JPS636776A - 薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS636776A JPS636776A JP61149034A JP14903486A JPS636776A JP S636776 A JPS636776 A JP S636776A JP 61149034 A JP61149034 A JP 61149034A JP 14903486 A JP14903486 A JP 14903486A JP S636776 A JPS636776 A JP S636776A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- manufacturing
- rare earth
- terbium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（！要〕
薄膜ＥＬ素子の製造方法の改良であり、薄膜ＥＬ素子の
発光効率・輝度特性を向上する改良である。
発光効率・輝度特性を向上する改良である。
母材をなす硫化亜鉛中に発光中心として添加される希土
類元素とハロゲン元素との組成比を制御することにより
、硫化亜鉛を母材とし希土類元素のハロゲン化物を発光
中心とする薄膜ＥＬ素子の発光効率・輝度を制御しうる
、という新たに発見された性質を利用した薄膜ＥＬ素子
の製造方法の改良である。
類元素とハロゲン元素との組成比を制御することにより
、硫化亜鉛を母材とし希土類元素のハロゲン化物を発光
中心とする薄膜ＥＬ素子の発光効率・輝度を制御しうる
、という新たに発見された性質を利用した薄膜ＥＬ素子
の製造方法の改良である。
発光母材材料例えば硫化亜鉛等よりなる蒸発源と発光中
心となる希土類元素例えばテルビュウム等よりなる蒸発
源との二つの独立した蒸発源を使用し、この二つの独立
した蒸発源をフン化物ガスを含むガス中で蒸発させてな
す堆積法を使用してＥＬ膜を形成する薄膜ＥＬ素子を製
造する方法である。
心となる希土類元素例えばテルビュウム等よりなる蒸発
源との二つの独立した蒸発源を使用し、この二つの独立
した蒸発源をフン化物ガスを含むガス中で蒸発させてな
す堆積法を使用してＥＬ膜を形成する薄膜ＥＬ素子を製
造する方法である。
本発明は、薄膜ＥＬ素子の発光効率・輝度特性を向上す
ることを可能にする薄膜ＥＬ素子の製造方法の改良に関
する。更に、薄膜ＥＬ素子の発光効率・輝度を実現可能
な大きさの範囲で所望の値に選択しうるようになす薄膜
ＥＬ素子の製造方法の改良に関する。
ることを可能にする薄膜ＥＬ素子の製造方法の改良に関
する。更に、薄膜ＥＬ素子の発光効率・輝度を実現可能
な大きさの範囲で所望の値に選択しうるようになす薄膜
ＥＬ素子の製造方法の改良に関する。
薄膜ＥＬ素子は発光中心として機能する希土類元素例え
ばテルビュウム、サマリュウム、ツリュウム、プラセオ
ジュウム等とハロゲン元素例えばフッ素、塩素等とを含
有する硫化亜鉛等のけい光体の多結晶薄膜に電界を印加
し、エレクトロルミネッセンス現象にもとづいて発光さ
せる発光素子であり、従来第３図に示すような直流駆動
型と第４図に示すような交流駆動型とが知られている。
ばテルビュウム、サマリュウム、ツリュウム、プラセオ
ジュウム等とハロゲン元素例えばフッ素、塩素等とを含
有する硫化亜鉛等のけい光体の多結晶薄膜に電界を印加
し、エレクトロルミネッセンス現象にもとづいて発光さ
せる発光素子であり、従来第３図に示すような直流駆動
型と第４図に示すような交流駆動型とが知られている。
第３図参照
直流駆動型の薄膜ＥＬ素子にあっては、ガラス基板等ｌ
上に、ＩＴＯ等よりなり厚さが約２，０００人の透明電
極２が形成され、その上に発光中心として機能する希土
類元素例えばテルビュウムとハロゲン元素例えばフッ素
とを含有する硫 □化亜鉛等よりなるＥＬ膜４が形成さ
れ、さらに、その上にアルミニュウム等よりなる対向電
極６が形成されている。
上に、ＩＴＯ等よりなり厚さが約２，０００人の透明電
極２が形成され、その上に発光中心として機能する希土
類元素例えばテルビュウムとハロゲン元素例えばフッ素
とを含有する硫 □化亜鉛等よりなるＥＬ膜４が形成さ
れ、さらに、その上にアルミニュウム等よりなる対向電
極６が形成されている。
第４図参照
交流駆動型の薄膜ＥＬ素子にあっては、上記の第３図に
示す層構成に加えて、ＥＬ膜４を挟んで酸窒化シリコン
、酸化アルミニュウム、Ｐ！＃化イットリュウム等より
なり厚さが約 ２．００ＯＡの第１の絶縁膜３と第２の
絶縁膜５とが形成されている。
示す層構成に加えて、ＥＬ膜４を挟んで酸窒化シリコン
、酸化アルミニュウム、Ｐ！＃化イットリュウム等より
なり厚さが約 ２．００ＯＡの第１の絶縁膜３と第２の
絶縁膜５とが形成されている。
ところで１発光中心として機能する希土類元素のうち、
テルビュウムは緑色を、サマリュウムは赤色を、ツリュ
ウムは青色を、プラセオジュウムは白色を、それぞれ発
光するが、その発光効率・ｊｌｉ１度は、テルビュウム
を除き、いづれも満足すべきものではない、最もすぐれ
ているテルビュウムにおいても１発光効率は０．１〜０
．２ルーメン／Ｗであり、また、輝度は３０フートラン
バートであり、いづれも十分満足すべきものとは言い難
く。
テルビュウムは緑色を、サマリュウムは赤色を、ツリュ
ウムは青色を、プラセオジュウムは白色を、それぞれ発
光するが、その発光効率・ｊｌｉ１度は、テルビュウム
を除き、いづれも満足すべきものではない、最もすぐれ
ているテルビュウムにおいても１発光効率は０．１〜０
．２ルーメン／Ｗであり、また、輝度は３０フートラン
バートであり、いづれも十分満足すべきものとは言い難
く。
しかも、再現性が悪い。
この問題を解決する手段として１本発明の発明者は、Ｅ
Ｌ膜に含まれる希土類元素とハロゲン元素との組成比と
発光効率・輝度との間に相関関係があり、希土類元素の
原子数とハロゲン元素の原子数とが同一の場合、最もす
ぐれた発光効率・輝度を実現することができ、ＥＬ脱膜
中含有される希土類元素とハロゲン元素との組成比を少
なくとも化学量論的組成比に比べて希土類元素の組成比
を大きくしておくことが有効であることを発見して１発
光効率・輝度特性のすぐれた薄膜ＥＬ素子の発明を完成
した。
Ｌ膜に含まれる希土類元素とハロゲン元素との組成比と
発光効率・輝度との間に相関関係があり、希土類元素の
原子数とハロゲン元素の原子数とが同一の場合、最もす
ぐれた発光効率・輝度を実現することができ、ＥＬ脱膜
中含有される希土類元素とハロゲン元素との組成比を少
なくとも化学量論的組成比に比べて希土類元素の組成比
を大きくしておくことが有効であることを発見して１発
光効率・輝度特性のすぐれた薄膜ＥＬ素子の発明を完成
した。
上記せる発明に係る８膜ＥＬ素子を製造する一方法とし
て、亜鉛と硫黄と希土類元素とハロゲン元素とを所望の
混合比に含有する複合タ−ゲットを使用してなすスパッ
タ法を使用しうる。
て、亜鉛と硫黄と希土類元素とハロゲン元素とを所望の
混合比に含有する複合タ−ゲットを使用してなすスパッ
タ法を使用しうる。
例えば、硫化亜鉛とテルビュウムとニフフ化亜鉛とを
１００： ３ ： １重量比に含有する複合ターゲット
を使用してなすスパッタ法を使用しうる。
１００： ３ ： １重量比に含有する複合ターゲット
を使用してなすスパッタ法を使用しうる。
この製造方法をもっても、希土類元素とハロゲン元素と
の組成比が同一ですぐれた発光効率・輝度を有する薄膜
ＥＬ素子の製造は可能であるが、上記せる複合ターゲッ
ト（亜鉛と殖菌と希土類元素とハロゲン元素とを所望の
混合比に有する複合ターゲット）を製造することは煩雑
であり。
の組成比が同一ですぐれた発光効率・輝度を有する薄膜
ＥＬ素子の製造は可能であるが、上記せる複合ターゲッ
ト（亜鉛と殖菌と希土類元素とハロゲン元素とを所望の
混合比に有する複合ターゲット）を製造することは煩雑
であり。
また、容易でもないうえ６硫化亜鉛のスパッタレートと
希土類元素のスパッタレートとハロゲン元素のスパッタ
レートとが大幅に相違するため、ＥＬ膜に含まれる硫化
亜鉛、希土類元素、ハロゲン元素の組成比が厚さ方向に
不均一になり、要すれば十分な厚さのＥＬ膜を再現性よ
く製造することが容易でなく６発光効率争輝度が予期し
たほど向上しない場合もあるという欠点がある。
希土類元素のスパッタレートとハロゲン元素のスパッタ
レートとが大幅に相違するため、ＥＬ膜に含まれる硫化
亜鉛、希土類元素、ハロゲン元素の組成比が厚さ方向に
不均一になり、要すれば十分な厚さのＥＬ膜を再現性よ
く製造することが容易でなく６発光効率争輝度が予期し
たほど向上しない場合もあるという欠点がある。
本発明はこれらの欠点を解消するものであり、その目的
は、ＥＬＰｆＪ中に含有される希土類元素とハロゲン元
素との！ｔＩ成比を少なくとも化学量論的組成比に比べ
て希土類元素の組成比を大きくシ。
は、ＥＬＰｆＪ中に含有される希土類元素とハロゲン元
素との！ｔＩ成比を少なくとも化学量論的組成比に比べ
て希土類元素の組成比を大きくシ。
できうればその組成比を１にして、発光効率・輝度特性
のすぐれた薄膜ＥＬ素子を製造することができ、しかも
、再現性よく十分な厚さく駆動電圧を十分大きくすれば
輝度を極めて大きくするに十分な厚さ）のＥＬ［を製造
することができる薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供するこ
とにある。
のすぐれた薄膜ＥＬ素子を製造することができ、しかも
、再現性よく十分な厚さく駆動電圧を十分大きくすれば
輝度を極めて大きくするに十分な厚さ）のＥＬ［を製造
することができる薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供するこ
とにある。
上記の目的を達成するために本発明が採った手段は５発
光母材材料よりなる蒸発源と発光中心となる希土類元素
よりなる蒸発源との二つの独立した蒸発源を使用し、こ
の二つの独立した蒸発源をフッ化物ガスを含むガス中で
蒸発させてなす堆積法を使用してＥＬ膜を形成すること
にある。
光母材材料よりなる蒸発源と発光中心となる希土類元素
よりなる蒸発源との二つの独立した蒸発源を使用し、こ
の二つの独立した蒸発源をフッ化物ガスを含むガス中で
蒸発させてなす堆積法を使用してＥＬ膜を形成すること
にある。
発光母材材料としては、硫化亜鉛、硫化力ルシュウム等
が使用可能であり、発光中心材料としては、テルビュウ
ム、サマリュウム、ツリュウム、プラセオジュウム等が
使用可能である。
が使用可能であり、発光中心材料としては、テルビュウ
ム、サマリュウム、ツリュウム、プラセオジュウム等が
使用可能である。
上記の堆積法としては、真空蒸着法やスパッタ法も有効
であるが、特許請求の範囲第５項に記載したように、二
つの独立した蒸発源から蒸発した原子を、プラズマ中を
飛行させてなす堆積法例えばイオンプレーティング法も
極めて有効である。
であるが、特許請求の範囲第５項に記載したように、二
つの独立した蒸発源から蒸発した原子を、プラズマ中を
飛行させてなす堆積法例えばイオンプレーティング法も
極めて有効である。
フッ化物としては、他の物質を７フ化しやすい物質であ
るーフッ化ｉｓ （３２Ｆ２） 、四フッ化硫黄（ＳＦ
）、−フッ化窒素（Ｎ２Ｆ２）が有効である。
るーフッ化ｉｓ （３２Ｆ２） 、四フッ化硫黄（ＳＦ
）、−フッ化窒素（Ｎ２Ｆ２）が有効である。
この発明は、ＥＬ膜４が上下の絶縁膜３，５によって挟
まれていない直流駆動型の薄１１１ＪＥＬｔ子にも、ま
た、ＥＬＰＩＩＪ４が上下の絶縁膜３．５によって挟ま
れている交流駆動型の薄膜ＥＬ素子にも実現可能である
。
まれていない直流駆動型の薄１１１ＪＥＬｔ子にも、ま
た、ＥＬＰＩＩＪ４が上下の絶縁膜３．５によって挟ま
れている交流駆動型の薄膜ＥＬ素子にも実現可能である
。
本発明の基本的思想は、硫化亜鉛を母材とし。
希土類元素とハロゲン元素例えばフッ素とが９ｉ光中心
として添加されてなるＥＬＩＩに含まれる希土類元素と
ハロゲン元素例えばフッ素との組成比をｌ：ｌにするこ
とにある。
として添加されてなるＥＬＩＩに含まれる希土類元素と
ハロゲン元素例えばフッ素との組成比をｌ：ｌにするこ
とにある。
ところで、硫化亜鉛を母材とし、希土類元素とハロゲン
元素とを発光中心とするＥＬＩ）Ｑを形成するには、硫
化亜鉛と希土類元素のハロゲン化物をソースとして使用
することが最も現実的である。
元素とを発光中心とするＥＬＩ）Ｑを形成するには、硫
化亜鉛と希土類元素のハロゲン化物をソースとして使用
することが最も現実的である。
ところが、希土類元素とハロゲン元素との化合物は１例
えば三フフ化テルビュウムのように。
えば三フフ化テルビュウムのように。
その組成比がｌ；ｌではない、そのため、このようなソ
ースを使用して形成されるＥＬＩＩ９は、ハロゲン元素
を多量に含有しがちである。そこで。
ースを使用して形成されるＥＬＩＩ９は、ハロゲン元素
を多量に含有しがちである。そこで。
希土類元素の添加量を増大することを目的として、上記
せるように、例えば、硫化亜鉛とテルビュウムとニフッ
化亜鉛とを １００： ３ ： １ ｆｉ量比に含有す
る複合ターゲットを使用してなすスパッタ法を使用して
いたが、上記せる種々な欠点を避は難かった。
せるように、例えば、硫化亜鉛とテルビュウムとニフッ
化亜鉛とを １００： ３ ： １ ｆｉ量比に含有す
る複合ターゲットを使用してなすスパッタ法を使用して
いたが、上記せる種々な欠点を避は難かった。
このような欠点をともなわずに、希土類元素の添加量を
増大するため１本発明においては、発光母材の材料例え
ば硫化亜鉛、硫化力ルシュウム等と１発光中心となる希
土類元素例えばテルビュウム、サマリュウム、ツリュウ
ム、プラセオジュウム等とを独立の蒸発源とし、この蒸
発源を、フッ化力の大きなフシ化物例えば−フッ化硫黄
（Ｓ Ｆ ） 、四フッ化硫傭（ＳＦ、）、−フッ他室
素（８２Ｆ２）等のガス中において蒸発させ、これを堆
積させてＥＬ膜を形成することとしたものである。
増大するため１本発明においては、発光母材の材料例え
ば硫化亜鉛、硫化力ルシュウム等と１発光中心となる希
土類元素例えばテルビュウム、サマリュウム、ツリュウ
ム、プラセオジュウム等とを独立の蒸発源とし、この蒸
発源を、フッ化力の大きなフシ化物例えば−フッ化硫黄
（Ｓ Ｆ ） 、四フッ化硫傭（ＳＦ、）、−フッ他室
素（８２Ｆ２）等のガス中において蒸発させ、これを堆
積させてＥＬ膜を形成することとしたものである。
上記の一フッ化ｆ！黄（５２Ｆ２）、四フッ化硫黄（Ｓ
Ｆ）、−フッ化窒素（Ｎ２Ｆ２）等のガスはフッ化力が
強いから、Ｊ：記の希土類元素は、蒸発源上。
Ｆ）、−フッ化窒素（Ｎ２Ｆ２）等のガスはフッ化力が
強いから、Ｊ：記の希土類元素は、蒸発源上。
飛行中、または、基板上で、フッ化される。
たＣ、フッ化の程度は、フッ化が蒸発源上で主としてな
されるときは蒸発のために蒸発源に印加される電力をも
って、フッ化が飛行中または基板上で主としてなされる
ときは空間に存在するプラズマの電力密度またはフッ化
物ガスの圧力をもって、容易に制御しうるので、基板上
に堆積される硫化亜鉛膜中に含まれる希土類元素の原子
数とフッ素の原子数とは同一となしうる。その結果、膜
質が極めて良好になり、薄１５１ＥＬ素子の発光特性が
向上する。
されるときは蒸発のために蒸発源に印加される電力をも
って、フッ化が飛行中または基板上で主としてなされる
ときは空間に存在するプラズマの電力密度またはフッ化
物ガスの圧力をもって、容易に制御しうるので、基板上
に堆積される硫化亜鉛膜中に含まれる希土類元素の原子
数とフッ素の原子数とは同一となしうる。その結果、膜
質が極めて良好になり、薄１５１ＥＬ素子の発光特性が
向上する。
実験の結果によれば１本発明に係る９Ｊ膜ＥＬ素子の製
造方法を実施して製造したＦｉ薄膜ＥＬ素子輝度（発光
しきいイ１電圧を３０Ｖ超過する電圧に対応する輝度）
対電圧特性は、第５図にＡをもって示すように、従来技
術（図にＢをもって示す、）の３０フートランバートに
比し、５０フートランバートと向上している。
造方法を実施して製造したＦｉ薄膜ＥＬ素子輝度（発光
しきいイ１電圧を３０Ｖ超過する電圧に対応する輝度）
対電圧特性は、第５図にＡをもって示すように、従来技
術（図にＢをもって示す、）の３０フートランバートに
比し、５０フートランバートと向上している。
以下１図面を参照しつ〜、ｆＥ化亜鉛と、テルビュウム
とをターゲットとし、四フッ化硫黄ガスを１０％含有す
るアルゴンガスをスパッタガスとしてなすスパッタリン
グ法を使用してＥＬ膜を形成する、本発明の二つの実施
例（交流駆動型と直流駆動型）に係る薄膜ＥＬ素子の製
造方法についてさらに説明する。
とをターゲットとし、四フッ化硫黄ガスを１０％含有す
るアルゴンガスをスパッタガスとしてなすスパッタリン
グ法を使用してＥＬ膜を形成する、本発明の二つの実施
例（交流駆動型と直流駆動型）に係る薄膜ＥＬ素子の製
造方法についてさらに説明する。
１工ｊ
’−−１−Ｅｌ、−
第１ａ図参照
スパッタ法を使用して、ガラス基板ｌ上に厚さ約 ２，
０００人のＩＴＯ膜よりなる透光性電極２と酸化アルミ
ニュウムよりなり厚さ約２，０ＯＯＡの第１の絶縁膜３
とを形成する。
０００人のＩＴＯ膜よりなる透光性電極２と酸化アルミ
ニュウムよりなり厚さ約２，０ＯＯＡの第１の絶縁膜３
とを形成する。
第２図併参照
つづいて１図示するようなスパッタ装置を使用してＥＬ
膜を形成する０図において、１３は真空容器であり、排
気系１４により容器内を２Ｘ１０ Ｔｏｒｒ以下に排
気した後、四フッ化硫黄を１０％含むアルゴンガスを、
ガス導入口１５から導入し、容器内の圧力を０．００５
〜０．０１Ｔ ｏｒｒに保持する。 １１は回転型基板
保持手段であり、基板１２を保持し１本実施例にあって
は２０ｒｐ■をもって回転する。９．ＩＯはターゲット
支持手段であり、それぞれ発光母材たる硫化亜鉛ターゲ
ット７と発光中心たるテルビュウムターゲット８とを支
持する。ターゲット支持手段９．１０には、それぞれマ
ツチング回路１Ｂ、１７を介して、 １３．５８ＭＨ
ｚのＲＦ電源１Ｂ、１３が接続されている。
膜を形成する０図において、１３は真空容器であり、排
気系１４により容器内を２Ｘ１０ Ｔｏｒｒ以下に排
気した後、四フッ化硫黄を１０％含むアルゴンガスを、
ガス導入口１５から導入し、容器内の圧力を０．００５
〜０．０１Ｔ ｏｒｒに保持する。 １１は回転型基板
保持手段であり、基板１２を保持し１本実施例にあって
は２０ｒｐ■をもって回転する。９．ＩＯはターゲット
支持手段であり、それぞれ発光母材たる硫化亜鉛ターゲ
ット７と発光中心たるテルビュウムターゲット８とを支
持する。ターゲット支持手段９．１０には、それぞれマ
ツチング回路１Ｂ、１７を介して、 １３．５８ＭＨ
ｚのＲＦ電源１Ｂ、１３が接続されている。
本実施例においては基板温度を、３００℃に保持し１回
転型基板支持手段１１を回転しなからスノクツタをなす
と、テルビュウムターゲット８は。
転型基板支持手段１１を回転しなからスノクツタをなす
と、テルビュウムターゲット８は。
四フッ化硫黄の強いフッ化力により一部フフ化されてフ
ッ素とテルビュウムの組成物となり、このフッ素とテル
ビュウムの組成物が四フッ化硫黄ガス中を飛行して基板
１２に到着するが、このとき、飛行中にさらにフッ化さ
れてフッ素の含有量が増加した状態で基板に到着する。
ッ素とテルビュウムの組成物となり、このフッ素とテル
ビュウムの組成物が四フッ化硫黄ガス中を飛行して基板
１２に到着するが、このとき、飛行中にさらにフッ化さ
れてフッ素の含有量が増加した状態で基板に到着する。
また、基板１２に堆積した後にもフッ化は進行する。と
ころで。
ころで。
このフン化の程度は、テルビュウムターゲット８に印加
されるＲＦ主電力四フッ化硫黄のプラズマ電力密度に依
存するから、各ターゲ、）７．８に印加されるＲＦ主電
力制御することによって基板１２上に堆積される硫化亜
鉛中のテルビュウムとフッ素の組成比を１に制御しうる
。
されるＲＦ主電力四フッ化硫黄のプラズマ電力密度に依
存するから、各ターゲ、）７．８に印加されるＲＦ主電
力制御することによって基板１２上に堆積される硫化亜
鉛中のテルビュウムとフッ素の組成比を１に制御しうる
。
このようにして、厚さ約ｓ 、ｏｏｏ人の膜を形成した
後、約４５０℃において約１時間熱処理をなしＥＬＩＩ
９４を形成する。
後、約４５０℃において約１時間熱処理をなしＥＬＩＩ
９４を形成する。
次に、電子ビーム蒸若法を使用して、酸化イツトリュウ
ムよりなり厚さが約２，０ＯＯＡの第２の絶縁膜５を形
成し、さらに、蒸着法またはスパッタ法を使用してアル
ミニュウムよりなる対向電極（背面電極〕６を形成する
。
ムよりなり厚さが約２，０ＯＯＡの第２の絶縁膜５を形
成し、さらに、蒸着法またはスパッタ法を使用してアル
ミニュウムよりなる対向電極（背面電極〕６を形成する
。
以上の工程をもって製造したＭｌ）ｉＥＬ素子のＥＬ膜
４は、テルビエウムとフッ素の組成比がお−むね１：１
とされているので１発光効率−輝度（発光しきい値電圧
を３０Ｖ超過する電圧に対応する輝度）は第５図のＡ（
本発明）に、従来技術（Ｂをもって示す）と比較して示
すように、それぞれ、２．０ルーメン／Ｗ、５０フート
ランバートであり、従来技術に比し約２倍に向上してい
る。
４は、テルビエウムとフッ素の組成比がお−むね１：１
とされているので１発光効率−輝度（発光しきい値電圧
を３０Ｖ超過する電圧に対応する輝度）は第５図のＡ（
本発明）に、従来技術（Ｂをもって示す）と比較して示
すように、それぞれ、２．０ルーメン／Ｗ、５０フート
ランバートであり、従来技術に比し約２倍に向上してい
る。
第１ｂ図参照
上記と同様にして、スパッタ法を使用して。
ガラス基板１上に厚さ約２，０ｆ）０人のＩＴＯＩｌｇ
よりなる透光性電極２を形成する。
よりなる透光性電極２を形成する。
つづいて、上記と同様にして、テルビエウムとフッ素と
を等量に含有する硫化亜鉛の膜を厚さ約 ｅ、ｏｏｏ人
に形成した後、約４５０”０において約１時間熱処理を
なしＥＬ膜４を形成する。
を等量に含有する硫化亜鉛の膜を厚さ約 ｅ、ｏｏｏ人
に形成した後、約４５０”０において約１時間熱処理を
なしＥＬ膜４を形成する。
次に、上記と同様にして、蒸着法またはスバ７り法を使
用してアルミニュウムよりなる対向電極（背面電極）６
を形成する。
用してアルミニュウムよりなる対向電極（背面電極）６
を形成する。
以上の工程をもって製造した薄膜ＥＬ素子のＥＬＭ４は
、テルビエウムとフッ素の組成比がお−むねｌ：ｌにさ
れいるので、発光効率・輝度（発光しきい値電圧を３０
Ｖ超過する電圧に対応する輝度）は、それぞれ、２ルー
メン／Ｗ、５０フートランバートであり、従来技術に比
し約２倍に向上している。
、テルビエウムとフッ素の組成比がお−むねｌ：ｌにさ
れいるので、発光効率・輝度（発光しきい値電圧を３０
Ｖ超過する電圧に対応する輝度）は、それぞれ、２ルー
メン／Ｗ、５０フートランバートであり、従来技術に比
し約２倍に向上している。
以１説明せるとおり、本発明に係る薄膜ＥＬ素子の製造
方法においては、発光母材材料例えば硫化亜鉛よりなる
蒸発源と発光中心となる希土類元素例えばテルビエウム
よりなる蒸発源との二つの独立した蒸発源を使用し、こ
の二つの独立した蒸発源を、フッ化力の強いフッ化物例
えば−フッ化硫黄、四フッ化硫黄または一フフ化窒素の
ガスを含むガス中で蒸発させてなす堆積法を使用してＥ
Ｌ膜を形成することとされているので、この７ツ化物の
強いフッ化力により、テルビエウムターゲットとして与
えられたテルビエウムが。
方法においては、発光母材材料例えば硫化亜鉛よりなる
蒸発源と発光中心となる希土類元素例えばテルビエウム
よりなる蒸発源との二つの独立した蒸発源を使用し、こ
の二つの独立した蒸発源を、フッ化力の強いフッ化物例
えば−フッ化硫黄、四フッ化硫黄または一フフ化窒素の
ガスを含むガス中で蒸発させてなす堆積法を使用してＥ
Ｌ膜を形成することとされているので、この７ツ化物の
強いフッ化力により、テルビエウムターゲットとして与
えられたテルビエウムが。
ターゲットの状態で、飛行中に、または、基板に堆積し
た後に１．フッ化され、その結果、希土類元素の原子数
とツー／素元素の原子数とはお−むね同一とされ、すぐ
れた発光効率・輝度の？！１膜ＥＬ素子を製造すること
ができる。
た後に１．フッ化され、その結果、希土類元素の原子数
とツー／素元素の原子数とはお−むね同一とされ、すぐ
れた発光効率・輝度の？！１膜ＥＬ素子を製造すること
ができる。
第１ａ図は１本発明の実施例に係る交魔駆動型薄１漠Ｅ
Ｌ素子の構造図である。 第１ｂ図は、本発明の実施例に係る直流駆動型薄膜ＥＬ
素子の構造図である。 第２図は１本発明の実施例に使用されるスパッタ装置の
構造図である。 第３図は、従来技術に係る直流駆動型ｆ４膜ＥＬ素子の
構造図である。 第４図は、従来技術に係る交流駆動型薄膜ＥＬ素子の構
造図である。 第５図は１本発明の一実施例に係る薄膜ＥＬ素子の製造
方法を実施して製造した交流駆動型薄膜ＥＬ素子の輝度
対電圧関係を従来技術の輝度（発光しきい値電圧を３Ｏ
Ｎ／超過する電圧に対応する輝度）対電圧関係とを比較
して表すグラフである。 １・・・透光性基板（ガラス基板）、 ２・・・透光性電極（ＩＴＯ電極）、 ３・拳・第１の絶縁膜（酸化窒化シリコン、酸化アルミ
ニュウム、酸化イットリュウム）。 ４・・・ＥＬ膜（１＆化亜鉛と希土類元素とハロゲン元
素との組成物）。 ５・・・第２の絶縁膜（酸化窒化シリコン、酸化アルミ
ニュウム、酸化イットリュウム）。 ６・・・対向電極（背面′ｉ扛極）、 ７−・・発光母材ターゲット（硫化亜鉛）、８・・奉発
光中心ターゲット（テルビエウム）、９．１０・・番タ
ーゲット支持手段、 １１・・・回転型基板支持手段、 １２・・・基板、 １３φ−−真空容器、 。 １４・・・排気系、 １５・１ガス導入口、 １Ｂ、１７・・・カップリング回路。 １８．１９・・・ＲＦ主電源 一／ 第１ｑ 図 本発明 第１ｂ図 本発明 スノザ・フッ′ｊＬ寸雪５ 第３図 従来技術 第４ 図 従来技術
Ｌ素子の構造図である。 第１ｂ図は、本発明の実施例に係る直流駆動型薄膜ＥＬ
素子の構造図である。 第２図は１本発明の実施例に使用されるスパッタ装置の
構造図である。 第３図は、従来技術に係る直流駆動型ｆ４膜ＥＬ素子の
構造図である。 第４図は、従来技術に係る交流駆動型薄膜ＥＬ素子の構
造図である。 第５図は１本発明の一実施例に係る薄膜ＥＬ素子の製造
方法を実施して製造した交流駆動型薄膜ＥＬ素子の輝度
対電圧関係を従来技術の輝度（発光しきい値電圧を３Ｏ
Ｎ／超過する電圧に対応する輝度）対電圧関係とを比較
して表すグラフである。 １・・・透光性基板（ガラス基板）、 ２・・・透光性電極（ＩＴＯ電極）、 ３・拳・第１の絶縁膜（酸化窒化シリコン、酸化アルミ
ニュウム、酸化イットリュウム）。 ４・・・ＥＬ膜（１＆化亜鉛と希土類元素とハロゲン元
素との組成物）。 ５・・・第２の絶縁膜（酸化窒化シリコン、酸化アルミ
ニュウム、酸化イットリュウム）。 ６・・・対向電極（背面′ｉ扛極）、 ７−・・発光母材ターゲット（硫化亜鉛）、８・・奉発
光中心ターゲット（テルビエウム）、９．１０・・番タ
ーゲット支持手段、 １１・・・回転型基板支持手段、 １２・・・基板、 １３φ−−真空容器、 。 １４・・・排気系、 １５・１ガス導入口、 １Ｂ、１７・・・カップリング回路。 １８．１９・・・ＲＦ主電源 一／ 第１ｑ 図 本発明 第１ｂ図 本発明 スノザ・フッ′ｊＬ寸雪５ 第３図 従来技術 第４ 図 従来技術
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］透光性基板（１）上に、透光性電極（２）を形成
し、 該透光性電極（２）上に、ＥＬ膜（４）を形成し、 該ＥＬ膜（４）上に、対向電極（６）を形成する薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法において、 前記ＥＬ膜（４）は発光母材材料よりなる蒸発源（７）
と発光中心となる希土類元素よりなる蒸発源（８）との
二つの独立した蒸発源を使用し、該二つの独立した蒸発
源をフッ化物ガスを含むガス中で蒸発させてなす堆積法
を使用して形成することを特徴とする薄膜ＥＬ素子の製
造方法。 ［２］前記ＥＬ膜（４）を挟んで第１の絶縁膜（３）と
第２の絶縁膜（５）とを形成する工程を有することを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜ＥＬ素子の製
造方法。 ［３］前記堆積法はスパッタリング法であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の薄膜Ｅ
Ｌ素子の製造方法。 ［４］前記堆積法は真空蒸着法であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項または第２項記載の薄膜ＥＬ素子
の製造方法。 ［５］前記堆積法は、前記二つの独立した蒸発源から蒸
発した原子を、プラズマ中を飛行させてなす堆積法であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項、第
３項または第４項記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。 ［６］前記二つの独立した蒸発源から蒸発した原子を，
プラズマ中を飛行させてなす堆積法はイオンプレーティ
ング法であることを特徴とする特許請求の範囲第５項記
載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。 ［７］前記フッ化物は、一フッ化硫黄、四フッ化硫黄ま
たは一フッ化窒素であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項、第２項、第３項、第４項、第５項または第６
項記載の薄膜ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61149034A JPS636776A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61149034A JPS636776A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636776A true JPS636776A (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=15466216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61149034A Pending JPS636776A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636776A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04248292A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-09-03 | Fuji Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示パネルの発光膜の成膜方法 |
| US9267565B2 (en) | 2012-06-08 | 2016-02-23 | Sumitomo Riko Company Limited | Vibrating member attachment structure |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP61149034A patent/JPS636776A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04248292A (ja) * | 1991-01-24 | 1992-09-03 | Fuji Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示パネルの発光膜の成膜方法 |
| US9267565B2 (en) | 2012-06-08 | 2016-02-23 | Sumitomo Riko Company Limited | Vibrating member attachment structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63230869A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP2003155480A (ja) | 酸化物蛍光体及びエレクトロルミネッセンス素子並びにその製造方法 | |
| JPS6141112B2 (ja) | ||
| JPS636774A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS6276281A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS62140395A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS62140394A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS636775A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS636773A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPH077711B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JP2620550B2 (ja) | Ｅｌ薄膜の形成方法 | |
| JP2730931B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS61273894A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS61211993A (ja) | Ｅｌパネルの製造方法 | |
| JPS6276282A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS6381791A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 | |
| JPS63199860A (ja) | 薄膜ｅｌ発光層の製造方法 | |
| JPS62211895A (ja) | エレクトロルミネツセンス素子の製造方法 | |
| JPS61253797A (ja) | エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
| JPS59143297A (ja) | 交流駆動薄膜電場発光素子 | |
| JPS60172196A (ja) | エレクトロルミネセンス素子およびその製造法 | |
| JPH02306591A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造法 | |
| JPH0395893A (ja) | 蛍光体薄膜の製造方法および薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH0266872A (ja) | 白色発光薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS63294693A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |