JPS636540A - インテグレ−タ - Google Patents
インテグレ−タInfo
- Publication number
- JPS636540A JPS636540A JP61150891A JP15089186A JPS636540A JP S636540 A JPS636540 A JP S636540A JP 61150891 A JP61150891 A JP 61150891A JP 15089186 A JP15089186 A JP 15089186A JP S636540 A JPS636540 A JP S636540A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mirror
- integrator
- curved surfaces
- mirrors
- intensity distribution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Lenses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、均一な強度分布のレーザ光を発生させるイン
テグレータに関する。
テグレータに関する。
（従来の技ｖｉ１）
従来、このようなインテグレータには、凹又は凸レンズ
からなるマイクロレンズを多数並べて接着剤で接合させ
て構成するフライアイインテグレータといわれるものが
ある。このフライアイインテグレータは、強度分布のあ
る光を上記マイクロレンズによって均一な強度分布の光
にする。
からなるマイクロレンズを多数並べて接着剤で接合させ
て構成するフライアイインテグレータといわれるものが
ある。このフライアイインテグレータは、強度分布のあ
る光を上記マイクロレンズによって均一な強度分布の光
にする。
また他のインテグレータとして特願昭６０−２２０１４
２号に記載したものがある。このインテグレータでは、
第４図に示すように、透明休１の−方の面には複数の曲
面２を水平方向に、また上記面に相対する面には曲面２
と同様の複数の曲面３を垂直方向にそれぞれ平行に形成
して構成される。
２号に記載したものがある。このインテグレータでは、
第４図に示すように、透明休１の−方の面には複数の曲
面２を水平方向に、また上記面に相対する面には曲面２
と同様の複数の曲面３を垂直方向にそれぞれ平行に形成
して構成される。
上記したような第１例のフライアイインテグレータでは
マイクロレンズを接着剤で接合させるので、光源に紫外
光であるエキシマレーザを使用した場合、接着剤で光吸
収が生じ、これによりマイクロレンズが剥離またはイン
テグレータが劣化し、耐久性に問題があった。また第２
例のインテグレータは、接着剤を用いずに複数の曲面を
形成させるので、上記問題点は解決され、エキシマレー
ザの光源に対しインテグレータを使用することが可能と
なった。しかしながらこのようなインテグレータでは、
レーザ光を均一にする機能は有していたが、上記均一化
した光を所望の方向に導くためには、他に反射ミラー等
の光学系が必要であった。
マイクロレンズを接着剤で接合させるので、光源に紫外
光であるエキシマレーザを使用した場合、接着剤で光吸
収が生じ、これによりマイクロレンズが剥離またはイン
テグレータが劣化し、耐久性に問題があった。また第２
例のインテグレータは、接着剤を用いずに複数の曲面を
形成させるので、上記問題点は解決され、エキシマレー
ザの光源に対しインテグレータを使用することが可能と
なった。しかしながらこのようなインテグレータでは、
レーザ光を均一にする機能は有していたが、上記均一化
した光を所望の方向に導くためには、他に反射ミラー等
の光学系が必要であった。
本発明は、上記実情に鑑みなされたもので、インテグレ
ータと反射ミラーの鴻能を兼ね備え、入射したビームの
強度分布を均一にし、所望の方向に反射することのでき
るインテグレータを提供することを目的とする。
ータと反射ミラーの鴻能を兼ね備え、入射したビームの
強度分布を均一にし、所望の方向に反射することのでき
るインテグレータを提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段および作用）本発明は、
表面に複数の第１の曲面が平行に形成された第１のミラ
ーと、該第１のミラーと対向して配設され、表面に前記
第１の曲面と方向が互いに直角になるように複数の第２
の曲面が平行に形成された第２のミラーとを具え、第１
および第２のミラーに入射した強度分布の不均一のビー
ムを水平方向および垂直方向に均一化して所望の方向に
反射することができる。
表面に複数の第１の曲面が平行に形成された第１のミラ
ーと、該第１のミラーと対向して配設され、表面に前記
第１の曲面と方向が互いに直角になるように複数の第２
の曲面が平行に形成された第２のミラーとを具え、第１
および第２のミラーに入射した強度分布の不均一のビー
ムを水平方向および垂直方向に均一化して所望の方向に
反射することができる。
（実施例〕
本発明のインテグレータの実施例を第１図乃至第３図の
図面にもとづき詳細に説明する。
図面にもとづき詳細に説明する。
本発明のインテグレータは、第１のミラーと第２のミラ
ーによって構成されており、第１のミラーと第２のミラ
ーは、第１図に示すような同一の構成になっている。す
なわち第１回において、第１および第２のミラーは、石
英等からなる基板１１の表面に所望の曲率半径の凹状の
溝１２を一方向に平行に形成するとともに上記表面に、
例えば金属、金属＋誘電体または誘電体等の高反射コー
ティングを施して形成される。なお上記面１２の形状は
、所望の曲率半径の凸状に形成してもさしつかえない。
ーによって構成されており、第１のミラーと第２のミラ
ーは、第１図に示すような同一の構成になっている。す
なわち第１回において、第１および第２のミラーは、石
英等からなる基板１１の表面に所望の曲率半径の凹状の
溝１２を一方向に平行に形成するとともに上記表面に、
例えば金属、金属＋誘電体または誘電体等の高反射コー
ティングを施して形成される。なお上記面１２の形状は
、所望の曲率半径の凸状に形成してもさしつかえない。
第２図は、本発明のインテグレータの配置を示す図で、
このインテグレータは第１図に示したごとく構成された
第１のミラー１５と第２のミラー１６とを互いに対向さ
せて光軸合せを行い、さらに第１のミラー１５の溝と第
２のミラー１６の溝の方向が直角になるように配置して
いる。そして、第１、第２の各ミラーは傾き角を調整し
て矢印ａ方向からのビームを所望の位置に反射させてい
る。
このインテグレータは第１図に示したごとく構成された
第１のミラー１５と第２のミラー１６とを互いに対向さ
せて光軸合せを行い、さらに第１のミラー１５の溝と第
２のミラー１６の溝の方向が直角になるように配置して
いる。そして、第１、第２の各ミラーは傾き角を調整し
て矢印ａ方向からのビームを所望の位置に反射させてい
る。
すなわち第１のミラー１５は、入射したビームの水平方
向の光を均一に拡げて反射し、第２のミラー１６は垂直
方向の光を均一に拡げて反射することができ、照射され
た光線は図に示すように四角形になるので、第１、第２
のミラー１５．１６はインテグレータおよび反射ミラー
として別能する。
向の光を均一に拡げて反射し、第２のミラー１６は垂直
方向の光を均一に拡げて反射することができ、照射され
た光線は図に示すように四角形になるので、第１、第２
のミラー１５．１６はインテグレータおよび反射ミラー
として別能する。
なおこの第１、第２のミラーの溝の組み合せは、凸＋凸
、凸＋凹または凹＋凹のいずれでも良く、溝の方向も互
いに垂直になるように設定されていれば、いずれが水平
方向でも、垂直方向でもがまわない。
、凸＋凹または凹＋凹のいずれでも良く、溝の方向も互
いに垂直になるように設定されていれば、いずれが水平
方向でも、垂直方向でもがまわない。
第３図は、本発明のインテグレータを縮小投影露光装置
に用いた一例を示すものである。図において、光源のエ
キシマレーザ２０から発振したインコヒーレント性を有
するレーザ光は、所定のビーム形状の平行光となってイ
ンテグレータを構成する第１のミラー１５に入射する。
に用いた一例を示すものである。図において、光源のエ
キシマレーザ２０から発振したインコヒーレント性を有
するレーザ光は、所定のビーム形状の平行光となってイ
ンテグレータを構成する第１のミラー１５に入射する。
この第１のミラー１５は、入射したレーザ光の例えば水
平方向の光を均一に拡げ、同じくインテグレータを構成
する第２のミラー１６に反射する。′Ｘ５２のミラー１
６は、入射したレーザ光を、例えば垂直方向の光を均一
に拡げ、集光ミラー２１に反射する。この集光ミラー２
１はコンデンサレンズとしての機能を果すもので入射し
たレーザ光を集光して反射ミラー２２および防塵板２３
を介してレチクル２４に照射する。上記レーザ光による
レチクル２４上での照明エリアは、上記インテグレータ
および集光ミラーにより強度分布が均一であり干渉しま
も生じない。このレチクル２４を照射する光線によりレ
チクル２４上に形成されたパターンは、縮小投影レンズ
群２５を介してウェハ２５上に投影される。
平方向の光を均一に拡げ、同じくインテグレータを構成
する第２のミラー１６に反射する。′Ｘ５２のミラー１
６は、入射したレーザ光を、例えば垂直方向の光を均一
に拡げ、集光ミラー２１に反射する。この集光ミラー２
１はコンデンサレンズとしての機能を果すもので入射し
たレーザ光を集光して反射ミラー２２および防塵板２３
を介してレチクル２４に照射する。上記レーザ光による
レチクル２４上での照明エリアは、上記インテグレータ
および集光ミラーにより強度分布が均一であり干渉しま
も生じない。このレチクル２４を照射する光線によりレ
チクル２４上に形成されたパターンは、縮小投影レンズ
群２５を介してウェハ２５上に投影される。
ところでパターンの描かれているレチクル上にほこり等
が付着すると、ウェハ上でパターンの結像に悪影響を及
ぼす。これを防ぐためこの実施例ではレチクル上の所定
位置に防塵板を配置してレチクル上方のほこりを上記防
塵板に付着させてレチクルにほこりが付着しないように
している。したがって防塵板に付着したほこりは、ウェ
ハ上に結像されず、レチクルのパターンは上記ウェハに
良好に結像される。このような防塵板には従来、高分子
で形成したペリクル膜を用いていたが、光源に波長の短
いエキシマレーザ光（ＡｒＦで１９３ｎｍ１ＫｒＦで２
４８ｎｍの紫外）を用いる場合、従来のペリクル膜では
この領域の紫外光は透過しない。そこで本発明の実施例
では、防塵板に遠紫外光の透過率の高い石英、ＣａＦ２
またはＭ９Ｆ２等の材質で形成される薄いペリクル板を
用いてレチクルへのほこりの付着を防止している。
が付着すると、ウェハ上でパターンの結像に悪影響を及
ぼす。これを防ぐためこの実施例ではレチクル上の所定
位置に防塵板を配置してレチクル上方のほこりを上記防
塵板に付着させてレチクルにほこりが付着しないように
している。したがって防塵板に付着したほこりは、ウェ
ハ上に結像されず、レチクルのパターンは上記ウェハに
良好に結像される。このような防塵板には従来、高分子
で形成したペリクル膜を用いていたが、光源に波長の短
いエキシマレーザ光（ＡｒＦで１９３ｎｍ１ＫｒＦで２
４８ｎｍの紫外）を用いる場合、従来のペリクル膜では
この領域の紫外光は透過しない。そこで本発明の実施例
では、防塵板に遠紫外光の透過率の高い石英、ＣａＦ２
またはＭ９Ｆ２等の材質で形成される薄いペリクル板を
用いてレチクルへのほこりの付着を防止している。
なお、本発明の実施例では、第１、第２のミラーの基板
は平板に形成された場合について説明したが、上記実施
例に限らず、光の拡がりを少なくするため第１図に示し
た基板を曲面で形成させることもできる。このように第
１および第２のミラーを曲面で形成すると、インテグレ
ータは光を集光させることもできるので、コンデンサレ
ンズの橢能をも兼ねることが可能となる。
は平板に形成された場合について説明したが、上記実施
例に限らず、光の拡がりを少なくするため第１図に示し
た基板を曲面で形成させることもできる。このように第
１および第２のミラーを曲面で形成すると、インテグレ
ータは光を集光させることもできるので、コンデンサレ
ンズの橢能をも兼ねることが可能となる。
〔発明の効果］
以上説明したように本発明は、表面に複数の曲面が平行
に形成された第１のミラーと第２のミラーを具え、該第
１および第２のミラーの曲面の方向が互いに直角になる
ように前記第１のミラーと前記第２のミラーを対向配置
させるので、入射したビームの強度分布を均一にし、所
望の方向に反射することができる。
に形成された第１のミラーと第２のミラーを具え、該第
１および第２のミラーの曲面の方向が互いに直角になる
ように前記第１のミラーと前記第２のミラーを対向配置
させるので、入射したビームの強度分布を均一にし、所
望の方向に反射することができる。
第１図は本発明のインテグレータを＠成するミラーの一
実施例を示す図、第２図はインテグレータの配置図、第
３図は本発明のインテグレータを用いた縮小投影露光装
置の一実施例を示す図、第４図は従来のインテグレータ
を示す図である。 １１・・・基板、１２・・・溝、１５・・・第１のミラ
ー、１６・・・第２のミラー、２０・・・エキシマレー
ザ、２１・・・集光ミラー、２３・・・防塵板、２４・
・・レチクル、２５・・・縮小投影レンズ訂、２６・・
・ウェハ。 第１図
実施例を示す図、第２図はインテグレータの配置図、第
３図は本発明のインテグレータを用いた縮小投影露光装
置の一実施例を示す図、第４図は従来のインテグレータ
を示す図である。 １１・・・基板、１２・・・溝、１５・・・第１のミラ
ー、１６・・・第２のミラー、２０・・・エキシマレー
ザ、２１・・・集光ミラー、２３・・・防塵板、２４・
・・レチクル、２５・・・縮小投影レンズ訂、２６・・
・ウェハ。 第１図
Claims (5)
- （１）表面に複数の第１の曲面が平行に形成された第１
のミラーと、 該第１のミラーと対向して配設され、表面に前記第１の
曲面と方向が互いに直角になるように複数の第２の曲面
が平行に形成された第２のミラーと を具えたことを特徴とするインテグレータ。 - （２）第１の曲面および第２の曲面は凹状に形成される
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のイン
テグレータ。 - （３）第１の曲面および第２の曲面は凸状に形成される
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１））項記載のイ
ンテグレータ。 - （４）第１の曲面は凹状に形成され第２の曲面は凸状に
形成されることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載のインテグレータ。 - （５）第１の曲面は凸状に形成され第２の曲面は凹状に
形成されることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載のインテグレータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150891A JPS636540A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | インテグレ−タ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150891A JPS636540A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | インテグレ−タ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636540A true JPS636540A (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=15506637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61150891A Pending JPS636540A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | インテグレ−タ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636540A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06214318A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Nec Corp | 反射型ホモジナイザーおよび反射型照明光学装置 |
| EP1122020A3 (en) * | 2000-02-02 | 2003-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Beam homogenizer, laser irradiation apparatus, semiconductor device, and method of fabricating the semiconductor device |
| EP1367442A3 (en) * | 2002-05-27 | 2005-11-02 | Nikon Corporation | Illumination device |
| WO2020069885A1 (de) * | 2018-10-02 | 2020-04-09 | 3D-Micromac Ag | Laserbearbeitungssystem |
| CN120370634A (zh) * | 2025-04-15 | 2025-07-25 | 中国科学院微电子研究所 | 光场均匀化结构 |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61150891A patent/JPS636540A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06214318A (ja) * | 1993-01-20 | 1994-08-05 | Nec Corp | 反射型ホモジナイザーおよび反射型照明光学装置 |
| EP1122020A3 (en) * | 2000-02-02 | 2003-11-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Beam homogenizer, laser irradiation apparatus, semiconductor device, and method of fabricating the semiconductor device |
| US6856630B2 (en) | 2000-02-02 | 2005-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Beam homogenizer, laser irradiation apparatus, semiconductor device, and method of fabricating the semiconductor device |
| US7112477B2 (en) | 2000-02-02 | 2006-09-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Beam homogenizer laser irradiation, apparatus, semiconductor device, and method of fabricating the semiconductor device |
| EP1367442A3 (en) * | 2002-05-27 | 2005-11-02 | Nikon Corporation | Illumination device |
| WO2020069885A1 (de) * | 2018-10-02 | 2020-04-09 | 3D-Micromac Ag | Laserbearbeitungssystem |
| US11878368B2 (en) | 2018-10-02 | 2024-01-23 | 3D-Micromac Ag | Laser machining system |
| TWI834736B (zh) * | 2018-10-02 | 2024-03-11 | 德商３Ｄ 麥可梅克公司 | 雷射加工系統 |
| CN120370634A (zh) * | 2025-04-15 | 2025-07-25 | 中国科学院微电子研究所 | 光场均匀化结构 |
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