JPS6369460A

JPS6369460A - 整流回路

Info

Publication number: JPS6369460A
Application number: JP21482786A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Yamamoto; 善洪山本; Hitoshi Okamura; 斉岡村
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1986-09-10
Filing date: 1986-09-10
Publication date: 1988-03-29

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］え、単相半波整流回路と倍電圧整流回路に切り換えられ
る整流回路に関するものである。

［従来の技術］第５図は従来の自動切換型の整流回路を示す。

第５図において、（１）は交流電源、（２）はスイッチ
、（３）はスイッチ（２）のＯＮ時に突入電流を抑制す
る抵抗体（以下、インラッシュ抵抗という、　）　、　
（４）は単相半波整流回路型と倍電圧整流回路型との切
換を行なうサイリスタ、（５）　　、　（８）は整流ダ
イオード、（７）、（８）は直列接続された第１お、よ
び第２のコンデンサ、（８）は負荷である。

上記サイリスタ（４）の図示しないゲート回路は、交流
電源（１）の電圧が基準電圧より高い高入力電圧の場合
に、サイリスタ（４）をＯＦＦ状態にして、単相半波整
流回路を形成し、また、基準電圧より低い低入力電圧の
場合に、サイリスタ（４）をＯＮ状態として、倍電圧整
流回路を形成する。

第６図は単相半波整流回路時の突入電流（１１）の奴■
す一二１４表＾づ　六冶側１＋ｚ　ａ＜ｒｐモの正膓性
のときに突入電流（１１）は矢印の方向に流れ、第１の
コンデンサ（７）を充電する第１の充電回路（１２）が
形成される。このとき、サイリスタ（０はＯＦＦ状態で
ある。交流電源（１）が逆極性のときは電流が流れない
。こうして、単相半波整流がなされる。

第７図及び第８図は倍電圧整流回路時の突入電流（１１
）の経路を示す。ここで、交流電源（１）が第７図に示
す正極性のとき、突入電流（１１）の経路は単相半波整
流回路時（第６図）と等しく、第８図に示す逆極性のと
さ、交流電源（１）の経路は矢印で示すようになり、第
２のコンデンサ（８）を充電する第２の充電回路（１３
）が形成される。こうして、２つのコンデンサ（７）　
　、　（８）が充電され、負荷（９）に交流電源（１）
の２倍の電圧が印加される。

第６図、第７図及び第８図において、突入″電流（１１
）は、スイッチ（２）の投入時にコンデンサ（７）また
は（８）を充電する電流であり、その波高値は、スイッ
チ（２）の投入時の交流電源電圧の波高値に関係し、こ
の波高値が大きくなるにしたがって増加する。また、イ
ンラッシュ抵抗（３）の抵抗値は突入電流（１１）の最
大波高値を制限し、抵抗値が大きくなれば突入電流（１
１）の最大波高値は減少する。

また、定常状態、つまりスイッチ（２）の投入時より十
分な時間を経た状態において、コンデンサ（７）または
（８）を充電する電流（以Ｆ、充電電流と呼ぶ、）の電
流値は、負荷（９）がほぼ一定の電力を必要とするため
、負荷（９）の両端の電圧値によって決まり、その経路
は突入電流（１１）の経路に等しい。よって、充’ｉｔ
ｔ流は単相半波整流回路時には第６図の突入電流（１１
）の経路で、倍電圧整流回路時には第７図及び第８図の
突入電流（１１）の経路となるため、負荷（３）の両端
の電圧が等しい場合のインラッシュ抵抗（３）に流れる
充電電流は。

単相半波整流時に比べ倍電圧整流回路時の方が倍ぐらい
になる。また、同じ整流回路系においても、低入力電圧
時の方が負荷（３）の両端の電圧が低くなるため、イン
ラッシュ抵抗（３）に流れる充電電流は大きくなる。

したがって、交流電源（１）の電圧が基準電圧より高い
高入力電圧時には突入電流は大きく充電電流は小さくな
り、基準電圧より低い低入力電圧時には突入電流は小さ
く充電電流が大きくなる。

［発明が解決しようとする問題点］従来の自動切換型整流回路では、１個のインラッシュ抵
抗（３）で突入電流制限効果をもたしており、単相半波
整流回路時の突入電流を適当な値に抑制するために、イ
ンラッシュ抵抗の抵抗値はある程度の値よりも小さくで
きず、一方、インラッシュ抵抗の消費電力が、単相半波
整流回路時に比べて充電電流の大きい倍電圧整流回路時
の方が大きくなるため、インラッシュ抵抗の電力容量を
大きくする必要があるという問題があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、突入電流に対してインラッシュ抵抗の抵抗値
を、単相半波整流回路時には大きく、倍電圧整流回路時
には小さくすることによ小さいインラッシュ抵抗を使用
できる整流回路を得ることを目的とする。

［問題点を解決するための手段］この発明に係る整流回路は、交流電源が正極性のときに
第１のコンデンサを充電する第１の充電回路に、突入電
流を制限する複数のインラッシュ抵抗が直列に接続され
、これら複数のインラッシュ抵抗の一部は、上記交流電
源が逆極性で、かつその電圧が基準電圧よりも低いとき
に第２のコンデンサを充電する第２の充電回路に接続さ
れている。　。

［作用］この発明によれば、第１の充電回路を充電する単相半波
整流回路時には、直列接続された複数のインラッシュ抵
抗により突入電流が抑制され、第１および第２の充電回
路を充電する倍電圧整流回路時には、主にそのインラッ
シュ抵抗の一部のみに電流が流れるので、インラッシュ
抵抗による消費電力が抑制される。

明　　　細　　　書１、発明の名称整流回路２、特許請求の範囲（１）直列接続された第１および第２のコンデンサを有
し、交流電源の電圧が基準電圧よりも高いときは、上記
第１のコンデンサを充電して単相半波整流回路となり、
交流電源の電圧が基準電圧よりも低いときは、上記第１
および第２のコンデンサを充電して倍電圧整流回路とな
る整流回路において、上記交流電源が正極性のときに第
１のコンデンサを充電する第１の充電回路に、突入電流
を制限する複数の抵抗体が直列に接続され、これら複数
の抵抗体の一部は、上記交流電源が逆極性で、かつその
電圧が基準電圧よりも低いときに第２のコンデンサを充
電する第２の充電回路に接続されていることを特徴とす
る整流回路。

３、発明の詳細な説明［産業上の利用分野］え、単相半波整流回路と倍電圧整流回路に切り換えられ
る整流回路に関するものである。

第５図において、（１）は交流電源、（２）はスイッチ
、（３）はスイッチ（２）の０８時に突入電流を抑制す
る抵抗体（以下、インラッシュ抵抗という、　）　、　
（４）は単相半波整流回路型と倍電圧整流回路型との切
換を行なうサイリスタ、（５）　　、　（８）は整流ダ
イオード、（７）　　、　（８）は直列接続された第１
および第２のコンデンサ、（９）は負荷である。

第６図は単相半波整流回路時の突入電流（１１）のけ■
表二＋４表へ４　六湾惜栢ｒ１）にＭ箒＾正瑞なお、各
図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）直列接続された第１および第２のコンデンサを有
し、交流電源の電圧が基準電圧よりも高いときは、上記
第１のコンデンサを充電して単相半波整流回路となり、
交流電源の電圧が基準電圧よりも低いときは、上記第１
および第２のコンデンサを充電して倍電圧整流回路とな
る整流回路において、上記交流電源が正極性のときに第
１のコンデンサを充電する第１の充電回路に、突入電流
を制限する複数の抵抗体が直列に接続され、これら複数
の抵抗体の一部は、上記交流電源が逆極性で、かつその
電圧が基準電圧よりも低いときに第２のコンデンサを充
電する第２の充電回路に接続されていることを特徴とす
る整流回路。