JPS6357921B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6357921B2 JPS6357921B2 JP53133097A JP13309778A JPS6357921B2 JP S6357921 B2 JPS6357921 B2 JP S6357921B2 JP 53133097 A JP53133097 A JP 53133097A JP 13309778 A JP13309778 A JP 13309778A JP S6357921 B2 JPS6357921 B2 JP S6357921B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- tcr
- ruo
- particle size
- deviation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component composed of oxides
- H01C17/0654—Oxides of the platinum group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the resistive component composed of oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/06—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material including means to minimise changes in resistance with changes in temperature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49082—Resistor making
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
本発明は金属酸化物および／または金属酸化化
合物（metal oxidic compounds）および必要に
応じて金属および結合剤の混合物からなる抵抗材
料の製造に関する。 かかる抵抗材料は、例えば米国特許第3778389
号明細書に記載されている。この抵抗材料を製造
する場合には２種または３種以上の酸化物、必要
に応じて金属と共にガラスフリツト粉末を結合剤
として添加しながら加熱する。例えば、２種の酸
化物の割合を変えることによつて、抵抗値を変化
させることができ、特に抵抗材料対結合剤の割合
を変えることによつて、例えば10−106オーム・
センチメートルから変化する一連の抵抗値を得る
ことができる。 これらの操作中、抵抗の温度係数を独自に制御
することができない。ある化合物は金属導電率を
有し、抵抗値は温度により直線的に増加し、他の
化合物は半導体特性を有し、抵抗はｅ−関数によ
り変化し、温度の増加によつて減少する。 ある低い固有抵抗の温度係数（TCR）を有す
る与えられた抵抗値を、選択された導電性成分と
結合剤との相互間に与えられた割合に対して正に
または負に調節する場合には、かかる導電性−結
合剤割合を変えることによつて抵抗値のレベルが
変化するのみならず、更にTCRの異なる値が得
られる。この事は上述する米国特許明細書の表１
および４に明記されている。 本発明の目的はTCRの値を著しく変化させる
ことなく一連の抵抗値を調節でき、TCRを与え
られた、好ましくは極めて低い値に調節できる抵
抗材料を提供することにある。 本発明はRuO2および／またはPb2Ru2O7と実質
的に非反応性結合剤との混合物を加熱して抵抗材
料を製造する方法において、最終生成物において
±50×10-6℃-1のTCRにおける許容偏差を得る
ために、100nｍ以下の粒度および4000×10-6℃-1
〜3000×10-6℃-1のバルク材料のTCRレベルで
±10％以下の粒度における最大許容偏差を有する
RuO2およびPb2Ru2O7を用い、およびかかるルテ
ニウム化合物対ガラス結合剤の重量比を１：４〜
１：６の範囲にすることを特徴とする。 ここに用いる「±10％以下の粒度における最大
許容偏差」とは、粒度分布における偏差を大きい
粒子および小さい粒子のいずれの方に向かつて粒
子の平均値の10％以下にすることを意味する。 本発明は異なるタイムの伝導がバルク材料にお
ける伝導に比較して抵抗材料の表面に生ずるとい
う認識に基づくものである。表面において、例え
ば伝導は半導体タイプ（負TCRによる）であり、
金属特性のバルク材料においては一般に正TCR
を有する。この結果、表面伝導対粒子のバルク材
料における伝導の比が粒度と相関関係にあるため
に、平均粒度および最大偏差がTCRに著しく影
響を及ぼす。 粒度における制限はバルク材料の品質に関係す
る。バルク材料のTCRレベルが4000×10-6℃-1
〜3000×10-6℃-1の範囲では、粒度の最大許容偏
差は10％以下にする必要がある。バルク材料の
TCRレベルが1000×10-6℃-1の場合には、粒度
における制限は厳格にする必要がないが、粒度偏
差は±50×10-6℃-1の偏差の最終生成物を得るた
めに40％以下にする必要がある。 バルク材料のTCRレベルと最終生成物の特性
との関係は後述する例から明らかである。粒度分
布が狭い場合には出発材料が高いTCRレベルを
有していても良好な抵抗材料を得ることができ
る。 本発明の方法は小さくて、かつ均一な粒度を有
する出発材料を用いる必要があることを意味す
る。 米国特許第3679607号明細書には微結晶の大き
さが50nｍ以下の粒末から得られた抵抗材料が記
載されているけれども、粒子自体著しく大きい。
しかも、微結晶における広がり（spread）を極
めて大きくできるので、本発明の効果は明らかに
達成されず、更に微結晶は焼成中に大きい結晶に
再結晶する。 本発明の方法に用いるRuO2およびPb2Ru2O7材
料は種々の手段で得ることができる。例えば上述
する米国特許明細書を満たすRuO2−粒子は次の
ようにして作ることができる。ルテニウム化合物
の溶液を微細な分散石英粉末上で蒸発乾涸し、か
ように被覆した粒子を酸素含有雰囲気中で加熱
し、ルテニウム化合物をRuO2に転化させ、しか
る後に石英コアーをHFによつて溶解する。石英
粉末の粒度の選択および粒子上に堆積するルテニ
ウム化合物の分量の選択はRuO2の最終粒度を変
化させることができ、この結果としてTCRのレ
ベルを変化させることができる。 また、均一な粒度のPb2Ru2O7はアルカリルテ
ネート溶液と過剰の鉛化合物を含有する溶液との
沈降反応によつて作ることができる。焼成中に形
成したPbOが微結晶の生長を妨げる。過剰のPbO
は硝酸により焼成後に除去することができる。 平均粒度および結果としのTCRレベルは、特
に焼成プロセスの焼成温度および／または焼成時
間のほかに個々の反応成分の濃度を適当に選択す
ることによつて調節することができる。 かようにして得られた金属酸化粉末は殆ど非反
応性のガラス状結合剤または合成樹脂材料からな
る結合剤を用い周知の手段によつて抵抗材料を作
ることができる。 抵抗値は上述するようにして得られたルテニウ
ム化合物粉末対結合剤の割合を選択することによ
つて調節することができる。本発明において、±
50×10-6℃-1の低いTCRを得るためには上記ル
テニウム化合物対ガラス結合剤の重量比を１：４
〜１：６の範囲にする必要がある。この範囲以外
では本発明における上述する低いTCR値を得る
ことができない。 実施例 １ １ｇのRuCl3を25mlの水に溶解し、この溶液に
25ｇのシリカ粉末（SiO2・2H2O）を懸濁させ
た。この懸濁物をボールミル内で１時間にわたり
粉砕し、約80℃で撹拌しながら蒸発乾涸した。得
られた粉末を空気中600℃で１時間にわたり加熱
し、常温に冷却し、しかる後にSiO2が溶解する
まで20％HF−溶液で処理した。得られた懸濁物
を濾別し、残留物を100℃で乾燥した。かように
して得られた粒子が純粋RuO2からなることをＸ
−線回析図によつて確かめた。平均粒度は20nｍ
でTCRレベルは3000×10-6℃-1であつた。粒度
分布における最大許容偏差を電子顕微鏡により調
べた所、極めて小さく±10％程度であることを確
かめた。 得られたRuO2、および約1μｍの粒度を有し、
かつ重量％で示す次の成分： PbO 71.7 SiO2 21.0 B2O3 5.0 Al2O3 2.3 を含有する粉末ガラスのペーストを、次の表に示
すRuO2：ガラス重量比の割合で上記粒子からベ
ンジルベンゾエートの助けによつて作つた。 かようにして得られたペーストをAg−Pd導体
接点をすでに配設したアランダム基体上に約30μ
ｍ厚さの層に展延した。全体を約200℃で乾燥し、
空気中において10分間600℃で加熱した。得られ
た抵抗体の抵抗値Ｒおよび温度係数値TCRを測
定し、この結果を次の表に示す。この表から明ら
かなように、本発明における狭い粒度における最
大許容偏差（±10％）およびルテニウム化合物対
ガラス結合剤の重量比が１：４〜１：６の範囲に
より低いTCRの抵抗体を得ることができる。
合物（metal oxidic compounds）および必要に
応じて金属および結合剤の混合物からなる抵抗材
料の製造に関する。 かかる抵抗材料は、例えば米国特許第3778389
号明細書に記載されている。この抵抗材料を製造
する場合には２種または３種以上の酸化物、必要
に応じて金属と共にガラスフリツト粉末を結合剤
として添加しながら加熱する。例えば、２種の酸
化物の割合を変えることによつて、抵抗値を変化
させることができ、特に抵抗材料対結合剤の割合
を変えることによつて、例えば10−106オーム・
センチメートルから変化する一連の抵抗値を得る
ことができる。 これらの操作中、抵抗の温度係数を独自に制御
することができない。ある化合物は金属導電率を
有し、抵抗値は温度により直線的に増加し、他の
化合物は半導体特性を有し、抵抗はｅ−関数によ
り変化し、温度の増加によつて減少する。 ある低い固有抵抗の温度係数（TCR）を有す
る与えられた抵抗値を、選択された導電性成分と
結合剤との相互間に与えられた割合に対して正に
または負に調節する場合には、かかる導電性−結
合剤割合を変えることによつて抵抗値のレベルが
変化するのみならず、更にTCRの異なる値が得
られる。この事は上述する米国特許明細書の表１
および４に明記されている。 本発明の目的はTCRの値を著しく変化させる
ことなく一連の抵抗値を調節でき、TCRを与え
られた、好ましくは極めて低い値に調節できる抵
抗材料を提供することにある。 本発明はRuO2および／またはPb2Ru2O7と実質
的に非反応性結合剤との混合物を加熱して抵抗材
料を製造する方法において、最終生成物において
±50×10-6℃-1のTCRにおける許容偏差を得る
ために、100nｍ以下の粒度および4000×10-6℃-1
〜3000×10-6℃-1のバルク材料のTCRレベルで
±10％以下の粒度における最大許容偏差を有する
RuO2およびPb2Ru2O7を用い、およびかかるルテ
ニウム化合物対ガラス結合剤の重量比を１：４〜
１：６の範囲にすることを特徴とする。 ここに用いる「±10％以下の粒度における最大
許容偏差」とは、粒度分布における偏差を大きい
粒子および小さい粒子のいずれの方に向かつて粒
子の平均値の10％以下にすることを意味する。 本発明は異なるタイムの伝導がバルク材料にお
ける伝導に比較して抵抗材料の表面に生ずるとい
う認識に基づくものである。表面において、例え
ば伝導は半導体タイプ（負TCRによる）であり、
金属特性のバルク材料においては一般に正TCR
を有する。この結果、表面伝導対粒子のバルク材
料における伝導の比が粒度と相関関係にあるため
に、平均粒度および最大偏差がTCRに著しく影
響を及ぼす。 粒度における制限はバルク材料の品質に関係す
る。バルク材料のTCRレベルが4000×10-6℃-1
〜3000×10-6℃-1の範囲では、粒度の最大許容偏
差は10％以下にする必要がある。バルク材料の
TCRレベルが1000×10-6℃-1の場合には、粒度
における制限は厳格にする必要がないが、粒度偏
差は±50×10-6℃-1の偏差の最終生成物を得るた
めに40％以下にする必要がある。 バルク材料のTCRレベルと最終生成物の特性
との関係は後述する例から明らかである。粒度分
布が狭い場合には出発材料が高いTCRレベルを
有していても良好な抵抗材料を得ることができ
る。 本発明の方法は小さくて、かつ均一な粒度を有
する出発材料を用いる必要があることを意味す
る。 米国特許第3679607号明細書には微結晶の大き
さが50nｍ以下の粒末から得られた抵抗材料が記
載されているけれども、粒子自体著しく大きい。
しかも、微結晶における広がり（spread）を極
めて大きくできるので、本発明の効果は明らかに
達成されず、更に微結晶は焼成中に大きい結晶に
再結晶する。 本発明の方法に用いるRuO2およびPb2Ru2O7材
料は種々の手段で得ることができる。例えば上述
する米国特許明細書を満たすRuO2−粒子は次の
ようにして作ることができる。ルテニウム化合物
の溶液を微細な分散石英粉末上で蒸発乾涸し、か
ように被覆した粒子を酸素含有雰囲気中で加熱
し、ルテニウム化合物をRuO2に転化させ、しか
る後に石英コアーをHFによつて溶解する。石英
粉末の粒度の選択および粒子上に堆積するルテニ
ウム化合物の分量の選択はRuO2の最終粒度を変
化させることができ、この結果としてTCRのレ
ベルを変化させることができる。 また、均一な粒度のPb2Ru2O7はアルカリルテ
ネート溶液と過剰の鉛化合物を含有する溶液との
沈降反応によつて作ることができる。焼成中に形
成したPbOが微結晶の生長を妨げる。過剰のPbO
は硝酸により焼成後に除去することができる。 平均粒度および結果としのTCRレベルは、特
に焼成プロセスの焼成温度および／または焼成時
間のほかに個々の反応成分の濃度を適当に選択す
ることによつて調節することができる。 かようにして得られた金属酸化粉末は殆ど非反
応性のガラス状結合剤または合成樹脂材料からな
る結合剤を用い周知の手段によつて抵抗材料を作
ることができる。 抵抗値は上述するようにして得られたルテニウ
ム化合物粉末対結合剤の割合を選択することによ
つて調節することができる。本発明において、±
50×10-6℃-1の低いTCRを得るためには上記ル
テニウム化合物対ガラス結合剤の重量比を１：４
〜１：６の範囲にする必要がある。この範囲以外
では本発明における上述する低いTCR値を得る
ことができない。 実施例 １ １ｇのRuCl3を25mlの水に溶解し、この溶液に
25ｇのシリカ粉末（SiO2・2H2O）を懸濁させ
た。この懸濁物をボールミル内で１時間にわたり
粉砕し、約80℃で撹拌しながら蒸発乾涸した。得
られた粉末を空気中600℃で１時間にわたり加熱
し、常温に冷却し、しかる後にSiO2が溶解する
まで20％HF−溶液で処理した。得られた懸濁物
を濾別し、残留物を100℃で乾燥した。かように
して得られた粒子が純粋RuO2からなることをＸ
−線回析図によつて確かめた。平均粒度は20nｍ
でTCRレベルは3000×10-6℃-1であつた。粒度
分布における最大許容偏差を電子顕微鏡により調
べた所、極めて小さく±10％程度であることを確
かめた。 得られたRuO2、および約1μｍの粒度を有し、
かつ重量％で示す次の成分： PbO 71.7 SiO2 21.0 B2O3 5.0 Al2O3 2.3 を含有する粉末ガラスのペーストを、次の表に示
すRuO2：ガラス重量比の割合で上記粒子からベ
ンジルベンゾエートの助けによつて作つた。 かようにして得られたペーストをAg−Pd導体
接点をすでに配設したアランダム基体上に約30μ
ｍ厚さの層に展延した。全体を約200℃で乾燥し、
空気中において10分間600℃で加熱した。得られ
た抵抗体の抵抗値Ｒおよび温度係数値TCRを測
定し、この結果を次の表に示す。この表から明ら
かなように、本発明における狭い粒度における最
大許容偏差（±10％）およびルテニウム化合物対
ガラス結合剤の重量比が１：４〜１：６の範囲に
より低いTCRの抵抗体を得ることができる。
【表】
【表】
比較例
過剰の100mlの0.5M硝酸鉛を400mlの0.04Mル
テニウム酸カリウム溶液に常温で撹拌しながら添
加した。生成した沈澱を濾別し、200mlのH2Oで
洗浄し、再び濾過し、150℃で乾燥した。しかる
後に、粉末を空気中700℃で１時間にわたり加熱
し、冷却した後に過剰の生成したPbOを8N硝酸
で処理することによつて除去した。残留物を濾別
し、洗浄し、湿つた残留物を水１当り
Pb2Ru2O75ｇの割合に水に分散させ、次いでコロ
イド状溶液を生成させた。 かようにして生成したルテニウム酸鉛の粒度は
30nｍで、TCRレベルは3000×10-6℃-1であつ
た。最大偏差は電子顕微鏡によつて±25％である
ことを確かめた。 ルテニウム酸鉛を実施例１に記載する約1μｍ
の粒度を有するガラスの懸濁物に次の表に示す割
合で添加し、この懸濁物を乾燥後ベンジルベンゾ
エートを添加してペーストにした。得られたペー
ストをアランダム基体上に展延して湿条件におい
て約30μｍの被膜を形成し、200℃で乾燥し、し
かる後に空気中800℃で10分間にわたり加熱した
Ｑ供給導体を実施例１に記載するように設けた。
かようにして得た抵抗体Ｒおよび温度係数値
TCRを測定し、この結果を次の表に示す。この
表から明らかなように、実施例１の場合より広い
粒度における最大許容偏差（±25％）では本発明
による抵抗体の低いTCR値が得られないことが
わかる。
テニウム酸カリウム溶液に常温で撹拌しながら添
加した。生成した沈澱を濾別し、200mlのH2Oで
洗浄し、再び濾過し、150℃で乾燥した。しかる
後に、粉末を空気中700℃で１時間にわたり加熱
し、冷却した後に過剰の生成したPbOを8N硝酸
で処理することによつて除去した。残留物を濾別
し、洗浄し、湿つた残留物を水１当り
Pb2Ru2O75ｇの割合に水に分散させ、次いでコロ
イド状溶液を生成させた。 かようにして生成したルテニウム酸鉛の粒度は
30nｍで、TCRレベルは3000×10-6℃-1であつ
た。最大偏差は電子顕微鏡によつて±25％である
ことを確かめた。 ルテニウム酸鉛を実施例１に記載する約1μｍ
の粒度を有するガラスの懸濁物に次の表に示す割
合で添加し、この懸濁物を乾燥後ベンジルベンゾ
エートを添加してペーストにした。得られたペー
ストをアランダム基体上に展延して湿条件におい
て約30μｍの被膜を形成し、200℃で乾燥し、し
かる後に空気中800℃で10分間にわたり加熱した
Ｑ供給導体を実施例１に記載するように設けた。
かようにして得た抵抗体Ｒおよび温度係数値
TCRを測定し、この結果を次の表に示す。この
表から明らかなように、実施例１の場合より広い
粒度における最大許容偏差（±25％）では本発明
による抵抗体の低いTCR値が得られないことが
わかる。
【表】
実施例 ２
比較例に記載するようにアルカリ ルテネート
溶液および硝酸鉛溶液の同量から沈澱物を得、濾
別後、洗浄し、空気中700℃で20分間加熱した。
比較例に記載するように得られた粉末を硝酸で処
理し、濾過し、洗浄し、分散させ、ペーストに処
理し、基体上に展延した。分散すべき粒子の粒度
は15nｍで、TCRレベルは3000×10-6℃-1で、し
かも±10％以下の極めて小さい最大偏差を有して
いた。基体を空気中750℃で10分間加熱した。 かようにして得られた抵抗体のＲおよびTCR
値を測定し、これらの結果を次の表に示す。実施
例１の場合と同様に低いTCR値の抵抗体が得ら
れることがわかる。
溶液および硝酸鉛溶液の同量から沈澱物を得、濾
別後、洗浄し、空気中700℃で20分間加熱した。
比較例に記載するように得られた粉末を硝酸で処
理し、濾過し、洗浄し、分散させ、ペーストに処
理し、基体上に展延した。分散すべき粒子の粒度
は15nｍで、TCRレベルは3000×10-6℃-1で、し
かも±10％以下の極めて小さい最大偏差を有して
いた。基体を空気中750℃で10分間加熱した。 かようにして得られた抵抗体のＲおよびTCR
値を測定し、これらの結果を次の表に示す。実施
例１の場合と同様に低いTCR値の抵抗体が得ら
れることがわかる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ RuO2および／またはPb2Ru2O7と実質的に非
反応性結合剤との混合物を加熱して抵抗材料を製
造する方法において、最終生成物において±50×
10-6℃-1のTCRにおける許容偏差を得るために、
100nｍ以下の粒度および4000×10-6℃-1〜3000×
10-6℃-1のバルク材料のTCRレベルで±10％以
下の粒度における最大許容偏差を有するRuO2お
よびPb2Ru2O7を用い、およびかかるルテニウム
化合物対ガラス結合剤の重量比を１：４〜１：６
の範囲にすることを特徴とする抵抗材料の製造方
法。 ２ RuO2粒子および／またはPb2Ru2O7粒子を沈
降反応により形成し、しかる後加熱する特許請求
の範囲第１項記載の方法。 ３ RuO2粒子および／またはPb2Ru2O7粒子を抵
抗測定酸化化合物に転化する化合物の溶液によつ
て仮の基体材料の粒子を被覆することによつて形
成し、しかる後にかかる基体材料を選択溶剤によ
つて除去する特許請求の範囲第１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7711927A NL7711927A (nl) | 1977-10-31 | 1977-10-31 | Werkwijze voor de bereiding van weerstands- materiaal en hiermede vervaardigde weerstands- lichamen. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5472500A JPS5472500A (en) | 1979-06-09 |
| JPS6357921B2 true JPS6357921B2 (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=19829439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13309778A Granted JPS5472500A (en) | 1977-10-31 | 1978-10-28 | Preparation of resistance material and resistor arranged by this material |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4397774A (ja) |
| JP (1) | JPS5472500A (ja) |
| DE (1) | DE2846577C2 (ja) |
| FR (1) | FR2407556A1 (ja) |
| GB (1) | GB2008330B (ja) |
| NL (1) | NL7711927A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1166437A (en) * | 1980-08-08 | 1984-05-01 | Robert A. Beyerlein | Resistive element composition |
| DE3303081A1 (de) * | 1983-01-31 | 1984-08-02 | North American Philips Corp., New York, N.Y. | Verfahren zum herstellen von chip-widerstaenden mit um den rand gehenden anschluessen |
| NL8301631A (nl) * | 1983-05-09 | 1984-12-03 | Philips Nv | Weerstandspasta voor een weerstandslichaam. |
| DE4207220A1 (de) * | 1992-03-07 | 1993-09-09 | Philips Patentverwaltung | Festkoerperelement fuer eine thermionische kathode |
| JP5684971B2 (ja) | 2009-02-10 | 2015-03-18 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | パイロクロア型酸化物の調製方法、固体高分子形燃料電池、燃料電池システムおよび燃料電池用電極触媒の製造方法 |
| JP5503465B2 (ja) * | 2010-08-30 | 2014-05-28 | Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 | パイロクロア型酸化物触媒の調製方法および燃料電池用電極触媒の製造方法 |
| EP3263238B1 (en) * | 2015-02-27 | 2020-04-01 | Mitsubishi Hitachi Power Systems, Ltd. | Zero liquid discharge exhaust gas processing system and method. |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB874257A (en) * | 1960-03-02 | 1961-08-02 | Controllix Corp | Improvements in or relating to circuit-breaker actuating mechanisms |
| NL137152C (ja) * | 1966-10-24 | |||
| US3560410A (en) * | 1969-11-28 | 1971-02-02 | Du Pont | Resistor compositions containing pyrochlore-related oxides and cadmium oxide |
| JPS5528162B1 (ja) * | 1969-12-26 | 1980-07-25 | ||
| US3798063A (en) * | 1971-11-29 | 1974-03-19 | Diamond Shamrock Corp | FINELY DIVIDED RuO{11 {11 PLASTIC MATRIX ELECTRODE |
-
1977
- 1977-10-31 NL NL7711927A patent/NL7711927A/xx not_active Application Discontinuation
-
1978
- 1978-10-26 DE DE2846577A patent/DE2846577C2/de not_active Expired
- 1978-10-27 GB GB7842279A patent/GB2008330B/en not_active Expired
- 1978-10-27 FR FR7830579A patent/FR2407556A1/fr active Granted
- 1978-10-28 JP JP13309778A patent/JPS5472500A/ja active Granted
-
1980
- 1980-08-14 US US06/178,044 patent/US4397774A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4397774A (en) | 1983-08-09 |
| GB2008330B (en) | 1982-04-15 |
| GB2008330A (en) | 1979-05-31 |
| NL7711927A (nl) | 1979-05-02 |
| JPS5472500A (en) | 1979-06-09 |
| DE2846577A1 (de) | 1979-05-10 |
| FR2407556B1 (ja) | 1984-02-24 |
| FR2407556A1 (fr) | 1979-05-25 |
| DE2846577C2 (de) | 1986-03-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI529135B (zh) | 氧化釕粉末、使用其之厚膜電阻體用組成物及厚膜電阻體 | |
| KR101264964B1 (ko) | 내산화성 물질로 표면이 코팅된 도전성 구리 분말 및 그 제조방법 | |
| JPS6355842B2 (ja) | ||
| KR900003174B1 (ko) | 후막 저항기 조성물 | |
| CN111508676A (zh) | 一种小尺寸配网环形氧化锌电阻片及其制备方法 | |
| JPS6357921B2 (ja) | ||
| US6311545B1 (en) | Anhydrous zinc antimonate semiconductor gas sensor and method for producing the same | |
| JP3619262B2 (ja) | 厚膜抵抗体組成物 | |
| JPS6359999B2 (ja) | ||
| JP7367547B2 (ja) | 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体 | |
| DE1113407B (de) | Verfahren zur Herstellung eines keramischen, dielektrischen Materials | |
| US4292619A (en) | Resistance material | |
| JPH0371510A (ja) | 透明導電膜 | |
| JPH02296734A (ja) | 導電性パイロクロア系酸化物およびそれを含有する抵抗材料 | |
| JP2004084069A5 (ja) | ||
| JP4285315B2 (ja) | Ｒｕ−Ｍ−Ｏ微粉末、その製造方法、及びそれらを用いた厚膜抵抗体組成物 | |
| CN112514007B (zh) | 厚膜电阻体用组成物、厚膜电阻体用膏体及厚膜电阻体 | |
| JP2004084069A (ja) | 無機酸化物コート金属粉及びその無機酸化物コート金属粉の製造方法 | |
| DE1590869C3 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Heiß lederschicht auf einer Unterlage | |
| JPH11157845A (ja) | Ｒｕ酸化物粉末およびＲｕ複合酸化物粉末の製造方法 | |
| KR900004815B1 (ko) | 저항기 조성물 | |
| TWI795545B (zh) | 厚膜電阻用組成物、厚膜電阻用膏體及厚膜電阻 | |
| JPH08268722A (ja) | ＲｕＯ２ 粉末の製造方法 | |
| JPH02146703A (ja) | 薄膜抵抗体の製造方法 | |
| JP2654824B2 (ja) | 抵抗組成物及び厚膜抵抗体の製造方法 |