JPS636480A - トラツキングホ−ルド回路をもつパルス光電流増幅回路 - Google Patents
トラツキングホ−ルド回路をもつパルス光電流増幅回路Info
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- JPS636480A JPS636480A JP15077386A JP15077386A JPS636480A JP S636480 A JPS636480 A JP S636480A JP 15077386 A JP15077386 A JP 15077386A JP 15077386 A JP15077386 A JP 15077386A JP S636480 A JPS636480 A JP S636480A
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 21
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
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- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体装置検出器(P S D)を用いた距
離検出装置等に利用されるトランキングホールド回路を
もつパルス光電流増幅回路に関する。
離検出装置等に利用されるトランキングホールド回路を
もつパルス光電流増幅回路に関する。
(従来の技術)
光源より赤外線をパルス光の形で被測定物に照射し、反
射光を半導体装置検出器を用い検出し、3角測量の原理
により被測定物までの距離を測定する距離検出装置が知
られている。
射光を半導体装置検出器を用い検出し、3角測量の原理
により被測定物までの距離を測定する距離検出装置が知
られている。
第4図は、半導体装置検出器を用いた距離検出装置の光
学系を示す略図である。
学系を示す略図である。
投光用のLEDから放出されたパルス光は投光レンズL
1により前方の被測定物Obに投射され、その反射光は
受光レンズL2を介して半導体装置検出器に入射する。
1により前方の被測定物Obに投射され、その反射光は
受光レンズL2を介して半導体装置検出器に入射する。
半導体装置検出器は、背景光または外来光とパルス光を
、背景光または外来光のレベルとパルス光の入射位置情
報を含む電流に変換して出力する。
、背景光または外来光のレベルとパルス光の入射位置情
報を含む電流に変換して出力する。
したがって、半導体装置検出器から前記背景光または外
来光に原因する電流(以下外来光電流)に重畳された必
要なパルス信号電流のみを抜き取り増幅して、距離演算
を実行する必要かあ−る。
来光に原因する電流(以下外来光電流)に重畳された必
要なパルス信号電流のみを抜き取り増幅して、距離演算
を実行する必要かあ−る。
第5図は、前記距!iil!検出装置の信号処理回路の
ブロック図である。
ブロック図である。
半導体装置検出器(PSD)の出力端子はそれぞれ同一
の構成のパルス光電流増幅回路(抜取回路)1、IIに
接続されている。
の構成のパルス光電流増幅回路(抜取回路)1、IIに
接続されている。
パルス光電流が対数圧縮して取り出され、差動回路によ
り距離情報が取り出される。
り距離情報が取り出される。
(発明が解決しようとする問題点)
前述したパルス光電流増幅回路は、入力パルス光電流の
ない時は、外来光電流の変動があっても出力のレベルを
一定に保ち、ある−定出力電圧を出力することができる
ように変動のトラッキング(トラッキングモード)がさ
れる必要がある。
ない時は、外来光電流の変動があっても出力のレベルを
一定に保ち、ある−定出力電圧を出力することができる
ように変動のトラッキング(トラッキングモード)がさ
れる必要がある。
また本来の入力パルス光電流のある時(赤外光をパルス
的に対象物に投射し、それによって反射してきた光を検
出時)には、前記トラッキングのレベルをホールド(ホ
ールドモード中)し、パルス光電流増幅をする必要があ
る。
的に対象物に投射し、それによって反射してきた光を検
出時)には、前記トラッキングのレベルをホールド(ホ
ールドモード中)し、パルス光電流増幅をする必要があ
る。
しかしながら、従来のパルス光電流増幅回路は前記トラ
ッキングモードにおける追従の速度が十分でないため、
パルス光電流増幅回路の出力の変動が大きくなり、ホー
ルドモードにおけるホールドレベルの変動が大きくなり
正しい信号の再現が行われ難いという問題があった。
ッキングモードにおける追従の速度が十分でないため、
パルス光電流増幅回路の出力の変動が大きくなり、ホー
ルドモードにおけるホールドレベルの変動が大きくなり
正しい信号の再現が行われ難いという問題があった。
本発明の目的は前述した問題を解決することができるト
ラッキングホールド回路をもつパルス光電流増幅回路を
提供することにある。
ラッキングホールド回路をもつパルス光電流増幅回路を
提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
前記目的を達成するために、本発明によるトラッキング
ホールド回路をもつパルス光電流増幅回路は、第1のN
PNトランジスタのコレクタに定電流源と半導体装置検
出器の出力電流が接続され、そのエミッタは抵抗を通し
て接地され、第2のNPNトランジスタのベースは第1
のトランジスタのコレクタに接続され、エミッタは接地
され、コレクタは電流ミラー回路を構成するPNPトラ
ンジスタのコレクタに接続され、ミラー回路の他のPN
P トランジスタのコレクタは定電流負荷となるNPN
トランジスタのコレクタと出力端子に接続されており
、変動する出力光電流に含まれるパルス光電流の発生時
点が既知である場合に前記パルス光電流成分のみを増幅
して取り出すパルス光電流増幅回路において、前記出力
端子と前記第1のNPN トランジスタのベース間に広
帯域のトラッキングホールド回路と低ゲインの比較回路
とを負帰還回路として接続し入力にパルス光電流が入ら
ない時の前記出力端子の電圧を略一定に保って構成され
ている。
ホールド回路をもつパルス光電流増幅回路は、第1のN
PNトランジスタのコレクタに定電流源と半導体装置検
出器の出力電流が接続され、そのエミッタは抵抗を通し
て接地され、第2のNPNトランジスタのベースは第1
のトランジスタのコレクタに接続され、エミッタは接地
され、コレクタは電流ミラー回路を構成するPNPトラ
ンジスタのコレクタに接続され、ミラー回路の他のPN
P トランジスタのコレクタは定電流負荷となるNPN
トランジスタのコレクタと出力端子に接続されており
、変動する出力光電流に含まれるパルス光電流の発生時
点が既知である場合に前記パルス光電流成分のみを増幅
して取り出すパルス光電流増幅回路において、前記出力
端子と前記第1のNPN トランジスタのベース間に広
帯域のトラッキングホールド回路と低ゲインの比較回路
とを負帰還回路として接続し入力にパルス光電流が入ら
ない時の前記出力端子の電圧を略一定に保って構成され
ている。
(実施例)
以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する
。
。
第1図は、本発明によるトラッキングホールド回路をも
つパルス光電流増幅回路の実施例を示す回路図である。
つパルス光電流増幅回路の実施例を示す回路図である。
第1のNPN トランジスタ1のコレクタに定電流源7
と半導体装置検出器(PSD)6の一方の出力端子が接
続されている。
と半導体装置検出器(PSD)6の一方の出力端子が接
続されている。
トランジスタ1のエミッタは抵抗を通して接地されてい
る。
る。
第2のNPNトランジスタ2のベースは第1のトランジ
スタ1のコレクタに接続され、エミッタは接地されてい
る。
スタ1のコレクタに接続され、エミッタは接地されてい
る。
第2のNPN トランジスタ2のコレクタは電流ミラー
回路を構成するPNP トランジスタ3のコレクタに接
続されている。
回路を構成するPNP トランジスタ3のコレクタに接
続されている。
ミラー回路の他のPNP トランジスタ4のコレクタは
定電流負荷となるNPN トランジスタ5のコレクタと
出力端子に接続されている。
定電流負荷となるNPN トランジスタ5のコレクタと
出力端子に接続されている。
前記NPN トランジスタ5のコレクタと前記NPNト
ランジスタ1のベース間に帰還回路8が接続されている
。
ランジスタ1のベース間に帰還回路8が接続されている
。
この帰還回路8はパルス光電流増幅回路において、入力
にパルス光電流が入らない時の出力端子の電圧をある一
定値にコントロールし、その変動をできる限り小さくす
るために設けたものである。
にパルス光電流が入らない時の出力端子の電圧をある一
定値にコントロールし、その変動をできる限り小さくす
るために設けたものである。
広帯域のトラッキングホールド回路20と低ゲインの比
較回路30とコンデンサ31.32から構成されている
。
較回路30とコンデンサ31.32から構成されている
。
第2図は、トラッキングホールド回路の実施例を示す回
路図である。
路図である。
トラッキングホールド回路は、差動増幅器を構成する第
1および第2のPチャンネルMOSトランジスタ21,
22の両ソースにスイッチ26を介して定電流源27を
接続しである。
1および第2のPチャンネルMOSトランジスタ21,
22の両ソースにスイッチ26を介して定電流源27を
接続しである。
第1のトランジスタ21のゲートは入力であり、ドレイ
ンは第3のNPN トランジスタ23のベースおよびコ
レクタに接続され、第3のNPN トランジスタ23の
エミッタは接地されている。
ンは第3のNPN トランジスタ23のベースおよびコ
レクタに接続され、第3のNPN トランジスタ23の
エミッタは接地されている。
第2のMOSトランジスタ22のゲートは出力であり、
そのドレインおよび第4のNPN トランジスタ24の
コレクタに接続され、第4のNPN トランジスタ24
のベースは第3のNPN トランジスタ23のベースに
接続され、エミッタは接地されている。出力端子に抵抗
25とコンデンサ32を直列接続したものを接続しであ
る。
そのドレインおよび第4のNPN トランジスタ24の
コレクタに接続され、第4のNPN トランジスタ24
のベースは第3のNPN トランジスタ23のベースに
接続され、エミッタは接地されている。出力端子に抵抗
25とコンデンサ32を直列接続したものを接続しであ
る。
前述した回路において、半導体装置検出器(PSD)か
ら信号以外の様々な周波数をもった光電流が流れ込んで
くる。
ら信号以外の様々な周波数をもった光電流が流れ込んで
くる。
出力端子にはこれらの影響を受けず電圧変動の少ないあ
る一定電圧が出力されていなくてはならず、パルス光電
流信号が入力された時には、その増幅された電流が出力
されな(ではならない。
る一定電圧が出力されていなくてはならず、パルス光電
流信号が入力された時には、その増幅された電流が出力
されな(ではならない。
帰還回路8の比較回路30の負荷のコンデンサ31の容
量を比較的大きくしである。
量を比較的大きくしである。
比較回路20の(−)入力端子に基準電圧V refを
接続し、(+)入力端子にはトラッキングホールド回路
20の出力が接続されている。
接続し、(+)入力端子にはトラッキングホールド回路
20の出力が接続されている。
トラッキングホールド回路20がトラッキングモードに
あれば、充電流増幅回路の出力電圧の小変動は比較回路
30に伝えられ、その変動を抑制するように第1ONP
Nトランジスタ1のベースがコントロールされる。
あれば、充電流増幅回路の出力電圧の小変動は比較回路
30に伝えられ、その変動を抑制するように第1ONP
Nトランジスタ1のベースがコントロールされる。
トラッキングホールド回路20がホールドモードに入る
と、直前の充電流増幅回路の出力の直流成分のみがホー
ルドされ比較8300Å力となる。
と、直前の充電流増幅回路の出力の直流成分のみがホー
ルドされ比較8300Å力となる。
したがって、ホールドモードと同時にパルス光電流が入
力されると、それは第2のNPN トランジスタ2で増
幅され、PNP トランジスタ3,4からなるミラー回
路を通して出力端子(OUT)より流れ出すことになる
。
力されると、それは第2のNPN トランジスタ2で増
幅され、PNP トランジスタ3,4からなるミラー回
路を通して出力端子(OUT)より流れ出すことになる
。
第2図に示したトラッキングホールド回路20の特徴を
第3図に示す回路と対比してさらに説明する。
第3図に示す回路と対比してさらに説明する。
第2図および第3図に示す回路のコンデンサ32の容量
Cを0.1μFであるとする。容量Cのインピーダンス
は1/ωCで与えられるから、このインピーダンスは周
波数の変化に対して、100Hzでは15.9 KΩ、
IKHzでは1.59にΩ、10KHzでは159Ω、
100KHzでは15.9Ωというように変化する。
Cを0.1μFであるとする。容量Cのインピーダンス
は1/ωCで与えられるから、このインピーダンスは周
波数の変化に対して、100Hzでは15.9 KΩ、
IKHzでは1.59にΩ、10KHzでは159Ω、
100KHzでは15.9Ωというように変化する。
今、第3図に示す回路の入力の電圧変動が16mV程度
あるとすると、周波数10KHzで動作す。
あるとすると、周波数10KHzで動作す。
るにはコンデンサ32を充電または放電する電流が10
0μ八程度必要となる。
0μ八程度必要となる。
しかし全体の回路をICで構成するときにこの回路では
数μAくらいの電流しか利用できないので、ゲインが小
さく位相の遅れた出力となる。
数μAくらいの電流しか利用できないので、ゲインが小
さく位相の遅れた出力となる。
この第3図に示す回路を帰還回路8に用いると光電流増
幅回路の出力は入力パルス光電流のない状態では雑音が
太き(、ホールドモードでの出力電圧の安定度も悪いも
のとなる。
幅回路の出力は入力パルス光電流のない状態では雑音が
太き(、ホールドモードでの出力電圧の安定度も悪いも
のとなる。
第2図に示したトラッキングホールド回路の実施例では
IOKΩの抵抗25を前記コンデンサ32に直列に接続
しである。
IOKΩの抵抗25を前記コンデンサ32に直列に接続
しである。
トラッキングモード中は、入力電圧の変動に対する出力
電圧の追従は抵抗の電圧降下でなされ、広帯域の周波数
まで位相が遅れることなく追従させることができる。
電圧の追従は抵抗の電圧降下でなされ、広帯域の周波数
まで位相が遅れることなく追従させることができる。
したがって、これを帰還回路8に使用したパルス光電流
増幅回路の出力電圧には低周波域での雑音はみられなく
なる。
増幅回路の出力電圧には低周波域での雑音はみられなく
なる。
光パルスの入射に対応して、ホールドモードに入るとス
イッチ26がオフにされ動作電流がなくなるため出力に
はコンデンサ32に蓄えられていた電圧が現れることに
なる。
イッチ26がオフにされ動作電流がなくなるため出力に
はコンデンサ32に蓄えられていた電圧が現れることに
なる。
この電圧はトラッキングモード中高周波数領域での変化
はほとんどなかったため、パルス光電流増幅回路の出力
(つまりトラッキングホールドアンプの入力)の平均値
に極めて近い、直流的な電位と考えることができる。
はほとんどなかったため、パルス光電流増幅回路の出力
(つまりトラッキングホールドアンプの入力)の平均値
に極めて近い、直流的な電位と考えることができる。
したがって、トラッキングモードに入ると、比較回路3
0の出力は、パルス光電流増幅回路の出力値の平均値が
維持されるような電位となり、パルス光電流増幅回路の
出力のトラッキングモード中の変動も少ないものとなる
。
0の出力は、パルス光電流増幅回路の出力値の平均値が
維持されるような電位となり、パルス光電流増幅回路の
出力のトラッキングモード中の変動も少ないものとなる
。
(発明の効果)
以上詳しく説明したように、本発明によるトラッキング
ホールド回路をもつパルス光電流増幅回路は、第1のN
PN トランジスタのコレクタに定電流源と半導体装置
検出器の出力電流が接続され、そのエミッタは抵抗を通
して接地され、第2のNPNトランジスタのベースは第
1のトランジスタのコレクタに接続され、エミッタは接
地され、コレクタは電流ミラー回路を構成するPNPト
ランジスタのコレクタに接続され、ミラー回路の他のP
NPトランジスタのコレクタは定′電流負荷となるNP
N トランジスタのコレクタと出力端子に接続されてお
り、変動する出力光電流に含まれるパルス光電流の発生
時点が既知である場合に前記パルス光電流成分のみを増
幅して取り出すパルス光電流増幅回路において、前記出
力端子と前記第1のNPN トランジスタのベース間に
広帯域のトラッキングホールド回路と低ゲインの比較回
路とを負帰還回路として接続し人力にパルス光電流が入
らない時の前記出力端子の電圧を略一定に保って構成さ
れている。
ホールド回路をもつパルス光電流増幅回路は、第1のN
PN トランジスタのコレクタに定電流源と半導体装置
検出器の出力電流が接続され、そのエミッタは抵抗を通
して接地され、第2のNPNトランジスタのベースは第
1のトランジスタのコレクタに接続され、エミッタは接
地され、コレクタは電流ミラー回路を構成するPNPト
ランジスタのコレクタに接続され、ミラー回路の他のP
NPトランジスタのコレクタは定′電流負荷となるNP
N トランジスタのコレクタと出力端子に接続されてお
り、変動する出力光電流に含まれるパルス光電流の発生
時点が既知である場合に前記パルス光電流成分のみを増
幅して取り出すパルス光電流増幅回路において、前記出
力端子と前記第1のNPN トランジスタのベース間に
広帯域のトラッキングホールド回路と低ゲインの比較回
路とを負帰還回路として接続し人力にパルス光電流が入
らない時の前記出力端子の電圧を略一定に保って構成さ
れている。
したがって、入力パルス光電流のない時、外来光電流を
応答性よく引抜きノイズの少ない、ある−定出力電圧を
出力することができる。
応答性よく引抜きノイズの少ない、ある−定出力電圧を
出力することができる。
また本来入力パルス光電流のある時(ホールドモード中
)、入力が零だった場合でも異常な動作をせず安定な出
力電圧となるため、赤外光をパルス的に対象物に投射し
、それによって反射してきた光を検出して、3角渕距の
手法で対象物までの距離を判定するようなシステムのパ
ルス光電流増幅回路の精度を著しく向上させることがで
きる。
)、入力が零だった場合でも異常な動作をせず安定な出
力電圧となるため、赤外光をパルス的に対象物に投射し
、それによって反射してきた光を検出して、3角渕距の
手法で対象物までの距離を判定するようなシステムのパ
ルス光電流増幅回路の精度を著しく向上させることがで
きる。
第1図は、本発明によるトランキングホールド回路をも
つパルス光電流増幅回路の実施例を示すブロック図であ
る。 第2図は、トラッキングホールド回路の実施例を示す回
路図である。 第3図は、抵抗をはずした比較の対象の回路を示す図で
ある。 第4図は、PSDを用いた距離測定装置の原理を説明す
るための略図である。 第5図は、従来のPSDを用いた距離測定装置の回路の
例を示すブロック図である。 ■・・・第1のNPN トランジスタ2・・・第2のN
PNトランジスタ3 .4・・・電流ミラー回路を構成するPNP トランジ
スタ 5・・・NPN トランジスタ ロ・・・半導体装置検出器(P S D)7・・・定電
流源 8・・・帰還回路 20・・・トラッキングホールド回路 21・・・第1のMOSトランジスタ 22・・・第2のMO3トランジスタ23.24・・・
NPN +−ランジスタ25・・・抵抗器 26・・・スイッチ 27・・・定電流源 31.32・・・コンデンサ 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社 チノン株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 毒 牙I 図 Ir2図 才3図 〕セ5図
つパルス光電流増幅回路の実施例を示すブロック図であ
る。 第2図は、トラッキングホールド回路の実施例を示す回
路図である。 第3図は、抵抗をはずした比較の対象の回路を示す図で
ある。 第4図は、PSDを用いた距離測定装置の原理を説明す
るための略図である。 第5図は、従来のPSDを用いた距離測定装置の回路の
例を示すブロック図である。 ■・・・第1のNPN トランジスタ2・・・第2のN
PNトランジスタ3 .4・・・電流ミラー回路を構成するPNP トランジ
スタ 5・・・NPN トランジスタ ロ・・・半導体装置検出器(P S D)7・・・定電
流源 8・・・帰還回路 20・・・トラッキングホールド回路 21・・・第1のMOSトランジスタ 22・・・第2のMO3トランジスタ23.24・・・
NPN +−ランジスタ25・・・抵抗器 26・・・スイッチ 27・・・定電流源 31.32・・・コンデンサ 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社 チノン株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 毒 牙I 図 Ir2図 才3図 〕セ5図
Claims (2)
- (1)第1のNPNトランジスタのコレクタに定電流源
と半導体装置検出器の出力電流が接続され、そのエミッ
タは抵抗を通して接地され、第2のNPNトランジスタ
のベースは第1のトランジスタのコレクタに接続され、
エミッタは接地され、コレクタは電流ミラー回路を構成
するPNPトランジスタのコレクタに接続され、ミラー
回路の他のPNPトランジスタのコレクタは定電流負荷
となるNPNトランジスタのコレクタと出力端子に接続
されており、変動する出力光電流に含まれるパルス光電
流の発生時点が既知である場合に前記パルス光電流成分
のみを増幅して取り出すパルス光電流増幅回路において
、前記出力端子と前記第1のNPNトランジスタのベー
ス間に広帯域のトラッキングホールド回路と低ゲインの
比較回路とを負帰還回路として接続し入力にパルス光電
流が入らない時の前記出力端子の電圧を略一定に保って
構成したことを特徴とするトラッキングホールド回路を
もつパルス光電流増幅回路。 - (2)前記のトラッキングホールド回路は、差動増幅器
を構成する第1および第2のPチャンネルMOSトラン
ジスタの両ソースにオンオフ可能な定電流源を接続し、
前記第1のMOSトランジスタのゲートは入力であり、
ドレインは第3のNPNトランジスタのベースおよびコ
レクタに接続され、第3のトランジスタのエミッタは接
地され、第2のMOSトランジスタのゲートは出力であ
り、そのドレインおよび第4のNPNトランジスタのコ
レクタに接続され、第4のNPNトランジスタのベース
は第3のトランジスタのベースに接続され、エミッタは
接地されており、出力端子に抵抗とコンデンサを直列接
続して構成されている特許請求の範囲第1項記載のトラ
ッキングホールド回路をもつパルス光電流増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15077386A JPS636480A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | トラツキングホ−ルド回路をもつパルス光電流増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15077386A JPS636480A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | トラツキングホ−ルド回路をもつパルス光電流増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636480A true JPS636480A (ja) | 1988-01-12 |
| JPH0479582B2 JPH0479582B2 (ja) | 1992-12-16 |
Family
ID=15504105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15077386A Granted JPS636480A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | トラツキングホ−ルド回路をもつパルス光電流増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636480A (ja) |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP15077386A patent/JPS636480A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0479582B2 (ja) | 1992-12-16 |
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Legal Events
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