JPS6367552B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6367552B2 JPS6367552B2 JP59119151A JP11915184A JPS6367552B2 JP S6367552 B2 JPS6367552 B2 JP S6367552B2 JP 59119151 A JP59119151 A JP 59119151A JP 11915184 A JP11915184 A JP 11915184A JP S6367552 B2 JPS6367552 B2 JP S6367552B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- present
- composite substrate
- withstand voltage
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
- C23C4/04—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the coating material
- C23C4/10—Oxides, borides, carbides, nitrides or silicides; Mixtures thereof
- C23C4/11—Oxides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、金属基板をベースとする複合基板の
製造方法に関するものである。 〔従来の技術〕 金属基板をベースとする複合基板は、一般に金
属基板の表面に絶縁性のセラミツクを溶射して製
造しているが、溶射被膜が多孔性であるため、耐
電圧性能が悪いという欠点があつた。そこで、従
来は溶射被膜の表面にエポキシ樹脂等の有機絶縁
物を塗布して溶射被膜の封孔処理を行ない、耐電
圧性能を向上させるようにしているが、塗布工程
が増えて面倒であると共に、逆に放熱性が低下
し、性能が悪くなるという欠点があつた。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は、上記従来の欠点に鑑みて提案された
もので、放熱性を犠牲とすることなく、絶縁層で
ある溶射被膜の耐電圧性能を向上させることがで
きる複合基板の製造方法を提供せんとするもので
ある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は上記問題点を解決するために、金属基
板の表面に絶縁性のセラミツクを溶射する際に、
低ソーダ含有ガラスを混合溶射させ、それを加熱
処理して複合基板を製造するようにしたことを特
徴とするものである。 〔発明の作用・効果〕 本発明の複合基板の製造方法は、上記のように
絶縁性のセラミツクに低ソーダ含有ガラスを混合
溶射させ、それを加熱処理するだけで良いから、
製造工程がきわめて簡単である。又、混合溶射さ
れた低ソーダ含有ガラスは、加熱処理されて溶融
するため、溶射被膜の表面粗さが大巾に改善さ
れ、ほとんど無気孔で平滑な面となり、溶射被膜
の耐電圧性能が大幅に向上する。又、エポキシ樹
脂で封孔処理した従来のものと比較し、熱抵抗も
少ない等多くの利点を有し、実用上きわめて有効
な複合基板の製造方法を提供し得るものである。 〔実施例〕 以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明
する。複合基板のベースとしては各種の金属基板
を用いることができるが、一般には安価で軽く、
酸化しにくいAl製の金属基板が多く用いられて
いる。次に、その金属基板の表面にAl2O3、
MgO、BaO等からなる絶縁性のセラミツクを溶
射するのであるが、本発明においては、それに低
ソーダ含有ガラスを混合溶射させている。なお、
低ソーダ含有ガラスとは、１価のアルカリイオン
含有率が0.5％以下のソーダ含有ガラスで、変態
点が高く、比較的高温まで強度が低下しない特性
を有している。又、混合溶射される低ソーダ含有
ガラスの添加率は、３〜25％程度が好ましく、25
％より多くなると熱放散が悪くなり、逆に３％よ
り少なすぎると、十分な効果を期待することはで
きない。次に、これを加熱処理するわけである
が、ベースがAl製の金属基板なら、加熱温度と
しては500〜650℃程度が望ましい。但し、ベース
がCu製の金属基板なら、加熱温度はもつと高く
ても良いが、酸化を防止するためN2ガス中で加
熱する必要がある。こうして加熱処理された複合
基板は低ソーダ含有ガラスの溶融によつて溶射被
膜の表面粗さが大巾に改善され、ほとんど無気孔
で平滑な面となるので、溶射被膜の耐電圧性能は
大幅に向上することになる。 〔実験例〕 本発明の有効性を確認するため、Al製の、２
mmｔ×2.5mm×2.5mmの金属基板の表面をブラスト
処理し、その粗面に、＃600のAl2O34部に低ソー
ダ含有ガラス１部を混合溶射して、厚さ約150μ
の溶射被膜をつくり、それを焼成炉に入れて550
℃で約１時間加熱処理して本発明による複合基板
を製造し、その熱抵抗と耐電圧（Ac）、表面最大
粗さ（Rmax）を測定した。次表はその測定値
と、Al2O3の溶射基板、エポキシ、ガラス基板、
エポキシ樹脂で封孔処理した場合の各測定値を対
比して示した性能比較表である。
製造方法に関するものである。 〔従来の技術〕 金属基板をベースとする複合基板は、一般に金
属基板の表面に絶縁性のセラミツクを溶射して製
造しているが、溶射被膜が多孔性であるため、耐
電圧性能が悪いという欠点があつた。そこで、従
来は溶射被膜の表面にエポキシ樹脂等の有機絶縁
物を塗布して溶射被膜の封孔処理を行ない、耐電
圧性能を向上させるようにしているが、塗布工程
が増えて面倒であると共に、逆に放熱性が低下
し、性能が悪くなるという欠点があつた。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明は、上記従来の欠点に鑑みて提案された
もので、放熱性を犠牲とすることなく、絶縁層で
ある溶射被膜の耐電圧性能を向上させることがで
きる複合基板の製造方法を提供せんとするもので
ある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は上記問題点を解決するために、金属基
板の表面に絶縁性のセラミツクを溶射する際に、
低ソーダ含有ガラスを混合溶射させ、それを加熱
処理して複合基板を製造するようにしたことを特
徴とするものである。 〔発明の作用・効果〕 本発明の複合基板の製造方法は、上記のように
絶縁性のセラミツクに低ソーダ含有ガラスを混合
溶射させ、それを加熱処理するだけで良いから、
製造工程がきわめて簡単である。又、混合溶射さ
れた低ソーダ含有ガラスは、加熱処理されて溶融
するため、溶射被膜の表面粗さが大巾に改善さ
れ、ほとんど無気孔で平滑な面となり、溶射被膜
の耐電圧性能が大幅に向上する。又、エポキシ樹
脂で封孔処理した従来のものと比較し、熱抵抗も
少ない等多くの利点を有し、実用上きわめて有効
な複合基板の製造方法を提供し得るものである。 〔実施例〕 以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明
する。複合基板のベースとしては各種の金属基板
を用いることができるが、一般には安価で軽く、
酸化しにくいAl製の金属基板が多く用いられて
いる。次に、その金属基板の表面にAl2O3、
MgO、BaO等からなる絶縁性のセラミツクを溶
射するのであるが、本発明においては、それに低
ソーダ含有ガラスを混合溶射させている。なお、
低ソーダ含有ガラスとは、１価のアルカリイオン
含有率が0.5％以下のソーダ含有ガラスで、変態
点が高く、比較的高温まで強度が低下しない特性
を有している。又、混合溶射される低ソーダ含有
ガラスの添加率は、３〜25％程度が好ましく、25
％より多くなると熱放散が悪くなり、逆に３％よ
り少なすぎると、十分な効果を期待することはで
きない。次に、これを加熱処理するわけである
が、ベースがAl製の金属基板なら、加熱温度と
しては500〜650℃程度が望ましい。但し、ベース
がCu製の金属基板なら、加熱温度はもつと高く
ても良いが、酸化を防止するためN2ガス中で加
熱する必要がある。こうして加熱処理された複合
基板は低ソーダ含有ガラスの溶融によつて溶射被
膜の表面粗さが大巾に改善され、ほとんど無気孔
で平滑な面となるので、溶射被膜の耐電圧性能は
大幅に向上することになる。 〔実験例〕 本発明の有効性を確認するため、Al製の、２
mmｔ×2.5mm×2.5mmの金属基板の表面をブラスト
処理し、その粗面に、＃600のAl2O34部に低ソー
ダ含有ガラス１部を混合溶射して、厚さ約150μ
の溶射被膜をつくり、それを焼成炉に入れて550
℃で約１時間加熱処理して本発明による複合基板
を製造し、その熱抵抗と耐電圧（Ac）、表面最大
粗さ（Rmax）を測定した。次表はその測定値
と、Al2O3の溶射基板、エポキシ、ガラス基板、
エポキシ樹脂で封孔処理した場合の各測定値を対
比して示した性能比較表である。
【表】
この表からも明らかなように、本発明に係わる
複合基板は熱抵抗が小さく、耐電圧性能が大幅に
向上していることが解る。又、本発明に係わる複
合基板の表面最大粗さ（Rmax）は、エポキシ樹
脂で封孔処理した場合と同等で、ほとんど無気孔
で平滑な面となつているので、この複合基板に各
回路素子を装着して電子回路を構成しても、ノイ
ズが発生することはなく、又、回路素子をワイヤ
ーボンデイングする際、ワイヤーの接着が不良と
なるようなこともない。 なお、封孔処理をしていない従来のAl2O3の溶
射基板と、本発明に係わる複合基板の耐湿性を比
較するため、恒温恒湿槽内で両者の耐電圧を測定
した。温度は25℃に固定し、相対湿度（％）を変
化させた場合の両者の耐電圧（KV）の変化特性
を図面に示す。この実験では50mm角の溶射基板上
に45mm角の正方形のパターンを導電ペーストによ
り形成し、その基板を恒温恒湿槽内に入れて耐電
圧をテストした。なおμは溶射被膜厚さで、Cut
−off電流は５ｍＡであつた。図から明らかなよ
うに、本発明に係わる複合基板は相対湿度が高く
なつても耐電圧が劣化しにくく、耐電圧性能が大
幅に向上することが確認され、複合基板の製造方
法として実用上きわめて有効であることがわかつ
た。
複合基板は熱抵抗が小さく、耐電圧性能が大幅に
向上していることが解る。又、本発明に係わる複
合基板の表面最大粗さ（Rmax）は、エポキシ樹
脂で封孔処理した場合と同等で、ほとんど無気孔
で平滑な面となつているので、この複合基板に各
回路素子を装着して電子回路を構成しても、ノイ
ズが発生することはなく、又、回路素子をワイヤ
ーボンデイングする際、ワイヤーの接着が不良と
なるようなこともない。 なお、封孔処理をしていない従来のAl2O3の溶
射基板と、本発明に係わる複合基板の耐湿性を比
較するため、恒温恒湿槽内で両者の耐電圧を測定
した。温度は25℃に固定し、相対湿度（％）を変
化させた場合の両者の耐電圧（KV）の変化特性
を図面に示す。この実験では50mm角の溶射基板上
に45mm角の正方形のパターンを導電ペーストによ
り形成し、その基板を恒温恒湿槽内に入れて耐電
圧をテストした。なおμは溶射被膜厚さで、Cut
−off電流は５ｍＡであつた。図から明らかなよ
うに、本発明に係わる複合基板は相対湿度が高く
なつても耐電圧が劣化しにくく、耐電圧性能が大
幅に向上することが確認され、複合基板の製造方
法として実用上きわめて有効であることがわかつ
た。
図面は未封孔のAl2O3の溶射基板と、本発明に
係わる複合基板の相対湿度（％）を変化させた場
合の、両者の耐電圧（KV）の変化特性図であ
る。
係わる複合基板の相対湿度（％）を変化させた場
合の、両者の耐電圧（KV）の変化特性図であ
る。
Claims (1)
- １ 金属基板の表面に、Al2O3、MgO、BaOの
うちから選ばれた絶縁性セラミツクを溶射する際
に、１価のアルカリイオン含有率が0.5％以下の
低ソーダ含有ガラスを該セラミツクに対して３〜
25wt％混合溶射させ、それを加熱するようにし
たことを特徴とする複合基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119151A JPS61571A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 複合基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59119151A JPS61571A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 複合基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61571A JPS61571A (ja) | 1986-01-06 |
| JPS6367552B2 true JPS6367552B2 (ja) | 1988-12-26 |
Family
ID=14754178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59119151A Granted JPS61571A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 複合基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61571A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1103778C (zh) * | 1997-11-14 | 2003-03-26 | 拜尔公司 | 含有烷氧基硅烷基团和乙内酰脲基团的化合物 |
| AT503706B1 (de) | 2006-06-07 | 2011-07-15 | Mikroelektronik Ges Mit Beschraenkter Haftung Ab | Schaltungsträger |
| DE202007012652U1 (de) | 2007-09-10 | 2007-11-22 | Bürkert Werke GmbH & Co. KG | Magnetventil |
-
1984
- 1984-06-12 JP JP59119151A patent/JPS61571A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61571A (ja) | 1986-01-06 |
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