JPS6364326A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6364326A JPS6364326A JP61207864A JP20786486A JPS6364326A JP S6364326 A JPS6364326 A JP S6364326A JP 61207864 A JP61207864 A JP 61207864A JP 20786486 A JP20786486 A JP 20786486A JP S6364326 A JPS6364326 A JP S6364326A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- forming method
- lithography
- convex portion
- pattern forming
- Prior art date
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- Granted
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はパターン形成方法に関し、詳しくは凹凸の大き
い基板上に高精度にパターンを形成できる方法に関する
。
い基板上に高精度にパターンを形成できる方法に関する
。
従来、凹凸基板へのパターン形成は基板凹凸での露光々
の乱反射や、レジスト膜厚のバラツキを防止するために
、特開昭５１−１０７７７５号に記載のように多層レジ
スト法が便用されていた。しかしこの方法では狭い領域
での凹凸の平滑化は第１層有機物で可能であったが、大
面積間の段差の場合は１段差近傍では段の平滑化は可能
であるが段差から離れた領域も陰め平坦面を作ることは
困難であった。
の乱反射や、レジスト膜厚のバラツキを防止するために
、特開昭５１−１０７７７５号に記載のように多層レジ
スト法が便用されていた。しかしこの方法では狭い領域
での凹凸の平滑化は第１層有機物で可能であったが、大
面積間の段差の場合は１段差近傍では段の平滑化は可能
であるが段差から離れた領域も陰め平坦面を作ることは
困難であった。
上記従来技術は凹凸表面の平滑化はｏＴ能であるが、平
坦面を得ることについては配慮されておらず、多層レジ
スト法では上層レジストへのパターン形成において、段
差上下での露光々学系の焦点ずれが発生し、パターン形
波不良が発生する問題があった。
坦面を得ることについては配慮されておらず、多層レジ
スト法では上層レジストへのパターン形成において、段
差上下での露光々学系の焦点ずれが発生し、パターン形
波不良が発生する問題があった。
本発明の目的は基板の凹凸を平坦化し、リソグラフィ；
（よるパターン形成を高解像、高ｉ度に行なうことにあ
る。
（よるパターン形成を高解像、高ｉ度に行なうことにあ
る。
凹凸基板を平坦化するＫは、単に流動性物質を凹凸基板
に塗布するだけでは、凹凸面の平滑化は可能なものの平
坦化は達成できない。本発明は基板上の凹凸部の周辺に
、凸部より高い壁を形成し。
に塗布するだけでは、凹凸面の平滑化は可能なものの平
坦化は達成できない。本発明は基板上の凹凸部の周辺に
、凸部より高い壁を形成し。
壁の中に流動性物質を埋込むことにより凹凸部を完全に
平坦化するものである。これンこより、リソグラフィに
よるパターン形成は平坦化きれた流動性物λ上で行なう
ことが出来、焦点深度の・」・さ・ハ光学系においても
良好なパターン形成が可能となる。
平坦化するものである。これンこより、リソグラフィに
よるパターン形成は平坦化きれた流動性物λ上で行なう
ことが出来、焦点深度の・」・さ・ハ光学系においても
良好なパターン形成が可能となる。
〔作用」
通常凹凸面上に流動性物質を崖缶した場合、塗布後の表
面形状は、流動白物ユｔの粘就、辰酊艮力等により変化
する。また、凹部、凸部の面積、密度等によっても表面
形状は変化し、−率に平坦化することは不ｃｉＴＦｊ’
ｅであった。これに対し、本発明において、凹凸部周辺
シ？：形成さルた壁は、流動性物質Ｑいわゆる流ｎ止Ｖ
として作用し、凹凸部に関与ゼずに平坦な厚膜が形成で
きるよりになる。
面形状は、流動白物ユｔの粘就、辰酊艮力等により変化
する。また、凹部、凸部の面積、密度等によっても表面
形状は変化し、−率に平坦化することは不ｃｉＴＦｊ’
ｅであった。これに対し、本発明において、凹凸部周辺
シ？：形成さルた壁は、流動性物質Ｑいわゆる流ｎ止Ｖ
として作用し、凹凸部に関与ゼずに平坦な厚膜が形成で
きるよりになる。
以下、本発明の一実施例を第１図によ）説明する。
第１区（ａ曇で示すように、主平面１に凹部、凸部を有
する基板２仝通常の方法で形成した。しかる後、第１図
（ｂバて示すように、凹凸部を囲む領域て壁３を通常の
りソグラフイ法で形成した。しかる後、流動性物質４を
全面に塗布した。ここで流動性物質４には高分子樹脂を
用いた。また、リソグラフィで形成した壁３は前記流動
性物質４に溶解する材料では、目標達成は困難となるの
で、壁３を形成後に熱処理などの不溶化処理を付加する
か、両者の溶は込みが発生しない材料を選定する必要が
ある。また、流動性物質４の膜厚は壁３の高さとほぼ同
等になるように設定した。壁３の高さは主平面ＩＫ対す
る凸部の高さ同等以上にすることが望ましい。以上の工
程によシ、基板の凹凸に関係なく、主平面に対して平坦
な面を流動性物質４で形成することができた。
する基板２仝通常の方法で形成した。しかる後、第１図
（ｂバて示すように、凹凸部を囲む領域て壁３を通常の
りソグラフイ法で形成した。しかる後、流動性物質４を
全面に塗布した。ここで流動性物質４には高分子樹脂を
用いた。また、リソグラフィで形成した壁３は前記流動
性物質４に溶解する材料では、目標達成は困難となるの
で、壁３を形成後に熱処理などの不溶化処理を付加する
か、両者の溶は込みが発生しない材料を選定する必要が
ある。また、流動性物質４の膜厚は壁３の高さとほぼ同
等になるように設定した。壁３の高さは主平面ＩＫ対す
る凸部の高さ同等以上にすることが望ましい。以上の工
程によシ、基板の凹凸に関係なく、主平面に対して平坦
な面を流動性物質４で形成することができた。
しかる後、第１図（Ｃ）に示すように、塗布ケイ素化合
物５を全面に塗布した。しかる後、熱処理を行ない、さ
らに、フォトレジスト６を塗布し、しかる後、通常の方
法で露光、現像処理を行ない、パターン７を形成した。
物５を全面に塗布した。しかる後、熱処理を行ない、さ
らに、フォトレジスト６を塗布し、しかる後、通常の方
法で露光、現像処理を行ない、パターン７を形成した。
しかる後、通常の方法でパターン７を塗布ケイ素化合物
５に転写した。し物５′全マスクとして流動性物質４に
酸素ガスを用いた反応性イオンエツチングによりパター
ンを転写しパターン７′を形成した。
５に転写した。し物５′全マスクとして流動性物質４に
酸素ガスを用いた反応性イオンエツチングによりパター
ンを転写しパターン７′を形成した。
以上の工８（でより、基板の凹凸に関係なく、主平面に
対して、平行、平坦化さｎた面上でリソグラフィが行な
え、さらに、下層へ・リバメーン転写も良好に行なうこ
とができた。な？、本実施例（Ｉ？：おいては、壁３は
リソグラフィ法で形成し、ｔｏすなわち、レジストを用
いたが、こ九に限らず、５ｉＯｚ、 Ｓ ｉ 、多結晶
シリコン、 Ａｌｌ Ｗ、 Ｔ ｉ。
対して、平行、平坦化さｎた面上でリソグラフィが行な
え、さらに、下層へ・リバメーン転写も良好に行なうこ
とができた。な？、本実施例（Ｉ？：おいては、壁３は
リソグラフィ法で形成し、ｔｏすなわち、レジストを用
いたが、こ九に限らず、５ｉＯｚ、 Ｓ ｉ 、多結晶
シリコン、 Ａｌｌ Ｗ、 Ｔ ｉ。
Ｔａ、Ｃｒ々ど、次に４布する流動性物質に溶解しない
材料であればいかなる材料でも使用可能である。塘た、
壁の利料は流動性物質をはじく性質を持っていることが
望ましい。流動性物質４を全面塗布し、表面を平坦化し
た後、流動性物質をエツチングし、薄膜化する工程を付
加しても、本発明の効果は同様でるる。さらに、不実施
例では流動性物質４で表面を平坦化した後塗布りイ累化
合物を介してフォトレジスト模を形成したが、これに：
、匿らず、たとえば、フォトレジストが流動性働質への
パターン転写のマスクとなる場合は償布ケイ素化合物の
ようなパターン転写の中間媒体は不要である。
材料であればいかなる材料でも使用可能である。塘た、
壁の利料は流動性物質をはじく性質を持っていることが
望ましい。流動性物質４を全面塗布し、表面を平坦化し
た後、流動性物質をエツチングし、薄膜化する工程を付
加しても、本発明の効果は同様でるる。さらに、不実施
例では流動性物質４で表面を平坦化した後塗布りイ累化
合物を介してフォトレジスト模を形成したが、これに：
、匿らず、たとえば、フォトレジストが流動性働質への
パターン転写のマスクとなる場合は償布ケイ素化合物の
ようなパターン転写の中間媒体は不要である。
また、本実施例では模擬凹凸基板を用いた４７．３ 合
について説明したが、Ｊ４積回路素子調造工程で実際に
本発明を実施する場合は、壁パターンはスクライブライ
ン内に形成することが望ましい。
について説明したが、Ｊ４積回路素子調造工程で実際に
本発明を実施する場合は、壁パターンはスクライブライ
ン内に形成することが望ましい。
本発明の主眼点は凹凸基板周囲に壁３を設置し流動性物
質の平坦化を行った上でリソグラフィによりパターンを
形成することにら）、流動性物質層へのパターン転写法
については、いかなる手法を用いても本発明の目的は達
成できる。
質の平坦化を行った上でリソグラフィによりパターンを
形成することにら）、流動性物質層へのパターン転写法
については、いかなる手法を用いても本発明の目的は達
成できる。
以上述べたように、本発明によれば、主平面に対して、
凹部、凸部が複雑に配置されていても、主平面に対し、
平行、平坦な面を作ることができ。
凹部、凸部が複雑に配置されていても、主平面に対し、
平行、平坦な面を作ることができ。
その上にフォトリソグラフィでパターンを形成する際、
パターン投影光学系の黒点ズレが発生せず。
パターン投影光学系の黒点ズレが発生せず。
全面で均一に良好なパターン形成が可能である。
特に、パターン投影光学系のレンズの開口数が大きい、
高解像度レンズでは焦点深度が小さく１本発明の効果は
顕著である。
高解像度レンズでは焦点深度が小さく１本発明の効果は
顕著である。
第１図は本発明の一実施例を示す工程図である。
１・・・主平面、２・・・基板、３・・・壁、４・・・
流動性物質、５・・・塗布ケイ素化合物、６・・・フォ
トレジスト。
流動性物質、５・・・塗布ケイ素化合物、６・・・フォ
トレジスト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェーハ上に素子を形成するプロセスにおいて、素
子を囲む領域に凸部を形成した後、流動性物質を被着し
て、前記凸部に囲まれた部分を平坦化する工程と、平坦
化した流動性物質上にリソグラフィ法によりパターンを
形成する工程と、前記パターンを流動性物質に転写する
工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。 ２、上記凸部の高さが、素子の高さに比し同等以上であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパター
ン形成方法。 ３、上記リソグラフィ法により形成したパターンが耐酸
素プラズマ性を有する材料から成ることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のパターン形成方法。 ４、上記凸部がスクライブ領域内に形成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載のパターン形成
方法。 ５、上記凸部が流動性物質を弾く材料から成ることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のパターン形成方法
。 ６、上記流動性物質とリソグラフィで形成したパターン
の間に耐酸素プラズマ性物質を設置し、リソグラフィで
形成したパターンを順次下層に転写することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61207864A JPH0744139B2 (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61207864A JPH0744139B2 (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6364326A true JPS6364326A (ja) | 1988-03-22 |
| JPH0744139B2 JPH0744139B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=16546807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61207864A Expired - Lifetime JPH0744139B2 (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744139B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01258432A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-09-05 JP JP61207864A patent/JPH0744139B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01258432A (ja) * | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0744139B2 (ja) | 1995-05-15 |
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