JPH02146703A - 薄膜抵抗体の製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗体の製造方法Info
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- JPH02146703A JPH02146703A JP1141433A JP14143389A JPH02146703A JP H02146703 A JPH02146703 A JP H02146703A JP 1141433 A JP1141433 A JP 1141433A JP 14143389 A JP14143389 A JP 14143389A JP H02146703 A JPH02146703 A JP H02146703A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、電気電子材料分野における高密度化及び高集
積化された素子に組込むのに好適の薄膜抵抗体の製造方
法に関する。
積化された素子に組込むのに好適の薄膜抵抗体の製造方
法に関する。
［従来の技術］
従来の抵抗体としては、固体抵抗、厚膜ペースト抵抗及
び金属薄膜抵抗体がある。
び金属薄膜抵抗体がある。
しかしながら、この固体抵抗は形状が太きいため、その
配置のために大きな空間が必要である。
配置のために大きな空間が必要である。
また、厚膜ペースト抵抗は、前記固体抵抗に比して小型
化するものの、印刷により形成するため、印刷技術上決
まる厚さよりも薄いものを製造することができない。こ
のため、厚膜ペースト抵抗はその断面積が大きいので、
高抵抗を得ようとすると、極めて長寸の形状に成形する
必要がある。従って、形成領域の面積が小さい抵抗体を
得ることができない。また、印刷ムラにより抵抗値のバ
ラツキが発生しやすく、歩留が悪いという問題点もある
。
化するものの、印刷により形成するため、印刷技術上決
まる厚さよりも薄いものを製造することができない。こ
のため、厚膜ペースト抵抗はその断面積が大きいので、
高抵抗を得ようとすると、極めて長寸の形状に成形する
必要がある。従って、形成領域の面積が小さい抵抗体を
得ることができない。また、印刷ムラにより抵抗値のバ
ラツキが発生しやすく、歩留が悪いという問題点もある
。
更に、金属薄膜抵抗体は比抵抗が小さいため、高抵抗を
得ようとすると極めて長寸の薄膜抵抗体を成形する必要
がある。このため、その形成面積が大きくなり、同様に
小型化が困難である。また、金属薄膜抵抗体は温度係数
が大きく、温度の変動により抵抗値が変動しやすいとい
う難点もある。
得ようとすると極めて長寸の薄膜抵抗体を成形する必要
がある。このため、その形成面積が大きくなり、同様に
小型化が困難である。また、金属薄膜抵抗体は温度係数
が大きく、温度の変動により抵抗値が変動しやすいとい
う難点もある。
このような背景のもとで、本願発明者等は、Ｂ ｉ −
Ｓｒ−Ｃｄ−Ｃｕ−０系酸化物からなる抵抗体について
提案した（特願昭１１ｉ３−７０２９３号）。このＢ１
−Ｓｒ−Ｃｄ−Ｃｕ−０系酸化物は、広い温度範囲に亘
って抵抗の温度係数が小さく、温度による抵抗変化率が
極めて小さいと共に、比抵抗値自体極めて高いという優
れた特性を有する。
Ｓｒ−Ｃｄ−Ｃｕ−０系酸化物からなる抵抗体について
提案した（特願昭１１ｉ３−７０２９３号）。このＢ１
−Ｓｒ−Ｃｄ−Ｃｕ−０系酸化物は、広い温度範囲に亘
って抵抗の温度係数が小さく、温度による抵抗変化率が
極めて小さいと共に、比抵抗値自体極めて高いという優
れた特性を有する。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、酸化物抵抗体は通常圧粉成形体を焼結す
ることによって製造されるため、その薄膜化が困難であ
るという難点がある。
ることによって製造されるため、その薄膜化が困難であ
るという難点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
温度による抵抗変化率が小さく、高比抵抗の優れた特性
を有する酸化物を構成成分とし、その薄膜化及び小型化
が可能であると共に、歩留が高い薄膜抵抗体の製造方法
を提供することを目的とする。
温度による抵抗変化率が小さく、高比抵抗の優れた特性
を有する酸化物を構成成分とし、その薄膜化及び小型化
が可能であると共に、歩留が高い薄膜抵抗体の製造方法
を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明に係る薄膜抵抗体の製造方法は、Ｂ ｔ ＋Ｓｒ
及びＣｕと、ｃｄ、Ｚｎ、Ｍｇ及びＨｇからなる群から
選択された少なくとも１種の成分とを含有する硝酸塩水
溶液を耐熱性絶縁基板の表面に付着させた後、乾燥し、
次いで、８００乃至８７０℃の酸化雰囲気中で焼成して
ＢｉＢｌ−Ｓｒ−但し、ＭはＣｄ， Ｚｎ、Ｍｇ及び
／又はＨｇ）−Ｃｕ−０系酸化物層を形成し、この酸化
物層をパターニングすることを特徴とする。
及びＣｕと、ｃｄ、Ｚｎ、Ｍｇ及びＨｇからなる群から
選択された少なくとも１種の成分とを含有する硝酸塩水
溶液を耐熱性絶縁基板の表面に付着させた後、乾燥し、
次いで、８００乃至８７０℃の酸化雰囲気中で焼成して
ＢｉＢｌ−Ｓｒ−但し、ＭはＣｄ， Ｚｎ、Ｍｇ及び
／又はＨｇ）−Ｃｕ−０系酸化物層を形成し、この酸化
物層をパターニングすることを特徴とする。
また、本発明に係る他の薄膜抵抗体の製造方法は、Ｂｉ
の替わりにＬａを含有する硝酸塩水溶液を使用すること
により、Ｌａ−Ｓｒ −Ｍ−Ｃｕ −０系酸化物層を形
成するものである。
の替わりにＬａを含有する硝酸塩水溶液を使用すること
により、Ｌａ−Ｓｒ −Ｍ−Ｃｕ −０系酸化物層を形
成するものである。
更に、本発明に係る更に他の薄膜抵抗体の製造方法は、
Ｂｉを含有する硝酸塩水溶液とＬａを含有する硝酸塩水
溶液とを使用することにより、Ｂ １−Ｌａ−Ｓｒ −
Ｍ−Ｃｕ−０系酸化物層を形成するものである。
Ｂｉを含有する硝酸塩水溶液とＬａを含有する硝酸塩水
溶液とを使用することにより、Ｂ １−Ｌａ−Ｓｒ −
Ｍ−Ｃｕ−０系酸化物層を形成するものである。
［作用］
本発明においては、Ｂ ｉ−Ｓｒ−Ｃｄ−Ｃｕ −〇系
酸化物を構成するＢ ｉ＋ Ｓ ｒ＋ Ｃｄ及びＣｕの
各元素がその硝酸塩の水溶液となっているので、この酸
化物構成元素はこの硝酸塩水溶液中に微細に分散されて
いる。このため、この水溶液を耐熱性絶縁基板の表面に
付着させて、この表面の少なくとも一部を前記水溶液で
被覆すると、前記基板表面にはＢ １１ Ｓ ｒ＋ Ｃ
ｄ及びＣｕの各構成元素が均一に分散した状態で均一な
厚さの水溶液が被着されるので、その後、乾燥及び焼成
処理を行うと、極めて薄いＢ１−Ｓｒ−Ｃｄ−Ｃｕ−０
系酸化物抵抗体の膜が高歩留で形成される。
酸化物を構成するＢ ｉ＋ Ｓ ｒ＋ Ｃｄ及びＣｕの
各元素がその硝酸塩の水溶液となっているので、この酸
化物構成元素はこの硝酸塩水溶液中に微細に分散されて
いる。このため、この水溶液を耐熱性絶縁基板の表面に
付着させて、この表面の少なくとも一部を前記水溶液で
被覆すると、前記基板表面にはＢ １１ Ｓ ｒ＋ Ｃ
ｄ及びＣｕの各構成元素が均一に分散した状態で均一な
厚さの水溶液が被着されるので、その後、乾燥及び焼成
処理を行うと、極めて薄いＢ１−Ｓｒ−Ｃｄ−Ｃｕ−０
系酸化物抵抗体の膜が高歩留で形成される。
前述の如く、このＢ１−Ｓｒ−Ｃｄ−Ｃｕ−０系酸化物
抵抗体は抵抗の温度係数が小さく、比抵抗が極めて高い
ので、本発明によりこのような優れた特性を有する薄膜
抵抗体を高歩留で製造することができる。
抵抗体は抵抗の温度係数が小さく、比抵抗が極めて高い
ので、本発明によりこのような優れた特性を有する薄膜
抵抗体を高歩留で製造することができる。
このように抵抗の温度係数が小さく、温度による抵抗の
抵抗変化率が小さいと共に、比抵抗が極めて高い酸化物
としては、上述の系のものに限らず、以下に示す系のも
のも同様の特性を示す。
抵抗変化率が小さいと共に、比抵抗が極めて高い酸化物
としては、上述の系のものに限らず、以下に示す系のも
のも同様の特性を示す。
Ｂ ｉ −Ｓｒ −Ｍ−Ｃｕ−０系
Ｌａ−５ｒ −Ｍ−Ｃｕ−０系
Ｂ １−Ｌａ−Ｓｒ −Ｍ−Ｃｕ−０系但し、ＭはＣｄ
＋ Ｚｎｌ Ｍｇ及びＨｇからなる群から選択された少
なくとも１種の元素である。
＋ Ｚｎｌ Ｍｇ及びＨｇからなる群から選択された少
なくとも１種の元素である。
即ち、Ｃｄ ＋ Ｚ ｎ ＋ Ｍ ｇ及びＨｇを単独で
、又はこれらの元素の内、２種以上の元素を組み合わせ
たものである。
、又はこれらの元素の内、２種以上の元素を組み合わせ
たものである。
［実施例コ
以下、本発明について更に具体的に説明する。
本発明においては、Ｂ ｉ −Ｓｒ −Ｍ−Ｃｕ−０系
酸化物、Ｌａ−Ｓｒ −Ｍ−Ｃｕ−０系酸化物又はＢ
１−Ｌａ−Ｓｒ −Ｍ−Ｃｕ−０系酸化物の薄膜抵抗体
を形成する。但し、ＭはＣｄ、Ｚｎ。
酸化物、Ｌａ−Ｓｒ −Ｍ−Ｃｕ−０系酸化物又はＢ
１−Ｌａ−Ｓｒ −Ｍ−Ｃｕ−０系酸化物の薄膜抵抗体
を形成する。但し、ＭはＣｄ、Ｚｎ。
Ｍｇ及びＨｇからなる群から選択された少なくとも１種
の成分である。
の成分である。
第１図は、横軸に温度をとり、縦軸に２７℃における抵
抗値を基準として現わした抵抗変化率をとって、このＢ
ｉ及び／又はＬａ−Ｓｒ −Ｍ−Ｃｕ−０系酸化物の抵
抗値の変化率を示したグラフ図である。なお、この第１
図は一例としてＢｉ２Ｏ３を０．５モル、ＳｒＯを１モ
ル、ＣｄＯを１モル、ＣｕＯを２モルのモル比で配合し
たＢｉＳ ｒ−Ｃｄ−Ｃｕ−０系酸化物について測定し
たものである。
抗値を基準として現わした抵抗変化率をとって、このＢ
ｉ及び／又はＬａ−Ｓｒ −Ｍ−Ｃｕ−０系酸化物の抵
抗値の変化率を示したグラフ図である。なお、この第１
図は一例としてＢｉ２Ｏ３を０．５モル、ＳｒＯを１モ
ル、ＣｄＯを１モル、ＣｕＯを２モルのモル比で配合し
たＢｉＳ ｒ−Ｃｄ−Ｃｕ−０系酸化物について測定し
たものである。
この第１図から明らかなように、Ｂ ｉＳ ｒ −Ｃｄ
−Ｃｕ−０系酸化物の抵抗値は一２２０℃から１５０’
Ｃの極めて広い温度範囲に亘って抵抗変化率が小さく、
この温度範囲において抵抗の温度係数が４Ｘ１０−’／
’Ｃと極めて小さい。従って、温度変化があっても抵抗
値は変動しに＜＜、各種の用途に使用される抵抗体とし
て極めて優れた特性を有している。また、この酸化物に
おいては、比抵抗も７５００μΩ・ａｍと亮＜、従来の
汎用されている抵抗体の比抵抗の約１．５倍である。こ
のように抵抗値（比抵抗）自体も大きく、この点でもこ
の酸化物抵抗体は好ましい特性を有する。
−Ｃｕ−０系酸化物の抵抗値は一２２０℃から１５０’
Ｃの極めて広い温度範囲に亘って抵抗変化率が小さく、
この温度範囲において抵抗の温度係数が４Ｘ１０−’／
’Ｃと極めて小さい。従って、温度変化があっても抵抗
値は変動しに＜＜、各種の用途に使用される抵抗体とし
て極めて優れた特性を有している。また、この酸化物に
おいては、比抵抗も７５００μΩ・ａｍと亮＜、従来の
汎用されている抵抗体の比抵抗の約１．５倍である。こ
のように抵抗値（比抵抗）自体も大きく、この点でもこ
の酸化物抵抗体は好ましい特性を有する。
また、前述の如＜、ＢＩ Ｓｒ Ｃｄ Ｃｕ−○
系の外に、この系のＣｄの替わりに、Ｚｎ。
系の外に、この系のＣｄの替わりに、Ｚｎ。
Ｍｇ若しくはＨｇを含有する系、又はＣｄ＋ Ｚｎ＋Ｍ
ｇ若しくはＨｇを２種以上含有する系においても、また
これらの系のＢｉの替わりにＬａを含有する系において
も、更にこれらの系のＢｉの替わりにＢｉ及びＬａの双
方を含有する系においても、第１図に示す特性と同様の
優れた特性が得られる。
ｇ若しくはＨｇを２種以上含有する系においても、また
これらの系のＢｉの替わりにＬａを含有する系において
も、更にこれらの系のＢｉの替わりにＢｉ及びＬａの双
方を含有する系においても、第１図に示す特性と同様の
優れた特性が得られる。
更に、これらの全ての系で比抵抗も７５００μΩ・ｃｍ
以上と高い。
以上と高い。
従来、種々の酸化物の組合せによって、絶縁体又は半導
体が得られている。この場合に、Ｂ１−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０系等の超電導酸化物組成ををする酸化物を液体窒
素又は液体ヘリウム温度まで冷却していくと、一般的に
同一組成であっても、製造条件が異なると、超電導特性
を示して電気抵抗がＯになったり、又は半導体的な特性
を示して液体ヘリウム温度の近傍で電気抵抗が増大した
りする。
体が得られている。この場合に、Ｂ１−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃ
ｕ−０系等の超電導酸化物組成ををする酸化物を液体窒
素又は液体ヘリウム温度まで冷却していくと、一般的に
同一組成であっても、製造条件が異なると、超電導特性
を示して電気抵抗がＯになったり、又は半導体的な特性
を示して液体ヘリウム温度の近傍で電気抵抗が増大した
りする。
しかしながら、本願発明者等が、超電導酸化物を始めと
する各種の酸化物からなる機能材料を開発すべく試作実
験を繰り返していたところ、上述の超電導酸化物組成に
おけるＣａ酸化物の替りにＣｄ酸化物を添加し、８１２
０３ 、Ｓ ｒ ０１ＣｄＯ及びＣｕＯの酸化物の組み
合わせにより得られたＢ ｉ −Ｓｒ−Ｃｄ−Ｃｕ−０
系の酸化物は、金属的特徴又は半導体的特徴のいずれも
示さない抵抗体となることを見出した。しかも、この種
の酸化物は、抵抗値自体が高いと共に、第１図に示すよ
うに、極めて広い温度範囲に亘って実質的に一定の抵抗
値を有する。また、ＣｄＯの替わりに、ＺｎＯ，ＭｇＯ
若しくはＨｇＯを添加し、又はこれらのＣｄＯ，ＺｎＯ
，ＭｇＯ若しくはＨｇＯの２種以上の酸化物を添加した
場合も同様である。
する各種の酸化物からなる機能材料を開発すべく試作実
験を繰り返していたところ、上述の超電導酸化物組成に
おけるＣａ酸化物の替りにＣｄ酸化物を添加し、８１２
０３ 、Ｓ ｒ ０１ＣｄＯ及びＣｕＯの酸化物の組み
合わせにより得られたＢ ｉ −Ｓｒ−Ｃｄ−Ｃｕ−０
系の酸化物は、金属的特徴又は半導体的特徴のいずれも
示さない抵抗体となることを見出した。しかも、この種
の酸化物は、抵抗値自体が高いと共に、第１図に示すよ
うに、極めて広い温度範囲に亘って実質的に一定の抵抗
値を有する。また、ＣｄＯの替わりに、ＺｎＯ，ＭｇＯ
若しくはＨｇＯを添加し、又はこれらのＣｄＯ，ＺｎＯ
，ＭｇＯ若しくはＨｇＯの２種以上の酸化物を添加した
場合も同様である。
更に、上述の各県において、Ｂｉ２Ｏ３の替わりに、Ｌ
ａ２Ｏ３及び／又はＢｉ２０ａを添加した場合も同様で
ある。
ａ２Ｏ３及び／又はＢｉ２０ａを添加した場合も同様で
ある。
このように、この種の酸化物の組合せにより抵抗値が温
度変化によらず一定になる機構については、温度変化に
よる格子振動の増減傾向と格子欠陥を利用した電子伝導
の増減傾向とが丁度広い温度範囲に亘って相殺するよう
に作用するからであると考えられるが、この機構は必ず
しも十分に解明されたわけではない。
度変化によらず一定になる機構については、温度変化に
よる格子振動の増減傾向と格子欠陥を利用した電子伝導
の増減傾向とが丁度広い温度範囲に亘って相殺するよう
に作用するからであると考えられるが、この機構は必ず
しも十分に解明されたわけではない。
しかしながら、本願発明者等による膨大な実験研究によ
り、上述の系の酸化物において、広い温度範囲で抵抗値
が一定になることが実験的に究明された。
り、上述の系の酸化物において、広い温度範囲で抵抗値
が一定になることが実験的に究明された。
特に、下記モル比にてその酸化物を組み合わせることに
より、上述の抵抗特性を更に一層向上させることができ
る。
より、上述の抵抗特性を更に一層向上させることができ
る。
Ｂｉ２Ｏ３及び／又はＬ ａ２０３； ０．２５乃至１
．５モル、 ＳｒＯ；０．５乃至２，５モア１／、 ＣｄＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯ又はＨｇＯ；０．５乃至２モル
、 Ｃｕｂ； ］乃至４モル。
．５モル、 ＳｒＯ；０．５乃至２，５モア１／、 ＣｄＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯ又はＨｇＯ；０．５乃至２モル
、 Ｃｕｂ； ］乃至４モル。
なお、ＣｄＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯ又はＨｇＯの酸化物を複
合添加する場合は、その総量で０．５乃至２モルにする
。また、Ｂｉ２Ｏ３とＬａ２Ｏ３とを複合添加する場合
も、その総量で０．２５乃至１．５モルにする。
合添加する場合は、その総量で０．５乃至２モルにする
。また、Ｂｉ２Ｏ３とＬａ２Ｏ３とを複合添加する場合
も、その総量で０．２５乃至１．５モルにする。
そこで、このＢｉ（及び／又はＬａ）−Ｓｒ−Ｍ（Ｍは
Ｃｄ＋Ｚｎ１Ｍｇ及びＨｇからなる群から選択された少
なくとも１種の成分）−Ｃｕ−Ｏ系酸化物の構成元素を
硝酸塩水溶液中に含有させて耐熱性絶縁基板の表面に供
給する。
Ｃｄ＋Ｚｎ１Ｍｇ及びＨｇからなる群から選択された少
なくとも１種の成分）−Ｃｕ−Ｏ系酸化物の構成元素を
硝酸塩水溶液中に含有させて耐熱性絶縁基板の表面に供
給する。
具体的には、この硝酸塩水溶液中に前記基板を浸漬する
ことにより前記水溶液を基板表面に付着させてもよいし
、又は硝酸塩水溶液を前記基板の表面上に滴下し、所謂
スピンクォータ法によって前記水溶液を基板表面に付着
させてもよい。即ち硝酸塩水溶液を基板表面に滴下させ
ると共に、基板をその表面に垂直な軸の周りに回転させ
ることにより硝酸塩水溶液の液滴を前記基板」二で薄く
広げ、これにより水溶液の薄い層を形成する。いずれに
しても、水溶液として基板上に前記酸化物組成物を付着
させるのでその厚さは均一である。また、水溶液として
基板上に供給するので、その水溶液層を薄くすることに
より薄い酸化物抵抗層の形成も容易である。
ことにより前記水溶液を基板表面に付着させてもよいし
、又は硝酸塩水溶液を前記基板の表面上に滴下し、所謂
スピンクォータ法によって前記水溶液を基板表面に付着
させてもよい。即ち硝酸塩水溶液を基板表面に滴下させ
ると共に、基板をその表面に垂直な軸の周りに回転させ
ることにより硝酸塩水溶液の液滴を前記基板」二で薄く
広げ、これにより水溶液の薄い層を形成する。いずれに
しても、水溶液として基板上に前記酸化物組成物を付着
させるのでその厚さは均一である。また、水溶液として
基板上に供給するので、その水溶液層を薄くすることに
より薄い酸化物抵抗層の形成も容易である。
この水溶液層の厚さは、前記基板を前記水溶液中に浸漬
することにより水溶液を基板に付着させる場合は、その
水溶液の濃度を調整して粘度を調節することにより、所
望のものにすることができる。また、スピンクォータ法
により水溶液層を形成する場合は、基板の回転速度等の
調節によって層厚を調整することができる。
することにより水溶液を基板に付着させる場合は、その
水溶液の濃度を調整して粘度を調節することにより、所
望のものにすることができる。また、スピンクォータ法
により水溶液層を形成する場合は、基板の回転速度等の
調節によって層厚を調整することができる。
次に、上述の如くして基板表面に水溶液層を形成した後
、これを乾燥し、更に８００乃至８７０℃の温度に加熱
して焼成する。この焼成温度が８ｏｏ’ｃ未満では酸化
物が十分に焼成されず、ＢＩ（及び／又はＬａ）−Ｓｒ
−Ｍ−Ｃｕ−０系酸化物抵抗体として十分な特性が出な
い。一方、焼成温度が８７０℃を超えると、形成された
抵抗体の抵抗値にバラツキが発生する。このため、焼成
温度は８００乃至８７０℃にする必要がある。この焼成
処理によりＢｉ（及び／又はＬａ）−Ｓｒ −Ｍ−Ｃｕ
−０系酸化物の薄膜が基板の全面に形成される。
、これを乾燥し、更に８００乃至８７０℃の温度に加熱
して焼成する。この焼成温度が８ｏｏ’ｃ未満では酸化
物が十分に焼成されず、ＢＩ（及び／又はＬａ）−Ｓｒ
−Ｍ−Ｃｕ−０系酸化物抵抗体として十分な特性が出な
い。一方、焼成温度が８７０℃を超えると、形成された
抵抗体の抵抗値にバラツキが発生する。このため、焼成
温度は８００乃至８７０℃にする必要がある。この焼成
処理によりＢｉ（及び／又はＬａ）−Ｓｒ −Ｍ−Ｃｕ
−０系酸化物の薄膜が基板の全面に形成される。
次いで、この酸化物薄膜をフォトリングラフィ技術によ
りパターニングして所定形状の薄膜抵抗体が得られる。
りパターニングして所定形状の薄膜抵抗体が得られる。
このようにして形成された酸化物薄膜抵抗体は、Ｂｉ（
及び／Ｌａ） −Ｓｒ −Ｍ−Ｃｕ−０系酸化物からな
るので、前述の如く比抵抗が極めて高いと共に、広い温
度範囲に亘って抵抗の温度係数が小さく、温度による抵
抗値の変動が小さい。
及び／Ｌａ） −Ｓｒ −Ｍ−Ｃｕ−０系酸化物からな
るので、前述の如く比抵抗が極めて高いと共に、広い温
度範囲に亘って抵抗の温度係数が小さく、温度による抵
抗値の変動が小さい。
また、硝酸水溶液中に均一に分散させた状態で、酸化物
の各構成成分を基板表面に被着させるから、極めて均一
な膜厚が薄い酸化物薄膜が得られる。
の各構成成分を基板表面に被着させるから、極めて均一
な膜厚が薄い酸化物薄膜が得られる。
従って、所望の抵抗値を得るための抵抗体の長さを短く
することができ、微小な薄膜抵抗素子を製造することが
できる。
することができ、微小な薄膜抵抗素子を製造することが
できる。
次に、本発明方法により実際にＢｉ（及び／又はＬａ）
−Ｓｒ −Ｍ−Ｃｕ−０系酸化物薄膜抵抗体を製造し
た結果について説明する。先ず、Ｂｉ２Ｏ３を１７２モ
ル、ＳｒＯを１モル、ＣｄＯを１モル、ＣｕＯを２モル
の配合量で配合した粉末を硝酸５ノに溶解し、５ノの水
で希釈して硝酸水溶液を調整した。この硝酸水溶液中に
アルミナ基板を浸漬し、次いで基板を引き上げて基板表
面に硝酸水溶液を付着させた。次に、この基板上の硝酸
水溶液を乾燥した後、８５０℃に３時間加熱して焼成処
理したところ、膜厚が０．１μｍの薄膜が形成された。
−Ｓｒ −Ｍ−Ｃｕ−０系酸化物薄膜抵抗体を製造し
た結果について説明する。先ず、Ｂｉ２Ｏ３を１７２モ
ル、ＳｒＯを１モル、ＣｄＯを１モル、ＣｕＯを２モル
の配合量で配合した粉末を硝酸５ノに溶解し、５ノの水
で希釈して硝酸水溶液を調整した。この硝酸水溶液中に
アルミナ基板を浸漬し、次いで基板を引き上げて基板表
面に硝酸水溶液を付着させた。次に、この基板上の硝酸
水溶液を乾燥した後、８５０℃に３時間加熱して焼成処
理したところ、膜厚が０．１μｍの薄膜が形成された。
この薄膜をフォトリソグラフィ技術によりパターニング
して第２図に示すような抵抗体を形成した。この抵抗体
の幅は１０μｍ１抵抗体間の間隔も１０μｍである。ま
た、この抵抗体の形成領域は縦が１ｍＩＩ＋１横が１．
２關である。このようにして得られた抵抗体は微細であ
るにも拘らず、抵抗値が３ＭΩと極めて高い抵抗値が得
られた。
して第２図に示すような抵抗体を形成した。この抵抗体
の幅は１０μｍ１抵抗体間の間隔も１０μｍである。ま
た、この抵抗体の形成領域は縦が１ｍＩＩ＋１横が１．
２關である。このようにして得られた抵抗体は微細であ
るにも拘らず、抵抗値が３ＭΩと極めて高い抵抗値が得
られた。
なお、前記硝酸水溶液をアルミナ基板上に滴下してスピ
ンクォータ法により薄膜を形成した場合も、同様に抵抗
値が大きい微細な抵抗素子が得られた。
ンクォータ法により薄膜を形成した場合も、同様に抵抗
値が大きい微細な抵抗素子が得られた。
Ｂｉ２Ｏ３の替わりに、又はその一部の替わりにＬａ２
Ｏ３を使用し、ＣｄＯの替わりに、ＺｎＯ，ＭｇＯ又は
ＨｇＯを単独で又は複合して使用した場合も同様の効果
が得られた。
Ｏ３を使用し、ＣｄＯの替わりに、ＺｎＯ，ＭｇＯ又は
ＨｇＯを単独で又は複合して使用した場合も同様の効果
が得られた。
［発明の効果］
本発明によれば、Ｂｉ （及び／又はＬａ）Ｓｒ−Ｍ−
Ｃｕ−０系酸化物の極めて薄い薄膜を安定して均一に形
成することができる。また、この酸化物の構成元素が硝
酸水溶液中に微細に分散されているため、得られた抵抗
体は抵抗値のバラツキが小さく、またその歩留が高い。
Ｃｕ−０系酸化物の極めて薄い薄膜を安定して均一に形
成することができる。また、この酸化物の構成元素が硝
酸水溶液中に微細に分散されているため、得られた抵抗
体は抵抗値のバラツキが小さく、またその歩留が高い。
更に、８００乃至８７０℃の温度にて焼成するから、薄
膜の強度は十分高く、従って抵抗値のバラツキが低く歩
留が高い。
膜の強度は十分高く、従って抵抗値のバラツキが低く歩
留が高い。
更にまた、Ｂｉ（及び／又はＬａ）−Ｓｒ−ＭＣｕ−０
系酸化物は比抵抗が金属薄膜抵抗体の数千倍であるので
、極めて微小の薄い抵抗素子を得ることができ、この抵
抗素子が組み込まれる電子デバイスの高集積化及び高密
度化に寄与する。
系酸化物は比抵抗が金属薄膜抵抗体の数千倍であるので
、極めて微小の薄い抵抗素子を得ることができ、この抵
抗素子が組み込まれる電子デバイスの高集積化及び高密
度化に寄与する。
しかも、抵抗の温度係数が小さいので、抵抗値変動が小
さい抵抗素子を得ることができる。
さい抵抗素子を得ることができる。
第１図はＢ ｉ −Ｓｒ−Ｃｄ−Ｃｕ−０系酸化物の抵
抗値の温度変化率を示すグラフ図、第２図は実施例にて
形成した抵抗素子のパターンを示す図である。
抗値の温度変化率を示すグラフ図、第２図は実施例にて
形成した抵抗素子のパターンを示す図である。
Claims (3)
- （１）Ｂｉ，Ｓｒ及びＣｕと、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｍｇ及びＨ
ｇからなる群から選択された少なくとも１種の成分とを
含有する硝酸塩水溶液を耐熱性絶縁基板の表面に付着さ
せた後、乾燥し、次いで、８００乃至８７０℃の酸化雰
囲気中で焼成してＢｉ−Ｓｒ−Ｍ（但し、ＭはＣｄ，Ｚ
ｎ，Ｍｇ及び／又はＨｇ）−Ｃｕ−Ｏ系酸化物層を形成
し、この酸化物層をパターニングすることを特徴とする
薄膜抵抗体の製造方法。 - （２）Ｌａ，Ｓｒ及びＣｕと、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｍｇ及びＨ
ｇからなる群から選択された少なくとも１種の成分とを
含有する硝酸塩水溶液を耐熱性絶縁基板の表面に付着さ
せた後、乾燥し、次いで、８００乃至８７０℃の酸化雰
囲気中で焼成してＬａ−Ｓｒ−Ｍ（但し、ＭはＣｄ，Ｚ
ｎ，Ｍｇ及び／又はＨｇ）−Ｃｕ−Ｏ系酸化物層を形成
し、この酸化物層をパターニングすることを特徴とする
薄膜抵抗体の製造方法。 - （３）Ｂｉ，Ｌａ，Ｓｒ及びＣｕと、Ｃｄ，Ｚｎ，Ｍｇ
及びＨｇからなる群から選択された少なくとも１種の成
分とを含有する硝酸塩水溶液を耐熱性絶縁基板の表面に
付着させた後、乾燥し、次いで、８００乃至８７０℃の
酸化雰囲気中で焼成してＢｉ−Ｌａ−Ｓｒ−Ｍ（但し、
ＭはＣｄ，Ｚｎ，Ｍｇ及び／又はＨｇ）−Ｃｕ−Ｏ系酸
化物層を形成し、この酸化物層をパターニングすること
を特徴とする薄膜抵抗体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20718488 | 1988-08-19 | ||
| JP63-207184 | 1988-08-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02146703A true JPH02146703A (ja) | 1990-06-05 |
Family
ID=16535638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1141433A Pending JPH02146703A (ja) | 1988-08-19 | 1989-06-03 | 薄膜抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02146703A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2684794A1 (fr) * | 1991-12-06 | 1993-06-11 | Mitsubishi Materials Corp Ltd | Procede de formation d'un film mince de thermistor. |
-
1989
- 1989-06-03 JP JP1141433A patent/JPH02146703A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2684794A1 (fr) * | 1991-12-06 | 1993-06-11 | Mitsubishi Materials Corp Ltd | Procede de formation d'un film mince de thermistor. |
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