JPS59211264A - 放射線像検出方法 - Google Patents
放射線像検出方法Info
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- JPS59211264A JPS59211264A JP58086227A JP8622783A JPS59211264A JP S59211264 A JPS59211264 A JP S59211264A JP 58086227 A JP58086227 A JP 58086227A JP 8622783 A JP8622783 A JP 8622783A JP S59211264 A JPS59211264 A JP S59211264A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、放射線像検出方法に関するものである。さら
に詳しくは、本発明は、放射線像変換パネルと感光素子
との相合ゎせを利用する放射線像検出方法に関するもの
である。
に詳しくは、本発明は、放射線像変換パネルと感光素子
との相合ゎせを利用する放射線像検出方法に関するもの
である。
従来、被写体の放射線像を検出して画像として得る方法
としては、銀塩感光材料からなる乳剤層を有する放射線
写真フィルムと増感紙（増感スクリーン）とを組み合わ
せた、いわゆる放射線写真法が利用されている。上記従
来の放射線写真法にかわる方法の−っとして、たとえば
、米国特許第３．８５９．５２７号明細書および特開昭
５５−ｉ２１４５号公報等に記載されているような輝尽
性蛍光体を利用する放射線像変換方法が知られている。
としては、銀塩感光材料からなる乳剤層を有する放射線
写真フィルムと増感紙（増感スクリーン）とを組み合わ
せた、いわゆる放射線写真法が利用されている。上記従
来の放射線写真法にかわる方法の−っとして、たとえば
、米国特許第３．８５９．５２７号明細書および特開昭
５５−ｉ２１４５号公報等に記載されているような輝尽
性蛍光体を利用する放射線像変換方法が知られている。
この方法は、被写体を透過した放射線、あるいは被検体
から発せられた放射線を輝尽性蛍光体に吸収させ、その
のちにこの蛍光体を可視光線および赤外線などの電磁波
（励起光）で時系列的に励起することにより、蛍光体中
に蓄積されている放射線エネルギーを蛍光（１ｉ［ｌ！
尽発光）として放出させ、この蛍光を検出することから
なるものである。
から発せられた放射線を輝尽性蛍光体に吸収させ、その
のちにこの蛍光体を可視光線および赤外線などの電磁波
（励起光）で時系列的に励起することにより、蛍光体中
に蓄積されている放射線エネルギーを蛍光（１ｉ［ｌ！
尽発光）として放出させ、この蛍光を検出することから
なるものである。
これまでのところ、放射線像変換方法において放射線像
の検出は、輝尽性蛍光体が含有された放射線像変換パネ
ル（蓄積性蛍光体シート）を用いて、この放射線像変換
パネルに蓄積された放射線のエネルギー像を放射線像読
出（読取）装置によって光電的に読み出して行なうこと
が提案されている。
の検出は、輝尽性蛍光体が含有された放射線像変換パネ
ル（蓄積性蛍光体シート）を用いて、この放射線像変換
パネルに蓄積された放射線のエネルギー像を放射線像読
出（読取）装置によって光電的に読み出して行なうこと
が提案されている。
上記放射線像変換方法に用いられる放射線像変換パネル
は、基本構造として、支持体とその片面に設けられた蛍
光体層とからなるものである。なお、この蛍光体層の支
持体とは反対側の表面（支持体に面していない側の表面
）には一般に、透明−変質あるいは物理的な衝撃から保
護している。
は、基本構造として、支持体とその片面に設けられた蛍
光体層とからなるものである。なお、この蛍光体層の支
持体とは反対側の表面（支持体に面していない側の表面
）には一般に、透明−変質あるいは物理的な衝撃から保
護している。
また、放射線像読出装置においては、通常、特開昭５６
−１１３９５号公報などに開示されているように、光検
出器として光電子増倍管が用いられており、この光電子
増倍管の先端には、放射線像変換パネルの表面から放出
される蛍光を集光して光検出器に導くための導光性シー
トが設けられている。
−１１３９５号公報などに開示されているように、光検
出器として光電子増倍管が用いられており、この光電子
増倍管の先端には、放射線像変換パネルの表面から放出
される蛍光を集光して光検出器に導くための導光性シー
トが設けられている。
すなわち、被写体を透過した放射線、あるいは被検体か
ら発せられた放射線は放射線像変換パネルの蛍光体層に
吸収されて、パネル上には被写体あるいは被検体の放射
線像が放射線エネルギーの蓄積像として形成される。次
にこのパネルに形成された蓄積像は、放射線像読出装置
において、可視光線および赤外線などの電磁波（励起光
）で励起することにより、輝尽発光（蛍光）として放射
される。放射された蛍光は導光性シート内を導かれたの
ち、光電子増倍管により光電的に読取られて電気信号に
変換され、得られた電気信号から、被写体もしくは被検
体の放射線像を画像化することができる。
ら発せられた放射線は放射線像変換パネルの蛍光体層に
吸収されて、パネル上には被写体あるいは被検体の放射
線像が放射線エネルギーの蓄積像として形成される。次
にこのパネルに形成された蓄積像は、放射線像読出装置
において、可視光線および赤外線などの電磁波（励起光
）で励起することにより、輝尽発光（蛍光）として放射
される。放射された蛍光は導光性シート内を導かれたの
ち、光電子増倍管により光電的に読取られて電気信号に
変換され、得られた電気信号から、被写体もしくは被検
体の放射線像を画像化することができる。
上記放射線像変換方法によれば、従来の放射線写真法を
利用した場合に比較して、はるかに少ない被曝線量で情
報量の豊富な放射線画像を得ることができるとの利点が
ある。従って、この放射線像変換方法は、特に医療診断
を目的とするＸ線撮影などの直接医療用放射線撮影にお
いて利用価値が非常に高いものである。
利用した場合に比較して、はるかに少ない被曝線量で情
報量の豊富な放射線画像を得ることができるとの利点が
ある。従って、この放射線像変換方法は、特に医療診断
を目的とするＸ線撮影などの直接医療用放射線撮影にお
いて利用価値が非常に高いものである。
しなしながら、上記放射線像変換パネルの読出しは１、
従来はレーザー光などのビーム径の小さな光をパネルに
時系列的に照射して、すなわちレーザー光で走査（主走
査あるいは副走査）して、この時パネルから放出される
蛍光を光電子増倍管などの光検出器を用いて検出し、電
気信号に変換することにより行なわれており、この読出
し操作には無視できな−い時間（数十秒）を要している
。
従来はレーザー光などのビーム径の小さな光をパネルに
時系列的に照射して、すなわちレーザー光で走査（主走
査あるいは副走査）して、この時パネルから放出される
蛍光を光電子増倍管などの光検出器を用いて検出し、電
気信号に変換することにより行なわれており、この読出
し操作には無視できな−い時間（数十秒）を要している
。
また、放射線像変換パネルの読出しにおいては、励起光
の照射された放射線像変換パネルの各蛍光体粒子群から
時系列的に放出される蛍光を検出するために、通常、励
起光の照射下でパネルの移送が行なわれている（副走査
あるいは主走査）。
の照射された放射線像変換パネルの各蛍光体粒子群から
時系列的に放出される蛍光を検出するために、通常、励
起光の照射下でパネルの移送が行なわれている（副走査
あるいは主走査）。
従って、放射線像変換パネルに蓄積されている放射線像
の検出（読出し）操作が煩雑なものとなっている。
の検出（読出し）操作が煩雑なものとなっている。
さらに、放射線像変換パネルから放出される蛍光を効率
よく検出するために光電子増倍管と組合わせて導光性シ
ートなどを用いた場合には、読出装置は複雑なものとな
り、操作上の問題が生じやすい。
よく検出するために光電子増倍管と組合わせて導光性シ
ートなどを用いた場合には、読出装置は複雑なものとな
り、操作上の問題が生じやすい。
従って、本発明は、輝尽性蛍光体を利用する放射線像変
換方法における上記のような問題点の解決された、ある
い欠点の低減した放射線像検出方法を提供することをそ
の主な目的とするものである。
換方法における上記のような問題点の解決された、ある
い欠点の低減した放射線像検出方法を提供することをそ
の主な目的とするものである。
上記の目的は、被写体を透過した、あるいは被検体から
発せられた放射線を、輝尽性蛍光体を含有してなる蛍光
体層を有する放射線像変換パネルに吸収させ、次いで該
パネルと、多数の感光素子が規則的に二次元的に配列さ
れてなる光検出器とを重ね合わせたのち、該パネルに電
磁波を照射して、該パネルに蓄積されている放射線エネ
ルギーを輝尽光として放出させ、この輝尽光を該光検出
器により光電的に読み取ることからなる本発明の放射線
像検出方法により達成することができる。
発せられた放射線を、輝尽性蛍光体を含有してなる蛍光
体層を有する放射線像変換パネルに吸収させ、次いで該
パネルと、多数の感光素子が規則的に二次元的に配列さ
れてなる光検出器とを重ね合わせたのち、該パネルに電
磁波を照射して、該パネルに蓄積されている放射線エネ
ルギーを輝尽光として放出させ、この輝尽光を該光検出
器により光電的に読み取ることからなる本発明の放射線
像検出方法により達成することができる。
すなわち、本発明者の検討によれば、被写体を透過した
、あるいは被検体から発せられたＸ線などの放射線を放
射線像変換パネルの輝尽性蛍光体に吸収させたのち、こ
の放射線像変換パネルを多数の感光素子からなる光検出
器に重ね合わせ、次いでパネルに輝尽性蛍光体の励起波
長領域の光を照射することにより、該パネルから発せら
れる蛍光（ｉｌ１４１尽発光）を該感光素子で受光して
電気信号に変換することができ、被写体もしくは被検体
の放射線像に関する画像情報を直接に電気信号として得
ることができることが判明した。
、あるいは被検体から発せられたＸ線などの放射線を放
射線像変換パネルの輝尽性蛍光体に吸収させたのち、こ
の放射線像変換パネルを多数の感光素子からなる光検出
器に重ね合わせ、次いでパネルに輝尽性蛍光体の励起波
長領域の光を照射することにより、該パネルから発せら
れる蛍光（ｉｌ１４１尽発光）を該感光素子で受光して
電気信号に変換することができ、被写体もしくは被検体
の放射線像に関する画像情報を直接に電気信号として得
ることができることが判明した。
従って、本発明の放射線像検出方法によれば、これまで
に提案されている放射線像の読出し方法と比較して、光
検出器として感光素子が用いられるために、放射線画像
情報は励起光の照射下において多数の感光素子の各画素
当たりの電気信号として得ることができ、放射線像の検
出時間を大幅に短縮することができるものである。
に提案されている放射線像の読出し方法と比較して、光
検出器として感光素子が用いられるために、放射線画像
情報は励起光の照射下において多数の感光素子の各画素
当たりの電気信号として得ることができ、放射線像の検
出時間を大幅に短縮することができるものである。
また、光検出器を、多数の感光素子から構成して放射線
像変換パネルと同等の大きさを有するようにし、読み出
しにおいてはこの光検出器と放射線像変換パネルとを密
着するように重ね合わせて操作することにより、励起光
の照射下でパネル表面から放出される蛍光はこのパネル
に隣接する多数の感光素子の各画素において検出される
ため、従来の放射線像変換パネルの読出し操作における
ようなパネルの移送を行なう必要がなく、放射線像の検
出操作が簡略化されるものである。
像変換パネルと同等の大きさを有するようにし、読み出
しにおいてはこの光検出器と放射線像変換パネルとを密
着するように重ね合わせて操作することにより、励起光
の照射下でパネル表面から放出される蛍光はこのパネル
に隣接する多数の感光素子の各画素において検出される
ため、従来の放射線像変換パネルの読出し操作における
ようなパネルの移送を行なう必要がなく、放射線像の検
出操作が簡略化されるものである。
さらに、従来のようにパネル表面から放出される蛍光を
集光するための導光性シート等を設置する必要がないた
め、読出装置を小型化することが可能であり、前記のよ
うな放射線像変換パネルの読出し操作において、パネル
あるいは検出器の機械的搬送などにより生じている画質
への悪影響等の問題を解消することができる。
集光するための導光性シート等を設置する必要がないた
め、読出装置を小型化することが可能であり、前記のよ
うな放射線像変換パネルの読出し操作において、パネル
あるいは検出器の機械的搬送などにより生じている画質
への悪影響等の問題を解消することができる。
このことはまた、被写体を透過したもしくは被検体から
発せられた放射線の強度が弱い場合にも、その放射線像
を高感度で検出することができることを意味し、たとえ
ば、オートラジオグラフィーなどの測・定にも有効に利
用することが可能である。
発せられた放射線の強度が弱い場合にも、その放射線像
を高感度で検出することができることを意味し、たとえ
ば、オートラジオグラフィーなどの測・定にも有効に利
用することが可能である。
以下に本発明の詳細な説明する。
本発明に用いられる光検出器は、多数の感光素子が水平
方向に規則的に二次元的に配列されて平面を形成してい
るものである。光検出器に用いられる感光素子は、たと
えば、蛍光体層から放射される蛍光を受光するための受
光部と、受光部で光電変換されて得られる電荷を電気信
号として時系列的に出力させるための転送部とからなり
、感光素子としてはアモルファス半導体などを用いた公
知の固体撮像素子を利用することができる。
方向に規則的に二次元的に配列されて平面を形成してい
るものである。光検出器に用いられる感光素子は、たと
えば、蛍光体層から放射される蛍光を受光するための受
光部と、受光部で光電変換されて得られる電荷を電気信
号として時系列的に出力させるための転送部とからなり
、感光素子としてはアモルファス半導体などを用いた公
知の固体撮像素子を利用することができる。
そのような固体撮像素子の例としては、ＭＯＳ（Ｍｅｔ
ａｌ ０ｘｉｄｅ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｅｒ ）
、 ＣＣＤ （Ｃｈａｔｇｅｄ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅ
ｖｉｃｅ） 、 Ｂ Ｂ Ｄ （Ｂｕｃｋｅｔ Ｂｒｉ
ｇａｄｅＤｅｖｉｃｅ ） 、 ＣＩ Ｄ （Ｃｈａｒ
ｇｅ ｌ５ｏｌａｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などのセンサ
が挙げられる。これらのうちで特に好ましいものはＭＯ
Ｓである。また、この固体撮像素子に使用される光導電
材料としては、アモル７７スシリコンＣａ−３ｉ）、Ｚ
ｎＯ，ＣｄＳなどが挙げられる。
ａｌ ０ｘｉｄｅ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｅｒ ）
、 ＣＣＤ （Ｃｈａｔｇｅｄ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅ
ｖｉｃｅ） 、 Ｂ Ｂ Ｄ （Ｂｕｃｋｅｔ Ｂｒｉ
ｇａｄｅＤｅｖｉｃｅ ） 、 ＣＩ Ｄ （Ｃｈａｒ
ｇｅ ｌ５ｏｌａｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）などのセンサ
が挙げられる。これらのうちで特に好ましいものはＭＯ
Ｓである。また、この固体撮像素子に使用される光導電
材料としては、アモル７７スシリコンＣａ−３ｉ）、Ｚ
ｎＯ，ＣｄＳなどが挙げられる。
この光検出器の放射線像変換パネルと接する側には絶縁
層が設けられる。絶縁層の材料としては、たとえばガラ
ス、透明高分子物質などの光透過性であってかつ絶縁性
物質が挙げられる。この絶縁層は、放射線像変換パネル
に含まれる輝尽性蛍光体の輝尽売先の波長領域の光のみ
を透過し、励起光の波長領域の光をカットするようなフ
ィルターとしての機能を有することが望ましい。このよ
うな絶縁層の光フィルターとしての機能は、たとえば、
絶縁層を上記のような光選択的透過性を有する着色剤に
よって着色することにより、付与することができる。
層が設けられる。絶縁層の材料としては、たとえばガラ
ス、透明高分子物質などの光透過性であってかつ絶縁性
物質が挙げられる。この絶縁層は、放射線像変換パネル
に含まれる輝尽性蛍光体の輝尽売先の波長領域の光のみ
を透過し、励起光の波長領域の光をカットするようなフ
ィルターとしての機能を有することが望ましい。このよ
うな絶縁層の光フィルターとしての機能は、たとえば、
絶縁層を上記のような光選択的透過性を有する着色剤に
よって着色することにより、付与することができる。
あるいは、絶縁層の上に上記のような光透過性を有する
フィルタ一層が設けられていてもよい。
フィルタ一層が設けられていてもよい。
また、本発明に用いられる放射線像変換パネルは、基本
的には支持体と蛍光体層とからなるものであるが、蛍光
体層が自己支持性である場合には蛍光体層のみから構成
されていてもよい。
的には支持体と蛍光体層とからなるものであるが、蛍光
体層が自己支持性である場合には蛍光体層のみから構成
されていてもよい。
支持体としては、少なくとも励起光を透過するものが用
いられ、従来の放射線写真法における増感紙の支持体と
して用いられている各種の材料から好適に選ぶことがで
きる。そのような材料の例としては、セルロースアセテ
ート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレートなど
のプラスチック物質のフィルムなどを挙げることができ
る。
いられ、従来の放射線写真法における増感紙の支持体と
して用いられている各種の材料から好適に選ぶことがで
きる。そのような材料の例としては、セルロースアセテ
ート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレートなど
のプラスチック物質のフィルムなどを挙げることができ
る。
蛍光体層は、基本的に輝尽性蛍光体の粒子を分散状態で
含有支持する結合剤からなる層である。
含有支持する結合剤からなる層である。
本発明において使用する輝尽性蛍光体は、先に述べたよ
うに放射線を照射したのち、励起光を照射すると輝尽発
光を示す蛍光体であるが、実用的な面からは波長が４０
０〜８００ｎｍの範囲にある励起光によって３００〜５
００ｎｍの波長範囲の輝尽発光を示す蛍光体であること
が望ましい。
うに放射線を照射したのち、励起光を照射すると輝尽発
光を示す蛍光体であるが、実用的な面からは波長が４０
０〜８００ｎｍの範囲にある励起光によって３００〜５
００ｎｍの波長範囲の輝尽発光を示す蛍光体であること
が望ましい。
そのような輝尽性蛍光体の例としては、米国特許第３，
８５９，５２７号明細書に記載Ｓｍ、Ｔｈ０２ ： Ｅ
ｒ、およびＬａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｓｍなどの組成式で
表わされる蛍光体、特開昭５５−１２１４２号公報に記
載されているＺ ｎ Ｓ ： Ｃｕ 、 Ｐ ｂ 、
Ｂ ８ＬＯ１１ｘ Ａ ｌ ２０３ ：Ｅｕ［ただし、
０．８≦Ｘ≦１０］、および、Ｍ”０Ｌ１ｘＳ ｉ０２
： Ａ ［ただし、ＭかはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、
Ｃｄ、またはＢａであり、ＡはＣｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ
、Ｐｂ、Ｔｎ、Ｂｉ、またはＭｎであり、Ｘは、０．５
≦Ｘ≦２．５である］などの組成式で表わされる蛍光体
、特開昭５５−１２１４３号公報に記載されている
（Ｂ ａ Ｈ−）ｃ −ｙ 、 Ｍ ｇ
Ｘ 、 Ｃａ ｙ ） Ｆ Ｘ ：
ａＥｕ２＋［ただし、ＸはＣＫＬおよびＢｒｃｙ）うち
の少なくとも一つであり、Ｘおよびｙは、Ｏ＜ Ｘ ＋
ｙ≦０．６、かつｘｙｓＯであり、ａは、１０−８≦ａ
≦５×ｌＯ″４である］の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭５５−１２１４４号公報に記載されているＬｎＯ
Ｘ：ｘＡ［ただし、ＬｎはＬａ、Ｙ、Ｇｄ、およびＬｕ
のうちの少なくとも一つ、ＸはＣすおよびＢｒのうちの
少なくとも一つ、ＡはＣｅおよびＴｂのうちの少なくと
も一つ、そして、Ｘは、Ｏ＜ｘ＜０．１である〕の組成
式で表わされる蛍光体、 特開昭５５−１２１４５号公報に記載されている（Ｂａ
ｌ−ｚ、Ｍ”ｘ）ＦＸ： ｙＡ ［ただし、ＭＩＥはＭ
ｇ、Ｃａ、Ｓ ｒ、Ｚｎ、およびＣｄのうちの少なくと
も一つ、Ｘは０文、Ｂｒ、およびＩのうちの少なくとも
一つ、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、”ｊｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈ
ｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、お−よびＥｒのうちの少なくとも一つ
、そしてＸは、０≦Ｘ≦０．６、ｙは、０≦ｙ≦０．２
である］の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭５５−１６００７８号公報に記載されているＭ”
ＦＸ＊ ｘＡ ： ｙＬｎ ［ただし、ＭｌｆはＢａ、
Ｃａ、Ｓ ｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、およびＣｄのうちの少なく
とも一種、ＡはＢｅｄ、ＭｇＯ，ＣａＯ，Ｓ ｒＯ，Ｂ
ａｄ、ＺｎＯｌＡＭ、０３、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｉ
ｎ２０３、Ｓ ｉｏ２、ＴｌＯ２、Ｚ ｒ０２ 、
ＧｅＯ２、Ｓ ｎＯｚ 、 Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２０
５、およびＴｈｅ２のうちの少なくとも一種、ＬｎはＥ
ｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、 Ｐｒ、 Ｈｏ、 Ｎｄ
、 Ｙｂ、 Ｅｒ、 Ｓｍ、およびＧｄのうちの少なく
とも一種、ＸはｃｆＬ、Ｂｒ、およびＩのうちの少なく
とも一種であり、Ｘおよびｙはそれぞれ５×ｌＯ→≦Ｘ
≦０．５、およびＯくｙ≦０．２である１の組成式で表
わされる蛍光体、 特開昭５６−１１６７７７号公報に記載されている（Ｂ
ｅ、ｓ−ｘ ＋ ＭＭｘ） Ｆ ２ 争ａＢ ａＸ２
：ｙＥｕ、ｚＡ［ただし、ＭＭはベリリウム、マグネ
シウム、カルシウム、ストロンチウム、亜鉛、およびカ
ドミウムのうちの少なくとも一種、Ｘは塩素、臭素、お
よび沃素のうちの少なくとも一種、Ａはジルコニウムお
よびスカンジウムのうちの少なくとも一種であり、ａ、
Ｘ、ｙ、および２はそれぞれ０．５≦ａ≦１．２５．０
≦Ｘ≦１．１０−ｓ≦ｙ≦２ Ｘ １０−’、オヨびＯ
＜ｚ≦１０−である］の組成式で表わされる蛍光体、特
開昭５７−２３６７３号公報に記載されている （Ｂ
ａｓ−ｘ ＋ Ｍ” ｘ） Ｆ
２ ＠ ａＢ ａＸ ２ ：ｙＥｕ
、ｚＢ［ただし、ＭＩ［はベリリウム、マグネシウム、
カルシウム、ストロンチウム、亜鉛、およびカドミウム
のうちの一少なくとも一種、Ｘは塩素、臭素、および沃
素のうちの少なくとも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、および
２はそれぞれ０．５≦ａ≦１．２５、Ｏ≦Ｘ≦１．１０
−６≦ｙ≦２×１０−１、およびＯ＜ｚ≦２Ｘ１０−’
である］の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭５７−２３６７５号公報に記載されている （
Ｂａｌ−Ｘ 、Ｍ”Ｘ） Ｆ２ ＊ ａＢａＸ
２ ：ｙＥｕ 、ｚＡ ［ただし、ＭＭはベリリウム
、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、亜鉛、
およびカドミウムのうちの少なくとも一種、Ｘは塩素、
臭素、および沃素のうちの少なくとも一種、Ａは砒素お
よび硅素のうちの少なくとも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、
および２はそれぞれ０．５≦ａ≦１．２５．０≦Ｘ≦１
．１０−”≦ｙ≦２×ｉｏ−’、および０＜ｚ≦５Ｘ１
０−’である］の組成式で表わされる蛍光体、 本出願人による特願昭５６−１６７４９８号明細書に記
載されているＭ”ＯＸ ： ｘＣｅ ［ただしＭＩＩ［
はＰ ｒ、 Ｎｄ、 Ｐｍ、 Ｓｍ、 Ｅｕ、 Ｔｂ、
Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、およびＢｉからなる群
より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、ＸはＣ
１およびＢｒのうちのいずれか一方あるいはその両方で
あり、ＸはＯ＜ｘ＜Ｏ、ｌである］の組成式で表わされ
る蛍光体、 本出願人による特願昭５７−８９８７５号明細書に記載
されているＢ ＥＬ ｌ−ｘ Ｍ ｘ ｙｘ Ｌ ｘ
／２ Ｆ Ｘ ：ｙＥｕ＆［ただし、Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ
、に、Ｒｂ、およびＣｓからなる群より選ばれる少なく
とも一種のアルカリ金属を表わし；Ｌは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ
、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａ文、Ｇａ、Ｉｎ、
およびＴＵからなる群より選ばれる少なくとも一種の三
価金属を表わし；Ｘは、ＣＩ、Ｂｒ、および■からなる
群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表わし；そ
して、Ｘは１０−２≦Ｘ≦０．５、ｙはｏ＜ｙ≦ｏ、ｉ
である］の組成式で表わされる蛍光体、 本出願人による特願昭５７−１３７３７４号明細書に記
載されているＢａＦＸ・）ｃＡ：ｙＥｕ”［ただし、又
は、ＣＩ、Ｂｒ、およびＩからなる群より選ばれる少な
くとも一種の／＼ロゲンであり；Ａは、テトラフルオロ
ホウ酸化合物の焼成物であり；ソシテ、Ｘは１０−ｓ≦
ｘ＜Ｏ、ｊ、 １！はＯくｙ≦０．１である］の組成式
で表わされる蛍光体、 本出願人による特願昭５７−１５８０４８号明細書に記
載されているＢａＦＸ＊ｘＡ： ｙＥｕ”しただし、Ｘ
は、Ｃ９，、Ｂｒ、および■からなる群より選ばれる少
なくとも一種のハロゲンであり；Ａは、ヘキサフルオロ
ケイ酸、ヘキサフルオロチタン酸およびヘキサフルオロ
ジルコニウム酸の一価もしくは二価金属の塩からなるヘ
キサフルオロ化合物群より選ばれる少なくとも一種の化
合物の焼成物であり；そして、Ｘは１０４≦Ｘ≦Ｏ０ｔ
、ｙはｏ＜ｙ≦０．１である］の組成式で表わされる蛍
光体、 本出願人による特願昭５７−１６６３２０号明細書に記
載されているＢａＦＸ＠ｘＮａＸ’：ａＥｕ２′）［た
だし、ＸおよびＸ“は、それぞれＣｆＬ、Ｂｒ、および
Ｉのうちの少なくとも一種であり、Ｘおよびａはそれぞ
れＯ＜ｘ≦２、および０＜ａ≦０．２である］の組成式
で表わされる蛍光体、 本出願人による特願昭５７−１６６６９６号明細書に記
載サレテイ６ Ｍ ” Ｆ Ｘ ｍ ｘ Ｎ ａ Ｘ
’ ：ｙＥｕ２＋：ｚＡ［ただし、ｙｌｌｌは、Ｂａ、
Ｓｒ、およびＣａからなる群より選ばれる少なくとも一
種のアルカリ土類金属であり；ＸおよびＸ′は、それぞ
れＣｌ、Ｂｒ、および■からなる群より選ばれる少なく
とも一種のハロゲンであり；Ａは、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、およびＮｉより選ばれる少なくとも一種の遷
移金属であり；そして、Ｘは０＜ｘ≦２、ｙはｏ＜ｙ≦
０．２、およびＺは０＜ｚ≦１０−である］の組成式で
表わされる蛍光体、 本出願人による特願昭５７−１８４４５５号明細書に記
載されているＭ”ＦＸ・ａＭ”Ｘ’ｅｂＭ’ ”Ｘ”
２６０Ｍ”Ｘ″’ ３＋＋ ｘ Ａ： ｙ Ｅ ｕ’
２＋［ただし、ＭＩ［はＢａ、Ｓｒ、およびＣａからな
る群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属で
あり；ＭｌはＬｉ、Ｎａ、に、Ｒｂ、およびＣ８からな
る群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり
；Ｍｌ１はＢｅおよびＭｇからなる群より選ばれる少な
くとも一種の二価金属であり；Ｍ■はＡＭ、Ｇａ、Ｉｎ
、およびＴｌからな５る群より選ばれる少なくとも一種
の三価金属であり；Ａは金属酸化物であり；ＸはＣＩ、
Ｂｒ、および■かもなる群より選ばれる少なくとも一種
のハロゲンであり；ｘｏ、Ｘパ、およびＸ″°は、Ｆ、
Ｃ１、Ｂｒ、および■からなる群より選ばれる少なくと
も一種のハロゲンであり；そして、ａはＯ≦ａ≦２、ｂ
はＯ≦ｂ≦１Ｏ−２、Ｃは０≦Ｃ≦１Ｏ−２、かつａ＋
ｂ＋ｃ≧ｉｏ−”であり；Ｘは０＜ｘ≦０．５、ｙはｏ
＜ｙ≦０．２である］の組成式で表わされる蛍光体、 などを挙げることができる。
８５９，５２７号明細書に記載Ｓｍ、Ｔｈ０２ ： Ｅ
ｒ、およびＬａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｓｍなどの組成式で
表わされる蛍光体、特開昭５５−１２１４２号公報に記
載されているＺ ｎ Ｓ ： Ｃｕ 、 Ｐ ｂ 、
Ｂ ８ＬＯ１１ｘ Ａ ｌ ２０３ ：Ｅｕ［ただし、
０．８≦Ｘ≦１０］、および、Ｍ”０Ｌ１ｘＳ ｉ０２
： Ａ ［ただし、ＭかはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ、
Ｃｄ、またはＢａであり、ＡはＣｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ
、Ｐｂ、Ｔｎ、Ｂｉ、またはＭｎであり、Ｘは、０．５
≦Ｘ≦２．５である］などの組成式で表わされる蛍光体
、特開昭５５−１２１４３号公報に記載されている
（Ｂ ａ Ｈ−）ｃ −ｙ 、 Ｍ ｇ
Ｘ 、 Ｃａ ｙ ） Ｆ Ｘ ：
ａＥｕ２＋［ただし、ＸはＣＫＬおよびＢｒｃｙ）うち
の少なくとも一つであり、Ｘおよびｙは、Ｏ＜ Ｘ ＋
ｙ≦０．６、かつｘｙｓＯであり、ａは、１０−８≦ａ
≦５×ｌＯ″４である］の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭５５−１２１４４号公報に記載されているＬｎＯ
Ｘ：ｘＡ［ただし、ＬｎはＬａ、Ｙ、Ｇｄ、およびＬｕ
のうちの少なくとも一つ、ＸはＣすおよびＢｒのうちの
少なくとも一つ、ＡはＣｅおよびＴｂのうちの少なくと
も一つ、そして、Ｘは、Ｏ＜ｘ＜０．１である〕の組成
式で表わされる蛍光体、 特開昭５５−１２１４５号公報に記載されている（Ｂａ
ｌ−ｚ、Ｍ”ｘ）ＦＸ： ｙＡ ［ただし、ＭＩＥはＭ
ｇ、Ｃａ、Ｓ ｒ、Ｚｎ、およびＣｄのうちの少なくと
も一つ、Ｘは０文、Ｂｒ、およびＩのうちの少なくとも
一つ、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、”ｊｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈ
ｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、お−よびＥｒのうちの少なくとも一つ
、そしてＸは、０≦Ｘ≦０．６、ｙは、０≦ｙ≦０．２
である］の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭５５−１６００７８号公報に記載されているＭ”
ＦＸ＊ ｘＡ ： ｙＬｎ ［ただし、ＭｌｆはＢａ、
Ｃａ、Ｓ ｒ、Ｍｇ、Ｚｎ、およびＣｄのうちの少なく
とも一種、ＡはＢｅｄ、ＭｇＯ，ＣａＯ，Ｓ ｒＯ，Ｂ
ａｄ、ＺｎＯｌＡＭ、０３、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｉ
ｎ２０３、Ｓ ｉｏ２、ＴｌＯ２、Ｚ ｒ０２ 、
ＧｅＯ２、Ｓ ｎＯｚ 、 Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２０
５、およびＴｈｅ２のうちの少なくとも一種、ＬｎはＥ
ｕ、Ｔｂ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、 Ｐｒ、 Ｈｏ、 Ｎｄ
、 Ｙｂ、 Ｅｒ、 Ｓｍ、およびＧｄのうちの少なく
とも一種、ＸはｃｆＬ、Ｂｒ、およびＩのうちの少なく
とも一種であり、Ｘおよびｙはそれぞれ５×ｌＯ→≦Ｘ
≦０．５、およびＯくｙ≦０．２である１の組成式で表
わされる蛍光体、 特開昭５６−１１６７７７号公報に記載されている（Ｂ
ｅ、ｓ−ｘ ＋ ＭＭｘ） Ｆ ２ 争ａＢ ａＸ２
：ｙＥｕ、ｚＡ［ただし、ＭＭはベリリウム、マグネ
シウム、カルシウム、ストロンチウム、亜鉛、およびカ
ドミウムのうちの少なくとも一種、Ｘは塩素、臭素、お
よび沃素のうちの少なくとも一種、Ａはジルコニウムお
よびスカンジウムのうちの少なくとも一種であり、ａ、
Ｘ、ｙ、および２はそれぞれ０．５≦ａ≦１．２５．０
≦Ｘ≦１．１０−ｓ≦ｙ≦２ Ｘ １０−’、オヨびＯ
＜ｚ≦１０−である］の組成式で表わされる蛍光体、特
開昭５７−２３６７３号公報に記載されている （Ｂ
ａｓ−ｘ ＋ Ｍ” ｘ） Ｆ
２ ＠ ａＢ ａＸ ２ ：ｙＥｕ
、ｚＢ［ただし、ＭＩ［はベリリウム、マグネシウム、
カルシウム、ストロンチウム、亜鉛、およびカドミウム
のうちの一少なくとも一種、Ｘは塩素、臭素、および沃
素のうちの少なくとも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、および
２はそれぞれ０．５≦ａ≦１．２５、Ｏ≦Ｘ≦１．１０
−６≦ｙ≦２×１０−１、およびＯ＜ｚ≦２Ｘ１０−’
である］の組成式で表わされる蛍光体、 特開昭５７−２３６７５号公報に記載されている （
Ｂａｌ−Ｘ 、Ｍ”Ｘ） Ｆ２ ＊ ａＢａＸ
２ ：ｙＥｕ 、ｚＡ ［ただし、ＭＭはベリリウム
、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、亜鉛、
およびカドミウムのうちの少なくとも一種、Ｘは塩素、
臭素、および沃素のうちの少なくとも一種、Ａは砒素お
よび硅素のうちの少なくとも一種であり、ａ、ｘ、ｙ、
および２はそれぞれ０．５≦ａ≦１．２５．０≦Ｘ≦１
．１０−”≦ｙ≦２×ｉｏ−’、および０＜ｚ≦５Ｘ１
０−’である］の組成式で表わされる蛍光体、 本出願人による特願昭５６−１６７４９８号明細書に記
載されているＭ”ＯＸ ： ｘＣｅ ［ただしＭＩＩ［
はＰ ｒ、 Ｎｄ、 Ｐｍ、 Ｓｍ、 Ｅｕ、 Ｔｂ、
Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、およびＢｉからなる群
より選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、ＸはＣ
１およびＢｒのうちのいずれか一方あるいはその両方で
あり、ＸはＯ＜ｘ＜Ｏ、ｌである］の組成式で表わされ
る蛍光体、 本出願人による特願昭５７−８９８７５号明細書に記載
されているＢ ＥＬ ｌ−ｘ Ｍ ｘ ｙｘ Ｌ ｘ
／２ Ｆ Ｘ ：ｙＥｕ＆［ただし、Ｍは、Ｌｉ、Ｎａ
、に、Ｒｂ、およびＣｓからなる群より選ばれる少なく
とも一種のアルカリ金属を表わし；Ｌは、Ｓｃ、Ｙ、Ｌ
ａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ
、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａ文、Ｇａ、Ｉｎ、
およびＴＵからなる群より選ばれる少なくとも一種の三
価金属を表わし；Ｘは、ＣＩ、Ｂｒ、および■からなる
群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表わし；そ
して、Ｘは１０−２≦Ｘ≦０．５、ｙはｏ＜ｙ≦ｏ、ｉ
である］の組成式で表わされる蛍光体、 本出願人による特願昭５７−１３７３７４号明細書に記
載されているＢａＦＸ・）ｃＡ：ｙＥｕ”［ただし、又
は、ＣＩ、Ｂｒ、およびＩからなる群より選ばれる少な
くとも一種の／＼ロゲンであり；Ａは、テトラフルオロ
ホウ酸化合物の焼成物であり；ソシテ、Ｘは１０−ｓ≦
ｘ＜Ｏ、ｊ、 １！はＯくｙ≦０．１である］の組成式
で表わされる蛍光体、 本出願人による特願昭５７−１５８０４８号明細書に記
載されているＢａＦＸ＊ｘＡ： ｙＥｕ”しただし、Ｘ
は、Ｃ９，、Ｂｒ、および■からなる群より選ばれる少
なくとも一種のハロゲンであり；Ａは、ヘキサフルオロ
ケイ酸、ヘキサフルオロチタン酸およびヘキサフルオロ
ジルコニウム酸の一価もしくは二価金属の塩からなるヘ
キサフルオロ化合物群より選ばれる少なくとも一種の化
合物の焼成物であり；そして、Ｘは１０４≦Ｘ≦Ｏ０ｔ
、ｙはｏ＜ｙ≦０．１である］の組成式で表わされる蛍
光体、 本出願人による特願昭５７−１６６３２０号明細書に記
載されているＢａＦＸ＠ｘＮａＸ’：ａＥｕ２′）［た
だし、ＸおよびＸ“は、それぞれＣｆＬ、Ｂｒ、および
Ｉのうちの少なくとも一種であり、Ｘおよびａはそれぞ
れＯ＜ｘ≦２、および０＜ａ≦０．２である］の組成式
で表わされる蛍光体、 本出願人による特願昭５７−１６６６９６号明細書に記
載サレテイ６ Ｍ ” Ｆ Ｘ ｍ ｘ Ｎ ａ Ｘ
’ ：ｙＥｕ２＋：ｚＡ［ただし、ｙｌｌｌは、Ｂａ、
Ｓｒ、およびＣａからなる群より選ばれる少なくとも一
種のアルカリ土類金属であり；ＸおよびＸ′は、それぞ
れＣｌ、Ｂｒ、および■からなる群より選ばれる少なく
とも一種のハロゲンであり；Ａは、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、およびＮｉより選ばれる少なくとも一種の遷
移金属であり；そして、Ｘは０＜ｘ≦２、ｙはｏ＜ｙ≦
０．２、およびＺは０＜ｚ≦１０−である］の組成式で
表わされる蛍光体、 本出願人による特願昭５７−１８４４５５号明細書に記
載されているＭ”ＦＸ・ａＭ”Ｘ’ｅｂＭ’ ”Ｘ”
２６０Ｍ”Ｘ″’ ３＋＋ ｘ Ａ： ｙ Ｅ ｕ’
２＋［ただし、ＭＩ［はＢａ、Ｓｒ、およびＣａからな
る群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ土類金属で
あり；ＭｌはＬｉ、Ｎａ、に、Ｒｂ、およびＣ８からな
る群より選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり
；Ｍｌ１はＢｅおよびＭｇからなる群より選ばれる少な
くとも一種の二価金属であり；Ｍ■はＡＭ、Ｇａ、Ｉｎ
、およびＴｌからな５る群より選ばれる少なくとも一種
の三価金属であり；Ａは金属酸化物であり；ＸはＣＩ、
Ｂｒ、および■かもなる群より選ばれる少なくとも一種
のハロゲンであり；ｘｏ、Ｘパ、およびＸ″°は、Ｆ、
Ｃ１、Ｂｒ、および■からなる群より選ばれる少なくと
も一種のハロゲンであり；そして、ａはＯ≦ａ≦２、ｂ
はＯ≦ｂ≦１Ｏ−２、Ｃは０≦Ｃ≦１Ｏ−２、かつａ＋
ｂ＋ｃ≧ｉｏ−”であり；Ｘは０＜ｘ≦０．５、ｙはｏ
＜ｙ≦０．２である］の組成式で表わされる蛍光体、 などを挙げることができる。
なお、本発明に用いられる輝尽性蛍光体は上述の蛍光体
に限られるものではなく、放射線を照射したのちに励起
光を照射した場合に輝尽発光を示す蛍光体であればいか
なるものであってもよい。
に限られるものではなく、放射線を照射したのちに励起
光を照射した場合に輝尽発光を示す蛍光体であればいか
なるものであってもよい。
蛍光体層の結合剤の例としてはゼラチン等の蛋白質、デ
キストラン等のポリサッカライド、またはアラビアゴム
のような天然高分子物質；および、ポリビニルブチラー
ル、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロ
ース、塩化ビニリデン・塩化ビニルコポリマー、ポリメ
チルメタクリレート、塩化ビニル・酢酸ビニルコポリマ
ー、ポリウレタン、セルロースアセテートブチレート、
ポリビニルアルコール、線状ポリエステルなどような合
成高分子物質などにより代表される結合剤を挙げること
ができる。
キストラン等のポリサッカライド、またはアラビアゴム
のような天然高分子物質；および、ポリビニルブチラー
ル、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロース、エチルセルロ
ース、塩化ビニリデン・塩化ビニルコポリマー、ポリメ
チルメタクリレート、塩化ビニル・酢酸ビニルコポリマ
ー、ポリウレタン、セルロースアセテートブチレート、
ポリビニルアルコール、線状ポリエステルなどような合
成高分子物質などにより代表される結合剤を挙げること
ができる。
蛍τ′体層は、たとえば、次のような方法により支持体
上に形成することができる。
上に形成することができる。
まず、上記の輝尽性蛍光体粒子と結合剤とを適当な溶剤
（たとえば、低級アルコール、ケトン、エステル、エー
テル）に加え、これを充分に混合して、結合剤溶液中に
蛍光体粒子が均一に分散した塗布液を調製する。
（たとえば、低級アルコール、ケトン、エステル、エー
テル）に加え、これを充分に混合して、結合剤溶液中に
蛍光体粒子が均一に分散した塗布液を調製する。
塗布液における結合剤と輝尽性蛍光体粒子との混合比は
、目的とする放射線像変換パネルの特性、蛍光体粒子の
種類などによって異なるが、一般には結合剤と蛍光体粒
子との混合比は、ｌ：ｌ乃至１ ： １００ （重量比
）の範囲であり、そして特にｌ：８乃至１：４０（重量
比）の範囲であることが好ましい。
、目的とする放射線像変換パネルの特性、蛍光体粒子の
種類などによって異なるが、一般には結合剤と蛍光体粒
子との混合比は、ｌ：ｌ乃至１ ： １００ （重量比
）の範囲であり、そして特にｌ：８乃至１：４０（重量
比）の範囲であることが好ましい。
なお、塗布液には、該塗布液中における蛍光体粒子の分
散性を向上させるための分散剤、また、形成後の蛍光体
層中における結合剤と蛍光体粒子との間の結合力を向上
させるための可塑剤などの種々の添加剤が混合されてい
てもよい。
散性を向上させるための分散剤、また、形成後の蛍光体
層中における結合剤と蛍光体粒子との間の結合力を向上
させるための可塑剤などの種々の添加剤が混合されてい
てもよい。
上記のようにして調製された輝尽性蛍光体粒子と結合剤
を含有する塗布液を、次に支持体の表面に均一に塗布す
ることにより塗布液の塗膜を形成する。この塗布操作は
、通常の塗布手段、たとえば、ドクターブレード、ロー
ルコータ−、ナイフコーターなどを用いることにより行
なうことができる。ついで、形成された塗膜を徐々に加
熱することにより乾燥する。
を含有する塗布液を、次に支持体の表面に均一に塗布す
ることにより塗布液の塗膜を形成する。この塗布操作は
、通常の塗布手段、たとえば、ドクターブレード、ロー
ルコータ−、ナイフコーターなどを用いることにより行
なうことができる。ついで、形成された塗膜を徐々に加
熱することにより乾燥する。
蛍光体層の層厚は、目的とする放射線像変換パネルの特
性、蛍光体粒子の種類、結合剤と蛍光体粒子との混合比
などによって異なるが、通常は２０７１ｍ乃至１ｍｍと
する。ただし、この層厚は５０乃至５００ＩＬｍとする
のが好ましい。
性、蛍光体粒子の種類、結合剤と蛍光体粒子との混合比
などによって異なるが、通常は２０７１ｍ乃至１ｍｍと
する。ただし、この層厚は５０乃至５００ＩＬｍとする
のが好ましい。
なお、蛍光体層は、必ずしも上記のように支持体上に塗
布液を直接塗布して形成する必要はなく、たとえば、別
に、ガラス板、金属板、プラスチックシートなどのシー
ト上に塗布液を塗布し乾燥することにより蛍光体層を形
成したのち、これを支持体上に押圧するか、あるいは接
着剤を用いるなどして支持体と蛍光体層とを接合しても
よい。
布液を直接塗布して形成する必要はなく、たとえば、別
に、ガラス板、金属板、プラスチックシートなどのシー
ト上に塗布液を塗布し乾燥することにより蛍光体層を形
成したのち、これを支持体上に押圧するか、あるいは接
着剤を用いるなどして支持体と蛍光体層とを接合しても
よい。
この蛍光体層の上には、蛍光体層を物理的な衝撃および
化学的な変質から保護するための透明な保護膜が設けら
れていることが好ましい。この保護膜は、たとえば、酢
酸セルロース、ニトロセルロースなどのセルロース誘導
体；あるいはポリメチルメタクリレート、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、
ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル会酢酸ビニルコポリマー、
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、塩化ビニ
リデン、ポリアミドなどの合成高分子物質から形成され
るものである。保護膜の膜厚は、約３乃至２０ｐｍとす
るのが望ましい。
化学的な変質から保護するための透明な保護膜が設けら
れていることが好ましい。この保護膜は、たとえば、酢
酸セルロース、ニトロセルロースなどのセルロース誘導
体；あるいはポリメチルメタクリレート、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、
ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル会酢酸ビニルコポリマー、
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、塩化ビニ
リデン、ポリアミドなどの合成高分子物質から形成され
るものである。保護膜の膜厚は、約３乃至２０ｐｍとす
るのが望ましい。
ただし、本発明に用いられる放射線像変換パネルと光検
出器とは、パネルに含まれる輝尽性蛍光体の輝尽発光の
波長領域が、光検出器である感光素子の受光部に使用さ
れる光導電材料の光吸収波長領域と重なるように、組合
わせて用いる必要がある。すなわち、本発明に用いる輝
尽性蛍光体および光導電材料は、輝尽光の発光波長領域
の少なくとも一部と光導電材料の光吸収波長領域の少な
くとも一部とが重なるように１選択しなければならない
。たとえば、光導電材料としてα−３ｔを使用する場合
には、輝尽性蛍光体としては６００ｎｍ付近に輝尽発光
波長を有する蛍光体が好ましい。また、輝尽性蛍光体と
して二価のユーロピウム賦活アルカリ土類金属弗化ハロ
ゲン化物系蛍光体（発光のピーク波長は約３９０ｎｍで
ある）のような近紫外乃至可視領域に輝尽発光波長を有
する蛍光体を使用する場合には、光導電材料としてはＺ
ｎＳおよびＣｄＳが好ましい。
出器とは、パネルに含まれる輝尽性蛍光体の輝尽発光の
波長領域が、光検出器である感光素子の受光部に使用さ
れる光導電材料の光吸収波長領域と重なるように、組合
わせて用いる必要がある。すなわち、本発明に用いる輝
尽性蛍光体および光導電材料は、輝尽光の発光波長領域
の少なくとも一部と光導電材料の光吸収波長領域の少な
くとも一部とが重なるように１選択しなければならない
。たとえば、光導電材料としてα−３ｔを使用する場合
には、輝尽性蛍光体としては６００ｎｍ付近に輝尽発光
波長を有する蛍光体が好ましい。また、輝尽性蛍光体と
して二価のユーロピウム賦活アルカリ土類金属弗化ハロ
ゲン化物系蛍光体（発光のピーク波長は約３９０ｎｍで
ある）のような近紫外乃至可視領域に輝尽発光波長を有
する蛍光体を使用する場合には、光導電材料としてはＺ
ｎＳおよびＣｄＳが好ましい。
次に、本発明の放射線像検出方法について、添付図面の
第１図に示した放射線像変換パネルの部分断面図、第２
図に示した光検出器の部分断面図および第３図に示した
光検出器の回路図の例を参照しながら具体的に説明する
。
第１図に示した放射線像変換パネルの部分断面図、第２
図に示した光検出器の部分断面図および第３図に示した
光検出器の回路図の例を参照しながら具体的に説明する
。
第１図は、順に保護膜１．ｔｓ尽性蛍光体を含有する蛍
光体層２および支持体３から構成された放射線像変換パ
ネルの部分断面図である。
光体層２および支持体３から構成された放射線像変換パ
ネルの部分断面図である。
まず、被写体を透過した放射線（あるいは、被写体自体
が放射線を発するもの、すなわち被検体である場合には
、被検体から発せられた放射線）を放射線像変換パネル
に入射させる。被写体の放射線透過像に相当して強弱を
有する放射線は蛍光体層２に吸収され、蛍光体層２上に
Ｉま、被写体の放射線像に相当する放射線エネルギーの
蓄積像（一種の潜像）が形成される。
が放射線を発するもの、すなわち被検体である場合には
、被検体から発せられた放射線）を放射線像変換パネル
に入射させる。被写体の放射線透過像に相当して強弱を
有する放射線は蛍光体層２に吸収され、蛍光体層２上に
Ｉま、被写体の放射線像に相当する放射線エネルギーの
蓄積像（一種の潜像）が形成される。
次にこの放射線像変換パネルと光検出器とを、第１図の
パネルの保護［１と第２図の光検出器の絶縁層４とを内
側にして、密着するように重ね合わせる。
パネルの保護［１と第２図の光検出器の絶縁層４とを内
側にして、密着するように重ね合わせる。
第２図は、光検出器の一画素についての縦断面図である
。感光素子は、絶縁層４の上に設けられた受光部である
フォトダイオード５と転送部であるＭ ＯＳ ： Ｆ
Ｅ Ｔ （Ｍｅｔａｌ ０ｘｉｄｅ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄ
ｕｃｔｅｒ： Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓ
ｉｓｔｏｒ ） ６とからなる。絶縁層４は、放射線像
変換パネルから放出される輝尽発光の波長領域の光のみ
を透過し、励起光の波長領域の光をカットするような光
透過性を備えている。フォトダイオード５は、順にアー
スであるアルミニウム等の金属層７、ｐ型α−３ｉ ：
Ｈ層８、ｉ型α−Ｓｉ ：Ｈ層９および二酸化スズ（
Ｓ ｎ Ｏ２）の透明電極層１０からなる。またＭＯＳ
： ＦＥＴ５は、両端に設けられたアルミニウム等の
金属層１１．１２と、これら金属層の内側に順に設けら
れたα−３ｉ：８層１３、シリコン（Ｓ１０□）の絶縁
体層１４およびアルミニウム等の転送電極１５とからな
る。この金属層１２はドレインであり、転送レジスタに
接続されている。
。感光素子は、絶縁層４の上に設けられた受光部である
フォトダイオード５と転送部であるＭ ＯＳ ： Ｆ
Ｅ Ｔ （Ｍｅｔａｌ ０ｘｉｄｅ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄ
ｕｃｔｅｒ： Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓ
ｉｓｔｏｒ ） ６とからなる。絶縁層４は、放射線像
変換パネルから放出される輝尽発光の波長領域の光のみ
を透過し、励起光の波長領域の光をカットするような光
透過性を備えている。フォトダイオード５は、順にアー
スであるアルミニウム等の金属層７、ｐ型α−３ｉ ：
Ｈ層８、ｉ型α−Ｓｉ ：Ｈ層９および二酸化スズ（
Ｓ ｎ Ｏ２）の透明電極層１０からなる。またＭＯＳ
： ＦＥＴ５は、両端に設けられたアルミニウム等の
金属層１１．１２と、これら金属層の内側に順に設けら
れたα−３ｉ：８層１３、シリコン（Ｓ１０□）の絶縁
体層１４およびアルミニウム等の転送電極１５とからな
る。この金属層１２はドレインであり、転送レジスタに
接続されている。
一方、転送電極１５はゲートであり、走査゛パルス発生
器に接続されている。
器に接続されている。
第３図は、光検出器の概略的な回路図である。
一画素１６は第２図に対応しており、受光部１７と転送
部１８とから構成される。各転送部は、それぞれ走査パ
ルス発生器１９および転送レジスタ２０に接続されてい
る。転送レジスタ２０には出力端子２１が設けられてい
る。
部１８とから構成される。各転送部は、それぞれ走査パ
ルス発生器１９および転送レジスタ２０に接続されてい
る。転送レジスタ２０には出力端子２１が設けられてい
る。
次いで、第１図に示した放射線像変換パネルの支持体３
側から、輝尽性蛍光体の励起波長領域の電磁波を照射す
ると、蛍光体層２上に形成された放射線エネルギーの蓄
積像は、蛍光（輝尽発光）として放射される。この蛍光
は、蛍光体層２に吸収された放射線エネルギーの強弱に
比例している。放射された蛍光のみが、第２図に示した
感光素子のフィルターを兼ねた絶縁層４を通過してフォ
トダイオード５で受光され、フォトダイオード５におい
て信号電荷が発生する。このようにして、感光素子の各
画素において蛍光の発光輝度、すなわち、放射線像変換
パネルの蛍光体層に入射した放射線の強度に比例した信
号電荷が発生する。
側から、輝尽性蛍光体の励起波長領域の電磁波を照射す
ると、蛍光体層２上に形成された放射線エネルギーの蓄
積像は、蛍光（輝尽発光）として放射される。この蛍光
は、蛍光体層２に吸収された放射線エネルギーの強弱に
比例している。放射された蛍光のみが、第２図に示した
感光素子のフィルターを兼ねた絶縁層４を通過してフォ
トダイオード５で受光され、フォトダイオード５におい
て信号電荷が発生する。このようにして、感光素子の各
画素において蛍光の発光輝度、すなわち、放射線像変換
パネルの蛍光体層に入射した放射線の強度に比例した信
号電荷が発生する。
第３図に示した回路図において走査パルス発生器１９か
ら最」二列の各画素に転送パルスを送ると、最上列の各
転送部のスイッチは１人」状態（第２図において転送電
極１５に電圧がかかり、金属層１１と１２の間を電流が
流れる状態）となる。
ら最」二列の各画素に転送パルスを送ると、最上列の各
転送部のスイッチは１人」状態（第２図において転送電
極１５に電圧がかかり、金属層１１と１２の間を電流が
流れる状態）となる。
すなわち、第２図のフォトダイオード５で発生した信号
電荷は、ＭＯＳ ： ＦＥＴ６を通じて転送される。従
って、最上列の各画素の信号電荷は転送レジスタ２０に
同時に送られる。転送レジスタ２０の出力端子２１から
は一画素ずつの電気信号が一時系列的に取り出される。
電荷は、ＭＯＳ ： ＦＥＴ６を通じて転送される。従
って、最上列の各画素の信号電荷は転送レジスタ２０に
同時に送られる。転送レジスタ２０の出力端子２１から
は一画素ずつの電気信号が一時系列的に取り出される。
このようにして、第３図の最上列から最下列へと順次、
各列に走査パルス発生器１９から転送パルスが送られ、
放射線画像情報を有する各列の各画素からの電気信号が
出力端子２１＠）ら時系列的に出力される。
各列に走査パルス発生器１９から転送パルスが送られ、
放射線画像情報を有する各列の各画素からの電気信号が
出力端子２１＠）ら時系列的に出力される。
光検出器から出力された電気信号は増幅器で増幅され、
画像再生装置により画像として再生される。ここにおい
て得られた電気信号には、所望により、空間周波数処理
、階調処理、加算平均処理、縮小処理、拡大処理などの
画像処理が行なわれてもよＮい。そして、得られた画像
は記録媒体によって記録されてもよいし、画像表示装置
によって表示されてもよい。記録媒体としては、たとえ
ば、写真感光材料上をレーザー光等で走査して光学的に
記録するもの、および熱線を用いて感熱記録材料上に記
録するものなどを用いることができる。また、画像表示
装置としては、ＣＲＴ等に電子的に表示するもの、ＣＲ
Ｔ等に表示された放射線画像をビデオ・プリンター等に
記録するものなど種々の原理に基づいた表示装置を用い
ることができる。また、この被写体の放射線画像情報は
磁気テープ等に記録保存されてもよい。
画像再生装置により画像として再生される。ここにおい
て得られた電気信号には、所望により、空間周波数処理
、階調処理、加算平均処理、縮小処理、拡大処理などの
画像処理が行なわれてもよＮい。そして、得られた画像
は記録媒体によって記録されてもよいし、画像表示装置
によって表示されてもよい。記録媒体としては、たとえ
ば、写真感光材料上をレーザー光等で走査して光学的に
記録するもの、および熱線を用いて感熱記録材料上に記
録するものなどを用いることができる。また、画像表示
装置としては、ＣＲＴ等に電子的に表示するもの、ＣＲ
Ｔ等に表示された放射線画像をビデオ・プリンター等に
記録するものなど種々の原理に基づいた表示装置を用い
ることができる。また、この被写体の放射線画像情報は
磁気テープ等に記録保存されてもよい。
なお、本発明に用いられる光検出器の感光素子としては
、たとえば、一画素が約２００１１．ｍＸ２００ｐｍの
大きさのものを使用することができる。放射線像変換パ
ネルおよび光検出器の大きさを、たとえば、従来の放射
線増感紙程度の大きさく４３０ｍｍＸ３５４ｍｍ）とし
た場合には、光検出器は２１５０Ｘ１７５０画素から構
成される。
、たとえば、一画素が約２００１１．ｍＸ２００ｐｍの
大きさのものを使用することができる。放射線像変換パ
ネルおよび光検出器の大きさを、たとえば、従来の放射
線増感紙程度の大きさく４３０ｍｍＸ３５４ｍｍ）とし
た場合には、光検出器は２１５０Ｘ１７５０画素から構
成される。
このような大面積を形成する均一な感光素子の材料とし
ては、α−３ｔが好ましく、また、受光部の面積はでき
る限り大きいことが望ましい。そして、上記のような構
造および大きさを有する光検出器において、感光素子の
走査パルス発生器からのパルス出力としては、たとえば
３ｋＨｚ程度が好ましい。
ては、α−３ｔが好ましく、また、受光部の面積はでき
る限り大きいことが望ましい。そして、上記のような構
造および大きさを有する光検出器において、感光素子の
走査パルス発生器からのパルス出力としては、たとえば
３ｋＨｚ程度が好ましい。
ただし、本発明に用いられる放射線像変換パネル、光検
出器およびそれに含まれる感光素子は、上記の大きさに
限定されるものではない。
出器およびそれに含まれる感光素子は、上記の大きさに
限定されるものではない。
本発明において用いられる放射線像変換パネルは、第１
図に例示された構成に限定されるものではなく、被写体
もしくは被検体の放射線像をエネルギーの蓄積像として
蓄積したのち輝尽光として放出することができる限り、
任意の構成をとることが可能である。また、本発明に用
いられる多数の感光素子かんなる光検出器は、第２図お
よび第３図に例示された構成に限定されるものではなく
、上記放射線像変換パネルからの放射線像に相応する輝
尽光を読み取ることができる限り、任意の形態をとるこ
とが可能である。
図に例示された構成に限定されるものではなく、被写体
もしくは被検体の放射線像をエネルギーの蓄積像として
蓄積したのち輝尽光として放出することができる限り、
任意の構成をとることが可能である。また、本発明に用
いられる多数の感光素子かんなる光検出器は、第２図お
よび第３図に例示された構成に限定されるものではなく
、上記放射線像変換パネルからの放射線像に相応する輝
尽光を読み取ることができる限り、任意の形態をとるこ
とが可能である。
また、本発明の放射線像検出方法は上記に例示した方法
に限定されるものではなく、たとえば、放射線像変換パ
ネルの蛍光体層に蓄積記録されている放射線像を検出す
る方法としては、上記の本操作の前に輝尽光の光量を測
定するために弱い電磁波の照射による予備操作が行なわ
れてもよく、この予備操作の結果に基づいて、得られる
電気信号の増幅率の設定、再生画像処理条件の設定など
を行なうことも可能である。
に限定されるものではなく、たとえば、放射線像変換パ
ネルの蛍光体層に蓄積記録されている放射線像を検出す
る方法としては、上記の本操作の前に輝尽光の光量を測
定するために弱い電磁波の照射による予備操作が行なわ
れてもよく、この予備操作の結果に基づいて、得られる
電気信号の増幅率の設定、再生画像処理条件の設定など
を行なうことも可能である。
第１図は１本発明の放射線像検出方法に用いられる放射
線像変換パネルの概略的な部分断面図である。 ｌ：保護膜、２：蛍光体層、３：支持体第２図は、本発
明の放射線像検出方法に用いられる光検出器の概略的な
部分断面図である。 ４：絶縁層、５：フォトダイオード、６：ＭＯＳ ：
ＦＥＴ、７：金属層、８：ｐ型α−５ｉ：Ｈ層、９：ｉ
型α−Ｓｉ：Ｈ層、ｌＯ：透明電極層、１１．１２：金
属層、１３：α−３ｉ ：Ｈ層、１４：絶縁体層、１５
：転送電極 第３図は、本発明の放射線像検出方法に用いられる光検
出器の概略的な回路図である。 １６：−画素、１７：受光部、１８：転送部１９：走査
パルス発生器、２０：転送レジスタ、２１′：出力端子 特許出願人 富士写真フィルム株式会社代理人 弁
理士 柳川泰男 第１図
線像変換パネルの概略的な部分断面図である。 ｌ：保護膜、２：蛍光体層、３：支持体第２図は、本発
明の放射線像検出方法に用いられる光検出器の概略的な
部分断面図である。 ４：絶縁層、５：フォトダイオード、６：ＭＯＳ ：
ＦＥＴ、７：金属層、８：ｐ型α−５ｉ：Ｈ層、９：ｉ
型α−Ｓｉ：Ｈ層、ｌＯ：透明電極層、１１．１２：金
属層、１３：α−３ｉ ：Ｈ層、１４：絶縁体層、１５
：転送電極 第３図は、本発明の放射線像検出方法に用いられる光検
出器の概略的な回路図である。 １６：−画素、１７：受光部、１８：転送部１９：走査
パルス発生器、２０：転送レジスタ、２１′：出力端子 特許出願人 富士写真フィルム株式会社代理人 弁
理士 柳川泰男 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １゜被写体を透過した、あるいは被検体から発せられた
放射線を、輝尽性蛍光体を含有してなる蛍光体層を有す
る放射線像変換パネルに吸収させ、次いで該パネルと、
多数の感光素子が規則的に二次元的に配列されてなる光
検出器とを重ね合わせたのち、該パネルに電磁波を照射
して、該パネルに蓄積Ｓれている放射線エネルギーを輝
尽光として放出させ、この輝尽光を該光検出器により光
電的に読み取ることからなる放射線像検出方法。 ２゜Ｌ記感光素子が受光部と転送部とからなり、かつ該
受光部がフォトダイオードであり、該転送部がＭＯＳ）
ラジスタであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の放射線像検出方法。 ３゜上記放射線像変換パネルが、支持体と、その上に設
けられた輝尽性蛍光体を分散状態で含有支持する結合剤
からなる蛍光体層とを有するものであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の放射線像検出方法。 ４゜上記輝尽性蛍光体が二価のユーロピウム賦活アルカ
リ土類金属弗化ハロゲン化物系蛍光体であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかの項
記載の放射線像検出方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58086227A JPS59211264A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 放射線像検出方法 |
| DE8484105518T DE3484804D1 (de) | 1983-05-16 | 1984-05-15 | Verfahren zur entdeckung eines strahlungsbildes. |
| US06/610,582 US4803359A (en) | 1983-05-16 | 1984-05-15 | Method for detecting radiation image |
| EP84105518A EP0125691B1 (en) | 1983-05-16 | 1984-05-15 | Method for dectecting radiation image |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58086227A JPS59211264A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 放射線像検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59211264A true JPS59211264A (ja) | 1984-11-30 |
| JPH0471347B2 JPH0471347B2 (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=13880901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58086227A Granted JPS59211264A (ja) | 1983-05-16 | 1983-05-16 | 放射線像検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59211264A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6363985A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-22 | Toshiba Corp | 二次元放射線検出器 |
| JPS6478185A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-23 | Hitachi Ltd | Radiation detecting element |
| JPH01165984A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-06-29 | Thomson Csf | 映像を電気信号に変換する装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120186A (en) * | 1975-04-14 | 1976-10-21 | Hitachi Ltd | Radiation solid photographing device |
-
1983
- 1983-05-16 JP JP58086227A patent/JPS59211264A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51120186A (en) * | 1975-04-14 | 1976-10-21 | Hitachi Ltd | Radiation solid photographing device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6363985A (ja) * | 1986-09-04 | 1988-03-22 | Toshiba Corp | 二次元放射線検出器 |
| JPS6478185A (en) * | 1987-09-21 | 1989-03-23 | Hitachi Ltd | Radiation detecting element |
| JPH01165984A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-06-29 | Thomson Csf | 映像を電気信号に変換する装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0471347B2 (ja) | 1992-11-13 |
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