JPH0478002B2 - - Google Patents

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JPH0478002B2
JPH0478002B2 JP59087879A JP8787984A JPH0478002B2 JP H0478002 B2 JPH0478002 B2 JP H0478002B2 JP 59087879 A JP59087879 A JP 59087879A JP 8787984 A JP8787984 A JP 8787984A JP H0478002 B2 JPH0478002 B2 JP H0478002B2
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0004—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed
    • G02B19/0028—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the optical means employed refractive and reflective surfaces, e.g. non-imaging catadioptric systems
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B19/00—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics
    • G02B19/0033—Condensers, e.g. light collectors or similar non-imaging optics characterised by the use
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、フオトマスク等の原板上に形成され
た超LSI等の微細パターンを半導体ウエハ等の基
板に転写する所謂ミラープロジエクシヨンアライ
ナに適用し得る照明光学系に関する。
〔従来技術〕
従来この種の照明光学系にはクリテイカル照明
法，すなわち光源をマスク面上に結像する方法が
用いられていた。例えば特開昭54−123877号他。
従つてマスク面上の円弧状照射域各点における有
効光源像は光学系の光軸を中心とする回転対称の
向きを持つ。第１図はこの様子を模式的に表わし
た図であり、Ｏは光軸、Ａはマスク面における円
弧状照射域、Ｂは光源像を示している。一方、マ
スク上の微細パターンは一般にｘ方向およびｙ方
向の一定の方向性を持つので、照射円弧の両端に
いくにつれて有効光源像の方向とマスク上のパタ
ーンの方向との差が大きくなる。その結果、わず
かのデフオーカスでウエハ上に転写されるパター
ン像が歪んでしまうという欠点を有していた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は上記の欠点を解決し、歪みのな
い微細パターン像をウエハ上に転写することがで
きる照明光学系を提供することにある。
〔発明の構成〕
上記目的を達成するために、本発明に係る照明
光学系は、原板（フオトマスク等）のパターンを
基板（ウエハ等）に転写するのに役立つ光を発生
する光源と、前記光源からの光でスリツトをケー
ラー照明するケーラ照明光学系と、前記スリツト
の像を前記原板に対して投影する結像光学系を有
すると共に、前記ケーラ照明光学系は交差する方
向でパワーが異なるレンズ系を有し、前記スリツ
トの開口の大きさに見合う照射域を形成すること
を特徴としている。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。本発明による照明光学系の一実施例を
第２図に示している。１は照明光源で例えば超高
圧水銀灯、２は楕円ミラーでその第１焦点に照明
光源が置かれる。３は例えばシリンドリカルレン
ズ板により構成されたライトインテグレータで詳
細は第４図に示す。４はコリメータレンズ、５は
円弧スリツト（第５図に平面形態を描く）でライ
トインテグレータ３の射光点はコリメータレンズ
４の第１焦点に、円弧スリツト５は第２焦点面に
あつてケーラー照明系を構成する。６は円弧スリ
ツト結像用光学系、７はマスクを示している。な
お、第３図は第２図の光学系の３から７までの部
分をａの方向から描いた図である。さて超高圧水
銀灯１から発した光は、楕円ミラー２によつてラ
イトインテグレータ３上に集光される。さらにラ
イトインテグレータ３の各点を出た光はコリメー
タレンズ４の作用によつてそれぞれ平行光線とな
り、円弧スリツト５の面を照射する。すなわち円
弧スリツト５に多光束のケーラー照明がなされ
る。さらに円弧スリツト５を通り抜けた光束は円
弧スリツト結像用光学系６によりマスク７の面上
に投影され半円弧状の被照明域を形成する。
以上のようにケーラー照明の照射面に円弧スリ
ツト５を配置しこの円弧スリツト５の像をマスク
７の面上に結んでいるので、従来のようなマスク
面上の有効光源像が存在せず、従つてウエハ上に
転写されるパターン像が歪むことはない。しか
も、ライトインテグレータ３として第４図に示さ
れるような２組のシリンドリカルレンズの集合体
（１板目と４板目はそれぞれ焦点距離f1、２板目
と３板目はそれとは別の焦点距離f2で、各々の集
合体を相手の焦点位置に置いて組を作る）を直角
に組み合わせた光学系を用いて直交方向でＦナン
バーの異なる光束を作り、円弧スリツト５の面上
にスリツト開口の大きさに見合う矩形の照射域を
形成することにより、光量を有効に活用すること
が可能となる。第５図は円弧スリツト５の平面図
であり、図中の８はスリツト開口、９はスリツト
面上における矩形の照射域である。なお、光の有
効利用にあまり気を使わなくても良い場合はライ
トインテグレータとして棒状レンズの結束体を用
いても良い。
第６図に本発明による照明光学系の適用例とし
て反射投影型半導体露光装置を示している。図中
の１から７までは第１図の同番号のものと同一で
あり、さらに１０及び１３は光路を折曲げる平面
鏡、１１は凹面鏡、１２は凸面鏡、１４はウエハ
を示し、凹面鏡１１と凸面鏡１２は反射型投影系
を構成する。マスク７とウエハ１４を同時に矢印
方向に走査することによりマスク７のパターン像
の全面が歪むことなくウエハ１４に転写される。
一般にこのような照明光学系を搭載した半導体
露光装置（マスクアライナー）によつて半導体基
板上等に転写されるフオトマスク上のパターン
は、全面で一定方向を向いており、その方向と前
記の照明光学系の２本の対称軸のうちのいずれか
の方向とを合致させれば、全面でパターンの方向
と有効光源像の方向が一致する。従つて半導体基
板等上のパターン像がデイフオーカス時において
も有効光源と同じく等方的にボケるので像歪が生
じない。
次に第１図で述べた光学系の調整について触れ
ておく。まずマスク７を外し、替りにピンホール
を有する遮光板とその下方にスクリーンを取付け
る。スクリーンにはマスク相当面における有効光
源像がピンホールカメラの原理により投影される
が、その有効光源像はライトインテグレータ３の
外形に一致し、円弧上の各点において方向が回転
しないはずである。従つてスクリーン上の有効光
源像が所望の状態を満たす様に各部材間の調整を
行えば、良好な照明状態を得ることができる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、歪みのな
い微細パターン像をウエハ上に転写することがで
きる。さらにケーラー照明法を採用しているので
光源の輝度ムラが照明ムラに影響しないという利
点を有するとともに、前記ケーラー照明を交差す
る方向でパワーが異なるレンズ系を用いて実行し
ているので、光量の節約が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の照明光学系のマスク面における
光源像が光学系の光軸を中心として回転対称の向
きになることを模式的に表わした図、第２図は本
発明の一実施例に係る照明光学系の構成図、第３
図は第２図における３から７までの部分の側面
図、第４図はライトインテグレータ３の拡大斜視
図、第５図は円弧スリツト５の平面図、第６図は
本発明による照明光学系を適用した反射投影型半
導体露光装置の一例を示す構成図である。 １……光源、２……楕円ミラー、３……ライト
インテグレータ、４……コリメータレンズ、５…
…円弧スリツト、６……円弧スリツト結像用光学
系、７……マスク、８……スリツト開口、９……
円弧スリツト面上の照射域。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 原板のパターンを基板に転写するのに役立つ
    光を発生する光源と、前記光源からの光でスリツ
    トをケーラー照明するケーラー照明光学系と、前
    記スリツトの像を前記原板に対して投影する結像
    光学系を有すると共に、前記ケーラー照明光学系
    は交差する方向でパワーが異なるレンズ系を有
    し、前記スリツトの開口の大きさに見合う照射域
    を形成することを特徴とする照明光学系。 ２ 前記ケーラー照明光学系は前記光源からの光
    が入射する光インテグレータと、前記光インテグ
    レータの各点からの光で前記スリツトを照明する
    コリメータレンズを有することを特徴とする特許
    請求の範囲第１項記載の照明光学系。 ３ 前記光インテグレータはシリントリカルレン
    ズの集合体を複数有し、前記集合体のそれぞれの
    シリンドリカルレンズの焦点距離は異なることを
    特徴とする特許請求の範囲第２項記載の照明光学
    系。 ４ 前記スリツトは円弧状開口を有し、前記ケー
    ラー照明光学系は矩形の照射域を形成することを
    特徴とする特許請求の範囲第１項記載の照明光学
    系。
JP59087879A 1984-05-02 1984-05-02 照明光学系 Granted JPS60232552A (ja)

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Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4947030A (en) * 1985-05-22 1990-08-07 Canon Kabushiki Kaisha Illuminating optical device
JPS62266513A (ja) * 1986-05-14 1987-11-19 Canon Inc 投影露光光学系
JPS639186A (ja) * 1986-06-30 1988-01-14 Komatsu Ltd 照明光学装置
US4939630A (en) * 1986-09-09 1990-07-03 Nikon Corporation Illumination optical apparatus
US4719493A (en) * 1987-03-05 1988-01-12 Xerox Corporation Imaging system including a segmented filament light source with improved illumination output uniformity
JPS6461716A (en) * 1987-08-31 1989-03-08 Canon Kk Illuminator
US4907029A (en) * 1988-08-11 1990-03-06 Actinic Systems, Inc. Uniform deep ultraviolet radiant source for sub micron resolution systems
US5218660A (en) * 1989-11-29 1993-06-08 Canon Kabushiki Kaisha Illumination device
US5003345A (en) * 1989-12-27 1991-03-26 General Signal Corporation Apparatus and method for aligning and focusing an image of a reticle onto a semiconductor wafer
JP2657957B2 (ja) * 1990-04-27 1997-09-30 キヤノン株式会社 投影装置及び光照射方法
JP2924344B2 (ja) * 1991-08-09 1999-07-26 キヤノン株式会社 投影露光装置
US5221975A (en) * 1991-11-12 1993-06-22 Eastman Kodak Company High resolution scanner
US5640284A (en) * 1992-09-11 1997-06-17 Nikon Corporation Optical reflector, illumination optical system, light source system and illumination optical apparatus
JP3316704B2 (ja) * 1993-06-10 2002-08-19 株式会社ニコン 投影露光装置、走査露光方法、及び素子製造方法
KR100296778B1 (ko) 1993-06-11 2001-10-24 오노 시게오 노광장치및그장치를사용하는소자제조방법
KR0165701B1 (ko) * 1993-06-29 1999-02-01 미타라이 하지메 조명장치 및 동장치를 사용하는 노광장치
EP0660158B1 (en) * 1993-12-22 2000-10-04 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system
JP3278277B2 (ja) * 1994-01-26 2002-04-30 キヤノン株式会社 投影露光装置及びこれを用いたデバイス製造方法
JP3057998B2 (ja) * 1994-02-16 2000-07-04 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3060357B2 (ja) * 1994-06-22 2000-07-10 キヤノン株式会社 走査型露光装置及び該走査型露光装置を用いてデバイスを製造する方法
JP3082652B2 (ja) * 1994-12-27 2000-08-28 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3239661B2 (ja) * 1994-12-27 2001-12-17 キヤノン株式会社 ノズルプレートの製造方法及び照明光学系
US5724122A (en) * 1995-05-24 1998-03-03 Svg Lithography Systems, Inc. Illumination system having spatially separate vertical and horizontal image planes for use in photolithography
JP3437352B2 (ja) * 1995-10-02 2003-08-18 キヤノン株式会社 照明光学系及び光源装置
GB9601049D0 (en) 1996-01-18 1996-03-20 Xaar Ltd Methods of and apparatus for forming nozzles
US5786939A (en) * 1996-02-26 1998-07-28 Fuji Photo Optical Co., Ltd. Illumination optical system
JPH1041225A (ja) * 1996-07-24 1998-02-13 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3507249B2 (ja) * 1996-07-24 2004-03-15 キヤノン株式会社 インクジェット記録用基体の温度検出補正回路
JPH10253916A (ja) 1997-03-10 1998-09-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd レーザー光学装置
US5883745A (en) * 1997-06-30 1999-03-16 Polycom, Inc. Mirror assembly and method
US5844727A (en) * 1997-09-02 1998-12-01 Cymer, Inc. Illumination design for scanning microlithography systems
JP3559694B2 (ja) * 1997-10-14 2004-09-02 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
US6144495A (en) * 1997-12-23 2000-11-07 Canon Kabushiki Kaisha Projection light source
JP4238390B2 (ja) 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
US6833904B1 (en) 1998-02-27 2004-12-21 Nikon Corporation Exposure apparatus and method of fabricating a micro-device using the exposure apparatus
DE10100265A1 (de) * 2001-01-08 2002-07-11 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit Rasterelementen unterschiedlicher Größe
JP3658209B2 (ja) * 1998-10-08 2005-06-08 キヤノン株式会社 円弧照明光学系及びそれを用いた露光装置
DE19851749A1 (de) * 1998-11-10 2000-05-11 Zeiss Carl Fa Polarisationsoptisch kompensiertes Objektiv
US6583937B1 (en) 1998-11-30 2003-06-24 Carl-Zeiss Stiftung Illuminating system of a microlithographic projection exposure arrangement
DE19855106A1 (de) * 1998-11-30 2000-05-31 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem für die VUV-Mikrolithographie
WO2002067021A1 (en) 2001-02-23 2002-08-29 Nikon Corporation Polygon reflector, and illumination optical system and semiconductor exposure device using the polygon reflector
JP3605047B2 (ja) * 2001-05-22 2004-12-22 キヤノン株式会社 照明装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス
JP4324957B2 (ja) * 2002-05-27 2009-09-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
JP4332331B2 (ja) 2002-08-05 2009-09-16 キヤノン株式会社 露光方法
JP4143435B2 (ja) * 2003-02-12 2008-09-03 キヤノン株式会社 照明光学系
DE10317615B4 (de) * 2003-04-11 2005-10-06 Carl Zeiss Jena Gmbh Fluoreszenzmikroskopanordnung
JP4336545B2 (ja) * 2003-08-07 2009-09-30 キヤノン株式会社 光学部材、当該光学部材を有する照明装置及び露光装置
JP4366163B2 (ja) * 2003-09-25 2009-11-18 キヤノン株式会社 照明装置及び露光装置
ATE511668T1 (de) * 2004-02-17 2011-06-15 Zeiss Carl Smt Gmbh Beleuchtungssystem für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsvorrichtung
US7706072B2 (en) * 2004-12-27 2010-04-27 Nikon Corporation Optical integrator, illumination optical device, photolithograph, photolithography, and method for fabricating device
KR100702951B1 (ko) * 2005-02-21 2007-04-03 삼성테크윈 주식회사 카메라용 조명장치
TWI456267B (zh) 2006-02-17 2014-10-11 卡爾蔡司Ｓｍｔ有限公司 用於微影投射曝光設備之照明系統
JP5068271B2 (ja) * 2006-02-17 2012-11-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ照明システム、及びこの種の照明システムを含む投影露光装置
EP1984788B1 (en) * 2006-02-17 2011-09-21 Carl Zeiss SMT GmbH Optical integrator for an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
JP4511502B2 (ja) * 2006-09-30 2010-07-28 日立ビアメカニクス株式会社 基板露光装置
JP4261591B2 (ja) * 2007-03-30 2009-04-30 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 照明光学装置および試料検査装置
JP5283928B2 (ja) 2008-02-28 2013-09-04 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP5806479B2 (ja) 2011-02-22 2015-11-10 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置及びデバイス製造方法
JP6598833B2 (ja) * 2017-09-11 2019-10-30 キヤノン株式会社 照明光学系、露光装置、および物品の製造方法
KR102197383B1 (ko) * 2020-07-27 2020-12-31 써니파이브 주식회사 자연광과 유사한 광을 제공하는 조명 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3724924A (en) * 1970-12-23 1973-04-03 Comp Generale Electricite Multiple focusing device
JPS607764B2 (ja) * 1976-04-28 1985-02-27 キヤノン株式会社 走査型光検出装置
DE2910280C2 (de) * 1978-03-18 1993-10-28 Canon Kk Optische Abbildungssysteme
JPS5612727A (en) * 1979-07-12 1981-02-07 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Aligning device for ic projection exposure apparatus
US4498742A (en) * 1981-09-10 1985-02-12 Nippon Kogaku K.K. Illumination optical arrangement
JPS58147708A (ja) * 1982-02-26 1983-09-02 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 照明用光学装置
JPH0478002A (ja) * 1990-07-13 1992-03-12 Toshiba Corp 磁気記録再生装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60232552A (ja) 1985-11-19
US4682885A (en) 1987-07-28

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