JPS6365407A - 微小光学部品材料 - Google Patents
微小光学部品材料Info
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- JPS6365407A JPS6365407A JP61209449A JP20944986A JPS6365407A JP S6365407 A JPS6365407 A JP S6365407A JP 61209449 A JP61209449 A JP 61209449A JP 20944986 A JP20944986 A JP 20944986A JP S6365407 A JPS6365407 A JP S6365407A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- peroxo
- polytungstic acid
- optical component
- thin film
- component material
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/132—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by deposition of thin films
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光集積回路などに使用される薄膜導波路、マ
イクロレンズ、マイクロプリズムなどの微小光学部品に
好適な光学材料に関する。
イクロレンズ、マイクロプリズムなどの微小光学部品に
好適な光学材料に関する。
従来、レンズ、プリズム、薄膜導波路などに用いられる
材料は、Ti、V又はNiを拡散したLiNb○、〔ア
ール・ブイ・シュミット、アイ・ビー・カミノフ:アプ
ライド・フィジックス・レターズ、第25巻(1974
)第458頁(R、V 、 S chmidt and
I 、 P 、 Kaminow、 Appl、 Ph
ys、 Letts、 25(1974)p、458参
照)、スパッタリングにより堆積したZn○〔ピー・ケ
ー・ティエン:アプライド・オプティックス、第10巻
(1971)第2395頁(P、K。
材料は、Ti、V又はNiを拡散したLiNb○、〔ア
ール・ブイ・シュミット、アイ・ビー・カミノフ:アプ
ライド・フィジックス・レターズ、第25巻(1974
)第458頁(R、V 、 S chmidt and
I 、 P 、 Kaminow、 Appl、 Ph
ys、 Letts、 25(1974)p、458参
照)、スパッタリングにより堆積したZn○〔ピー・ケ
ー・ティエン:アプライド・オプティックス、第10巻
(1971)第2395頁(P、K。
Tien、 Appl、 Opt、10(1971)p
、2395参照〕やポリメチルメタアクリレート(PM
MA)などが用いられている。
、2395参照〕やポリメチルメタアクリレート(PM
MA)などが用いられている。
上記従来材料に関する技術は、無機系材料については、
薄膜形成およびマイクロパターン形成に。
薄膜形成およびマイクロパターン形成に。
蒸着やスパッタ等の真空技術が必要であった。これらの
、いわゆるドライプロセスは、高価な装置と煩雑な操作
を必要とする上、膜形成に時間がかかり、生産性も充分
でないという問題があった。
、いわゆるドライプロセスは、高価な装置と煩雑な操作
を必要とする上、膜形成に時間がかかり、生産性も充分
でないという問題があった。
一方、有機高分子材料については、簡便で安価な湿式塗
布法により均一で良好な塗膜を得ることができるため、
広く検討されてきたが、光学特性が不安定で、経時変化
も大きいという問題があった。
布法により均一で良好な塗膜を得ることができるため、
広く検討されてきたが、光学特性が不安定で、経時変化
も大きいという問題があった。
そのため、安定性にすぐれた無機材料で、屈折率が高く
、紫外より長波長の光に対する透光性が著しく大きい微
小光学部品に好適な光学材料が強く望まれていた。さら
に、この材料が真空技術を用いることなく、例えば簡便
な塗布法で作成できることが強く望まれていた。
、紫外より長波長の光に対する透光性が著しく大きい微
小光学部品に好適な光学材料が強く望まれていた。さら
に、この材料が真空技術を用いることなく、例えば簡便
な塗布法で作成できることが強く望まれていた。
本発明の目的は、簡便で安価な湿式塗布法によって、上
記のような優れた光学特性をもった均一な膜を、さらに
は、この膜を加工することにより、薄膜導波路、マイク
ロレンズやマイクロプリズムなどの光学部品を提供する
ことにある。
記のような優れた光学特性をもった均一な膜を、さらに
は、この膜を加工することにより、薄膜導波路、マイク
ロレンズやマイクロプリズムなどの光学部品を提供する
ことにある。
上記目的は、ペルオキソ構造を有するポリタングステン
酸を湿式塗布して均一な薄膜を形成し、これを加工する
ことにより達成される。
酸を湿式塗布して均一な薄膜を形成し、これを加工する
ことにより達成される。
すなわち、ペルオキソ構造を有するポリタングステン酸
は、タングステン金属を過酸化水素水溶液に溶解させる
と黄色の水溶液になり、この水溶液を室温において蒸発
乾固させて水分を除去すると、例えば、Hlo CW、
2037 (OX)3 (O2)3(OOH)4〕 ’
n H、○なる分子式の無定形の固体であるポリタング
ステン酸を得ることができる。ここで、(02−)はペ
ルオキソであり、(OOH−)は過酸化水素(H202
)からH+を除いた陰イオン、nは約20である。
は、タングステン金属を過酸化水素水溶液に溶解させる
と黄色の水溶液になり、この水溶液を室温において蒸発
乾固させて水分を除去すると、例えば、Hlo CW、
2037 (OX)3 (O2)3(OOH)4〕 ’
n H、○なる分子式の無定形の固体であるポリタング
ステン酸を得ることができる。ここで、(02−)はペ
ルオキソであり、(OOH−)は過酸化水素(H202
)からH+を除いた陰イオン、nは約20である。
本発明のペルオキソ構造を有するポリタングステン酸は
、以下に示す特性を有する。
、以下に示す特性を有する。
(1)水に溶解し易く、湿式塗布法(スピン塗布、スプ
レ塗布など)によって、平坦かつ機械的強度の大きい良
質の薄膜を形成させることができる。
レ塗布など)によって、平坦かつ機械的強度の大きい良
質の薄膜を形成させることができる。
(2)紫外線、電子線、X線に感光して不溶化反応を起
す(特願昭60−114081号参照)。
す(特願昭60−114081号参照)。
(3)屈折率(n)が大きい(n 6321A> 2
)。
)。
(4)可視光より長波長の光に対し透明で、紫外線を強
く吸収する。
く吸収する。
以上の特徴を利用すると、作成手法の容易な塗布法を用
い、屈折率が高く、かつ著しく透明な(光の伝搬損失の
小さい)薄膜を形成することができる。さらに、本材料
の紫外光、X線、電子線照射による不溶化反応を利用す
ると、サブミクロンサイズの導波路やレンズなどを任意
の基板上に100℃以下の低温で精度よく作成すること
ができ、本発明の目的を達成することができる。
い、屈折率が高く、かつ著しく透明な(光の伝搬損失の
小さい)薄膜を形成することができる。さらに、本材料
の紫外光、X線、電子線照射による不溶化反応を利用す
ると、サブミクロンサイズの導波路やレンズなどを任意
の基板上に100℃以下の低温で精度よく作成すること
ができ、本発明の目的を達成することができる。
以上と同様な結果は、ペルオキソ構造を有し、かつ炭素
をペテロ原子として含むポリタングステン酸についても
得られる。
をペテロ原子として含むポリタングステン酸についても
得られる。
本発明は、光学部品用の材料として、ペルオキソ構造を
有するポリタングステン酸を使用しているので、湿式塗
布法によって、平坦、均質で、屈折率が大きく、著しく
透明で、光伝搬損失が小さい薄膜を得ることができる。
有するポリタングステン酸を使用しているので、湿式塗
布法によって、平坦、均質で、屈折率が大きく、著しく
透明で、光伝搬損失が小さい薄膜を得ることができる。
そして、この薄膜を加工することにより、基板上に微細
に配置された ゛特性良好な先導波路、レンズ、プリ
ズムなどの光学部品を作成することができる。
に配置された ゛特性良好な先導波路、レンズ、プリ
ズムなどの光学部品を作成することができる。
以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例 10
タングステン(W)金属粉末4gをビー力に採取し、こ
れに15重量%の過酸化水素(H202)水溶液50r
nQを加える。H20□はW金属粉末表面で徐々に分解
され、酸素(02)の発生が起る。約5分後、急激に反
応が速くなり、液温が上昇する。その後、約2分で液は
黄色透明となる。つぎに、過剰のH2O2の大部分を白
金網にて分解除去した後、室温で蒸発乾固すると淡黄色
の固体が得られる。この固体につき元素分析、酸化還元
滴定および熱重量分析を行なった結果、一般式WO1・
xH2O,・yI(、Oて示される化合物であり、ここ
で、0.4≦x≦0.7.2≦y≦3であることが判明
した。ここで、Xおよびyの値が上記のように一定値を
示さないのは、液中の過剰のH2O2の除去の仕方。
れに15重量%の過酸化水素(H202)水溶液50r
nQを加える。H20□はW金属粉末表面で徐々に分解
され、酸素(02)の発生が起る。約5分後、急激に反
応が速くなり、液温が上昇する。その後、約2分で液は
黄色透明となる。つぎに、過剰のH2O2の大部分を白
金網にて分解除去した後、室温で蒸発乾固すると淡黄色
の固体が得られる。この固体につき元素分析、酸化還元
滴定および熱重量分析を行なった結果、一般式WO1・
xH2O,・yI(、Oて示される化合物であり、ここ
で、0.4≦x≦0.7.2≦y≦3であることが判明
した。ここで、Xおよびyの値が上記のように一定値を
示さないのは、液中の過剰のH2O2の除去の仕方。
大気の湿度の変化などの影響によるものと考えられる。
このようにして得られたベルオキソを含むポリタングス
テン酸3重量部を水2重量部に溶かして塗布液を作製し
た。この塗布液を、ガラス基板、ガリウム・ヒ素ウェー
ハやシリコンウェーハ上に回転塗布し、乾燥して厚さ約
1.8−の塗布膜を形成した。この膜の屈折率は、1.
7(λ=633nn+)であった。続いて、この膜を1
10℃で加熱処理すると屈折率は2.2となった。この
薄膜を導波路とし、レーザー光(λ= 533nm)の
伝搬損失を測定した結果、0.5d B / am以下
と著しく低損失であった。
テン酸3重量部を水2重量部に溶かして塗布液を作製し
た。この塗布液を、ガラス基板、ガリウム・ヒ素ウェー
ハやシリコンウェーハ上に回転塗布し、乾燥して厚さ約
1.8−の塗布膜を形成した。この膜の屈折率は、1.
7(λ=633nn+)であった。続いて、この膜を1
10℃で加熱処理すると屈折率は2.2となった。この
薄膜を導波路とし、レーザー光(λ= 533nm)の
伝搬損失を測定した結果、0.5d B / am以下
と著しく低損失であった。
実施例2O
炭素をペテロ原子とし、ベルオキソを含有するポリタン
グステン酸を以下に示す方法で合成した。
グステン酸を以下に示す方法で合成した。
16gの炭化タングステンを15重量%過酸化水素水2
00mflに溶解した後、不溶および未溶成分をろ過に
よって取り除き、黄色水溶液を得た。この水溶液から過
剰の過酸化水素を白金網で除いた後、室温〜50℃の温
度で乾燥させ、黄色無定形固体を得た。本物質は、組成
分析、酸化還元滴定および熱重量分析によって、一般式
WO3・xCO□・Y H20z・ZH2oで示される
化合物であり、ここで、x、y、zがそれぞれ0.08
≦x≦0.25.0.05≦y≦1.0.2≦z≦3で
あることがわかった。
00mflに溶解した後、不溶および未溶成分をろ過に
よって取り除き、黄色水溶液を得た。この水溶液から過
剰の過酸化水素を白金網で除いた後、室温〜50℃の温
度で乾燥させ、黄色無定形固体を得た。本物質は、組成
分析、酸化還元滴定および熱重量分析によって、一般式
WO3・xCO□・Y H20z・ZH2oで示される
化合物であり、ここで、x、y、zがそれぞれ0.08
≦x≦0.25.0.05≦y≦1.0.2≦z≦3で
あることがわかった。
x、y、zにはばが見られるのは、黄色水溶液を得ると
きの過酸化水素水の加え方や、過剰の過酸化水素の除去
のし方、そして大気の湿度の変化等によるものと考えて
いる。
きの過酸化水素水の加え方や、過剰の過酸化水素の除去
のし方、そして大気の湿度の変化等によるものと考えて
いる。
以上のようにして得られたベキオキソを含むポリタング
ステン酸3重量部を水2重量部に溶かして塗布液とした
。これをガラス基板や半導体ウェーハ上に回転塗布し、
乾燥して厚さ約2.0−の薄膜を得た。続いて、この薄
膜を80℃で30分間ベークした後、600Wキヤノン
水銀灯を用いて、クロムマスクを介して、水銀灯から5
0a++の距離だけ離して1分間露光した。この薄膜は
感光部が不溶化するため、露光後、pH2の硫酸水溶液
を用いて現像し、第1図に示すような導波路パターン(
導波路幅5〜10100IIを作成した。図において、
1は基板、21ま導波路である。この感光部である導波
路2の屈折率は約2.0であった。この導波路を用いて
、伝搬損失を測定した結果、0.2dB/cm以下と非
常に良好であった。
ステン酸3重量部を水2重量部に溶かして塗布液とした
。これをガラス基板や半導体ウェーハ上に回転塗布し、
乾燥して厚さ約2.0−の薄膜を得た。続いて、この薄
膜を80℃で30分間ベークした後、600Wキヤノン
水銀灯を用いて、クロムマスクを介して、水銀灯から5
0a++の距離だけ離して1分間露光した。この薄膜は
感光部が不溶化するため、露光後、pH2の硫酸水溶液
を用いて現像し、第1図に示すような導波路パターン(
導波路幅5〜10100IIを作成した。図において、
1は基板、21ま導波路である。この感光部である導波
路2の屈折率は約2.0であった。この導波路を用いて
、伝搬損失を測定した結果、0.2dB/cm以下と非
常に良好であった。
また、本薄膜は、紫外光だけでなく、電子線やxmにも
感光し、解像度0.1−のパターンを形成することが可
能である。
感光し、解像度0.1−のパターンを形成することが可
能である。
実施例3゜
実施例2で導波路パターンを形成したのと同様にして、
第2図に示すように、基板1の上にマイクロレンズ3や
マイクロプリズム4を作成した。
第2図に示すように、基板1の上にマイクロレンズ3や
マイクロプリズム4を作成した。
マイクロレンズに関しては、口径2■のレンズの場合、
NA(開口数)が0.1〜0.5の任意のものを作成す
ることができた。またビーム径1n+mの光(波長80
0nm)を3p径以下のスポットにしぼり込むことも可
能であった。
NA(開口数)が0.1〜0.5の任意のものを作成す
ることができた。またビーム径1n+mの光(波長80
0nm)を3p径以下のスポットにしぼり込むことも可
能であった。
さらに、上記レンズのうち、NAが0.5のものを用い
、半導体レーザの光を光フアイバ中へ挿入することも容
易であった。半導体レーザからの出射光を平行光とする
ことも、NAが0.1程度のレンズを用いることにより
可能である。
、半導体レーザの光を光フアイバ中へ挿入することも容
易であった。半導体レーザからの出射光を平行光とする
ことも、NAが0.1程度のレンズを用いることにより
可能である。
マイクロプリズムについては、直角プリズムを使い、光
の進路を直角に曲げたり、プリズム分光器を作り、いく
つかの異なる波長のレーザ光を分光することも可能であ
った。
の進路を直角に曲げたり、プリズム分光器を作り、いく
つかの異なる波長のレーザ光を分光することも可能であ
った。
実施例4゜
WC(炭化タングステン)の代りに、その一部(1〜4
0%)を、MoC,Ti、NbCとして過酸化水素に溶
かし、実施例2と同様の方法により塗布液をつくり、薄
膜を作成した。この薄膜も同様に感光特性を有し、微小
光学部品を容易に形成することができた。
0%)を、MoC,Ti、NbCとして過酸化水素に溶
かし、実施例2と同様の方法により塗布液をつくり、薄
膜を作成した。この薄膜も同様に感光特性を有し、微小
光学部品を容易に形成することができた。
〔発明の効果〕
本発明によれば、2以上の屈折率を有するポリタングス
テン酸薄膜を1回転塗布のような低コストプロセスで容
易に作成することができ、かつ低伝搬損失の微小光学部
品材料をリソグラフィ技術で高精度に作成できるので、
光IC用材料、マイクロ光学部品用材料を高性能化でき
るという効果がある。
テン酸薄膜を1回転塗布のような低コストプロセスで容
易に作成することができ、かつ低伝搬損失の微小光学部
品材料をリソグラフィ技術で高精度に作成できるので、
光IC用材料、マイクロ光学部品用材料を高性能化でき
るという効果がある。
第1図、第2図は、本発明による微小光学部品を示す斜
視図である。 図において。
視図である。 図において。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ペルオキソ(O^2^−_2)構造を有するポリタ
ングステン酸からなることを特徴とする光学部品材料。 2、特許請求の範囲第1項記載の光学部品材料において
、前記ペルオキソ構造を有するポリタングステン酸が、
一般式WO_3・_xH_2O_2・_yH_2O(た
だし、x、yはそれぞれ、0.4≦x≦0.7、2≦y
≦3である。)で示される化合物であることを特徴とす
る光学部品材料。 3、特許請求の範囲第1項または第2項記載の光学部品
材料において、前記ペルオキソ構造を有するポリタング
ステン酸が、分子式H_1_0〔W_1_20_3_7
(O_2)_3(OOH)_4〕・_nH_2O(式中
、nは10〜40の範囲にある。)で示される化合物で
あることを特徴とする光学部品材料。 4、特許請求の範囲第1項記載の光学部品材料において
、前記ペルオキソ構造を有するポリタングステン酸が炭
素をヘテロ原子として含むことを特徴とする光学部品材
料。 5、特許請求の範囲第4項記載の光学部品材料において
、前記ペルオキソ構造を有し、炭素をヘテロ原子として
含むポリタングステン酸が、一般式WO_3・_xCO
_2・_yH_2O_2・_zH_2O(ただし、x、
y、zはそれぞれ0.08≦x≦0.25、0.05≦
y≦1、2≦z≦3である。)で示される化合物である
ことを特徴とする光学部品材料。 6、特許請求の範囲第1項、第2項、第3項、第4項ま
たは第5項記載の光学部品材料において、前記ポリタン
グステン酸がWの一部をNb、Ti、Moのうちから選
んだ少なくとも1種の元素により1〜40原子%の範囲
で置換された化合物であることを特徴とする光学部品材
料。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61209449A JPH0738042B2 (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 微小光学部品材料 |
| US07/567,706 US5035478A (en) | 1986-09-08 | 1990-08-14 | Material for micro optical component and optical component using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61209449A JPH0738042B2 (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 微小光学部品材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6365407A true JPS6365407A (ja) | 1988-03-24 |
| JPH0738042B2 JPH0738042B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=16573050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61209449A Expired - Lifetime JPH0738042B2 (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 微小光学部品材料 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5035478A (ja) |
| JP (1) | JPH0738042B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2709307B1 (fr) * | 1993-08-25 | 1996-01-26 | Toyoda Automatic Loom Works | Composition de couche colorante pour un dispositif de formation de couleurs et procédé de fabrication d'un dispositif de formation de couleurs en utilisant la composition. |
| US5602947A (en) * | 1995-01-05 | 1997-02-11 | Ceram Optee Industries, Inc. | Anti-reflective mid-infrared optical fiber and micro optical components |
| DE19605794A1 (de) * | 1996-02-16 | 1997-08-21 | Sel Alcatel Ag | Monolithisch integriertes optisches oder optoelektronisches Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren |
| US5772978A (en) * | 1996-04-24 | 1998-06-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for producing tungsten oxide |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2895892A (en) * | 1954-08-10 | 1959-07-21 | Chalkley Lyman | Photochemical process |
| US3451764A (en) * | 1967-01-16 | 1969-06-24 | Dow Chemical Co | Preparation of new tungstic acids |
| US3859373A (en) * | 1974-03-07 | 1975-01-07 | Sun Ventures Inc | Manufacture of hydrogen |
| US4116859A (en) * | 1974-12-23 | 1978-09-26 | Merkl George | Method of preparing oxygen-containing bleach and product so produced |
| DE2759117A1 (de) * | 1977-12-30 | 1979-07-12 | Du Pont Canada | Verfahren zur herstellung von ammonium- und alkalimetallwolframaten |
| US4272164A (en) * | 1979-06-22 | 1981-06-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Bright source attenuating device for an image intensifier |
| JPS5662229A (en) * | 1979-10-25 | 1981-05-28 | Asahi Glass Co Ltd | Electro-optical dimming panel |
| US4325611A (en) * | 1979-12-26 | 1982-04-20 | Stanford University | Electrochromic material and electro-optical display using same |
| JPS56123385A (en) * | 1980-03-05 | 1981-09-28 | Tokyo Inst Of Technol | Prodution of hydrogen from water using photogalvanic effect of polyacid ion |
| US4339424A (en) * | 1981-03-20 | 1982-07-13 | Exxon Research & Engineering Co. | Method of preparing W or Mo metal oxides |
| US4522934A (en) * | 1981-04-27 | 1985-06-11 | Atlantic Richfield Company | Vanadotungstomolybdophosphoric acid oxidation catalyst |
| US4533527A (en) * | 1982-09-04 | 1985-08-06 | Interox Chemicals Limited | Tungsten recovery from carbides |
| US4483997A (en) * | 1983-01-31 | 1984-11-20 | Texaco Inc. | Olefin epoxidation with inorganic metal phosphate enhanced catalyst |
| JPH0610091B2 (ja) * | 1984-05-25 | 1994-02-09 | 株式会社日立製作所 | ヘテロポリ酸及びそれを乾固させて得られる膜を有するエレクトロクロミック表示素子 |
-
1986
- 1986-09-08 JP JP61209449A patent/JPH0738042B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-08-14 US US07/567,706 patent/US5035478A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0738042B2 (ja) | 1995-04-26 |
| US5035478A (en) | 1991-07-30 |
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