検出器の
様々な態様を記述している。

米国特許第3683272号は液体ナトリウム内の水
素の検出に特に適する拡散膜・イオンポンプ装置
を示す。

米国特許第3866460号は電気装置の冷却液中の
水素を検出するための水素拡散膜および圧力また
は可燃性測定手段を示す。

米国特許第3927555号は、水素にさらされて水
素濃度の関数としての体積変化をなすパラジウム
合金管を示す。線形の可変差動変圧器が管状の長
さの変化を水素濃度を示すものとして検出する。

米国特許第3977232号は液体および気体環境に
おける水素の濃度を測定するための拡散膜・イオ
ンポンプ装置を示す。

従来の水素検出装置は多種多様であるにもかか
わらず、次のような水素検知器、すなわち、小形
かつ廉価であり、設計が簡単で頑丈であり、保存
寿命と使用寿命が長く、感度が高く、応答が迅速
であり、広い温度範囲にわたりかつ多様な環境に
おいて使用可能であり、そして標準電子回路設計
に適合する信号を発するような水素検知器が依然
として必要である。本発明の目的はこのような水
素検知器を提供することである。

本発明の他の目的は自蔵の長寿命電離源を有す
る密封拡散セルを提供することである。

本発明の他の目的は、ヘリウムを拡散セルから
拡散させて排出し、もつて水素感度を高める手段
を提供することである。

本発明の他の目的は高温環境における使用に適
するように無機材料だけで形成した水素検知セル
を提供することである。

本発明の上記および他の目的は、電圧源に接続
された１対の相隔たる電極を形成する部材を含む
コンパクトな密封真空室または真空セルの形態を
なす水素検出装置によつて達成される。

パラジウムと銀の合金で形成した膜からなる水
素窓により、水素を流体雰囲気から室内へ拡散さ
せる。陽極に被着したα粒子放出層のような自蔵
放射源が室内の水素をイオン化し、その結果生じ
た電子は電極によつて捕集され、水素濃度を表す
電流となる。この電流は直流または二乗平均電圧
モードで処理され、後者の場合は漏れ電流に対す
る弁別によりSN比と感度が高くなる。

本発明の一特徴は、真空室内の電子とα粒子の
結合によつて生ずるヘリウムを室外へ逃がし得る
第２窓を設けることである。この第２窓は、例え
ば、ヘリウムを通し得る石英で形成し得るもので
ある。すなわち、ヘリウムはこの第２窓を拡散し
て室外へ散逸し得るので、室内の水素の相対量が
増し、従つて、室の水素感度が高まる。

次に添付図面を参照して本発明を説明する。

第１図に示すように、基本態様において本発明
の水素検知装置１０は、ガス空間１５を画成しか
つ相隔たる電極、すなわち、陽極１２と陰極１３
を内蔵する密封真空室またはセルから成る。陽極
１２はリード線１９により電流指示計１４を介し
て電圧源、例えば電池１６に接続され、この電池
の他端はリード線１１によつて陰極１３に接続さ
れている。水素検知装置１０は、陽極１２に被着
した放射性材料の層または被覆１７として例示さ
れたα粒子放出材料からなる自蔵放射源を含む。

好適なα粒子放出材料はAm−241である。な
ぜならこの材料は半減期が長く、α粒子のエネル
ギーが比較的高く、そして入手しやすいからであ
る。他の実用可能なα粒子放出材料はAc−227、
Pu−238、Np−237、Ｕ−234、Th−230等であ
る。α粒子放出材料層１７を陽極１２に被着させ
るには公知の方法、例えば、塗付、焼成、電着ま
たは真空蒸着を用い得る。

水素を隣接雰囲気から検知装置１０内へ拡散さ
せるために第１窓１８を設ける。窓１８は水素を
良く透過させる材料の薄膜で形成される。好適な
水素拡散膜材料はパラジウム合金、例えば、75％
Pdと25％Agからなるパラジウム銀であり、その
厚さは0.25mm程度である。

この水素は隣接雰囲気中の水素の濃度に比例し
て窓１８を拡散して通り検知器１０のガス空間１
５内に入る。空間１５内の水素は放射性材料の層
１７から放出されたα粒子によつてイオン化され
る。その結果生じた電子は陽極１２に集められる
ので、リード線１９と電流指示器１４を流れる電
流の大きさは検知器１０内、従つて、隣接雰囲気
中の水素の濃度を表す。

電子のあるものはα粒子と結合してヘリウムと
なり、従つて、水素濃度と関係しない電流が発生
して検知装置の水素測定精度を低下させるので望
ましくない。この事態を軽減するために第２の窓
２１を設ける。窓２１はヘリウムを透過させるが
水素は通さない材料、例えば石英で形成され、こ
のため上記のヘリウムを検知装置１０から逃がす
ことができ、従つて、検知器の水素検知精度が高
まる。

本発明による水素検知装置１１０の好適実施態
様を第２図に示す。この実施態様が好適であるの
は、その材料と構造と加工技術が米国特許第
3043954号および第3760183号に例示されているよ
うな周知の中性子検出器に類似している等の理由
による。換言すれば、本発明の検知装置は、既に
良く確立されかつ有用とわかつている技術に基づ
いて製造可能である。

検知装置１１０は円筒形であり、そして真空排
気されかつ密封されたガス空間１１５が円柱形の
陽極１１２と管状の水素窓１１８との間に設けら
れている。水素窓１１８はパラジウム銀合金のよ
うな導電材料で形成され、陰極としても作用す
る。

陽極１１２はセラミツク製支持部材２６，２７
とはまり合う小径の端部を有し、両支持部材によ
つて窓１１８から隔たりかつ電気的に絶縁される
ように支持されている。陽極１１２は、支持部材
２７中の孔を通る同軸ケーブル２８の中心導体１
１９に接続してある。陽極１１２の大径の表面に
はα粒子放出材料の層１１７が形成されている。

石英製の円筒体から成るヘリウム窓１２１が周
知の方法で１対の金属製支持リンク２９，３１に
封着され、支持リング２９は水素窓１１８にも封
着されている。また、金属製ケーブルアダプタ３
２がリング３１と同軸ケーブル２８の外側導体１
１１とに接続され、組立体の（第２図における）
右端を密封している。ケーブルアダプタ３２と支
持リング２９との間に円筒形の金属スリーブ３４
が接続されて、同軸ケーブル２８の外側導体１１
１と陰極兼用水素窓１１８との間の電気接続をな
す。スリーブ３４はヘリウム窓１２１から離間し
てヘリウムガス空間３６を画成する。スリーブ３
４と支持部材２７は、ガス空間１１５，３６間に
ヘリウム通路を画成するために平担部３７を有す
るように形成されている。同軸ケーブル２８は、
スリーブ３４と金属製内側スリーブ３５との間に
接合されたシール絶縁体２５によつて封止され、
スリーブ３５は中心導体１１９に封着されてい
る。

検知装置１１０の左端は、水素窓１１８に接続
した金属製スリーブ３８によつて密封してあり、
スリーブ３８は、検知器１１０を真空にして密封
するための吸出管３９を包含している。吸出管３
９を保護するためにカツプ形端カバー４１をスリ
ーブ３８にはめ込んである。吸出管３９にはセラ
ミツクプラグ４２を緩くはめ込んで、吸出管３９
内の不作用ガス空間の容積を減らすことができ
る。このような不作用ガス空間を最少にすること
は検知装置の応答時間を短くする。

検知装置１１０の用途によつては非常に薄い保
護被覆４３を水素窓１１８の外面に設けることが
望ましい。これは窓１１８の外面を有害環境から
保護するため、および（または）検知装置の感度
と再現性を悪くするように思われるまだ良く理解
されてない表面効果に対して窓１１８の外面を不
活性化するためである。例えば、液体ナトリウム
中に用いる場合、水素窓１１８の外面にニツケル
の薄い被覆を公知の電着等の方法で施すことによ
り窓１１８を保護し得る。他の不活性化および保
護用被覆材料はアルミナ、ステンレス鋼、シリ
カ、金、ロジウム、レニウム等である。水素窓１
１８の焼なましも、水素透過に抗する触媒表面反
応を抑制する点で有益であろう。

第２図に示す検知装置１１０の実施態様の代表
例では、陽極１１２はステンレス鋼で形成され、
５mmの直径と25mmの長さを有する。α粒子放出材
料層１１７はAm−241で形成され、その厚さは
約0.002mmである。水素窓１１８は75％Pdと25％
Agの合金で形成され、６mmの内径と、40mmの長
さと、0.25mmの壁厚を有する。保護および不活性
化用被覆４３はNiで形成され、その厚さは１ミ
クロン程度である。ヘリウム窓１２１は石英で形
成され、６mmの内径と、0.3mmの壁厚と、12mmの
長さを有する。

同軸ケーブル２８は中心導体１１９と外側導体
１１１との間に絶縁体として鉱物充てん材を含
み、そして検知装置１１０の全部品も同様に無機
材料で作られているもので、検知器は少なくとも
500℃の高温環境において使用可能である。

前述の水素窓表面効果に加えて、ガス混合物中
の水素に対する本発明の検知装置の感度は様々な
変数、例えば、ガス圧力、ガス流量、水素窓表面
温度等の関数であることがわかつた。検知装置１
１０を原子炉格納容器の気体雰囲気中の水素含量
を監視するために用いる時、第３図に示すような
前記諸変数を制御する装置が役立つ。

第３図の装置では、検知装置１１０は気密ジヤ
ケツト４６内に収納されており、両者間にガス空
間４７が画成されている。監視すべき雰囲気から
のガスは入口または導管４９における流量制御弁
４８を経てガス空間４７に流入する。弁４８は適
当な弁制御装置５１によつて制御される。ガスは
ポンプ５３に連結された出口または導管５２を通
つてガス空間４７から流出する。

ガス空間４７内の温度、従つて、水素窓１１８
の温度を制御するために、加熱装置が設けられて
いる。この加熱装置は電熱コイル５４を含み、こ
のコイルはジヤケツト４６の周りに巻かれそして
ヒータ制御装置５６から給電される。ガス空間４
７内の温度は、例えば熱電対５７によつて検知さ
れる。ジヤケツト４６と加熱コイル５４は適当な
熱絶縁材料、例えばガラス繊維で作つた包囲体又
は容器５８内に収納されている。

従つて、第３図の装置はガス圧力、温度および
ガス流量の諸変数の制御に役立つ。周囲空気の水
素含量が異常でないかどうか監視するために、上
記変数を例えば次のように制御し得る。ポンプ５
３はガス空間４７内に約70cmHg絶対圧までの圧
力が生ずるように選定または制御される。好適圧
力値は20cmHgである。温度は約200℃〜700℃の
範囲内で実質的に一定に保たれ、実際的な使用温
度は250゜であつた。ガス空間４７を通るガス流は
一定流またはパルス流になるように弁４８によつ
て制御される。パルス流の方が検知装置応答の反
復性を高めるので好ましい。すなわち、弁４８は
ガス流入量を、例えば500〜2400ccmの範囲にわ
たつて制御する。一定流の場合の好適流量は約
1500ccmである。パルス流の場合、弁４８は流れ
時間と無流時間が交互に生ずるように周期的に操
作されるか、あるいは（弁４８を閉ざすことによ
り）負圧が生ずるようにポンプによる排気が行わ
れる。流量は流れ持続時間によつて可変であり、
例えば、流れ時間が１秒の場合500ccm、流れ時
間が８秒の場合2000ccmである。

第１図に示す本発明の基本態様では、検知装置
１０からの出力信号はガス空間１５内の水素濃度
の関数として電流指示計１４を通る電流である。
従つて、指示計１４は水素濃度を示すように較正
され得る。

実際の装置では、検知装置出力信号を増幅する
ことが通常必要であり、また電流信号を電圧信号
に変換して増幅、処理、表示および記録装置に適
合させることが通常望ましい。

検知装置１１０（第２図）からの信号の処理方
式を第４図の構成図に示す。検知装置１１０の同
軸出力ケーブル２８の中心導体１１９と外側導体
１１１は、電源および信号調整回路６３の１対の
入力端子６１，６２（端子６２は共通または接地
端子）に接続されている。（回路６３の２種の実
施態様を後述の第５図と第６図に示す。） 回路６３によつて調整された信号は端子６４を
経て適当な表示および（または）記録装置６６に
供給される。このような適当な装置は、周知の
様々な装置、例えば、可視表示用のデイジタルま
たはアナログ電圧計、可視記録用、および記憶の
ためのデイジタルまたはアナログ記録用のストリ
ツプまたはチヤート記録器等から選択され得る。

ここで注意すべきことは、水素検知装置からの
信号は通例水素濃度の線形関数ではないというこ
とである。検知信号振幅対水素濃度の代表的な応
答曲線を第７図に曲線６７として例示する。この
ような応答曲線を得るには、例えば、関心のある
水素濃度の範囲にわたつて相異なる既知の濃度の
水素を含有する複数のガス試料に検知装置を順次
露出すればよい。（ガス試料の組成は、水素含量
以外の点では、検知装置を適用すべき雰囲気の組
成と同様であることが好ましい。）各濃度に対す
る検知信号振幅を測定し、そしてこれらの信号か
ら公知の数学的またはグラフ的な補間法によつ
て、例えば、第７図の点６８(1)〜６８(4)のような
応答点をプロツトし、そしてこれらの点に合わせ
て曲線をひくことにより応答曲線が得られる。こ
のような応答曲線（またはその数式）から表示お
よび記録装置６６（第４図）を適当に較正し得
る。

前述のように、電源および信号調整回路（第４
図の６３）の２種の実施態様を第５図と第６図に
示す。両回路の説明の前に指摘しておきたいこと
は、検知装置１１０からの信号は交流成分と直流
成分の両方を含むということである。これは層１
１７からのα粒子放射とその結果生ずる水素の電
離事象とがランダムに生じるからである。交流成
分は、ゼロから、検知装置のイオン捕集時間によ
つて定まる半値点（half−power point）まで実
質的に平担である周波数スペクトルを有する周波
数帯域にわたつて生ずる。

交流成分の振幅は（直流成分の振幅と同様に）
検知装置の室内の水素濃度の関数であるから、交
流成分を検知装置出力信号として用い得る。交流
成分をこのように用いることの利点は漏れ電流と
ガンマ放射からの信号とが除かれることである。

検知信号の交流成分を利用する電源および信号
調整回路６３′を第５図に示す。電源部は、検知
装置負荷および電流制限抵抗器７２と、端子６
１，６２とを介して検知装置の電極に接続された
電池７１として例示されている。コンデンサ７３
により交流信号は電池７１をパイパスする。抵抗
器７２の両端にかかる交流電圧は１対の結合コン
デンサ７４(1)，７４(2)を経て差動増幅器７６（例
えばFairchild製UA749C型）に印加される。

増幅器７６からの信号は帯域フイルタ７７（例
えばT.T.Electronics Inc.製K8777−Ｂ型）に送
られる。この帯域フイルタは、検知信号の所望部
分は通すが高い及び低い周波数信号は通さないよ
うに選定される。帯域フイルタ７７の出力信号は
増幅器７８に入り、この増幅器の出力信号は二乗
回路７９（例えばAnalogue Devices、Inc.製
429B型）に供給される。二乗回路７９の出力は
平均または平滑RC回路８１を経て出力端子６４
に達する。回路８１は直列抵抗器８２と、並列に
接続した抵抗器８３およびコンデンサ８４とを含
む。

従つて、二乗回路７９と平均回路８１の作用に
より、検知信号の交流成分の二乗平均に比例する
出力信号が端子６４に生ずる。前述のように、端
子６４における出力信号は第５図に電圧計８６と
して例示された適当な表示および（または）記録
装置に供給される。

検知信号の直流成分を利用する電源およひ信号
調整回路６３″を第６図に示す。この回路では、
差動増幅器７６′の入力端子が端子６１に接続さ
れて検知装置の出力信号を受け、差動増幅器７
６′の他の端子は電池７１′として例示された電源
を介して共通または接地入力端子６２に接続され
ている。増幅された信号は平均または平滑RC回
路８１′（抵抗器８２′，８３′とコンデンサ８
４′を含む）に供給され、その結果、RC回路８
１′の時定数によつて決定される時間にわたつて
平均された検知器信号の直流成分に比例する回路
出力信号が端子６４に生ずる。端子６４における
信号の振幅を可視的に指示するために適当に較正
された直流（DC）電圧計８７を設け得る。

第４，５，６図に示した回路と同様の信号処理
回路は、米国特許第4103166号に開示されている。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の水素検知装置の基本態様の概
略図、第２図は水素検知セルの好適態様の縦断面
図、第３図は流体を水素検知セルに隣接させるた
めの絶縁されかつ加熱される容器の縦断面図、第
４図は検知セルの概略図と、それから信号を受け
る回路の構成図、第５図は電源および信号調整回
路の縦断面図、第６図は電源および信号調整回路
の代替実施態様の概略図、第７図は代表的な検知
信号振幅対水素濃度応答曲線を示す図である。 １０，１１０……水素検知装置、１２，１１２
……陽極、１３……陰極、１５，３６，１１５…
…ガス空間、１６……電池、１７，１１７……α
粒子放出材料の層、１８，１１８……第１窓（水
素窓）、２１，１２１……第２窓（ヘリウム窓）、
２８……同軸ケーブル（１１１……外側導体、１
１９……中心導体）、３８……金属スリーブ、３
９……吸出管、４６……ジヤケツト、４７……ガ
ス空間、４８……流量制御弁、４９……入口、５
２……出口、５３……ポンプ、５４……電熱コイ
ル、５８……容器、６３，６３′，６３″……電源
および信号調整回路、６６……表示および（また
は）記録装置、７１，７１′……電池、７６，７
６′……差動増幅器、７７……帯域フイルタ、７
８……増幅器、７９……二乗回路、８１，８１′
……平均または平滑RC回路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 密封真空室と、水素を隣接雰囲気から前記室
   内に入れるために水素を選択的に透過させる材料
   で形成した前記室の第１窓と、前記室内の水素を
   イオン化するために前記室内に設けたα粒子源
   と、ヘリウムを選択的に透過させる材料で形成さ
   れ、前記室内のα粒子と電子の結合によつて発生
   するヘリウムに対し前記室からの出口をなす前記
   室の第２窓と、前記室内の電子を捕集するために
   電圧源に連結された前記室内の１対の電極とを有
   し、前記捕集の結果発生する電子流が前記室内の
   水素の濃度を表す、水素検知装置。 ２ 前記第１窓をパラジウム銀合金で形成した特
   許請求の範囲第１項記載の検知装置。 ３ 前記第１窓の外面がニツケル、ステンレス
   鋼、アルミナ、シリカ、金、ロジウムおよびレニ
   ウムから選んだ材料で被覆され、この被覆は前記
   第１窓の表面の保護用であるが水素が前記第１窓
   を通つて拡散し得る程度に薄いものである、特許
   請求の範囲第１項記載の検知装置。 ４ 前記α粒子源をAm−241、Ac−227、Pu−
   238、Np−237、Ｕ−234およびTh−230から選ん
   だ特許請求の範囲第１項記載の検知装置。 ５ 前記α粒子放出源をAm−241で形成した特
   許請求の範囲第１項記載の検知装置。 ６ 前記検知装置を所定温度範囲内に維持する手
   段を含む特許請求の範囲第１項記載の装置。 ７ 前記温度範囲は200ないし700℃である、特許
   請求の範囲第６項記載の装置。 ８ 前記検知装置の全構成部が無機材料で形成さ
   れ、もつて前記検知装置を高温環境における使用
   に適するようにした特許請求の範囲第１項記載の
   検知装置。 ９ 前記検知装置を囲みかつそれに隣接する密閉
   流体空間を形成する容器と、水素含有量を検知す
   べき流体が前記容器を通るようにする手段とをさ
   らに含む特許請求の範囲第１項記載の装置。 １０ 前記流体空間を加熱する手段を含む特許請
   求の範囲第９項記載の装置。 １１ 前記流体空間を所定温度範囲内に保つ手段
   を含む特許請求の範囲第１０項記載の装置。 １２ 前記温度範囲は100ないし650℃である、特
   許請求の範囲第１１項記載の装置。 １３ 前記容器の周囲に熱絶縁材料のジヤケツト
   を含む特許請求の範囲第１０項記載の装置。 １４ 流体が前記容器を通るようにする前記手段
   が前記容器内の圧力を大気圧より低くする、特許
   請求の範囲第９項記載の装置。 １５ 流体が前記容器を通るようにする前記手段
   が前記容器を通る流体の流量を実質的に一定にす
   る、特許請求の範囲第９項記載の装置。 １６ 流体が前記容器を通るようにする前記手段
   が前記容器を通る流体の流量を周期的に変える、
   特許請求の範囲第９項記載の装置。 １７ 前記容器を通る流体の前記の周期的に変化
   する流量は無流時間と、１ないし８秒間の約
   500ccmから２ないし８秒間の約2000ccmまでの
   流量の流れの時間とが交互に生ずるようになつて
   いる、特許請求の範囲第１６項記載の装置。 １８ 前記発生電子流を処理する手段をさらに含
   み、この処理手段が、前記電子流の交流成分だけ
   を帯域フイルタに供給する手段を含み、前記フイ
   ルタは所望周波数帯域より高い周波数と低い周波
   数の信号を実質的に排除する、特許請求の範囲第
   １項記載の装置。 １９ 前記帯域フイルタから信号を受けるように
   接続された信号二乗回路と、前記二乗回路と出力
   端子との間に接続された平均回路とをさらに含
   み、前記出力端子における信号が前記電子流の交
   流成分の二乗平均に比例する、特許請求の範囲第
   １８項記載の装置。 ２０ 前記発生電子流を受け取つて増幅する増幅
   回路と、この増幅回路の出力と出力端子とをつな
   ぐ平均RC回路とをさらに含み、前記出力端子に
   おける信号が前記RC回路の時定数によつて決定
   される期間にわたつて平均した前記電子流の直流
   成分に比例する、特許請求の範囲第１項記載の装
   置。 ２１ 流体雰囲気内の水素濃度を検知する装置で
   あつて、水素を選択的に透過させる導電材料で形
   成した第１管状部材と、ヘリウムを選択的に透過
   させる材料で形成されそして一端が前記第１管状
   部材の一端に固着され該部材と共に管状体を形成
   する第２管状部材と、少なくとも導電表面を有す
   るように形成され、前記第１管状部材から電気的
   に絶縁されかつそれに対して同軸的に配置され
   て、該第１管状部材と共に、前記雰囲気から前記
   第１管状部材を拡散して通つた水素を受入れる環
   状室を形成する円柱形部材と、前記管状体の一端
   部内に封着された同軸ケーブルとを具備し、この
   同軸ケーブルの中心導体は前記円柱形部材の前記
   導電表面に電気的に接続されそして前記同軸ケー
   ブルの外側導体は前記第１管状部材に電気的に接
   続されており、また前記管状体の他端を密封する
   手段と、前記環状室内で水素をイオン化するため
   に該室内に設けられたα粒子源を具備し、前記第
   １管状部材と前記円柱形部材の前記導電表面はそ
   れぞれ電極として作用して発生電子を捕集し、ま
   た前記環状室を前記第２管状部材の内面と連通さ
   せて前記環状室からヘリウムを逃がすガス通路手
   段を具備する水素濃度検知装置。 ２２ 前記第１管状部材をパラジウム銀合金で形
   成した特許請求の範囲第２１項記載の装置。 ２３ 前記第１管状部材の外面がニツケル、ステ
   ンレス鋼、アルミナ、シリカ、金、ロジウムおよ
   びレニウムから選んだ材料で被覆され、この被覆
   は前記第１管状部材の表面の保護用であるが水素
   が前記第１管状部材を通つて拡散し得る程度に薄
   いものである、特許請求の範囲第２２項記載の装
   置。 ２４ 前記α粒子源がAm−241、Ac−227、Pu
   −238、Np−237、Ｕ−234およびTh−230から選
   んだ材料である、特許請求の範囲第２１項記載の
   装置。 ２５ 前記α粒子源をAm−241で形成した特許
   請求の範囲第２１項記載の装置。 ２６ 前記α粒子源が前記円柱形部材の表面に被
   着したα粒子放出材料である、特許請求の範囲第
   ２１項記載の装置。 ２７ 前記管状体の他端を密封する前記手段が前
   記管状体を真空にするための吸出管を含む、特許
   請求の範囲第２１項記載の装置。 ２８ 前記検知装置の全構成部が無機材料で形成
   され、もつて前記検知装置を高温環境における使
   用に適するようにした特許請求の範囲第２１項記
   載の装置。