JPS6360964A - 乳酸誘導体およびそれを含む液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 良血豆１ 本発明は新規な乳酪ＡＡ誘導体それを含有する液晶組成
物および該液晶Ｍｔ成物を使用する液晶素子に関するも
のである。

１且且遣 従来の液晶素子としては１例えばエム・シャフト（Ｍ、
５ｃｈａｄｔ　）とダブリュー・ヘルフリヒ（ｗ、）Ｉ
ｅｌｆｒｉｃｈ）茗、′アプライド、フィズイクス、レ
ターズ”１８ａ４号（”　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈ７ｓｉ
ｃｓＬｅｔｔｅｒｓ”、　Ｖｏｌ、１Ｂ、　　Ｎｏ、４
　）　（１９７１，２，１５）’、　Ｐ。

１２７〜１２８の「捩れネマチック液晶の電圧依存光学
挙動」　（″　Ｖｏｌｔａｇｅ　−［１ｅｐｅｎｄｅｎ
ｔ　　０ｐｔｉｃａｌＡｃｔｉｖｉｔ２　ｏｆ　ａ　Ｔ
ｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙ
ｓｔａ＋”）に記載されたＴＮ（ツィステッド畳ネマチ
ック）液晶を用いたものが知られている。しかしながら
、このＴＮ液晶は１画素密度を高くしたマトリクス電極
構造を用いた時分割駆動の時、クロストークを発生する
問題点があるため、画素数が制限されていた。また、電
界応答が８〈視野角特性が悪いためにディスプレイとし
ての用途は限定されていた。

更に、各画素にＮｕ　Ｈｓ？トランジスタによるスイッ
チング素子を接続し、各画素毎をスイッチングする方式
の表示素子が知られているが、基板上に薄膜トランジス
タを形成する工程が極めて煩雑な上、大面植の表示素子
を作成することが難しい問題点がある。

このような従来型の液晶素子の欠点を改善するものとし
て、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク（Ｃ
１ａｒｋ）およびラガウエル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）に
より提案されている（特開昭５６−１０７２１６号公報
、米国特許第４３８７８２４号明細書等）、双安定性を
有する液晶としては、一般に。

カイラルスメクティックＣ相（ＳｍＣ”　）又はＨ相（
ＳｍＨ”　）を有する強誘電性液晶が用いられる。

この強誘電性液晶は自発分極を有するために非常に速い
応答速度を有する上にメモリー性のある双安定状態を発
現させることができさらに視！？角特性もすぐれている
ことから大容量大画面のディスプレイとして適している
。

色北二１１ 本発明は上記の点に鑑みなされたものである。

本発明は液晶状態の制御に有用な乳酸誘導体およびこれ
を含む液晶組成物ならびに該液晶組成物を使用する液晶
素子を提供することを目的とする。

発」［のＪＬＭ すなわち１本発明は、一般式（Ｉ） （ただし、ＲはＩＲＪ数１−１８のアルキル基、Ｃ１は
不斉炭素原子を示す　ｌ（Ｉは炭素数４〜１８のアルキ
ル基またはアルコキシ基を示し、ｍおよびｎは１または
２を示す、） で表わされる光学活性な乳酸誘導体を提供するものであ
る。

また未発明は上記光学活性な乳ｍ誘導体を少なくとも１
種類配合成分として含有する液晶組成物ならびに該液晶
組成物を使用する液晶素子をも提供する。

１１Ｉノ１＋、休ｒｒ１１１！１ 本発明にしたがい、前記式（Ｉ）の乳酸誘導体を製造す
る方法を説明する。

まず出発原料として、光学活性な２−アルコキシ−１−
プロパツールを用いる、このような光学活性な２−フル
コキシーｌ−プロパノールハ例工ば特願昭６０−１７６
９３８に示すように光学活性な乳酸エチルエステルから
容易に合成することができる０次いで特願昭６０−２４
５７０９に記載の方法、すなわち次の反応工程式に示す
方法で、一般式（■り で示される乳酸誘導体が合成される。

（ａ） （ｂ） （Ｃ） （ｄ） （ｅ） すなわち、Ｒがフルコキシ基である化合物［上記式（ａ
）の化合物］を合成するには、乳酸エステルと炭化水素
ヨウ化物とをＡｇ、Ｏ存在下に反応させることにより得
られる。この場合、乳酸エステルと炭化水素を容器に入
れて混合しておき、この混合物中にＡｇ２Ｏを添加する
方法が好ましい。

さらに上記式（ｂ）の化合物を合成するには、′上記式
（ａ）の化合物をＬ　ｉ　Ａ　Ｉ　Ｈａの如き還元剤を
作用せしめる方法がとられる。

更に、ＯＨ基をハロゲン原子に置換する場合には、上記
式（ｂ）の化合物にＰＢｒ３、Ｓ。

Ｃ１２，ＰＣＩ、の如きハロゲン化剤を作用せしめる方
法が採用される。またトシル化する場合には、ｐ−トル
エンスルホン酸クロライドを上記式（ｂ）の化合物に作
用せしめる方法がとられる。

このようにして得られた上記式（ｃ）（ｄ）（ｅ）の化
合物をアルカリ条件ドにてｐ　−／＼イドロキシ安息香
酸、ｐ−ハイドロキシビフェニルカルボン酸と反応させ
ることにより一般式（ＩＩ　）で示される乳酸誘導体を
得ることができる。

上記反応式におけるＲＩは炭素数の広い範囲にわたって
選択することが可能であり、具体的にはヨードブタン、
ヨードペンタン、ヨードヘキサン、ヨードへブタン、ヨ
ードオクタン、ヨードノナン、ヨードデカン、ヨードウ
ンデカン、ヨードドデカン、ヨードトリデカン、ヨード
テトラデカン、ヨードペンタデカン、ヨードヘキサデカ
ン。

ヨードヘプタデカン、ヨードオクタデカン、ヨードノナ
デカン、ヨードエイコサン等の直鎖状飽和炭化水素ヨウ
化物；２−ヨードブタン、１−ヨード２−メチルプロパ
ン、ｌ−ヨード−３−メチルブタン等の分岐状飽和炭化
水素ヨウ化物：ヨードベンジン、ヨードフェナシル、３
−ヨード−Ｘ−シクロヘキセン等の環状不飽和炭化水素
ヨウ化物；ヨードシクロペンタン、ヨードシクロヘキサ
ン、１−ヨード−３−メチルシクロヘキサン、ヨードシ
クロへブタン、ヨードシクロオクタン等の環状飽和炭化
水素ヨウ化物がある。

前記一般式（ＩＩ　）に示される光学活性な乳酸誘導体
を用い次に示す反応工程により一般式（１）で示される
液晶性の乳酸誘導体を得ることができる。

［Ｉ］ 本発明の液晶組成物は、上記一般式（Ｉ）で表わされる
。乳酸誘導体を少なくとも１種類配合成分として含有す
るものである。

■−記組成物のうち下式（１）〜（１３）に代表して示
されるような強誘電性液晶を配合成分とするものは、自
発分極を増大させることが可能でありさらに粘度を低下
させる効果とあいまって応答速度を改善することができ
好ましい、このような場合には一般式（Ｉ）で示される
本発明の乳酸誘導体を、得られる液晶組成物の０．１〜
９９重敬％、特に１〜９０重；ｆ（％となる割合で使用
することがなＴましい。

フェニルエステル フェニルエステル Ｃｒｙｓｔ、　−一→　ＳｍＡ　　−一→　Ｉｓｏ。

＋６’、５ＩＱｃ”　、／４３．５ フエニルエステル ４４　　　　　　５０　　　　　　　１１ｉ５Ｃｒ７ｓ
ｔ、　ｅ　Ｓａｃ　’　−一→　ＳｍＡ−−ラＩｓｏ。

フェニルエステル （５）　　　　　　　　　〒Ｈ３ Ｃ，２Ｈゎ０（かｃｏｏ（）ｏｃＨ，ｃ）（ｃ２Ｈｓ４
−ドデシルオキシ安、Ｕ香酩　４′−（２−メチルブチ
ルオキシ）フェニルエステル Ｃｒｙｓｔ、　−〉Ｓｉ　’　−−→５ＩＩＩＡ−〉Ｉ
ｓｏ、（６）　　　　　　　　　　　　　ＣＨ３Ｃ＋ｏ
　Ｈ２１０（）ＣＨ＝　Ｎ（）ＣＨ＝　ＣＨＣＯＯＣＨ
２ＣＨＣ２１（ｓＣＨ３ −Ｃ００ＣＨ２ＣＨＣ２Ｈｓ ４．４′−７ゾキシシンナミツクアシツドービス（２−
メチルブチル）エステルまた下式ｌ）〜５）で示される
ようなそれ自体はカイラルでないスメクチック液晶に配
合することにより強話゛市性液晶として使ＪＬＩ　ｉｉ
ｒ能な組成物が得られる。

この場合、一般式（１）で示される本発明の乳酸誘４体
を得られる液晶組成物の０．１〜９９屯；誹％、特に１
〜９０　ｑｊ　ニル％で使用することか好ましい。

４．４′−デシルオキシアゾキシベンゼンＣｒｙｓｔ、
　　７真４ＳＬＩＩＣヶ力４Ｎ−±ｚ　１ｓｏ−フェニ
ル）ピリミジン Ｃｒｙｓｔ、　　＋２０”Ｃ９５ａ＋Ｃ’１８９”ＣＳ
ｍＡ　　２１６”Ｃ：　　Ｉｓｏ。

２−（４′−オクチルオキシフェニル）−５−ノニルピ
リミジンＣｒｙｓｔ、　　３３℃　　ＳｍＣ６０℃　　
ＳｍＡ　　７５℃　Ｉｓｏ。

−？　　　　く−一−−１〉　　　　く−−−＝り４′
−ペンチルオキシフェニル−４−オクチルオキシベンゾ
エートＣｒｙｓｔ、　　　　５８℃　　　　！ＩＩ／：
　　　　６４℃　　　　ＳｍＡ　　　　６ｔ３℃　　　
　Ｎ　　　　８５℃　　　　Ｉｓｏ。

−一一一一七り　　　　　−鴨　　　　−７〉　　　−
一一一一さここで、記号は１、それぞれ以下の相を示す
。

Ｃｒｙｓｔ、　　：結晶相、　　　　　Ｓ＋ｏＡ　：ス
メクチックＡ相、Ｓｍｌ　：スメクチックりＢ相、　Ｓ
ｍｌ：スメクチックＣ相。

Ｎ　：ネマチー２り相、　　　　　Ｉｓｏ、　：等方相
。

また、上記一般式（１）の乳酸誘導体は、ネマチック液
晶に添加することにより、Ｔ　Ｎ　ＪＳ’４セルにおけ
るリバースドメインの発生を防１１−することに有効で
ある。

この場合、式（Ｉ）の乳酸誘導体をネマチック−液晶に
添加することによりイ１）られる液晶組成物の０．０１
〜５０Ｉｌ′Ｉ：量％の割合で式（１）の乳酸誘導体を
使用することかＩｌｆましい。

またネマチック液晶もしくはカイラル２マチアク液晶に
添加することにより、カイラルネマチック液晶として、
相転移／！′１．！　液晶素子やホワイト・ティラー形
ゲスト・ホット１１１！液晶素子に液晶組成物として使
用することが可能である。

第１図は、強誘電性液晶の動作説明のために、セルの例
を模式的に描いたものである。ｌｌａと、ｌｌｂは、そ
れぞれＩ　ｎ２０３．５ｎ０２あるいはＩ　Ｔ　Ｏ（Ｉ
ｎｄｉｕｍ　−Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）等のＲ膜からなる
透明電極で被覆された基板（ガラス板）であり、その間
に液晶分子層１２がガラス面に垂直になるよう配向した
ＳｍＣ”相又はＳｍＨ”相の液晶が封入されている。太
線で示した線１３が液晶分子を表わしており、この液晶
分子１３はその分子に直交した方向に双極子モーメン）
（ＰＬ）１４を有している。基板２１とｌｌｂ上の電極
間に一定の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子１３
のらせん構造がほどけ、双極子モーメント（Ｐ□）１４
がすべて電界方向に向くよう、液晶分子１３は配向方向
を変えることができる。液晶分子−１３は、細長い形状
を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折率異方性
を示し、従って例えばガラス面の上下に互いにクロスニ
コルの偏光子を置けばＪ圧印加極性によって光学特性が
変わる液晶光学変調素子となることは、容易に理解され
る。

本発明の光学変７Ａ素子で好ましく用いられる液晶セル
は、その厚さを充分に薄く（例えば１ｏｕＬ以下）する
ことができる、このように液晶層が薄くなるにしたがい
、第２図に示すように電界を印加していない状態でも液
晶分子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメントＰ
ａまたはＰｂは上向き（２４ａ）又は下向き（２４ｂ）
のどちらかの状態をとる。このようなセルに、第２図に
示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅａ又はＥｂ
を電圧印加手段２１ａと２１ｂにより付与すると、双極
子モーメントは、電界Ｅａ又はＥｂの゛心界ベクトルに
対応して上向き２４ａ又は下向き２４ｂと向きを変え、
それに応じて液晶分子は。

第１の安定状態２３　ａかあるいは第２の安定状態２３
ｂの何れか１方に配向する。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は、先にも述べたが２つある。

その第１は、応答速度が極めて速いことであす、第２は
液晶分子の配向が双安定性を有することである。第２の
点を、例えば第２図によって更に説明すると、電界Ｅａ
を印加すると液晶分子は第１の安定状７ｇ　２３　ａに
配向するが、この状態は電界を切っても安定である。又
、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子は第２の安
定状態２３ｂに配向してその分子の向きを変えるが、や
はり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与える
電界ＥａあるいはＥｂが一定の閾値を越えない限り、そ
れぞれ前の配向状態にやはり維持されている。このよう
な応答速度の速さと、双安定性が有効に実現されるには
セルとしては出来るだけ薄い方が好ましく、一般的には
０．５ｐ〜２０川、特にＩｇ〜５終が適している。

次に強誘電性液晶の駆動法の具体例を、第３図〜第５図
を用いて説明する。

第３図は、中間に強誘電性液晶化合物（図示せず）が挾
まれたマトリクス？［を極構造を有するセル３１の模式
図である。３２は、走査電極群であり、３３は信号電極
群である。最初に走査電極Ｓｌが選択された場合につい
て述べる。第４図（ａ）と第４図（ｂ）は走査信号であ
って、それぞれ選択された走査電極Ｓ１に印加される電
気信号とそれ以外の走査電極（選択されない走査電極）
ｓ２．ｓ、、３４　・・−に印加される電気信号を示し
ている。第４図（Ｃ）と第４図（ｄ）は、情報信号であ
ってそれぞれ選択された信号電極Ｉ、、Ｉ、、Ｉ、と選
択されない信号電極Ｉ、、Ｉ、に与えられる電気信号を
示している。

第４図および第５図においては、それぞれ横軸が時間を
、縦軸が電圧を表す０例えば、動画を表示するような場
合には、走査電極群３２は逐次、周期的に選択される。

今、所定の電圧印加時間ｔ８またはｔ２に対して双安定
性を有する液晶セルの、第１の安定状態を与えるための
閾値電圧を−ｖｔｈ、とし、２の安定状態を与えるため
の閾値電圧を＋ｖｔｈ２とすると、選択された走査電極
３２（Ｓ、）にｔえられる電極信号は、第４図（ａ）に
示される如く位相（時間）ｔｚでは、２Ｖを、位相（時
間）１２では、−２Ｖとなるような交番する電圧である
。このように選択された走査電極に互いに電圧の異なる
複数の位相間隔を有する電気信号を印加すると、光学的
「暗」あるいは「明」状態に相当する液晶の第１あるい
は第２の安定状態間での状態変化を、速やかに起こさせ
ることができるという重要な効果が得られる。

一方、それ以外の走査電極Ｓ２〜Ｓ５・・・は、第４図
（ｂ）に示す如くアース状態となっており、電気信号０
である。また、選択された信号電極Ｉ、、Ｉ、、’ｌ、
に与えられる電気信号は、第４図（Ｃ）に示される如く
Ｖであり、また選択されない信号電極１２．Ｉ４に与え
られる電気信号は、第４図（ｄ）に示される如＜−Ｖで
ある。

以上に於て各々の電圧値は、以下の関係を満足する所望
の値に設定される。

ｖ＜ｖｔｈ２＜３ｖ −３Ｖ　＜　−Ｖ　ｔｈ□＜　−ｖ この様な電気信号が与えられたときの各画素のうち、例
えば第３図中の画素Ａ、！ｌ−Ｈにそれぞれ印加される
電圧波形を第５図（ａ）と（ｂ）に示す、すなわち、第
５図（ａ）と（ｂ）より明らかな如く、選択された走査
線上にある画素Ａでは、位相ｔ２に於て、閾値ｖ　ｔｈ
２を越える電圧３ｖが印加される。また、同一走査線上
に存在する画素Ｂでは位相ｔ、に於て閾値−ｖｔｈ、を
越える電圧−３Ｖが印加される。従って、選択された走
査電極線上に於て、信号電極が選択されたか否かに応じ
て、選択された場合には、液晶分子は第１の安定状態に
配向を揃え、選択されない場合には第２の安定状！Ｅに
配向を揃える。

一方、第５図（ｃ）と（ｄ）に示される如く、選択され
ない走査線上では、すべての画素に印加される電圧はＶ
または一■であって、いずれも閾値電圧を越えない、従
って、選択された走査線上以外の各画素における液晶分
子は、配向状態を変えることなく前回走査されたときの
信号状態に対応した配向を、そのまま保持している。１
！μち、走査電極が選択されたときにそのｌライフ分の
信号の古き込みが行われ、ｌフレームが終了して次回選
択されるまでの間は、その信号状態を保持し得るわけで
ある。従って、走査電極数が増えても。

実質的なデユーティ比はかわらず、コントラストの低下
は全く生じない。

次に、ディスプレイ装置として駆動を行った場合の実際
に生じ得る問題点について考えてみる。

第３図に於て、走査型８ｉ５１〜Ｓ６・・拳と信号電極
■１〜！、・・・の交点で形成する画素のうち、斜線部
の画素は「明」状態に、白地で示した画素は、「暗」状
態に対応するものとする。今、第３図中の信号電極Ｉｌ
上の表示に注目すると、走査電極Ｓ、に対応する画素（
Ａ）では「明」状態であり、それ以外の画素ＣＢ）はす
べて「暗」状態である。この場合の駆動法の一例として
、走査信号と信号型ＪＪｊｒ、に与えられる情報信号及
び画２Ａに印加される電圧を時系列的に表したものが第
６図である。

例えば第６ＩＡのようにして、駆動した場合、走査信号
ＳＩが走査されたとき、時間ｔ２に於て画ｉＡには、閾
値ｖ　ｔｈ２を越える電圧３ｖが印加されるため、前歴
に関係なく１画素Ａは一方向の安定状態、即ち「明」状
態に転移（スイー、チ）する、その後は、Ｓ２〜Ｓツ・
・φが走査される間は第６図に示される如＜−Ｖの電圧
が印加され続けるが、これは閾値−ｖｔｈ、を越えない
ため１画素Ａは「明」状態を保ち得るはずであるが、実
際にはこのように１つの信号電極上で一方の信号（今の
場合「暗」に対応）が与えられ続けるような情報の表示
を行う場合には、走査線数が極めて多く、しかも高速駆
動が求められるときには反転現象を生じるが、前述した
特定の液晶化合物またはそれを含有した液晶組成物を用
いることによって、この様な反転現象は完全に防止され
る。

さらに、本発明では、前述の反転現象を防止する上で液
晶セルを構成している対向電極のうち少なくとも一方の
電極に絶縁物質により形成した絶縁膜を設けることが好
ましい。

この際に使用する絶縁物質としては、特に制限されるも
のではないが、シリコン窒化物、水素を含有するシリコ
ン窒化物、シリコン炭化物、水素を含イ１するシリコン
炭化物、シリコン酸化物、硼素窒化物、水素を含有する
硼素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジ
ルコニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウム
などの無機絶縁物質、あるいはポリビニルアルコール、
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、
ポリパラキシレン、ポリエステル、ポリカーボネート、
ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニ
ル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラ
ミン樹脂、ユリャ樹脂　アクリル樹脂やフォトレジスト
樹脂などの有機絶縁物質が絶縁膜として使用される。こ
れらの絶縁１１！２の膜厚は５０００Å以下、好ましく
は１００人〜１０００人、特に５００人〜３０００人が
適している。

以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。

実」１例」工 ４−（２−ペンチルオキシ）−プロポキシチオ安［、青
酸−３−４−ｎ−才クチルオキシフェニルの合成 （工程１） ｐ−（２−ペンチルオキシ）−プロピルオキシ安、Ｑ、
香耐。

２−ペンチルオキシプロパノール１９ｇを５９１のピリ
ジンに溶解したものを５℃以下に冷却した。Ｐ−トルエ
ンスルホン酸クロライド２２ｇを撹拌しつつ加えた。そ
の後室温で５時間撹拌したのも一夜放置した。冷水を加
えエーテル抽出したものを、水洗したのち、エーテルを
留去してｐ−トルエンスルホン酸２−ペンチルオキンプ
ロピルエステル２６ｇを得た。

ｐ−ハイドロキン安、９、香酸１０．７ｇをエタノール
８５ｍ１に溶解したものへ８５％ＫＯＨ１０，２ｇと水
１２１を加え撹拌した。に記で得たＰ−）ルエンスルホ
ン酸２−ペンチルオキシプロピルエステル２６ｇを滴下
した。

滴下終了後昇温し１０時間還浣した。エタノールを回収
して、ｌＯ％ＫＯＨ水溶液２４ｇを加え２１Ｉ￥間二流
した。冷却後６Ｎ塩酸を加え析出した白色結晶を濾過し
、水洗後、ヘキサンで再結晶し、７ｇのｐ−（２−ペン
チルオキシ）プロピルオキシ安、０香酩を得た。

（工程２） ４−（２−ペンチルオキシ）−プロポキシチオ安り０．
香酸−５−４−オクチルオキシフェニル。

４−（２−ペンチルオキシ）−プロポキシ安忌香酸２．
５ｇに、塩化チオニル７ｍｌを加え、４時間加熱５流し
た。過剰の１１化チオニルを減圧下でＸ：、り去し、４
−（２−ペンチルオキシ）−プロポキシ安、ｅ、香耐ク
ロライドを得た。

４−才クチルオキシチオフェノール をピリジン８ｍｌに溶かし、水冷した後，トルエン３０
ｍｌに溶かした４−（２−ペンチルオキシ）ープロポキ
シ安，０．香酎クロライドを滴下した（５°Ｃ以ド、２
５分）、その後、室温にて．１３．５時間撹拌した。

反応混合物を氷水１００１に注入し，有機層を６Ｎ−Ｈ
Ｃ　ｌ水溶液、水で洗節した後，無水硫酸マグネシウム
で乾爆した．溶媒を留去して、５。

７ｇの燈色油状物を得た。

上記油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（
移動相：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝１０７１）により
精製し、さらにエタノール／酢酪エチル＝８／１混合溶
媒から、２回再結晶を行い、４−（２−ペンチルオキシ
）−プロポキシチオ安，ｅ，香酸−Ｓ−４−オクチルオ
キシフェニル０、６９ｇを得た（収率：　１５．１％）
ＩＲ（ｃｍ”）： ２９２４、２８５２．１６６８、１６０６、１５７６、
１４９６、１２６４、１２４４。

１２１８、１１７４．１１５８．　　９０２。

同様にして上記の化合物が合成される。

４−（２−メチルオキン）−プロポキシチオ安、ｅ、青
酸ーＳー４−ｎ−デンルオキシフェニル，４−（２−エ
チルオキシ）−プロポキシチオ安息香酸−Ｓ　−４−ｎ
−ドデシルオキシフェニル、４−（２−プロピルオキシ
）−プロポキシチオ安息香酸−Ｓ　−４−ｎ−ヘキシル
オキシフェニル、４−（２−プロピルオキシ）−プロポ
キンチオ安、β青酸−３−４−ｎ−オクチルオキシフェ
ニル、４−（２−ブチルオキシ）−プロポキシチオ安、
ｅ、香酸−３’−４−ｎ−へブチルオキンフェニル、４
−（２−（オクチルオキシ）−プロポキシチオ安息香Ｍ
−３−４ｎ−ノニルオキシフェニル、４−（２−デシル
オキシ）−プロポキシチオ安息香酸−３−４−ｎ−ペン
チルオキシフェニル、４−（２−ブチルオキシ）−プロ
ポキシチオ安、已青酸−３−４−ｎ−へキシルフェニル
、４−（２−へキシルオキシ）−プロポキシチオ安、６
．香酸−５−４−ｎ−オクチルフェニル、４−（２−へ
ブチルオキシ）−プロポキンチオ安ｐ青酸−３−４−ｎ
−ドデシルフェニル。

文ｊｌ九ヱ ４′−（２”−ペンチルオキシ）−プロポキシビフェニ
ル−４−チオカルボン酸−３−４−オクチルオキシフェ
ニルの合成 （工程１） ４−（２”−ペンチルオキシ）プロピルオキシビフェニ
ル−４−チオカルボン酸。

２−ペンチルオキシプロパノール７．７をピリジン２５
１に溶解したものを５℃以下に冷却し、Ｐ−トルエンス
ルホン酸クロライド９．４ｇを加えた。室温にて６時間
撹拌したのち一夜放置した。冷水を加えエーテル抽出し
たものを水洗しエーテルを回収してｐ−）ルエンスルホ
ン酸２−ペンチルオキシプロピルエステル１３ｇを得た
。

４−ヒドロキシ−４′−ビフェニルカルボン酸７．２ｇ
を３７ｍ１のエタノールに加え、さらに８５％ＫＯＨ４
，４ｇと水５．３１を加えた。そこへ上記のＰ−）ルエ
ンスルホン酸２−ペンチルオキシプロピルエステル１３
ｇを滴下し、１０時Ｉ１１８流した。エタノールを回収
し、１０％ＫＯＨ水溶液ｌｏｇを加え、さらに２時間量
流した。冷却後６Ｎ−ＨＣｌ水溶液を加え析出した白色
結晶を濾過し、水洗した。エタノールで再結晶し４′−
（２−ペンチルオキシ）プロピルオキシビフェニルカル
ポン酸２．７ｇを得た。

（工程２） ４′−（２”−ペンチルオキシ）−プロポキシビフェニ
ル−４−チオカルボン酸−３−４−オクチルオキシフェ
ニル。

４′−（２″−ペンチルオキシ）−プロポキシビフェニ
ル−４−カルボン酸２．５０ｇに塩化チオニル７１を加
え、３時間加熱原流した。過剰の塩化チオニルを減圧下
で留去し、４′−（２”−ペンチルオキシ）−プロポキ
シビフェニル−４−カルボン酎クロライドを７１）た。

４−才クチルオキシチオフェノール１．７９ｇをピリジ
ン８ｍｌに溶かし、水冷した後、トルエン３０Ｉ１１１
に溶かした４’−（２”−ペンチルオキシ）−プロポキ
シビフェニル−４−カルボン酎クロライドを滴下した。

（５°Ｃ以下、１５分）、その後、室温にて１４時間攪
拌した０反Ｊ５混合物を水氷１００１に注入し、有機層
を６Ｎ−ＨＣ１，水溶液、水で洗浄した後、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した。溶奴を留去して／！！：　ｖＩ
色の固体５．０１ｇ　ｆｒ−ｆ！）だ、これをシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（移動相：ｎ−ヘキサン／
酢耐エチル＝１０／１）によりｊ＋’ｉ　！ＡＬ　、さ
らにエタノール／酢酸エチル＝２／ＩＲ合溶媒から再結
晶を行い。

４’−（２”−ペンチルオキシ）−プロポキシビフェニ
ル−４−カルボン酸−３−４−オクチルオキシフェニル
０．７５ｇを得た（収率１８．３％）。

ＩＲ（ａｍ−’）： ２９２８．２８５６．１６６８．１５９６゜１４９６．
１２９０．１２４８．１１９２．９１４、　８２２゜ 相転移温度： 同様にして下記の化合物が合成される。

４′−（２’″−ブチルオキシ）−プロボキシビフェニ
ル−４−チオカルボン酸−５−４−ｎ−オクチルオキシ
フェニル、４’−（２“−エチルオキシ）−プロポキシ
ビフェニル−４−チオカルボン酸−４−ｎ−へキシルオ
キシフェニル、４′−（２”−プロピルオキシ）−プロ
ポキシビフェニル−４−チオカルボン酸−４−ｎ−ドデ
シルオキシフェニル、４’−（２”−ブチルオキシ）〜
プロポキシビフェニルー４−チオカルボン酸−４−ｎ−
デシルオキシフェニル、４′−（２”−エチルオキシ）
−プロポキシビフェニル−４−チオカルボｙ１９−５−
４−ｎ−才クチルフェニル（２＃−ペンチルオキシ）−
プロポキシビフェニル−４−チオカルボン酸−４−ｎ−
ドデシルフェニル。

χ」口１λ リクソンＧＲ−６３　（チッソ製ビフェニル液晶？ｊｌ
舎物）９９重４）部に４−（２−ペンチルオキシ）−プ
ロポキシチオ安忌香酸ーＳー４ーオクチルオキシフェニ
ルをｌ　Ｉ　ｊ’（”（部を加えた液晶混合物を使用し
たＴＮセルは，この光学活性な４−（２−ペンチルオキ
シ）−プロポキシチオ安息香酸−Ｓ−４−オクチルオキ
シフェニルを添加しないで製造したＴＮに比較してリバ
ースドメインが大幅に減少していることがＭｌ　察され
た。

１五１」 交差した帯状のＩＴＯで形成した対向マトリクス電極の
それぞれにｔｏｏｏ人の膜厚を有するポリイミド膜（ピ
ロメリット酪無水物と４．４−ジアミノジフェニルエー
テルとの結合物からなるポリアミック酸樹脂の５重量％
Ｎ−メチルピロリドン溶液を塗布し，２５０℃の温度で
加熱閉環反応により形成した）を設け，このポリイミド
膜の表面を互いに平行になる様にラビングし、セル厚を
１終にしたセルを作成した。

次いで，下記組成物Ａを等方相下で前述のセル中に真空
注入法によって注入し、封口した．しかる後に、徐冷（
１℃／時間）によってＳｍｃ”の液晶セルを作成した。

迩起肋呻色二 この液晶セルの両側にクロスニコルの偏光子と検光子を
配置し、対向マトリクス電極間に第４図及び第５図に示
す波−形の信号を印加した．この際、走査信号は第４図
（ａ）に示す＋８ボルトと一８ボルトの交番波形とし，
古込み情報は、それぞれ＋４ボルトと一４ボルトとした
．また、ｌフレーＬ．　Ｉ！ｌ１間を３０ｍ＊ｓｅｃと
した。

この結果，この液晶素子は前述のメモリー駆動型時分割
駆動を行なっても，書込み状ＩＥは，何ら反転すること
なく正常な動画表示が得られた。

匿較皇」 実施例４の液晶素子を作成する際に用いた液晶組成物中
の、前述の一般式（１）で示される乳酸誘導体を省略し
た下記比較用液晶Ｂを調製し，比較用液晶を用いて液晶
素子を作成した．これらの液晶素子を前述と同様の方法
で駆動させたが、反転現象を生じているために，正常な
動画が表示されなかった。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は，本発明で用いる時分割駆動用液
晶素子を模式的に表わす斜視ＩＡ，第３　１４は、本発
明で用いるマトリクス電極構造の平面図、第４図（ａ）
〜（ｄ）は、マトリクス電極に印加する’ｌｆｔ気信号
を表わす説明図、第５図（ａ）〜（ｄ）は、マトリクス
電極間に付与された電圧の波形を表わす説明図、第６図
は１本発明の液晶素子に印加する電気信号を表わしたタ
イムチャートの説明図である。 １’ｌ　ａ、　　ｌ　ｌ　ｂ・・・基板。 １２・・・液晶分子層、 １３・・・液晶分子、 １４・・・双極子モーメン）（Ｐ工）、２３ａ・・・第
１の安定状態、 ２３ｂ・・・第２の安定状態、 ２４ａ・・・上向き双極子モーメント、２４ｂ・・・下
向き双極子モーメント、３１・・・セル、 ３２・・・（Ｓ＋　、Ｓ２．Ｓ３．　　・・・）・・・
走査電極群。 ３３・・・（Ｉｌ、Ｉ２、Ｉ３、・・・）・・・信号電
極群。 芸　！　図 第　２　国 ３３　ａ号電極群 Ｉｔ　　Ｉ２　１３　１４　１５　−−−−毛　３　図 （ａ） 品　４　図 （４）　　　　　帛　５　圓

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒは炭素数１〜１８のアルキル基、Ｃ＾＊は
   不斉炭素原子を示す。Ｒ＾１は炭素数４〜１８のアルキ
   ル基またはアルコキシ基を示し、ｍおよびｎは１または
   ２を示す。） で表わされる光学活性な乳酸誘導体。 ２、下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒは炭素数１〜１８のアルキル基、Ｃ＾＊は
   不斉炭素原子を示す。Ｒ＾１は炭素数４〜１８のアルキ
   ル基またはアルコキシ基を示し、ｍおよびｎは１または
   ２を示す。） で表わされる光学活性な乳酸誘導体を少なくとも１種類
   含有することを特徴とする液晶組成物。 ３、下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒは炭素数１〜１８のアルキル基、Ｃ＾＊は
   不斉炭素原子を示す、Ｒ＾１は炭素数４〜１８のアルキ
   ル基またはアルコキシ基を示し、ｍおよびｎは１または
   ２を示す。） で表わされる光学活性な乳酸誘導体を少なくとも１種類
   含有する液晶組成物を使用することを特徴とする液晶素
   子。