JPS636864A - トランジスタ装置 - Google Patents
トランジスタ装置Info
- Publication number
- JPS636864A JPS636864A JP61150420A JP15042086A JPS636864A JP S636864 A JPS636864 A JP S636864A JP 61150420 A JP61150420 A JP 61150420A JP 15042086 A JP15042086 A JP 15042086A JP S636864 A JPS636864 A JP S636864A
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- JP
- Japan
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- heat
- metal plate
- transistor
- plate
- dielectric substrate
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、トランジスタ装置、特に、ペルチェ効果を
利用して放熱をよくするトランジスタ装置に関するもの
である◇ 〔従来の技術〕 従来例によるこの種の高周波高出力トランジスタ装置の
概要構成を第２図に示す。この図において、符号（１）
は放熱板、（”’）は板面にパターニングされたメタラ
イズ部（３ｍ） （３ｂ）を有して放熱板（１）上に取
り付けられた誘電体基板、（４）はこの誘電体基板（２
ａ）上に塔載されるトランジスタであり、また（５）お
よび（６）は接地部および入力部へそれぞれ接続される
接地および入力ワイヤ、（７）および（８）は人力部お
よび出力部の入力および出力リードである。
利用して放熱をよくするトランジスタ装置に関するもの
である◇ 〔従来の技術〕 従来例によるこの種の高周波高出力トランジスタ装置の
概要構成を第２図に示す。この図において、符号（１）
は放熱板、（”’）は板面にパターニングされたメタラ
イズ部（３ｍ） （３ｂ）を有して放熱板（１）上に取
り付けられた誘電体基板、（４）はこの誘電体基板（２
ａ）上に塔載されるトランジスタであり、また（５）お
よび（６）は接地部および入力部へそれぞれ接続される
接地および入力ワイヤ、（７）および（８）は人力部お
よび出力部の入力および出力リードである。
そして、この従来例の構成にあって、トランジスタ（４
）により発生した熱は下方に流れ、メタライズ部（３ａ
） （３ｂ）を有した誘電体基板（２１Ｌ）を通して、
放熱板（１）により放熱される。
）により発生した熱は下方に流れ、メタライズ部（３ａ
） （３ｂ）を有した誘電体基板（２１Ｌ）を通して、
放熱板（１）により放熱される。
この従来例構成の場合、トランジスタ（４）の熱抵抗、
および誘電体基板（２ａ）のメタライズ部（５１））へ
のダイボンドの良否により、熱拡散が悪くなる可能性が
あった。
および誘電体基板（２ａ）のメタライズ部（５１））へ
のダイボンドの良否により、熱拡散が悪くなる可能性が
あった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、トランジスタ（４）の温度を低く保ち、熱
による特性の低下を最小限におさえることのできるトラ
ンジスタ装置を得ることを目的とする。
れたもので、トランジスタ（４）の温度を低く保ち、熱
による特性の低下を最小限におさえることのできるトラ
ンジスタ装置を得ることを目的とする。
この発明に係るトランジスタ装置は、ベルチェ効果を利
用した冷却素子を有するものである。
用した冷却素子を有するものである。
この発明におけるベルチェ効果を利用した冷却素子は、
トランジスタにより発生した熱を強制的に吸熱する。
トランジスタにより発生した熱を強制的に吸熱する。
以下、この発明の一実施例を図につ−て説明する。第１
図にお−て、符号（１）は放熱板、（２）は板面の両面
にパターニングされたメタライズ部（３ａ）（３ｂ）を
有して放熱板（１）に取り付けられた誘電体基板、（４
）はこの誘電体基板（２）上に塔載される高周波高出力
トランジスタであり、（９−） （９ｂ）は放熱板（１
）および誘電体基板（２）に取り付けられた金属板、（
１０は金属板（９ｂ）とメタライズ部（ｓｂ）をつなぐ
導電体、■はＰ型半導体である。
図にお−て、符号（１）は放熱板、（２）は板面の両面
にパターニングされたメタライズ部（３ａ）（３ｂ）を
有して放熱板（１）に取り付けられた誘電体基板、（４
）はこの誘電体基板（２）上に塔載される高周波高出力
トランジスタであり、（９−） （９ｂ）は放熱板（１
）および誘電体基板（２）に取り付けられた金属板、（
１０は金属板（９ｂ）とメタライズ部（ｓｂ）をつなぐ
導電体、■はＰ型半導体である。
この実施例構成においては、出力リード（８）から流れ
てくる電流は、メタライズ部（３ｂ） 、導電体αＯ９
金属板（９ｂ）、Ｉ’型半導体０．金属板（９ａ）を通
り放熱板（１）に流れる。放熱に関してみるとき、ベル
チェ効果によシ金属板（９ｂ）とＰ型半導体Ｉとの接合
部は強制的に吸熱され、金属板（９＆）とＰ型半導体０
との接合部で発生した熱は、放熱板（１）により放熱す
る。そのため、トランジスタ（４）により発生した熱は
すぐに放熱し得るのである。
てくる電流は、メタライズ部（３ｂ） 、導電体αＯ９
金属板（９ｂ）、Ｉ’型半導体０．金属板（９ａ）を通
り放熱板（１）に流れる。放熱に関してみるとき、ベル
チェ効果によシ金属板（９ｂ）とＰ型半導体Ｉとの接合
部は強制的に吸熱され、金属板（９＆）とＰ型半導体０
との接合部で発生した熱は、放熱板（１）により放熱す
る。そのため、トランジスタ（４）により発生した熱は
すぐに放熱し得るのである。
なお、上記実施例では、ベルチェ効果を用いた冷却素子
として、金属板−Ｐ型半導体−金属板を用いたものを示
したが、金属板−金属板、金属板−Ｎ型半導体−金属板
を用−てもよい。
として、金属板−Ｐ型半導体−金属板を用いたものを示
したが、金属板−金属板、金属板−Ｎ型半導体−金属板
を用−てもよい。
また、金属板（９ａ）を放熱板（１）で代用してもよい
。
。
以上のように、この発明によれは、トランジスタ下部に
強制的に吸熱が行なわれるように構成したので、トラン
ジスタにより発生し上熱の放熱が短時間で可能になり、
熱によるトランジスタの特性低下を最小限におさえるこ
とができるものである。
強制的に吸熱が行なわれるように構成したので、トラン
ジスタにより発生し上熱の放熱が短時間で可能になり、
熱によるトランジスタの特性低下を最小限におさえるこ
とができるものである。
第１図は、この発明の一実施例による高周波高山トラン
ジスタ装置を示す断面側面図、第２図は従来の高周波高
出力トランジスタ装置を示す断面側面図である。 図において、（１）・・・放熱板、（２）（２ａ）・・
・誘電体基板、（３ａ） （３ｂ）・・・メタライズ部
、（４）・・・トランジスタ、ｔＳ＞および（６）・・
・接地および入力ワイヤ、（７）および（８）・・・入
力および出力リード、（９−） （９ｂ）・・・金属板
、ＱＯ・・・導電体、α℃・・・Ｐｉ半導体である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
ジスタ装置を示す断面側面図、第２図は従来の高周波高
出力トランジスタ装置を示す断面側面図である。 図において、（１）・・・放熱板、（２）（２ａ）・・
・誘電体基板、（３ａ） （３ｂ）・・・メタライズ部
、（４）・・・トランジスタ、ｔＳ＞および（６）・・
・接地および入力ワイヤ、（７）および（８）・・・入
力および出力リード、（９−） （９ｂ）・・・金属板
、ＱＯ・・・導電体、α℃・・・Ｐｉ半導体である。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）板面にパターニングされたメタライズ部を有して
、放熱板上に取り付けられた誘電体基板と、この誘電体
基板上に塔載されるトランジスタとを備えた構成におい
て、前記誘電体基板と放熱板の間にペルチエ効果を用い
た冷却素子を形成したことを特徴とするトランジスタ装
置。 - （２）上記ペルチエ効果を用いた冷却素子が、金属板−
金属板、金属板−Ｎ型半導体−金属板、または金属板−
Ｐ型半導体−金属板であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のトランジスタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150420A JPS636864A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | トランジスタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150420A JPS636864A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | トランジスタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636864A true JPS636864A (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=15496547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61150420A Pending JPS636864A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | トランジスタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636864A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456354U (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-14 | ||
| US5818052A (en) * | 1996-04-18 | 1998-10-06 | Loral Fairchild Corp. | Low light level solid state image sensor |
| US5895964A (en) * | 1993-06-30 | 1999-04-20 | Pioneer Electronic Corporation | Thermoelectric cooling system |
| JP2004516653A (ja) * | 2000-12-11 | 2004-06-03 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | Ｒｆおよびマイクロ波通信集積回路用熱電スポット冷却装置 |
| WO2010050490A1 (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-06 | 株式会社ワイ・ワイ・エル | 半導体装置と冷却方法 |
-
1986
- 1986-06-26 JP JP61150420A patent/JPS636864A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0456354U (ja) * | 1990-09-21 | 1992-05-14 | ||
| US5895964A (en) * | 1993-06-30 | 1999-04-20 | Pioneer Electronic Corporation | Thermoelectric cooling system |
| US5818052A (en) * | 1996-04-18 | 1998-10-06 | Loral Fairchild Corp. | Low light level solid state image sensor |
| JP2004516653A (ja) * | 2000-12-11 | 2004-06-03 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | Ｒｆおよびマイクロ波通信集積回路用熱電スポット冷却装置 |
| WO2010050490A1 (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-06 | 株式会社ワイ・ワイ・エル | 半導体装置と冷却方法 |
| JP5453296B2 (ja) * | 2008-10-28 | 2014-03-26 | 株式会社ワイ・ワイ・エル | 半導体装置 |
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