JPS6360555B2 - - Google Patents
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- JPS6360555B2 JPS6360555B2 JP56096129A JP9612981A JPS6360555B2 JP S6360555 B2 JPS6360555 B2 JP S6360555B2 JP 56096129 A JP56096129 A JP 56096129A JP 9612981 A JP9612981 A JP 9612981A JP S6360555 B2 JPS6360555 B2 JP S6360555B2
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- superconductor layer
- josephson junction
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は第１の超伝導体層上にバリア層を介し
て第２の超伝導体層が延長してなる構成を有する
ジヨセフソン接合素子の製法に関する。
て第２の超伝導体層が延長してなる構成を有する
ジヨセフソン接合素子の製法に関する。
斯種ジヨセフソン接合素子として、従来第１の
超伝導体層がNbとAlとを含むNb・Al合金でな
るものが提案されている。斯るジヨセフソン接合
素子によれば、その第１の超伝導体層がNb・Al
合金であることにより15〓以上の高い臨界温度を
示し、依つてジヨセフソン接合素子としての優れ
た特性が期待されるものである。
超伝導体層がNbとAlとを含むNb・Al合金でな
るものが提案されている。斯るジヨセフソン接合
素子によれば、その第１の超伝導体層がNb・Al
合金であることにより15〓以上の高い臨界温度を
示し、依つてジヨセフソン接合素子としての優れ
た特性が期待されるものである。
一方斯種ジヨセフソン接合素子の製法として従
来、第１の超伝導体層を形成し、次にその第１の
超伝導体層上にバリア層を形成し、この場合その
バリア層を、第１の超伝導体層に対する酸化処理
により第１の超伝導体層を構成せる材料の酸化物
層を以つて得、又は第１の超伝導体層上に易酸化
性層を形成しその易酸化性層に対する酸化処理に
よりその易酸化性層を構成せる材料の酸化物層を
以つて得、然る后バリア層上に延長せる第２の超
伝導体層を形成し、斯くて目的とするジヨセフソ
ン接合素子を得るという方法が提案されている。
来、第１の超伝導体層を形成し、次にその第１の
超伝導体層上にバリア層を形成し、この場合その
バリア層を、第１の超伝導体層に対する酸化処理
により第１の超伝導体層を構成せる材料の酸化物
層を以つて得、又は第１の超伝導体層上に易酸化
性層を形成しその易酸化性層に対する酸化処理に
よりその易酸化性層を構成せる材料の酸化物層を
以つて得、然る后バリア層上に延長せる第２の超
伝導体層を形成し、斯くて目的とするジヨセフソ
ン接合素子を得るという方法が提案されている。
所で斯る製法に於て、バリア層を易酸化性層を
構成せる材料の酸化物層を以つて得る場合、易酸
化性層の所期の薄い厚さに形成するのが困難であ
ることにより、バリア層を所期の20〜50Å程度の
極めて薄い厚さに形成するのが困難であり、この
為ジヨセフソン接合素子を所期の優れた特性を有
するものとして得るのに困難を伴うという欠点を
有する。之に対し上述せる製法に於て、バリア層
を第１の超伝導体層を構成せる材料の酸化物層を
以つて得る場合、上述せる困難を伴うことがない
という利点を有する。
構成せる材料の酸化物層を以つて得る場合、易酸
化性層の所期の薄い厚さに形成するのが困難であ
ることにより、バリア層を所期の20〜50Å程度の
極めて薄い厚さに形成するのが困難であり、この
為ジヨセフソン接合素子を所期の優れた特性を有
するものとして得るのに困難を伴うという欠点を
有する。之に対し上述せる製法に於て、バリア層
を第１の超伝導体層を構成せる材料の酸化物層を
以つて得る場合、上述せる困難を伴うことがない
という利点を有する。
依つて、上述せる製法によつて、前述せる優れ
た特性の期待される第１の超伝導体層がNb・Al
合金でなるというジヨセフソン接合素子を得るも
のとすれば、上述せる製法に於て、バリア層を第
１の超伝導体層を構成せる材料の酸化物層を以つ
て得る場合が、バリア層を易酸化性層を構成せる
材料の酸化物層を以つて得る場合に比し好適なも
のである。
た特性の期待される第１の超伝導体層がNb・Al
合金でなるというジヨセフソン接合素子を得るも
のとすれば、上述せる製法に於て、バリア層を第
１の超伝導体層を構成せる材料の酸化物層を以つ
て得る場合が、バリア層を易酸化性層を構成せる
材料の酸化物層を以つて得る場合に比し好適なも
のである。
而し乍ら、上述せる製法により、但しバリア層
を第１の超伝導体層を構成せる材料の酸化物層を
以つて得る様にして、前述せる第１の超伝導体層
がNb・Al合金でなるというジヨセフソン接合素
子を得る場合、第１の超伝導体層を構成せるNb
の酸化物を生成するエネルギがAlの酸化物を生
成するエネルギに比し小であることにより、バリ
ア層が、Alの酸化物層に比し高い誘電率を呈す
る、Nb2O5を主体とせるNbの酸化物層で得られ
るものである。
を第１の超伝導体層を構成せる材料の酸化物層を
以つて得る様にして、前述せる第１の超伝導体層
がNb・Al合金でなるというジヨセフソン接合素
子を得る場合、第１の超伝導体層を構成せるNb
の酸化物を生成するエネルギがAlの酸化物を生
成するエネルギに比し小であることにより、バリ
ア層が、Alの酸化物層に比し高い誘電率を呈す
る、Nb2O5を主体とせるNbの酸化物層で得られ
るものである。
この為、上述せる従来の製法によつて、但しバ
リア層を第１の超伝導体層を構成せる材料の酸化
物層を以つて得る様にして、前述せる第１の超伝
導体層がNb・Al合金でなるというジヨセフソン
接合素子を得る場合、バリア層が高い誘電率を有
するものとして得られるので、第１の超伝導体層
がNb・Al合金でなるというジヨセフソン接合素
子を優れた特性を有するものとして得られること
が期待されてい乍ら、動作速度が遅い等期待通り
の優れた特性を有するものとして得られないとい
う欠点を有していた。
リア層を第１の超伝導体層を構成せる材料の酸化
物層を以つて得る様にして、前述せる第１の超伝
導体層がNb・Al合金でなるというジヨセフソン
接合素子を得る場合、バリア層が高い誘電率を有
するものとして得られるので、第１の超伝導体層
がNb・Al合金でなるというジヨセフソン接合素
子を優れた特性を有するものとして得られること
が期待されてい乍ら、動作速度が遅い等期待通り
の優れた特性を有するものとして得られないとい
う欠点を有していた。
衣つて本発明は、上述せる従来の製法によつ
て、但しバリア層を第１の超伝導体層を構成せる
材料の酸化物層を以つて得る様にして、前述せる
第１の超伝導体層がNb・Al合金でなるというジ
ヨセフソン接合素子を得るというものであるが、
上述せる欠点を有しないという新規なジヨセフソ
ン接合素子の製法を提案せんとするもので以下詳
述する所より明らかとなるであろう。
て、但しバリア層を第１の超伝導体層を構成せる
材料の酸化物層を以つて得る様にして、前述せる
第１の超伝導体層がNb・Al合金でなるというジ
ヨセフソン接合素子を得るというものであるが、
上述せる欠点を有しないという新規なジヨセフソ
ン接合素子の製法を提案せんとするもので以下詳
述する所より明らかとなるであろう。
第１図は本発明によるジヨセフソン接合素子の
製法の一例を原理的に示し、予め基板１を用意し
（第１図Ａ）、而してその基板１上に、Nb・Al合
金でなる第１の超伝導体層２をそれ自体は公知の
方法によつて所要のパターンを以つて形成した。
（第１図Ｂ）。
製法の一例を原理的に示し、予め基板１を用意し
（第１図Ａ）、而してその基板１上に、Nb・Al合
金でなる第１の超伝導体層２をそれ自体は公知の
方法によつて所要のパターンを以つて形成した。
（第１図Ｂ）。
次にその第１の超伝導体層２に対するCF4ガス
を用いたスパツタリング処理をマスク（図示せ
ず）を用いて所要の領域に於て選択的になした。
然るときはNbに対するCF4ガスを用いたスパツ
タリング処理によればNbが、Alに対するCF4ガ
スを用いたスパツタリング処理によりAlがスパ
ツタされる場合に比し、格段的に速い速度でスパ
ツタされる（例えば680Wのスパツタをなす場合、
Nbが1000Å／分の速度でスパツタされるに対し、
Alは殆んどスパツタされない）という理由で、
第１の超伝導体層２の表面側に実質的にAlのみ
でなる又は第１の超伝導体層２を構成せるNb・
Al合金に比しAlの割合の高い組成を有するNb・
Al合金でなる所謂Alリツチな表面層３が形成さ
れた（第１図Ｃ）。
を用いたスパツタリング処理をマスク（図示せ
ず）を用いて所要の領域に於て選択的になした。
然るときはNbに対するCF4ガスを用いたスパツ
タリング処理によればNbが、Alに対するCF4ガ
スを用いたスパツタリング処理によりAlがスパ
ツタされる場合に比し、格段的に速い速度でスパ
ツタされる（例えば680Wのスパツタをなす場合、
Nbが1000Å／分の速度でスパツタされるに対し、
Alは殆んどスパツタされない）という理由で、
第１の超伝導体層２の表面側に実質的にAlのみ
でなる又は第１の超伝導体層２を構成せるNb・
Al合金に比しAlの割合の高い組成を有するNb・
Al合金でなる所謂Alリツチな表面層３が形成さ
れた（第１図Ｃ）。
次にその表面層３に対する酸化処理をなした。
然るときは第１の超伝導体層２上に、表面層３の
酸化されてなる、Al酸化物（Al2O3）を主成分と
せる誘電率εの極めて低い（ε＝11程度）の層４
が得られた（第１図Ｄ）。
然るときは第１の超伝導体層２上に、表面層３の
酸化されてなる、Al酸化物（Al2O3）を主成分と
せる誘電率εの極めて低い（ε＝11程度）の層４
が得られた（第１図Ｄ）。
次に層４をバリア層としてそのバリア層４上に
延長せる第２の超伝導体層５をそれ自体は公知の
方法で形成した（第１図Ｅ）。
延長せる第２の超伝導体層５をそれ自体は公知の
方法で形成した（第１図Ｅ）。
斯くて第１の超伝導体２上にバリア層４を介し
て第２の超伝導体層５が延長してなる構成を有す
るジヨセフソン接合素子Ｕを得た。
て第２の超伝導体層５が延長してなる構成を有す
るジヨセフソン接合素子Ｕを得た。
以上で本発明によるジヨセフソン接合素子の製
法の原理的一例が明らかとなつたが、斯る製法に
よれば、第１の超伝導体層２がNb・Al合金でな
るという目的とせるジヨセフソン接合素子を得る
ことが出来、そしてそのバリア層４が、第１の超
伝導体層に対するCF4ガスを用いたスパツタリン
グ処理により、第１の超伝導体層の表面側にAl
リツチな表面層４を形成し、次にその表面層４に
対する酸化処理をなすという極めて簡易な工程で
得られ、しかもそのバリア層４がAl酸化物を主
成分とせる低い誘電率を有するものとして得られ
るものである。
法の原理的一例が明らかとなつたが、斯る製法に
よれば、第１の超伝導体層２がNb・Al合金でな
るという目的とせるジヨセフソン接合素子を得る
ことが出来、そしてそのバリア層４が、第１の超
伝導体層に対するCF4ガスを用いたスパツタリン
グ処理により、第１の超伝導体層の表面側にAl
リツチな表面層４を形成し、次にその表面層４に
対する酸化処理をなすという極めて簡易な工程で
得られ、しかもそのバリア層４がAl酸化物を主
成分とせる低い誘電率を有するものとして得られ
るものである。
依つて本発明による製法によれば、優れた特性
の得られることが期待されている第１の超伝導体
層２がNb・Al合金でなるというジヨセフソン接
合素子を、極めて簡易な工程で、バリア層が極め
て低い誘電率を有し、従つて動作速度が速い等期
待通りの優れた特性を有するものとして得られる
という大なる特徴を有するものである。
の得られることが期待されている第１の超伝導体
層２がNb・Al合金でなるというジヨセフソン接
合素子を、極めて簡易な工程で、バリア層が極め
て低い誘電率を有し、従つて動作速度が速い等期
待通りの優れた特性を有するものとして得られる
という大なる特徴を有するものである。
次に本発明による製法の具体的実施例を述べよ
う。
う。
実施例 １
基板１として表面に熱酸化膜を形成せるシリコ
ン基板を用い、而して第１の超伝導体層２を
Nb75％、Al25％のNb・Al合金でなる超伝導臨
界温度TcがTc＝16.7〓の層として形成し、その
第１の超伝導体層２に対するArガスを用いたス
パツタリング処理を10-2torrのガス圧力下でなし
て第１の超伝導体層２の表面を清浄化して后、第
１の超伝導体層２に対するCF4ガスを用いたスパ
ツタリング処理を、10-1torrのガス圧力下で
100W、２分の条件下でなして表面層３を得、そ
の表面層３に対する酸化処理をAr96％、O24％の
混合ガスを用いた10-2torrの圧力下でのプラズマ
酸化処理を以つてなしてバリア層４で形成し、第
２の超伝導体層５をPbでなる層として形成し、
目的とするジヨセフソン接合素子Ｕを得た。
ン基板を用い、而して第１の超伝導体層２を
Nb75％、Al25％のNb・Al合金でなる超伝導臨
界温度TcがTc＝16.7〓の層として形成し、その
第１の超伝導体層２に対するArガスを用いたス
パツタリング処理を10-2torrのガス圧力下でなし
て第１の超伝導体層２の表面を清浄化して后、第
１の超伝導体層２に対するCF4ガスを用いたスパ
ツタリング処理を、10-1torrのガス圧力下で
100W、２分の条件下でなして表面層３を得、そ
の表面層３に対する酸化処理をAr96％、O24％の
混合ガスを用いた10-2torrの圧力下でのプラズマ
酸化処理を以つてなしてバリア層４で形成し、第
２の超伝導体層５をPbでなる層として形成し、
目的とするジヨセフソン接合素子Ｕを得た。
然るときは、得られたジヨセフソン接合素子Ｕ
が第２図に示す如きギヤツプ電圧が４ｍＶである
トンネル形電圧Ｖ−電流Ｉ特性を呈するものとし
て得られた。
が第２図に示す如きギヤツプ電圧が４ｍＶである
トンネル形電圧Ｖ−電流Ｉ特性を呈するものとし
て得られた。
実施例 ２
CF4ガスを用いたスパツタリング処理をなす場
合のガス圧力を1.2×10-1torrに変更したことを除
いては実施例１の場合と同様の処理をなして目的
とするジヨセフソン接合素子Ｕを得た。
合のガス圧力を1.2×10-1torrに変更したことを除
いては実施例１の場合と同様の処理をなして目的
とするジヨセフソン接合素子Ｕを得た。
然るときは、得られたジヨセフソン接合素子Ｕ
がギヤツプ電圧が4.2ｍＶであるトンネル形電圧
Ｖ−電流Ｉ特性を呈するものとして得られた。尚
本例に於て第１の超伝導体層２に対するCF4ガス
を用いたスパツタリング処理をなして表面層３を
形成したときのその表面層３のNb、Alの濃度
（％）を測定した結果第３図に示す結果が得られ
た。
がギヤツプ電圧が4.2ｍＶであるトンネル形電圧
Ｖ−電流Ｉ特性を呈するものとして得られた。尚
本例に於て第１の超伝導体層２に対するCF4ガス
を用いたスパツタリング処理をなして表面層３を
形成したときのその表面層３のNb、Alの濃度
（％）を測定した結果第３図に示す結果が得られ
た。
実施例 ３
基板１としてサフアイヤ基板を用い、而して第
１の超伝導体層２をNb75.5％、Al24.5％のNb・
Al合金でなるTc＝15.2〓層として形成し、その
第１の超伝導体層２に対するCF4ガスを用いたス
パツタリング処理を、その前にArガスを用いた
スパツタリング処理をなすことなしに、(イ)
0.005torrのガス圧下での100W、２分の条件、(ロ)
0.01torrのガス圧下での70W、２分の条件、(ハ)
0.1torrのガス圧下での50W、２分の条件、(ニ)
0.5torrのガス圧力下での100W、２分の条件でな
して表面層３を得、それ等表面層３に対し各別に
実施例１の場合と同様のプラズマ酸化処理をなし
て各別のバリア層４を形成し、第２の超伝導体層
５をPbでなる層として形成し、目的とするジヨ
セフソン接合素子Ｕを得た。
１の超伝導体層２をNb75.5％、Al24.5％のNb・
Al合金でなるTc＝15.2〓層として形成し、その
第１の超伝導体層２に対するCF4ガスを用いたス
パツタリング処理を、その前にArガスを用いた
スパツタリング処理をなすことなしに、(イ)
0.005torrのガス圧下での100W、２分の条件、(ロ)
0.01torrのガス圧下での70W、２分の条件、(ハ)
0.1torrのガス圧下での50W、２分の条件、(ニ)
0.5torrのガス圧力下での100W、２分の条件でな
して表面層３を得、それ等表面層３に対し各別に
実施例１の場合と同様のプラズマ酸化処理をなし
て各別のバリア層４を形成し、第２の超伝導体層
５をPbでなる層として形成し、目的とするジヨ
セフソン接合素子Ｕを得た。
然るときは、CF4ガスを用いたプラズマエツチ
ング処理を上記(イ)；(ロ)；(ハ)；及び(ニ)の条件でな
し
て得られたジヨセフソン接合素子Ｕが、ギヤツプ
電圧が夫々3.2ｍＶ；3.8ｍＶ；4.1ｍＶ；3.5ｍ
Ｖ；及び3.5ｍＶであるトンネル形電圧Ｖ−電流
Ｉ特性を呈するものとして得られた。
ング処理を上記(イ)；(ロ)；(ハ)；及び(ニ)の条件でな
し
て得られたジヨセフソン接合素子Ｕが、ギヤツプ
電圧が夫々3.2ｍＶ；3.8ｍＶ；4.1ｍＶ；3.5ｍ
Ｖ；及び3.5ｍＶであるトンネル形電圧Ｖ−電流
Ｉ特性を呈するものとして得られた。
実施例 ４
基板１としてサフアイヤ基板１を用い、第１の
超伝導体層２を実施例３の場合と同様に形成し、
その第１の超伝導体層２に対するCF4ガスを用い
たスパツタリング処理を、その前にArガスを用
いたスパツタリング処理をなすことなしに、
0.1torrのガス圧力下での70W、１分の条件でな
して表面層３を得、その表面層３に対しAr80％、
O220％の混合ガス雰囲気中での自然酸化処理を
10時間なしてバリア層４を形成し、第２の超伝導
体層５をPbでなる層として形成し、目的とする
ジヨセフソン接合素子Ｕを得た。
超伝導体層２を実施例３の場合と同様に形成し、
その第１の超伝導体層２に対するCF4ガスを用い
たスパツタリング処理を、その前にArガスを用
いたスパツタリング処理をなすことなしに、
0.1torrのガス圧力下での70W、１分の条件でな
して表面層３を得、その表面層３に対しAr80％、
O220％の混合ガス雰囲気中での自然酸化処理を
10時間なしてバリア層４を形成し、第２の超伝導
体層５をPbでなる層として形成し、目的とする
ジヨセフソン接合素子Ｕを得た。
然るときは、ジヨセフソン接合素子Ｕがギヤツ
プ電圧が4.0ｍＶであるトンネル型電圧Ｖ−電流
Ｉ特性を呈するものとして得られた。
プ電圧が4.0ｍＶであるトンネル型電圧Ｖ−電流
Ｉ特性を呈するものとして得られた。
実施例 ５
CF4ガスを用いたスパツタリング処理を、その
前にArガスを用いたスパツタリング処理をなす
ことを除いては実施例４の場合と同様の処理をな
して目的とせるジヨセフソン接合素子を得た。然
るときはジヨセフソン接合素子が実施例４の場合
と同様の特性を呈するものとして得られた。
前にArガスを用いたスパツタリング処理をなす
ことを除いては実施例４の場合と同様の処理をな
して目的とせるジヨセフソン接合素子を得た。然
るときはジヨセフソン接合素子が実施例４の場合
と同様の特性を呈するものとして得られた。
以上にて本発明によるジヨセフソン接合素子の
製法が明らかとなつたが、その本発明による製法
によれば、ジヨセフソン素子が第１の超伝導体層
２に対するCF4ガスを用いたスパツタリング処理
時に於けるガス圧力に依存せるギヤツプ電圧を有
するトンネル型特性で得られ、そしてそのガス圧
力が0.005〜0.5torrの範囲である場合、優れたト
ンネル型特性を有するものである。
製法が明らかとなつたが、その本発明による製法
によれば、ジヨセフソン素子が第１の超伝導体層
２に対するCF4ガスを用いたスパツタリング処理
時に於けるガス圧力に依存せるギヤツプ電圧を有
するトンネル型特性で得られ、そしてそのガス圧
力が0.005〜0.5torrの範囲である場合、優れたト
ンネル型特性を有するものである。
依つて本発明によれば限定されるものではない
が、CF4ガスを用いたスパツタリング処理を0.005
〜0.5torrのガス圧下でなすを可とするものであ
る。
が、CF4ガスを用いたスパツタリング処理を0.005
〜0.5torrのガス圧下でなすを可とするものであ
る。
第１図は本発明によるジヨセフソン接合素子の
製法の原理的一例を示す略線図、第２図はジヨセ
フソン接合素子の特性を示す図、第３図は表面層
のNb、Al濃度を示す図である。 図中、１は基板、２は第１の超伝導層、３は表
面層、４はバリア層、５は第２の超伝導層を夫々
示す。
製法の原理的一例を示す略線図、第２図はジヨセ
フソン接合素子の特性を示す図、第３図は表面層
のNb、Al濃度を示す図である。 図中、１は基板、２は第１の超伝導層、３は表
面層、４はバリア層、５は第２の超伝導層を夫々
示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Nb・Al合金でなる第１の超伝導体層を形成
する工程と、該第１の超伝導体層に対するCF4ガ
スを用いたスパツタリング処理により当該第１の
超伝導体層の表面側に実質的にAlでなる又は上
記Nb・Al合金に比しAlの割合の高い組成を有す
るNb・Al合金でなる表面層を形成する工程と、
該表面層に対する酸化処理により上記第１の超伝
導体層上にAl酸化物を主成分とせるバリア層を
形成する工程と、該バリア層上に延長せる第２の
超伝導体層を形成する工程とを含んで、上記第１
の超伝導体層上に上記バリア層を介して上記第２
の超伝導体層が延長してなる構成を有するジヨセ
フソン接合素子を得ることを特徴とするジヨセフ
ソン接合素子の製法。 ２ Nb・Al合金でなる第１の超伝導体層を形成
する工程と、該第１の超伝導体層に対するCF4ガ
スを用いたスパツタリング処理を0.005〜0.5Torr
のガス圧下でなすことにより当該第１の超伝導体
層の表面側に実質的にAlでなる又は上記Nb・Al
合金に比しAlの割合の高い組成を有するNb・Al
合金でなる表面層を形成する工程と、該表面層に
対する酸化処理により上記第１の超伝導体層上に
Al酸化物を主成分とせるバリア層を形成する工
程と、該バリア層上に延長せる第２の超伝導体層
を形成する工程とを含んで、上記第１の超伝導体
層上に上記バリア層を介して上記第２の超伝導体
層が延長してなる構成を有するトンネル型のジヨ
セフソン接合素子を得ることを特徴とするジヨセ
フソン接合素子の製法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56096129A JPS57211286A (en) | 1981-06-22 | 1981-06-22 | Manufacture of josephson junction element |
| CA000405292A CA1168762A (en) | 1981-06-22 | 1982-06-16 | Method of fabrication for josephson tunnel junction |
| US06/390,116 US4412902A (en) | 1981-06-22 | 1982-06-18 | Method of fabrication of Josephson tunnel junction |
| FR8211126A FR2508237B1 (fr) | 1981-06-22 | 1982-06-22 | Procede pour la fabrication d'une jonction de josephson, notamment d'une jonction tunnel de josephson |
| NL8202511A NL190858C (nl) | 1981-06-22 | 1982-06-22 | Werkwijze voor het vervaardigen van een Josephson-tunnelovergang. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56096129A JPS57211286A (en) | 1981-06-22 | 1981-06-22 | Manufacture of josephson junction element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57211286A JPS57211286A (en) | 1982-12-25 |
| JPS6360555B2 true JPS6360555B2 (ja) | 1988-11-24 |
Family
ID=14156770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56096129A Granted JPS57211286A (en) | 1981-06-22 | 1981-06-22 | Manufacture of josephson junction element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57211286A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63100147U (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 |
-
1981
- 1981-06-22 JP JP56096129A patent/JPS57211286A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63100147U (ja) * | 1986-12-19 | 1988-06-29 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57211286A (en) | 1982-12-25 |
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