JPS6363985A - 二次元放射線検出器 - Google Patents

二次元放射線検出器

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JPS6363985A
JPS6363985A JP61206832A JP20683286A JPS6363985A JP S6363985 A JPS6363985 A JP S6363985A JP 61206832 A JP61206832 A JP 61206832A JP 20683286 A JP20683286 A JP 20683286A JP S6363985 A JPS6363985 A JP S6363985A
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JP
Japan
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semiconductive
film
detection element
circuits
metal
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JP61206832A
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Yujiro Naruse
雄二郎 成瀬
Tamotsu Hatayama
畑山　保
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （沼明の目的〕 （産業上の利用分野） 不発明は金属と半Ｊ本膜との多層構造を利用した二次元
放射線検出器に関する。
（従来の技術） 従来より、二次元放射線演出器として種々の構造のもの
が矧られている。第３１はその一ガである（￥ｊ開昭５
８−２１５８Ｏｒ二次元放射線検出器」）。
この演出器は、故射゛ｊをシンチレータ膜２２で光に変
換し、その元金光ファイバ２３で二次元光検出器２４へ
導びく方式を用いている。同図中、２５と２６はそれぞ
れ光ファイバのコアとクラッド部分、２７は光結合用マ
ツ壬ング摺脂である。二次元光検出器２４はＣＯＤなど
の固体撮！２素子で、出力信号はデータ処理熱２８全経
て画ｒ象表示装置２９へ送られる。シンチレータ膜２２
の面積としては、Ｘ線診断装置用には４０Ｘ４０ｃｍ”
程度が必要である。溝３０．３１は画素間の光クロスト
ークを抑制する目的で付けられている。
（発明が解決しようとする間ＩＡ点） 第３図に示した従来の二次元放射線演出器は。
次のような問題がある。
（１）九ファイバを、シンチレータ膜の各画素と。
二次元光検出器の各画素に対応させる必要があり、製作
に安する時間とコストは莫大である。
（２）光フ・ｒイパは一定の曲率以上曲げることが１雌
であるから、シンチレータ膜と二次元光検出器との距離
は一定以上とる必要があり、薄型の二次元放射線支出器
を構成することはむずかしい。
１３）シ／手レしタプと光ファイバとの結合効率。
およびシンチレータ膜の発）′を効゛杯や九吸乱現象な
どを全体として考慮すると、超高感度な放射線噴出器動
作は明待できない。
本発明は上記の如き問題金春決し、超高感度で薄型、し
かも炸裂の容易な二次元放射線噴出器を提供することを
目的とする。
〔発明の？ｉｌ成〕
（間ｄを解決するための′Ｅ＋段） 木見男にかかる二次元放射線検出器は、金属膜と牛廊体
麟の多−者造放射＠検出累子、および能１半４本素子と
金、絶縁性基板上に形成した基本４造金有する。さらに
信号を外部へ取り出すためのＸ　Ｙ　ｉ、（号緑も一体
化されている。
（ｌ’ｌ：　ＩＨ） 本発明による二医元故射縁廉出器では、谷単位素子が金
４と半導体膜の多層構造になっていて。
前者が放射線吸収および光電子発生部として、後者が元
４子による４子・正孔発生ｆ；Ｓとしての主たる機能を
有す。さらに金属は信号４荷（４子・正孔対）収集の作
用があるので、各素子からの信号を能・幼牛・４本ネ子
を１・り用し、ＸＹＪ号５Ｌ・４　’ｅ介して外部出力
することができる。
（実施例） 以Ｆ１本発明の実施例全第ｉ　ニー１　ｉ−よび第２図
を用いて説明する。第１図は単位噴出要素の断面、Ａ。
第２図は全体の１カ成を等価回洛的に艮現したものであ
る。単位検出部は、第１図に示すように咄１性のガラス
基板１上に、ｓ；ｏ、ｍ２ｉ介して形成されている（Ｔ
ａ金ａ　ｇ　３　／　ａ　−Ｓｉ　ｍ　４　／　Ｉｓｉ
　。
金゛！４映５〕の多１−構造素子である。単位検出部の
左にはＴ　Ｐ　Ｔ　（Ｔｈ１ｎ　　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ　）が形成されている。６がＭＯゲート４
極、８がＡｌソース電極、９がチャンネルが形成される
真性ａ−Ｓｉ。
１０がＴａドレイン’ａ　；ｉである。また１２は、ポ
リイミドパッシベーション帳、１３はｐｂ遮蔽膜で、Ｔ
ＰＴ＝ｉ放射線から渫繰する役割がある０Ｍ。
金ｔ＋４幌５は共通アース線１４に１Ｍｏゲート′ヱ極
６は第２図の水平走査回路１５に、Ａｌソース電極８は
垂直走査回路１６にそれぞれ接続されている。１７は絶
縁性の保護ｊ１である。
次に二次元放射＠検出器としての動作を第２図を用いて
説明する。ｆず、Ｘ＠などの故射線照射萌に水平走査回
路１５と東直走査回！ＮｒＩＳを中いて、すべての単位
噴出要素（Ｔａ／ａ−８ｉ／Ｍｏ　）に対して、電源１
８により逆バイアス金印クロする。
このとき各素子は内部１界が存在する電気容量に。
戒荀が蓄えられた大富になる。Ｘ線が照射されると、そ
の強度分布に応じて谷素子内のａ−８ｉ領或で、金属か
ら放出される光電子により、ａ子Φ正孔対が発生する。
これによって、各素子に蓄えられていた１荷が減少し、
Ｘ線像が電荷付分布となる。その後、Ａちに水平走査回
路と、卓直走査回路？利用して、各素子の１象１肯報を
・慎欠読み出し。
増幅器１９．データ処浬装在２０を経て、表示装ｆｆ１
２１でＸ憬１３を衣示する。
本発明は上記した実施“し’ｊ　ｉＣｉａられるもので
はなく、以下に列記するように、（１々変形して実施す
ることができる。
（８）単泣偵出素子のデバイス構造としては、ショット
キー型以外、ＰＮあるいはＰＩＮ構造にすることも可能
である。
（ｂ）尋泣険出素子とＴ　Ｆ　’［’との泣纜関係は１
本鵠施列に限定されることはなく、構造プロセスに応じ
て、変化させることができる。
〔発明の効果〕
以下述べたように本発明によれば、金属膜と半導体膜を
交互に複数層積層した構造の単位噴出要素により、高感
度の二次元放射線検出器が実現する。しかも、薄型化が
容易であるので、広い応用が存在する。また％製造時間
と価格の点で大幅な改善が達成できる。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本発明の一実施例全説明するための
図、＠３図は従来の二次元放射線検出６の構成列である
。 ３２・・・光反射膜、３３・・・放射線（Ｘ＠）。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属と半導体膜を交互に順次積層させた多層構造放射線
    検出素子およびスイッチングや増幅作用のある能動半導
    体デバイス素子を絶縁性基板上に形成し、かつ前記放射
    線検出素子からの信号を外部へ取り出すための信号線も
    一体化して配設されていることを特徴とする二次元放射
    線検出器。
JP61206832A 1986-03-03 1986-09-04 二次元放射線検出器 Expired - Lifetime JP2609590B2 (ja)

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JP61206832A JP2609590B2 (ja) 1986-09-04 1986-09-04 二次元放射線検出器
DE8787102962T DE3768112D1 (de) 1986-03-03 1987-03-03 Strahlungsdetektor.
EP87102962A EP0239808B1 (en) 1986-03-03 1987-03-03 Radiation detecting device
US07/021,349 US4926052A (en) 1986-03-03 1987-03-03 Radiation detecting device

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JPH08236800A (ja) * 1995-01-12 1996-09-13 E I Du Pont De Nemours & Co 固体素子を用いたイメージ・キャプチャ・パネル
US6672906B1 (en) 1999-06-24 2004-01-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Jack device
JP2009513973A (ja) * 2005-10-26 2009-04-02 テトラ ラバル ホールデイングス エ フイナンス ソシエテ アノニム 電子ビームを感知するための多層検出器及び方法

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KR102056497B1 (ko) 2013-05-20 2019-12-17 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 방사선 영상 촬영 장치

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JPS61152084A (ja) * 1984-12-25 1986-07-10 Fuji Electric Co Ltd 半導体中性子検出器
JPS62251688A (ja) * 1986-04-24 1987-11-02 Toshiba Corp 放射線検出装置

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