JPS6363702A - プラズマ重合膜の製造方法 - Google Patents
プラズマ重合膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS6363702A JPS6363702A JP20756786A JP20756786A JPS6363702A JP S6363702 A JPS6363702 A JP S6363702A JP 20756786 A JP20756786 A JP 20756786A JP 20756786 A JP20756786 A JP 20756786A JP S6363702 A JPS6363702 A JP S6363702A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- material gas
- raw material
- gas
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
工 発明の背景
技術分野
本発明は、重合膜およびその製造方法に関する。 さら
に詳しくは、電極を構成する金属元素含有物質と炭素を
含有する重合性の原料ガスとを埋積・重合させたプラズ
マ重合膜およびその製造方法に関する。
に詳しくは、電極を構成する金属元素含有物質と炭素を
含有する重合性の原料ガスとを埋積・重合させたプラズ
マ重合膜およびその製造方法に関する。
先行技術とその問題点
重合膜、特に薄膜を利用した技術は近年ますます重要度
を増している。 この薄膜の形成方法には種々の方法が
あるが、なかでも真空薄膜形成法は、エレクトロニクス
を中心とした知識産業や電子工業、時計工業、カメラな
どの光学工業等においては欠くことのできない重要な技
術となっている。 そわだけに薄膜およびその製造方法
そのもの、その応用についての研究は非常に盛んで、つ
ぎつぎに新しい膜および方法か開発されている。
を増している。 この薄膜の形成方法には種々の方法が
あるが、なかでも真空薄膜形成法は、エレクトロニクス
を中心とした知識産業や電子工業、時計工業、カメラな
どの光学工業等においては欠くことのできない重要な技
術となっている。 そわだけに薄膜およびその製造方法
そのもの、その応用についての研究は非常に盛んで、つ
ぎつぎに新しい膜および方法か開発されている。
なかでも特にプラズマ重合膜は、その優れた膜特性が注
目されており、種々の用途に利用されている。 しかし
ながらこのものは主として、有機ガスを原料ガスとして
用いるために、形成される膜は有機膜であり、例えば導
電性付与等の膜の改質は困難とされてきた。
目されており、種々の用途に利用されている。 しかし
ながらこのものは主として、有機ガスを原料ガスとして
用いるために、形成される膜は有機膜であり、例えば導
電性付与等の膜の改質は困難とされてきた。
そこで、本発明者らは、原料ガスとして有機金属千ツマ
ーガスを用いて金属を含有させたプラズマ重合膜を形成
する旨の提案を行っている（特開昭５８−２２２１１５
号公報）。
ーガスを用いて金属を含有させたプラズマ重合膜を形成
する旨の提案を行っている（特開昭５８−２２２１１５
号公報）。
このものは、従来のプラズマ重合膜に帯電防止等の効果
を付与した改質１匿である。 しかしながら、この場合
には、原料の供給が必ずしも豊富でなく、原料中の炭素
と金属の比率を任意に変えることが困難である。 その
ため、薄膜中に含有される金属の種類と含有率がある程
度限定され、薄膜の基本的性質例えば電気伝導度、帯電
防止能等を任意にかえることは容易ではない。
を付与した改質１匿である。 しかしながら、この場合
には、原料の供給が必ずしも豊富でなく、原料中の炭素
と金属の比率を任意に変えることが困難である。 その
ため、薄膜中に含有される金属の種類と含有率がある程
度限定され、薄膜の基本的性質例えば電気伝導度、帯電
防止能等を任意にかえることは容易ではない。
また特開昭５８−８８８２９号公報には、金属を含むフ
ッ化カーボン系の重合膜を有する磁気記録媒体およびそ
の製造方法が提案されている。
ッ化カーボン系の重合膜を有する磁気記録媒体およびそ
の製造方法が提案されている。
これによれば耐久性、耐食性に優れた特性を有する保護
膜を有する媒体およびその製造方法が得られるとされて
いる。 しかしながらこの提案に開示されている条件
の範囲内［後述のＷ／ （Ｆ −Ｍ ） ＝ １０７Ｊ
ｏｕｌｅ／ｋｇコでは膜中に含有される金属元素の量を
多くすることはできず、例えば、導電性を付与するまで
には至らず、しかもこの含有量を任意にかえることもで
きない。
膜を有する媒体およびその製造方法が得られるとされて
いる。 しかしながらこの提案に開示されている条件
の範囲内［後述のＷ／ （Ｆ −Ｍ ） ＝ １０７Ｊ
ｏｕｌｅ／ｋｇコでは膜中に含有される金属元素の量を
多くすることはできず、例えば、導電性を付与するまで
には至らず、しかもこの含有量を任意にかえることもで
きない。
■発明の目的
本発明の目的は、
薄膜中に含有される金属の種類と含有率を任ひにかえる
ことができ、薄膜の基本的性質、例えば電気伝導度等を
任意にかえることができ、膜Ｊ１２のル制御等が容易で
、製造コストが容易なプラズマ重合膜およびその製造方
法を提供することにある。
ことができ、薄膜の基本的性質、例えば電気伝導度等を
任意にかえることができ、膜Ｊ１２のル制御等が容易で
、製造コストが容易なプラズマ重合膜およびその製造方
法を提供することにある。
■発明の開示
このような目的は、下記の本発明によって速成される。
すなわち、本発明は、プラズマ雰囲気下にて、電極を構
成する金属元素含有物質と炭素を含有する重合性の原料
ガスとを埋積・重合させて形成したプラズマ重合膜にお
いて、膜中の金属元素Ｍｔと炭素Ｃの原子比ＭＬ／（Ｃ
＋Ｍｔ）が０．０１以上であることを特徴とするプラズ
マ重合膜である。
成する金属元素含有物質と炭素を含有する重合性の原料
ガスとを埋積・重合させて形成したプラズマ重合膜にお
いて、膜中の金属元素Ｍｔと炭素Ｃの原子比ＭＬ／（Ｃ
＋Ｍｔ）が０．０１以上であることを特徴とするプラズ
マ重合膜である。
また第２の発明は、原料ガスを電極間に流入して電極を
構成する金属元素含有物質と炭素を含有する重合性の原
料ガスとを埋積、重合させるプラズマ重合膜の製造方法
において、重合膜の形成がＷ／（Ｆ−Ｍ）［ここに、Ｗ
はプラズマ投入′に力（Ｊｏｕｌｅ／ｓｅｃ）であり、
Ｆは原料ガス流量、Ｍは原料ガス分子量でＦ−Ｍの早位
は８ｇ／ｓｅｃ］値が１０ Ａ Ｊｏｕｌｅ／ｋｇ以上
の条件で行われることを特徴とするプラズマ重合膜の製
造方法である。
構成する金属元素含有物質と炭素を含有する重合性の原
料ガスとを埋積、重合させるプラズマ重合膜の製造方法
において、重合膜の形成がＷ／（Ｆ−Ｍ）［ここに、Ｗ
はプラズマ投入′に力（Ｊｏｕｌｅ／ｓｅｃ）であり、
Ｆは原料ガス流量、Ｍは原料ガス分子量でＦ−Ｍの早位
は８ｇ／ｓｅｃ］値が１０ Ａ Ｊｏｕｌｅ／ｋｇ以上
の条件で行われることを特徴とするプラズマ重合膜の製
造方法である。
■発明の具体的構成
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の重合膜はプラズマ雰囲気下にて、電極を構成す
る金属元素含有物質と炭素を含有する重合性の原料ガス
とを埋積・重合させて形成される。 従って、重合膜中
には金属元素Ｍｔと炭素Ｃが含有されており、この原子
比Ｍｔ／（Ｃ＋Ｍｔ）は、０．０１以上、特に０．０５
〜０．９９９である。 Ｍｔ／（ｃ＋Ｍｔ）が０．０１
未満であると、重合膜が導電性等の電子機能を有しない
。 本発明においては、目的の電子機能を発現させる様
にＭｔ／（Ｃ＋Ｍｔ）を適宜、変更・設定すればよい。
本発明の重合膜はプラズマ雰囲気下にて、電極を構成す
る金属元素含有物質と炭素を含有する重合性の原料ガス
とを埋積・重合させて形成される。 従って、重合膜中
には金属元素Ｍｔと炭素Ｃが含有されており、この原子
比Ｍｔ／（Ｃ＋Ｍｔ）は、０．０１以上、特に０．０５
〜０．９９９である。 Ｍｔ／（ｃ＋Ｍｔ）が０．０１
未満であると、重合膜が導電性等の電子機能を有しない
。 本発明においては、目的の電子機能を発現させる様
にＭｔ／（Ｃ＋Ｍｔ）を適宜、変更・設定すればよい。
なお、通常、膜中の金属元素Ｍｔの含有量は０５〜９９
．９ａｌＪ、程度である。 このような金属元素含有量
を有するプラズマ重合膜は、後述するプラズマ重合条件
下においてのみ実現するものである。 なお、金属元素
は、膜中に１種あるいは２種以上含有されてもよい。
．９ａｌＪ、程度である。 このような金属元素含有量
を有するプラズマ重合膜は、後述するプラズマ重合条件
下においてのみ実現するものである。 なお、金属元素
は、膜中に１種あるいは２種以上含有されてもよい。
本発明に用いる電極を構成する金属元素含有物質として
は、通常、８袖の金属単体や合金あるいは金属化合物等
が用いられる。
は、通常、８袖の金属単体や合金あるいは金属化合物等
が用いられる。
金属単体としては、例えば、Ｃｕ１、Ａｌ２、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｇａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｓｅ、Ａｇ
、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｂ
、Ｂｅ、Ｂｉ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｓｉ、
Ｔａ、Ｔｅ、■、Ｚｒ、Ｔｆｆｉなどや、Ｓｃ、Ｙ、し
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ
、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどの希土類金
属が挙げられる。
ｏ、Ｎｉ、Ｇａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｓｅ、Ａｇ
、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｂ
、Ｂｅ、Ｂｉ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｓｉ、
Ｔａ、Ｔｅ、■、Ｚｒ、Ｔｆｆｉなどや、Ｓｃ、Ｙ、し
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ
、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどの希土類金
属が挙げられる。
合金としては、Ｍｎ−Ａｎ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ、
Ｃｏ−Ｆｅ、Ａ！Ｑ−Ｃｕ、Ａｕ−５ｉ、 Ｃｕ−５
ｎ、 Ｇｅ−Ｔａ、 Ａｕ−Ｇｅ、Ｃｕ−Ｚｒ、
Ｃｕ−Ｍｎ、 Ｃｒ−５ｉ、 Ｉｎ −Ｓｎ、
Ｎｉ−Ｃｒ、 ５ｂ−Ｉｎ、 Ｆｅ−Ｄｙ。
Ｃｏ−Ｆｅ、Ａ！Ｑ−Ｃｕ、Ａｕ−５ｉ、 Ｃｕ−５
ｎ、 Ｇｅ−Ｔａ、 Ａｕ−Ｇｅ、Ｃｕ−Ｚｒ、
Ｃｕ−Ｍｎ、 Ｃｒ−５ｉ、 Ｉｎ −Ｓｎ、
Ｎｉ−Ｃｒ、 ５ｂ−Ｉｎ、 Ｆｅ−Ｄｙ。
Ｆｅ−Ｔｂ、 Ｆｅ−Ｎｉ、 Ｆｅ−Ｐ、 Ｌｉ
−Ａ党、 Ｌｉ−Ｂ１． ５ｂ−３ｎ、 Ｍｏ−
５ｉ、 Ｌｉ−３ｎ、 Ｌｉ−Ｃａ、 Ｌｉ−Ｃｕ
、 Ｌｉ−１ｎ、 Ｌｉ−３ｉ 、 Ｎ１−Ｐ、
Ｔｉ−３ｉ 、Ｐｂ−３ｎ、 Ｃｄ−Ｔｅ、
Ｃｏ−Ｎｂ、 Ｃｏ −ＰＸ Ｃｏ−Ｔａ、 Ｃ
ｏ−Ｚｒ、 Ｃｏ−Ｇｄ、 Ｃｕ−Ｂ１−Ｍｎ、
Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ、 Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｂ、 Ｃｏ−
Ｆｅ−Ｚｒ、 Ｃｏ−Ｍｏ−２ｒ、 Ｃｏ−Ｔａ−Ｚ
ｒ、 Ｆｅ−Ａｌ１−３ｉ、 Ｆｅ−Ｄｙ−５ｉ、
Ｃｏ−Ｂ−Ｆｅ−３ｉ 、Ｆｅ−Ａｎ−Ｎｉ−３
ｉ、 Ｆｅ−Ｂ−Ｃｏ−３ｉなどが挙げられる。
−Ａ党、 Ｌｉ−Ｂ１． ５ｂ−３ｎ、 Ｍｏ−
５ｉ、 Ｌｉ−３ｎ、 Ｌｉ−Ｃａ、 Ｌｉ−Ｃｕ
、 Ｌｉ−１ｎ、 Ｌｉ−３ｉ 、 Ｎ１−Ｐ、
Ｔｉ−３ｉ 、Ｐｂ−３ｎ、 Ｃｄ−Ｔｅ、
Ｃｏ−Ｎｂ、 Ｃｏ −ＰＸ Ｃｏ−Ｔａ、 Ｃ
ｏ−Ｚｒ、 Ｃｏ−Ｇｄ、 Ｃｕ−Ｂ１−Ｍｎ、
Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｒ、 Ｃｏ−Ｆｅ−Ｎｂ、 Ｃｏ−
Ｆｅ−Ｚｒ、 Ｃｏ−Ｍｏ−２ｒ、 Ｃｏ−Ｔａ−Ｚ
ｒ、 Ｆｅ−Ａｌ１−３ｉ、 Ｆｅ−Ｄｙ−５ｉ、
Ｃｏ−Ｂ−Ｆｅ−３ｉ 、Ｆｅ−Ａｎ−Ｎｉ−３
ｉ、 Ｆｅ−Ｂ−Ｃｏ−３ｉなどが挙げられる。
金属化合物としては、ＡＲＦ３、ＢａＦ２、ＢｉＦ３、
ＣａＦ２、ＣｄＦ３．ＬａＦ３．ＬｉＦ、ＭｇＦ２ 、
ＮａＦ、、ＹＦ３なとのフッ化物や、 Ａ、ｆｆ１２ ０３ 、 Ａｓ２０３ 、 Ｂ２ ０
３ 、 Ｂｉ ２ｏ３ 、 ＣｄＯ，Ｃａｂ、
ＣｅＯ，ＣｅＯ，、Ｃｒ２ ０３ 、 Ｃｏｏ、
Ｅｕ２０３ 、 Ｅｒ２０３ 、Ｇ ｅ ０２ 、
Ｈｆ Ｏ２、Ｉ Ｂ２ Ｏ３、Ｆ ｅ ２０３ 、
Ｌａ ２０３ 、 Ｍ ｇ ｏ、 ＭｎＯ２、
Ｍ。
ＣａＦ２、ＣｄＦ３．ＬａＦ３．ＬｉＦ、ＭｇＦ２ 、
ＮａＦ、、ＹＦ３なとのフッ化物や、 Ａ、ｆｆ１２ ０３ 、 Ａｓ２０３ 、 Ｂ２ ０
３ 、 Ｂｉ ２ｏ３ 、 ＣｄＯ，Ｃａｂ、
ＣｅＯ，ＣｅＯ，、Ｃｒ２ ０３ 、 Ｃｏｏ、
Ｅｕ２０３ 、 Ｅｒ２０３ 、Ｇ ｅ ０２ 、
Ｈｆ Ｏ２、Ｉ Ｂ２ Ｏ３、Ｆ ｅ ２０３ 、
Ｌａ ２０３ 、 Ｍ ｇ ｏ、 ＭｎＯ２、
Ｍ。
０３ 、 Ｎ ｂ ２ ０５ 、 Ｈｏ ２
ｏ ３ 、 ト１ ｄ ２ ｏ ３ 、Ｎ
ｉＯ，Ｎｄ ２０ｓ 、 ＰｂＯ，Ｓｂ２ ０
３ ．５ｉＯ１Ｓ ｉｏ２ 、 ５ｅ０２ 、 Ｓ
ｎＯ２、Ｔａ２０５ 、Ｔｍ２０３ 、 Ｔ ｉ Ｏ２
、ＴｅＯ２、ＷＯ３、Ｖ２ ０Ｓ 、 Ｙ２ ０３
、 Ｙ ｂ２０３ 、ＺｎＯ，ＺｒＯ２、Ｐｒｓ
Ｏ，、、Ｓｍ２０．、 、Ｔｂ４０． 、 Ｂａ
ＴｉＯ３、Ｂ１ＴｉＯ３、Ｃａ０−Ｙ ２０３ 、
Ｃｒ−３ｉＯ，Ｉ ｒ＋ ２ｏ ３−５ｎＯ３、Ｌｉ
Ｔａ０３ 、 ＬｉＮｂ０４ 、 ＰｂＴｉ０３ 、
ＰｂＺｒ０３ 、 Ｓｎ０２−Ｓｂ ２０３ 、
ＺｒＯ２−Ｃｏ、 ＺｒＯ２−Ｓ ｉｏ２ 、
Ｔａ−３ｉＯ２、ＷＯ３−Ｎｂ２０５ 、ＷＯ，−
Ｔ ｉｏ、、 ｌ Ｂ２０３−３ｎ０２などの酸
化物や、 Ａｓ ２ Ｓ ３ 、 Ｂｉ ２ Ｓ ３
、 ＣｄＳ、 Ｃｕ ２Ｓ、 Ｇａ ２ ｓ、
Ｈｇ Ｓ、 Ｉ ｎ２ Ｓ３ 、 Ｐｂ
Ｓ。
ｏ ３ 、 ト１ ｄ ２ ｏ ３ 、Ｎ
ｉＯ，Ｎｄ ２０ｓ 、 ＰｂＯ，Ｓｂ２ ０
３ ．５ｉＯ１Ｓ ｉｏ２ 、 ５ｅ０２ 、 Ｓ
ｎＯ２、Ｔａ２０５ 、Ｔｍ２０３ 、 Ｔ ｉ Ｏ２
、ＴｅＯ２、ＷＯ３、Ｖ２ ０Ｓ 、 Ｙ２ ０３
、 Ｙ ｂ２０３ 、ＺｎＯ，ＺｒＯ２、Ｐｒｓ
Ｏ，、、Ｓｍ２０．、 、Ｔｂ４０． 、 Ｂａ
ＴｉＯ３、Ｂ１ＴｉＯ３、Ｃａ０−Ｙ ２０３ 、
Ｃｒ−３ｉＯ，Ｉ ｒ＋ ２ｏ ３−５ｎＯ３、Ｌｉ
Ｔａ０３ 、 ＬｉＮｂ０４ 、 ＰｂＴｉ０３ 、
ＰｂＺｒ０３ 、 Ｓｎ０２−Ｓｂ ２０３ 、
ＺｒＯ２−Ｃｏ、 ＺｒＯ２−Ｓ ｉｏ２ 、
Ｔａ−３ｉＯ２、ＷＯ３−Ｎｂ２０５ 、ＷＯ，−
Ｔ ｉｏ、、 ｌ Ｂ２０３−３ｎ０２などの酸
化物や、 Ａｓ ２ Ｓ ３ 、 Ｂｉ ２ Ｓ ３
、 ＣｄＳ、 Ｃｕ ２Ｓ、 Ｇａ ２ ｓ、
Ｈｇ Ｓ、 Ｉ ｎ２ Ｓ３ 、 Ｐｂ
Ｓ。
ＭｏＳ２ 、 Ｎ ｉｓ ％ ＳｎＳ 、 Ｔａ５
−２ 、 ＴｉＳ２、ＷＳ２、ＺｎＳ、Ｓｂ２Ｓ３など
の硫化物や、 Ａ Ｓ ２ Ｓ ｅ ３ 、 Ｂ ｉ２ Ｓ ｅ ３
、Ｃｄ Ｓ ｅ、Ｐｂ５ｅ、５ｂ２Ｓｅ、 、５ｎＳ
ｅ％Ｚｎ５ｅなどのセレン化物や、 Ｂ １２Ｔｅ＝ 、ＣｄＴｅ、Ｃａ２Ｔｅ、ＧｅＴｅ、
５ｎＴｅ、ＺｎＴｅなどのテルル化物や、 Ａ Ｉ Ｎ 、 Ｂ Ｎ 、 Ｎ ｂ Ｎ 、 Ｓ
ｓ ３ Ｎ ４． Ｔ ａＮ、ＴｉＮ、ＶＮ、ＺｒＮ
、Ｔ１ＣＮなどの窒化物や、 ＡＪ２４Ｃ３、Ｂ４ Ｃ，Ｃｒ５ｃ２、ＨｆＣ１Ｍ ｏ
２ Ｃ、Ｎ ｂ Ｃ、Ｓ ｉＣ、Ｔ ａ Ｃ、Ｔ Ｉ
Ｃ。
−２ 、 ＴｉＳ２、ＷＳ２、ＺｎＳ、Ｓｂ２Ｓ３など
の硫化物や、 Ａ Ｓ ２ Ｓ ｅ ３ 、 Ｂ ｉ２ Ｓ ｅ ３
、Ｃｄ Ｓ ｅ、Ｐｂ５ｅ、５ｂ２Ｓｅ、 、５ｎＳ
ｅ％Ｚｎ５ｅなどのセレン化物や、 Ｂ １２Ｔｅ＝ 、ＣｄＴｅ、Ｃａ２Ｔｅ、ＧｅＴｅ、
５ｎＴｅ、ＺｎＴｅなどのテルル化物や、 Ａ Ｉ Ｎ 、 Ｂ Ｎ 、 Ｎ ｂ Ｎ 、 Ｓ
ｓ ３ Ｎ ４． Ｔ ａＮ、ＴｉＮ、ＶＮ、ＺｒＮ
、Ｔ１ＣＮなどの窒化物や、 ＡＪ２４Ｃ３、Ｂ４ Ｃ，Ｃｒ５ｃ２、ＨｆＣ１Ｍ ｏ
２ Ｃ、Ｎ ｂ Ｃ、Ｓ ｉＣ、Ｔ ａ Ｃ、Ｔ Ｉ
Ｃ。
ＷＣｌＶＣ，ＺｒＣなどの炭化物や、
ＡｆｆｉＢ２．ＣｒＢ２．ＨｆＢ、 、ＬａＢ２、Ｌａ
Ｂ６．ＭｏＢ２、ＮｂＢ２．ＴａＢ２、Ｔｉ Ｂ２．Ｗ
Ｂ、ＶＢ２．２ｒ８２などのホウ素化物や、 ＩｎＡｓ、ＩｎＧａ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ。
Ｂ６．ＭｏＢ２、ＮｂＢ２．ＴａＢ２、Ｔｉ Ｂ２．Ｗ
Ｂ、ＶＢ２．２ｒ８２などのホウ素化物や、 ＩｎＡｓ、ＩｎＧａ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ。
ＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＧａＳｂ、ＺｎＰ２、Ｚ ｎ ３
Ｐ ２ 、Ｔ ４２ ＣＯ３、Ｔ Ｊ２ Ｎ Ｏ３、Ｂ
ａＴｉｅ３などのその他の化合物等が挙げられる。
Ｐ ２ 、Ｔ ４２ ＣＯ３、Ｔ Ｊ２ Ｎ Ｏ３、Ｂ
ａＴｉｅ３などのその他の化合物等が挙げられる。
電極は金属そのものでもよく、金属材料電極上に金属含
有セラミックス、フェライト等を焼成して作成してもよ
い。
有セラミックス、フェライト等を焼成して作成してもよ
い。
本発明のＭｔ／ （Ｃ＋Ｍｔ）原子比の測定は、ＳＩＭ
Ｓ（２次イオン質量分析）に従い測定することができる
。 ＳＩＭＳを用いる場合、Ａｒ等でイオンエツチング
を行いながらＣおよびＭｔのプロファイルを測定して、
層平均値を算出してＭｔ／ （Ｃ＋Ｍｔ）とすればよい
。
Ｓ（２次イオン質量分析）に従い測定することができる
。 ＳＩＭＳを用いる場合、Ａｒ等でイオンエツチング
を行いながらＣおよびＭｔのプロファイルを測定して、
層平均値を算出してＭｔ／ （Ｃ＋Ｍｔ）とすればよい
。
比率の計算は金属元素Ｍｔと炭素Ｃのそれぞれのカウン
ト数から、その検出感度比をコレクションファクターと
して算出して行う。
ト数から、その検出感度比をコレクションファクターと
して算出して行う。
ＳＩＭＳの測定については、表面科学基礎講座（１９８
４）第３巻表面分析の基礎と応用Ｐ７０“ＳＩＭＳおよ
びＬＡＭＭＡ”の記載に従えばよい。
４）第３巻表面分析の基礎と応用Ｐ７０“ＳＩＭＳおよ
びＬＡＭＭＡ”の記載に従えばよい。
その他、Ａｕｇｅｒ、ＥＳＣＡ等によッテも測定可能で
あるが、もっとも感度よく、しかも広い範囲の組成物に
ついて測定できるのはＳＩＭＳである。
あるが、もっとも感度よく、しかも広い範囲の組成物に
ついて測定できるのはＳＩＭＳである。
なお、Ｍｔ／ （ｃ＋Ｍｔ）は膜厚方向に勾配をつける
こともできる。
こともできる。
本発明の重合膜の形成に際して、重合性の原料ガスとし
ては、特に制限はなく各種の有機ガスを用いることがで
きる。 これらの中では特に、操作性の良いことから、
常温で気体のものが好ましい。
ては、特に制限はなく各種の有機ガスを用いることがで
きる。 これらの中では特に、操作性の良いことから、
常温で気体のものが好ましい。
また異なる有機原料ガスを同時に二種以上用いることも
できる。
できる。
この場合には、後述するＦおよびＭはその総和で算入さ
れる。
れる。
このような原料ガスとしては、プラズマ重合可能な公知
の種々の有機原料ガスが可能である。
の種々の有機原料ガスが可能である。
以下、具体的に例示すると、
炭化水素、例えばメタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、エチレン、プロピレン、１−ブテン、２−ブ
テン、１．２−ブタジェン、１．３−ブタジェン、アセ
チレン、メチルアセチレン、プロパジエン、１．７−オ
クタジエン、１，３．５−ヘキサトリエン、ベンゼン、
スチレン、ナフタリン、ビニルナフタリン、シクロへキ
サジエン、２−メチルプロペン、シクロペンテン、シク
ロヘキセン、２−ビニル−１，３−ブタジェン等、 フッ化炭素、例えばテトラフロロメタン、オクタフロロ
プロパン、オクタフロロシクロブタン、テトラフロロエ
チレン、ヘキサフロロプロピレン等、 フッ化炭化水素、例えばフロロメタン、ジクロロメタン
、トリフロロメタン、ジクロロエタン、テトラフロロエ
タン等、 有機アミン化合物、例えばメチルアミン、ジメチルアミ
ン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン
、トリエチルアミン、ｎ−ブロビルアミン、ジ−ｎ−プ
ロピルアミン、トリーｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチル
アミン、ｎ−アミルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、ラウ
リルアミン、エチレンジアミン、トリメチルンジアミニ
ノ、ヘキサメチレンジアミン、エタノールアミン、ジェ
タノールアミン、アリルアミン、アリニン、アラニン、
Ｎ−メチルアニリ、アリルジメチルアミン、２−アミノ
エチルエーテル、ｌ−ジメチルアミノ−２−クロロエタ
ン、シクロプロピルアミン、シクロヘキシルアミン、ア
リルアミン、アリルメチルアミン、アリルジメチルアミ
ン、エチレンイミン、１−メチルエチレンイミン、Ｎ、
Ｎ−ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、カプロンア
ミド、アミノアセタール、ヘンシルアミン、ピペリジン
、ヒロリジン、モルホリン等のアミン、イミン、アミド
、イミド等、 有機けい素化合物、例えばトリメチルクロロシラン、ト
リメチルメトキシシラン、ビニルジメチルクロロシラン
、メチルクロロメチルメトキシクロロシラン、メチルジ
クロロシラン、ジメチルジメトキシシラン、ビニルメチ
ルジクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラ
メトキシシラン、テトラエトキシシランおよびこれらの
加水分解混合物としてのオルガノシロキサン等、 その他の有機不飽和化合物、例えば塩化ビニル、塩化ビ
ニリデン、アクロレイン、アリルアルコール、マイレン
酸、アクリル酸、メタクリル酸メチル、シクロヘキセノ
ール、フタル酸、フェノール、アニリン、メチルアニリ
ン、ジクロルベンゼン、ベンズアルデヒド、ピリジン、
チオフェン等がある。
ペンタン、エチレン、プロピレン、１−ブテン、２−ブ
テン、１．２−ブタジェン、１．３−ブタジェン、アセ
チレン、メチルアセチレン、プロパジエン、１．７−オ
クタジエン、１，３．５−ヘキサトリエン、ベンゼン、
スチレン、ナフタリン、ビニルナフタリン、シクロへキ
サジエン、２−メチルプロペン、シクロペンテン、シク
ロヘキセン、２−ビニル−１，３−ブタジェン等、 フッ化炭素、例えばテトラフロロメタン、オクタフロロ
プロパン、オクタフロロシクロブタン、テトラフロロエ
チレン、ヘキサフロロプロピレン等、 フッ化炭化水素、例えばフロロメタン、ジクロロメタン
、トリフロロメタン、ジクロロエタン、テトラフロロエ
タン等、 有機アミン化合物、例えばメチルアミン、ジメチルアミ
ン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン
、トリエチルアミン、ｎ−ブロビルアミン、ジ−ｎ−プ
ロピルアミン、トリーｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチル
アミン、ｎ−アミルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、ラウ
リルアミン、エチレンジアミン、トリメチルンジアミニ
ノ、ヘキサメチレンジアミン、エタノールアミン、ジェ
タノールアミン、アリルアミン、アリニン、アラニン、
Ｎ−メチルアニリ、アリルジメチルアミン、２−アミノ
エチルエーテル、ｌ−ジメチルアミノ−２−クロロエタ
ン、シクロプロピルアミン、シクロヘキシルアミン、ア
リルアミン、アリルメチルアミン、アリルジメチルアミ
ン、エチレンイミン、１−メチルエチレンイミン、Ｎ、
Ｎ−ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、カプロンア
ミド、アミノアセタール、ヘンシルアミン、ピペリジン
、ヒロリジン、モルホリン等のアミン、イミン、アミド
、イミド等、 有機けい素化合物、例えばトリメチルクロロシラン、ト
リメチルメトキシシラン、ビニルジメチルクロロシラン
、メチルクロロメチルメトキシクロロシラン、メチルジ
クロロシラン、ジメチルジメトキシシラン、ビニルメチ
ルジクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラ
メトキシシラン、テトラエトキシシランおよびこれらの
加水分解混合物としてのオルガノシロキサン等、 その他の有機不飽和化合物、例えば塩化ビニル、塩化ビ
ニリデン、アクロレイン、アリルアルコール、マイレン
酸、アクリル酸、メタクリル酸メチル、シクロヘキセノ
ール、フタル酸、フェノール、アニリン、メチルアニリ
ン、ジクロルベンゼン、ベンズアルデヒド、ピリジン、
チオフェン等がある。
また、膜中には、Ｈ，Ｎ、Ｏ，Ｆ、Ｓ、Ｂ。
Ｓｉ等が含有されてもよい。
本発明の重合膜の形成に際し、用いられる重合装置の模
式図が第１図に示されている。
式図が第１図に示されている。
上述したような重合性の原料ガスは、電極３１．３５の
所定の間隙に流入される。 そしてこの電極間に、例え
ば高周波による交流高電圧を印加する。
所定の間隙に流入される。 そしてこの電極間に、例え
ば高周波による交流高電圧を印加する。
電極３５は周波数可変型の電源４に接続され、他方の電
極３１は接地されている。 電源とアースの接続は逆で
もよい。 またバイアス電位をかけてもよい。 重合の
際に電８ｉ３５は上記プラズマ重合膜にとり込まれる金
属元素の供給材料としての機能をも有し、後述する条件
のもとにプラズマ重合すると、この電極を構成する金属
元素は、重合膜中にとり込まれる。
極３１は接地されている。 電源とアースの接続は逆で
もよい。 またバイアス電位をかけてもよい。 重合の
際に電８ｉ３５は上記プラズマ重合膜にとり込まれる金
属元素の供給材料としての機能をも有し、後述する条件
のもとにプラズマ重合すると、この電極を構成する金属
元素は、重合膜中にとり込まれる。
なお第１図の点線で囲まれた部分１０は、通常、真空槽
の中に設置されている。
の中に設置されている。
このような重合膜は下記の条件のもとに形成される。
すなわち、Ｗ／（Ｆ−Ｍ）［ここに、ＷはプラズマＱ入
電力ＣＪｏｕｌｅ／ｓｅｃ）であり、Ｆは有機原料ガス
流量、Ｍは原料ガス分子量でＦ−Ｍの単位はにｇ／ｓｅ
ｃ］値が１０８ Ｊｏｕｌｅ／ｋｇ以上、特に１０ ’
Ｊｏｕｌｅ／ｋｇ以−Ｆで行われることが好ましい。
すなわち、Ｗ／（Ｆ−Ｍ）［ここに、ＷはプラズマＱ入
電力ＣＪｏｕｌｅ／ｓｅｃ）であり、Ｆは有機原料ガス
流量、Ｍは原料ガス分子量でＦ−Ｍの単位はにｇ／ｓｅ
ｃ］値が１０８ Ｊｏｕｌｅ／ｋｇ以上、特に１０ ’
Ｊｏｕｌｅ／ｋｇ以−Ｆで行われることが好ましい。
こ の 値 が１０８ Ｊｏｕｌｅ／Ｊ未満であると
、電極を構成する金属元素を十分プラズマ重合膜中にと
り込むことが困難である。 なお、前記特開昭５８−８
８８２９号ではＷ／（Ｆ−Ｍ）は１０７Ｊｏｕｌｅ／ｋ
ｇであり、このような条件下ではＭｔ／（Ｃ＋Ｍｔ）が
０．０１以上の成膜は不可能である。 第１図に示され
る電極３１．３５の電極面積は任意であり、電Ｆｉ！３
１と３５との間隙長さく図中ｇで示される長さ）はプラ
ズマ電源の出力と電Ｖｉ構造によって、もフとも効率的
にディボディジョンてきる値を選へばよい。
、電極を構成する金属元素を十分プラズマ重合膜中にと
り込むことが困難である。 なお、前記特開昭５８−８
８８２９号ではＷ／（Ｆ−Ｍ）は１０７Ｊｏｕｌｅ／ｋ
ｇであり、このような条件下ではＭｔ／（Ｃ＋Ｍｔ）が
０．０１以上の成膜は不可能である。 第１図に示され
る電極３１．３５の電極面積は任意であり、電Ｆｉ！３
１と３５との間隙長さく図中ｇで示される長さ）はプラ
ズマ電源の出力と電Ｖｉ構造によって、もフとも効率的
にディボディジョンてきる値を選へばよい。
電極間に流入させる重合性の原料ガス流量は、装置のプ
ラズマ電源出力によって依存し、Ｗ／（Ｆ−Ｍ）が前述
の範囲内に入るように選定すればよい。
ラズマ電源出力によって依存し、Ｗ／（Ｆ−Ｍ）が前述
の範囲内に入るように選定すればよい。
プラズマ発生源としては、高周波電源、マイクロ波′な
源、直ｔＡ電源、交流電源等いずれも利用できる。
源、直ｔＡ電源、交流電源等いずれも利用できる。
真空槽内の作動圧は０．０５Ｐａ〜５Ｐａとする。 こ
の値が５Ｐａをこえると、平均自由工程か短くなり、プ
ラズマ重合膜中に金属元素がほとんどとり込まれなくな
る。また、０．０５Ｐａ未満であるとプラズマが安定に
発生せず重合膜が効率的に作成できない。
の値が５Ｐａをこえると、平均自由工程か短くなり、プ
ラズマ重合膜中に金属元素がほとんどとり込まれなくな
る。また、０．０５Ｐａ未満であるとプラズマが安定に
発生せず重合膜が効率的に作成できない。
本発明においては、第１図に示すごとく（第１図におい
ては磁界Ｂを矢印方向り印加させている）プラズマ雰囲
気中に磁界を電場に対してほぼ直角方向に印加させるい
わゆる直交電磁界形にすることが特に好ましい。
ては磁界Ｂを矢印方向り印加させている）プラズマ雰囲
気中に磁界を電場に対してほぼ直角方向に印加させるい
わゆる直交電磁界形にすることが特に好ましい。
このように磁場を用いてプラズマ重合することにより、
従来に比べ多量の金属元素をプラズマ重合膜中に含有せ
しめることができる。
従来に比べ多量の金属元素をプラズマ重合膜中に含有せ
しめることができる。
このような方式としては、同軸マグネトロン、平板マグ
ネトロン等があるが、特に限定されるものではない。
ネトロン等があるが、特に限定されるものではない。
この場合、被着体表面での磁界強度は、１０〜１０００
０Ｇ程度である。
０Ｇ程度である。
なお、成膜に際し上記Ｗ／（Ｆ−Ｍ）を制御したり、原
料ガス流量、原料ガス組成、作動圧をコントロールする
ことにより、容易に膜厚方向に金属Ｍｔの濃度分布変化
ないし勾配をつけることもできる。
料ガス流量、原料ガス組成、作動圧をコントロールする
ことにより、容易に膜厚方向に金属Ｍｔの濃度分布変化
ないし勾配をつけることもできる。
なお、キャリアガスとしてＡｒ、Ｎ２、Ｈｅ、Ｎ２など
を使用できる。
を使用できる。
また前述した重合性の原料ガスに加えて、Ｎ２．０２，
０３．Ｎ２０．Ｎ２、Ｎｏ、Ｎ２０、ＮＯ２などのＮＯ
ｘ、ＮＨ３、Ｃ０１ｃｏ２等の反応性ガスを１種以上添
加ガスとして加えてもよい。
０３．Ｎ２０．Ｎ２、Ｎｏ、Ｎ２０、ＮＯ２などのＮＯ
ｘ、ＮＨ３、Ｃ０１ｃｏ２等の反応性ガスを１種以上添
加ガスとして加えてもよい。
このような反応性ガスやキャリアガスの分子量は上記の
Ｗ／（Ｆ−Ｍ）値を算出するに際し、重合性原料ガスの
分子量Ｍとしては考慮しない。
Ｗ／（Ｆ−Ｍ）値を算出するに際し、重合性原料ガスの
分子量Ｍとしては考慮しない。
プラズマ重合の原理について概説すると、気体を低圧に
保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由電
子は、常圧に比べ分子間非難が非常に大きいため、電界
加速を受け５〜１０ｅＶの運動エネルギー（電子温度）
を獲得する。
保ち電場を作用させると、気体中に少量存在する自由電
子は、常圧に比べ分子間非難が非常に大きいため、電界
加速を受け５〜１０ｅＶの運動エネルギー（電子温度）
を獲得する。
この加速電子が原子や分子に衝突すると、原子軌道や分
子軌道を分断し、これらを電子、イイン、中性ラジカル
など、通常の状態では不安定な化学種に解難させる。
子軌道を分断し、これらを電子、イイン、中性ラジカル
など、通常の状態では不安定な化学種に解難させる。
解離した電子は再び電界加速を受けて、別の原子や分子
を解難させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度の
電離状態となる。 そしてこれはプラズマガスと呼ばれ
ている。
を解難させるが、この連鎖作用で気体はたちまち高度の
電離状態となる。 そしてこれはプラズマガスと呼ばれ
ている。
気体分子は電子との衝突の機会が少ないのでエネルギー
をあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。
をあまり吸収せず、常温に近い温度に保たれている。
このように、電子の運動エネルギー（電子温度）と、分
子の熱運動（ガス温度）が分離した系は低温プラズマと
呼ばれ、ここでは化学種が比較的原型を保ったまま重合
等の加酸的反応を進めつる状況を創出しており、本発明
はこの状況を利用して被着体上にプラズマ重合膜を形成
しようとするものである。 なお、低温プラズマを利用
するため、被着体の熱影響は問題ない。
子の熱運動（ガス温度）が分離した系は低温プラズマと
呼ばれ、ここでは化学種が比較的原型を保ったまま重合
等の加酸的反応を進めつる状況を創出しており、本発明
はこの状況を利用して被着体上にプラズマ重合膜を形成
しようとするものである。 なお、低温プラズマを利用
するため、被着体の熱影響は問題ない。
■ 発明の具体的作用効果
本発明は、プラズマ雰囲気下で電極を構成する金属元素
含有物質と重合性の原料ガスとを埋積・重合させて、所
定の金属濃度を打するプラズマ重合膜を得るものであり
、このとき任意の所望とする金属濃度と電気型導度がえ
られるものである。
含有物質と重合性の原料ガスとを埋積・重合させて、所
定の金属濃度を打するプラズマ重合膜を得るものであり
、このとき任意の所望とする金属濃度と電気型導度がえ
られるものである。
また本発明によれば、膜中に含有される金属の峠類とそ
の含有量を任意にかえることができるものである。 こ
の場合、本発明では、有機金属化合物を原料ガスとして
用いるプラズマ重合法では原料ガスの揮発性の点で成膜
不能な例えば貴金属等も含有可能である。
の含有量を任意にかえることができるものである。 こ
の場合、本発明では、有機金属化合物を原料ガスとして
用いるプラズマ重合法では原料ガスの揮発性の点で成膜
不能な例えば貴金属等も含有可能である。
そして、有機金属化合物を原料ガスとして用いる場合と
比較して、金属含有量はきわめて安定かつ精密に制御す
ることができる。
比較して、金属含有量はきわめて安定かつ精密に制御す
ることができる。
また、膜厚のｌ］御や、膜厚方向の濃度制御もきわめて
粒度よく容易に行うことができる。
粒度よく容易に行うことができる。
そして、高価な有機金属化合物を用いる必要がないので
製造コストも安価となり、製造も容易である。 また、
厚い膜厚のものも容易に得られる。
製造コストも安価となり、製造も容易である。 また、
厚い膜厚のものも容易に得られる。
さらに、プラズマ重合法以外の成ｊ摸法を用いるときと
比較して、接着強度か高く、よりち密で機械的強度の高
い導電膜かえられ、かつ他の積層膜を設けるときも積層
が容易でかつ接着力も高いものとなる。
比較して、接着強度か高く、よりち密で機械的強度の高
い導電膜かえられ、かつ他の積層膜を設けるときも積層
が容易でかつ接着力も高いものとなる。
■ 発明の具体的実施例
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
〔実施例１〕
基本構成を第１図と同様にする装置を用いて、被着体を
無アルカリガラスとし、この−トにプラズマ重合膜を形
成した。 すなわち真空チャンバを１０−’Ｐａの真空
に引いた。 そして電極３１と、Ｃｕの材質からなる電
極３５との間隙にほぼ電極間平面に沿うように、ガス状
のＣＨ，を重合性原料ガス（流ｆ１４ｓｃｃＭ）とし、
またキャリヤガスとして、Ａ ｒ （流ｉＲ２ｓｅｃＭ
）をそれぞれ導入した。
無アルカリガラスとし、この−トにプラズマ重合膜を形
成した。 すなわち真空チャンバを１０−’Ｐａの真空
に引いた。 そして電極３１と、Ｃｕの材質からなる電
極３５との間隙にほぼ電極間平面に沿うように、ガス状
のＣＨ，を重合性原料ガス（流ｆ１４ｓｃｃＭ）とし、
またキャリヤガスとして、Ａ ｒ （流ｉＲ２ｓｅｃＭ
）をそれぞれ導入した。
その後、ガス圧をＩＰａに保ちながら、１０００Ｗ、１
３ 、 ５６ＭＩＩｚの高周波電源を用いて、プラズマ
を発生させ、上記のガラス上に重合膜を形成した。
３ 、 ５６ＭＩＩｚの高周波電源を用いて、プラズマ
を発生させ、上記のガラス上に重合膜を形成した。
重合に際して磁界強度６００Ｇ （重合膜面）の静磁場
を印加した、いわ少る直交電磁界のもとて重合膜を形成
した（サンプル歯、１）。
を印加した、いわ少る直交電磁界のもとて重合膜を形成
した（サンプル歯、１）。
この場合Ｗ／（Ｆ−Ｍ）値は６．３ｘｌＯ９であった。
膜厚は３６０人とし、この重合膜のＭｔ／（ｃ＋Ｍｔ）
値を測定したところＭｔ／（Ｃ＋Ｍｔ）値は０．８８で
あった。
値を測定したところＭｔ／（Ｃ＋Ｍｔ）値は０．８８で
あった。
またＣ含有量は１１．７ａｔ％であった。
なお、電極３１と３５の間隙長さｇは、３ｃｍとした。
このサンプルにつき表面固有抵抗を測定したところ、１
３０Ωであった。
３０Ωであった。
これに準じ、原料ガスの流量および没入電力をかえ、下
記表１のようなＷ／（Ｆ−Ｍ）条件としたところ、下記
表１に示される結果かえられた。
記表１のようなＷ／（Ｆ−Ｍ）条件としたところ、下記
表１に示される結果かえられた。
１ ２、Ｉｘ １０” ０．８８ １１．７
１３０２ １．７ＸＩＯ” ０．９６
３．９ ２３ ６．５ｘ １０８０．３５
４８ ２ｘ １０８４ １．５ｘｌＯ’
＜０．０１ ３５ ＞ １０”〔実施例２〕 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、電場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚５００人の重合膜をえたところ下記の特性を
えた。
１３０２ １．７ＸＩＯ” ０．９６
３．９ ２３ ６．５ｘ １０８０．３５
４８ ２ｘ １０８４ １．５ｘｌＯ’
＜０．０１ ３５ ＞ １０”〔実施例２〕 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、電場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚５００人の重合膜をえたところ下記の特性を
えた。
原料ガス（流量）：Ｃ２夏（６２Ｓ（：０Ｍキャリヤガ
ス（流量）：Ａｒ ２ＳＣＣＭ添加ガス（流量）：Ｎ
）（４１０５Ｃ！、：Ｍ電極材料：Ａｒ 作動圧：０．８Ｐａ 磁場強度： ６００Ｇ ［Ｊｏｕｌｅ／にｇ］ （ａｎ、）
抵抗（Ω）Ａ ９．２ｘ １０” ０
．９２ ７．８ ２０Ｂ ８
．０ｘ１０６＜０．００１ ３２ ＞ １０１
６（なお、Ａについては２ａＬ％のＨとｆａｔ％のＮか
含有されていた。 Ｂについては、６７ａし％のＨが含
有されていた。） （実施例３） 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚２５０人の重合膜をえたところ下記の特性を
えた。
ス（流量）：Ａｒ ２ＳＣＣＭ添加ガス（流量）：Ｎ
）（４１０５Ｃ！、：Ｍ電極材料：Ａｒ 作動圧：０．８Ｐａ 磁場強度： ６００Ｇ ［Ｊｏｕｌｅ／にｇ］ （ａｎ、）
抵抗（Ω）Ａ ９．２ｘ １０” ０
．９２ ７．８ ２０Ｂ ８
．０ｘ１０６＜０．００１ ３２ ＞ １０１
６（なお、Ａについては２ａＬ％のＨとｆａｔ％のＮか
含有されていた。 Ｂについては、６７ａし％のＨが含
有されていた。） （実施例３） 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚２５０人の重合膜をえたところ下記の特性を
えた。
原料ガス（流量） ： ＣＨ３ＮＨ２２０ＳＣＣＭキャ
リヤガス（流ｉ）：Ａｒ ２ＳＣＣＭ電極材料：Ｃｒ 作動圧：０．５Ｐａ 電場強度：１０００Ｇ ［Ｊｏｕｌｅ／にｇｌ （ａｔ！ｋ）
抵抗（Ω）Ａ ３．５ｘ １０９ ０．５
５ ４２ １．２ｘ １０８Ｂ ｌ
ｘｌＯ’ ＜０．０１ ：１９ ＞１０
”（なお、Ａについては１０ａｔ％のＨと４ａｔ％のＮ
が含有されていた。） 〔実施例４〕 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚３００λの重合膜をえたところ下記の特性を
えた。
リヤガス（流ｉ）：Ａｒ ２ＳＣＣＭ電極材料：Ｃｒ 作動圧：０．５Ｐａ 電場強度：１０００Ｇ ［Ｊｏｕｌｅ／にｇｌ （ａｔ！ｋ）
抵抗（Ω）Ａ ３．５ｘ １０９ ０．５
５ ４２ １．２ｘ １０８Ｂ ｌ
ｘｌＯ’ ＜０．０１ ：１９ ＞１０
”（なお、Ａについては１０ａｔ％のＨと４ａｔ％のＮ
が含有されていた。） 〔実施例４〕 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚３００λの重合膜をえたところ下記の特性を
えた。
原料ガス（流量）：ＣＨＦ、 ６５Ｃ（：Ｍキャリヤ
ガス（流量）：Ａｒ ３Ｓ（：ＣＭ電極材料：Ｆｅ 作動圧： ２Ｐａ 磁場強度： ３００Ｇ ［Ｊｏｕｌｅ／Ｋｇ］ （ａｔＵ 抵抗
（Ω）Ａ １．５ｘ １０９ ０．４０
４５ ３．５ｘ １０８Ｂ
１．２ｘ １０’ ＜ ０．０１ ３
６ ＞ １０’ら（なお、Ａについては５
ａｔ％のＦと２０ａｔ％のＨが含有されていた。） 〔実施例５〕 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚１０００人の重合膜をえたところ下記の特性
をえた。
ガス（流量）：Ａｒ ３Ｓ（：ＣＭ電極材料：Ｆｅ 作動圧： ２Ｐａ 磁場強度： ３００Ｇ ［Ｊｏｕｌｅ／Ｋｇ］ （ａｔＵ 抵抗
（Ω）Ａ １．５ｘ １０９ ０．４０
４５ ３．５ｘ １０８Ｂ
１．２ｘ １０’ ＜ ０．０１ ３
６ ＞ １０’ら（なお、Ａについては５
ａｔ％のＦと２０ａｔ％のＨが含有されていた。） 〔実施例５〕 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚１０００人の重合膜をえたところ下記の特性
をえた。
原料ガス（流量）：テトラメトキシシラン０５ＣＣＭ
キャリヤガス（流量）：Ｈ２２ＳＣ（：Ｍ添加ガス（流
量）二０□ ４５（：ＣＭ電極材料： Ｉ ｎ２０
．−３ｎ０３ 作動圧：１．５Ｐａ 磁場強度：１０００Ｇ ［Ｊｏｕｌｅ／Ｋｇ］ （ａｔ％）
抵抗（Ω）Ａ ３．９ｘ １０９０．３５ ５０
６．６ｘ １０８Ｂ １．３ｘ １０’ ＜
０．０１ ３．３ ＞ １０６（なお、Ａに
ライては９ａｔ％Ｏと１０ａＬ％のＳｉか含有されてい
た。） 〔実施例６〕 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚７５０人の重合膜をえたところ下記の特性を
えた。
量）二０□ ４５（：ＣＭ電極材料： Ｉ ｎ２０
．−３ｎ０３ 作動圧：１．５Ｐａ 磁場強度：１０００Ｇ ［Ｊｏｕｌｅ／Ｋｇ］ （ａｔ％）
抵抗（Ω）Ａ ３．９ｘ １０９０．３５ ５０
６．６ｘ １０８Ｂ １．３ｘ １０’ ＜
０．０１ ３．３ ＞ １０６（なお、Ａに
ライては９ａｔ％Ｏと１０ａＬ％のＳｉか含有されてい
た。） 〔実施例６〕 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚７５０人の重合膜をえたところ下記の特性を
えた。
原料ガス（流量）：ＣＨ４６５（：０Ｍキャリヤガス（
流量） ： Ｎ２ ２Ｓ（：ＣＭ′北極材料：Ｔｉ 作動圧：０．５Ｐａ 磁場強度： ８００Ｇ Ａ ８．８Ｘ １０９ ０．７３
２５ ９．６Ｘ １０６Ｂ ９．５
ｘ １０６ ＜０．０１ ３１
＞ ｔｏ１６（なお、Ａについては５ａｔ％のＨ
と２ａｔ％のＮか含有されていた。） 〔実施例７〕 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚１００人の重合膜をえたところ下記の特性を
えた。
流量） ： Ｎ２ ２Ｓ（：ＣＭ′北極材料：Ｔｉ 作動圧：０．５Ｐａ 磁場強度： ８００Ｇ Ａ ８．８Ｘ １０９ ０．７３
２５ ９．６Ｘ １０６Ｂ ９．５
ｘ １０６ ＜０．０１ ３１
＞ ｔｏ１６（なお、Ａについては５ａｔ％のＨ
と２ａｔ％のＮか含有されていた。） 〔実施例７〕 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚１００人の重合膜をえたところ下記の特性を
えた。
原料ガス（流量）二Ｃ２Ｈ２１１００５ＣＣキヤリヤガ
ス（流量） ： Ａ ｒ １０５ＣＣＭ電極材料：
Ｃｕ 作動圧：３．５Ｐａ 磁場強度１００Ｇ： Ａ １．８ｘ １０８ ０．１０
５６ ２．７ｘ １０”Ｂ １．ｌｘ
ｌＯ’ ＜ ０．０１ ３３
＞ １０１６（なお、Ａについては３８ａｔ％
のＨが含有されていた。） 〔実施例８〕 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚４５０人の重合膜をえたところ下記の特性を
えた。
ス（流量） ： Ａ ｒ １０５ＣＣＭ電極材料：
Ｃｕ 作動圧：３．５Ｐａ 磁場強度１００Ｇ： Ａ １．８ｘ １０８ ０．１０
５６ ２．７ｘ １０”Ｂ １．ｌｘ
ｌＯ’ ＜ ０．０１ ３３
＞ １０１６（なお、Ａについては３８ａｔ％
のＨが含有されていた。） 〔実施例８〕 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚４５０人の重合膜をえたところ下記の特性を
えた。
原料ガス（流量） ： Ｃ２Ｈ４４ｓｃｃＭキャリヤガ
ス（流、Ｑ） ： Ａ ｒ ２５Ｃ（：Ｍ電極材
料： ＧｅＴｅ 作動圧：ＩＰａ 磁場強度： ６００Ｇ Ａ ２．５ｘ １０” ０．６７
３１ ４．４ｘ １０６Ｂ １．Ｉ
ｘ １０’ ＜ ０．０１ ３２ ＞ １０１
６（なお、Ａについては６ａｔ％のＨか含有されていた
。） （実施例９） 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、く添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚３００人の重合膜をえたところ下記の特性を
えた。
ス（流、Ｑ） ： Ａ ｒ ２５Ｃ（：Ｍ電極材
料： ＧｅＴｅ 作動圧：ＩＰａ 磁場強度： ６００Ｇ Ａ ２．５ｘ １０” ０．６７
３１ ４．４ｘ １０６Ｂ １．Ｉ
ｘ １０’ ＜ ０．０１ ３２ ＞ １０１
６（なお、Ａについては６ａｔ％のＨか含有されていた
。） （実施例９） 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、く添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚３００人の重合膜をえたところ下記の特性を
えた。
原料ガス（流量） ： ＣＦ ４０．２５（：ＣＭキャ
リヤガス（流量） ： Ａ ｒ Ｏ，］ＳＣＣ：Ｍ
電極材料：Ｎｉ−Ｃｒ 作動圧：０．６Ｐａ 磁場強度：１００’ＯＧ Ａ ６．５Ｘ １０目 ０．９８ １．９５
１１０Ｂ １．２ｘ １０’ ＜ ０．０１
３４ ＞ １０１６（なお、Ａについては２ａＬ％
のＦが含有されていた。） 〔実施例１０〕 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚５５０人の重合膜をえたところ下記の特性を
えた。
リヤガス（流量） ： Ａ ｒ Ｏ，］ＳＣＣ：Ｍ
電極材料：Ｎｉ−Ｃｒ 作動圧：０．６Ｐａ 磁場強度：１００’ＯＧ Ａ ６．５Ｘ １０目 ０．９８ １．９５
１１０Ｂ １．２ｘ １０’ ＜ ０．０１
３４ ＞ １０１６（なお、Ａについては２ａＬ％
のＦが含有されていた。） 〔実施例１０〕 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚５５０人の重合膜をえたところ下記の特性を
えた。
原料ガス（流量）：塩化ビニル ４ ＳＣＣ％１キャリ
ヤガス（流量）：Ａｒ ２５１；（：Ｍ電極材料：
ＧａＡｓ 作動圧＋ＩＰａ 磁場強度： ６００Ｇ ［Ｊｏｕｌｅ／にｇｌ （ａｔに）
抵抗 （Ω）Ａ ２．Ｏｘ １０９ ０．３８
５３ ３．２ｘ １０８Ｂ １．５ｘ
１０’ ＜ ０．０１ ３２ ＞ １０
′６くなお、Ａについては７ａｔ％のＣ２と６ａｔ％の
Ｈが含有されていた。） 〔実施例１１〕 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚１５００人の重合膜をえたところ下記の特性
をえた。
ヤガス（流量）：Ａｒ ２５１；（：Ｍ電極材料：
ＧａＡｓ 作動圧＋ＩＰａ 磁場強度： ６００Ｇ ［Ｊｏｕｌｅ／にｇｌ （ａｔに）
抵抗 （Ω）Ａ ２．Ｏｘ １０９ ０．３８
５３ ３．２ｘ １０８Ｂ １．５ｘ
１０’ ＜ ０．０１ ３２ ＞ １０
′６くなお、Ａについては７ａｔ％のＣ２と６ａｔ％の
Ｈが含有されていた。） 〔実施例１１〕 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚１５００人の重合膜をえたところ下記の特性
をえた。
原料ガス（流量）：ＣＨ４３ＳＣＣＭ
キャリヤガス（流ｉ１） ： Ａ ｒ ２５ＣＣ
Ｍ電極材料：Ｃｕ 作動圧：０．７Ｐａ 磁場強度： ６００Ｇ ［Ｊｏｕｌｅ／にｇｌ （ａｔｅ）
抵抗 （Ω）Ａ １．６ｘ １０” ０．
８５ １４．５ １．５ｘ １０３Ｂ
１．６ｘ １０’ ＜ ０．０１ ３０
＞ １０１６（なお、Ａについては３ａＬ％のＨが含
有されていた。） （実施例１２〕 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚８００人の重合膜をえたところ下記の特性を
えた。
Ｍ電極材料：Ｃｕ 作動圧：０．７Ｐａ 磁場強度： ６００Ｇ ［Ｊｏｕｌｅ／にｇｌ （ａｔｅ）
抵抗 （Ω）Ａ １．６ｘ １０” ０．
８５ １４．５ １．５ｘ １０３Ｂ
１．６ｘ １０’ ＜ ０．０１ ３０
＞ １０１６（なお、Ａについては３ａＬ％のＨが含
有されていた。） （実施例１２〕 実施例１において、原料ガス、（キャリヤガス）、（添
加ガス）、（電極材料）を下記のようにかえ、下記のＷ
／（Ｆ−Ｍ）（作動圧、磁場強度）にてプラズマ重合を
行い、膜厚８００人の重合膜をえたところ下記の特性を
えた。
原料ガス（流量）： Ｃ２Ｈ２６ＳＣＣＭキャリヤガス
（流ｆｉ） ： Ａ ｒ ４ＳＣＣＭ電極材料
：Ｓｍ 作動圧：０．７Ｐａ 磁場強度： ６００Ｇ ［Ｊｏｕｌｅ／Ｋｇ］ （ａｔ９６）
抵抗 （Ω）Ａ ６．５ｘ １０９ ０．
６５ ３２ ８．１ｘ １０’Ｂ
６．５ｘ １０’ ＜ ０．０１ ２９ 千
１０１６（なお、Ａについては９ａｔ％のＨが含有され
ていた。） 〔実施例１３〕 実施例２のＡにおいて、Ｗ／（Ｆ−Ｍ）を９．２ ｘ
１０” 〜４．８ｘ １０９［Ｊｏｕｌｅ／ＫｇＩまで
かえたところ、基板側から表面側にわたってＭｔ／（Ｃ
＋Ｍｔ）か０．９２〜０．６３の範囲で連続的に変化し
た膜かえられた。
（流ｆｉ） ： Ａ ｒ ４ＳＣＣＭ電極材料
：Ｓｍ 作動圧：０．７Ｐａ 磁場強度： ６００Ｇ ［Ｊｏｕｌｅ／Ｋｇ］ （ａｔ９６）
抵抗 （Ω）Ａ ６．５ｘ １０９ ０．
６５ ３２ ８．１ｘ １０’Ｂ
６．５ｘ １０’ ＜ ０．０１ ２９ 千
１０１６（なお、Ａについては９ａｔ％のＨが含有され
ていた。） 〔実施例１３〕 実施例２のＡにおいて、Ｗ／（Ｆ−Ｍ）を９．２ ｘ
１０” 〜４．８ｘ １０９［Ｊｏｕｌｅ／ＫｇＩまで
かえたところ、基板側から表面側にわたってＭｔ／（Ｃ
＋Ｍｔ）か０．９２〜０．６３の範囲で連続的に変化し
た膜かえられた。
（実施例１４〕
実施例４のＡにおいて、Ｗ／（Ｆ−Ｍ）を］、５ｘ １
０９〜１．５ｘ １０”［Ｊｏｕｌｅ／にｇｌまでかえ
たところ、基板側から表面側にわたってＭｔ／（Ｃ＋Ｍ
ｔ）が０．５５〜０．８６の範囲で連続的に変化した膜
がえられた。
０９〜１．５ｘ １０”［Ｊｏｕｌｅ／にｇｌまでかえ
たところ、基板側から表面側にわたってＭｔ／（Ｃ＋Ｍ
ｔ）が０．５５〜０．８６の範囲で連続的に変化した膜
がえられた。
第１図は、本発明の重合膜製造装置の模式図である。
符号の説明
１・・・重合膜製造装置、２・・・被着体、３１．３５
−・・電極、４・・・交流および周波数可変型電源、→
Ｂ・・・磁界方向（矢印）、ｇ・・・電極間隙の長さ ＦＩＧ、１ ７′ ニー゛１−−−−−−−−−−−−−一−−−−−−−
−−−−・手続ネ甫正ＰＦ（自発） 昭和６１年１０ｉ１２２日 ２、発明の名称 重合１食およびその製造方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都中央区日本橋−丁目１３番１号名
称 （３０６）ティーディーケイ株式会社代表者
大 ｇ５． 寛 ４、代理人 〒１０１電話８６４−４４９８住 所
東京都千代田区岩本町３丁目２＠２号５、補正の対象 ６ 補正の内容 （１）明細書の「２、特許請求の範囲」の項の記載を別
紙の通り補正する。 く２）明細書の「３、発明の詳細な説明Ｊの項の記載を
下記の通り補正する。 １）第３ベージ７行目、第６ページ８行目、同１５行目
、ｉ７ページ８行目および第２３ページ３〜４行目の［
埋植」をそわぞれ「推禎」と補正する。 ２、特許請求の範囲 （１）プラズマ雰囲気下にて、電極を構成する金属元素
含有物質と炭素を含有する重合性の原料ガスとを堆積・
重合させて形成したプラズマ重合膜において、 膜中の金属元素Ｍｔと炭素Ｃの原子比Ｍｔ／（Ｃ＋Ｍｔ
）が０．０１以上であることを特徴とするプラズマ重合
膜。 （２）Ｍｔ／ （ｃ＋Ｍｔ）が０．０５〜０．９９９で
ある特許請求の範囲第１項に記載の重合膜。 （３）原料ガスを電極間に流入して電極を構成する金属
元素含有物質と炭素を含有する重合性の原料ガスとをＸ
Ｉ ４Ｎ、重合させるプラズマ重合膜の製造方法におい
て、 重合膜の形成がＷ／（Ｆ−Ｍ）［ここに、Ｗはプラズマ
役人′ζ力（Ｊｏｕｌｅ／ｓθＣ）であり、Ｆは原料ガ
ス流量、Ｍは原料ガス分子量でＦ−Ｍの単位はｋｇ／ｓ
ｅｃｌ値か１０６Ｊｏｕｌｅ／ｋｇ以上の条件で行われ
ることを特徴とするプラズマ重合膜の製造方法。 （４）プラズマ雰囲気中に磁界を印加させる特許請求の
範囲第３項に記載の重合膜の製造方法。 （５）プラズマ重合膜の形成が５Ｐａ以下の作動圧で行
われる特許請求の範囲子３項または第４項に記載の重合
膜の製造方法。
−・・電極、４・・・交流および周波数可変型電源、→
Ｂ・・・磁界方向（矢印）、ｇ・・・電極間隙の長さ ＦＩＧ、１ ７′ ニー゛１−−−−−−−−−−−−−一−−−−−−−
−−−−・手続ネ甫正ＰＦ（自発） 昭和６１年１０ｉ１２２日 ２、発明の名称 重合１食およびその製造方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都中央区日本橋−丁目１３番１号名
称 （３０６）ティーディーケイ株式会社代表者
大 ｇ５． 寛 ４、代理人 〒１０１電話８６４−４４９８住 所
東京都千代田区岩本町３丁目２＠２号５、補正の対象 ６ 補正の内容 （１）明細書の「２、特許請求の範囲」の項の記載を別
紙の通り補正する。 く２）明細書の「３、発明の詳細な説明Ｊの項の記載を
下記の通り補正する。 １）第３ベージ７行目、第６ページ８行目、同１５行目
、ｉ７ページ８行目および第２３ページ３〜４行目の［
埋植」をそわぞれ「推禎」と補正する。 ２、特許請求の範囲 （１）プラズマ雰囲気下にて、電極を構成する金属元素
含有物質と炭素を含有する重合性の原料ガスとを堆積・
重合させて形成したプラズマ重合膜において、 膜中の金属元素Ｍｔと炭素Ｃの原子比Ｍｔ／（Ｃ＋Ｍｔ
）が０．０１以上であることを特徴とするプラズマ重合
膜。 （２）Ｍｔ／ （ｃ＋Ｍｔ）が０．０５〜０．９９９で
ある特許請求の範囲第１項に記載の重合膜。 （３）原料ガスを電極間に流入して電極を構成する金属
元素含有物質と炭素を含有する重合性の原料ガスとをＸ
Ｉ ４Ｎ、重合させるプラズマ重合膜の製造方法におい
て、 重合膜の形成がＷ／（Ｆ−Ｍ）［ここに、Ｗはプラズマ
役人′ζ力（Ｊｏｕｌｅ／ｓθＣ）であり、Ｆは原料ガ
ス流量、Ｍは原料ガス分子量でＦ−Ｍの単位はｋｇ／ｓ
ｅｃｌ値か１０６Ｊｏｕｌｅ／ｋｇ以上の条件で行われ
ることを特徴とするプラズマ重合膜の製造方法。 （４）プラズマ雰囲気中に磁界を印加させる特許請求の
範囲第３項に記載の重合膜の製造方法。 （５）プラズマ重合膜の形成が５Ｐａ以下の作動圧で行
われる特許請求の範囲子３項または第４項に記載の重合
膜の製造方法。
Claims (5)
- （１）プラズマ雰囲気下にて、電極を構成する金属元素
含有物質と炭素を含有する重合性の原料ガスとを埋積・
重合させて形成したプラズマ重合膜において、 膜中の金属元素Ｍｔと炭素Ｃの原子比Ｍｔ／（Ｃ＋Ｍｔ
）が０．０１以上であることを特徴とするプラズマ重合
膜。 - （２）Ｍｔ／（Ｃ＋Ｍｔ）が０．０５〜０．９９９であ
る特許請求の範囲第１項に記載の重合膜。 - （３）原料ガスを電極間に流入して電極を構成する金属
元素含有物質と炭素を含有する重合性の原料ガスとを埋
積、重合させるプラズマ重合膜の製造方法において、 重合膜の形成がＷ／（Ｆ・Ｍ）［ここに、Ｗはプラズマ
投入電力（Ｊｏｕｌｅ／ｓｅｃ）であり、Ｆは原料ガス
流量、Ｍは原料ガス分子量でＦ・Ｍの単位はＫｇ／ｓｅ
ｃ］値が１０＾８Ｊｏｕｌｅ／ｋｇ以上の条件で行われ
ることを特徴とするプラズマ重合膜の製造方法。 - （４）プラズマ雰囲気中に磁界を印加させる特許請求の
範囲第３項に記載の重合膜の製造方法。 - （５）プラズマ重合膜の形成が５Ｐａ以下の作動圧で行
われる特許請求の範囲第３項または第４項に記載の重合
膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61207567A JP2543833B2 (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | プラズマ重合膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61207567A JP2543833B2 (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | プラズマ重合膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6363702A true JPS6363702A (ja) | 1988-03-22 |
| JP2543833B2 JP2543833B2 (ja) | 1996-10-16 |
Family
ID=16541885
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61207567A Expired - Fee Related JP2543833B2 (ja) | 1986-09-03 | 1986-09-03 | プラズマ重合膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2543833B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6445434A (en) * | 1987-05-12 | 1989-02-17 | Schering Ag | Manufacture of electroconductive polymer-metal compound |
| JPH0270768A (ja) * | 1988-05-25 | 1990-03-09 | Fsk Corp | プラズマ重合による基体表面コーティング法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61159426A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-19 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマ重合体膜の形成方法 |
-
1986
- 1986-09-03 JP JP61207567A patent/JP2543833B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61159426A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-19 | Stanley Electric Co Ltd | プラズマ重合体膜の形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6445434A (en) * | 1987-05-12 | 1989-02-17 | Schering Ag | Manufacture of electroconductive polymer-metal compound |
| JPH0270768A (ja) * | 1988-05-25 | 1990-03-09 | Fsk Corp | プラズマ重合による基体表面コーティング法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2543833B2 (ja) | 1996-10-16 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |