JPS6370419A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPS6370419A JPS6370419A JP61212751A JP21275186A JPS6370419A JP S6370419 A JPS6370419 A JP S6370419A JP 61212751 A JP61212751 A JP 61212751A JP 21275186 A JP21275186 A JP 21275186A JP S6370419 A JPS6370419 A JP S6370419A
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- light
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70133—Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、集積回路の製造に使用される投影露光装置に
関するものであり、特に基板（以下レチクルで総称する
）に対し半導体ウェハを歩進させながらレチクル上のパ
ターンをウェハ上に縮少投影し、これを反覆して全ウェ
ハ上に多数のパターンを焼付けるステップ・アンド・リ
ピート式の投影露光装置に関するものである。
関するものであり、特に基板（以下レチクルで総称する
）に対し半導体ウェハを歩進させながらレチクル上のパ
ターンをウェハ上に縮少投影し、これを反覆して全ウェ
ハ上に多数のパターンを焼付けるステップ・アンド・リ
ピート式の投影露光装置に関するものである。
［従来の技術］
従来の投影露光装置の光源の位置合せを第５図を参照し
て説明する。
て説明する。
第５図において、１は光源の水銀ランプ、２は楕円ミラ
ー、４はオブティカルインテグレータ、２３はハーフミ
ラ−１２４はミラー、２５はピンホール板、モして２６
はアークモニタ板である。
ー、４はオブティカルインテグレータ、２３はハーフミ
ラ−１２４はミラー、２５はピンホール板、モして２６
はアークモニタ板である。
この構成においてランプ１からの光束の一部はハーフミ
ラ−（またはコールドミラー）２３を透過し、ミラー２
４で反射された後、ピンホール板２５を通過しアークモ
ニタ板２６上に像をつくる。そこで作業者はランプの陰
極または陽極の像がこのアークモニタ板２６上の所定の
位置にくるように光源の位置を調整して光源の位置合せ
を行なっていた。
ラ−（またはコールドミラー）２３を透過し、ミラー２
４で反射された後、ピンホール板２５を通過しアークモ
ニタ板２６上に像をつくる。そこで作業者はランプの陰
極または陽極の像がこのアークモニタ板２６上の所定の
位置にくるように光源の位置を調整して光源の位置合せ
を行なっていた。
光源が正規の位置にない場合にはウェハ面での照度のむ
らが無視できないくらいに大きくなる。
らが無視できないくらいに大きくなる。
特にこれはウェハ面上での照度の非対称的な分布となっ
て現れる。アークモニタ板２６上での像は鮮明でないの
でこれを目視で正確な位置に合せることはきわめて困難
であり、アークモニタによる光源の位置合せたけではウ
ェハ面上での照度のむらが残ってしまうということが起
こり勝ちであった。
て現れる。アークモニタ板２６上での像は鮮明でないの
でこれを目視で正確な位置に合せることはきわめて困難
であり、アークモニタによる光源の位置合せたけではウ
ェハ面上での照度のむらが残ってしまうということが起
こり勝ちであった。
このため従来の光源の位置合せはまずアークモニタ板２
６上で大体の位置合せを行なった後、ウェハ面の照度分
布を測定しその結果から光源位置の微調整を行ない、照
度分布の非対称を取り除いていたが、このため光源の位
置合せはかなり面倒であった。
６上で大体の位置合せを行なった後、ウェハ面の照度分
布を測定しその結果から光源位置の微調整を行ない、照
度分布の非対称を取り除いていたが、このため光源の位
置合せはかなり面倒であった。
［発明が解決しようとする問題点コ
本発明の目的は、ウェハ面の照度を最大とし、照度のむ
らを最小とするような理想的な位置に迅速正確に光源位
置を自動的に位置合せすることを可能とする投影露光装
置を提供することにある。
らを最小とするような理想的な位置に迅速正確に光源位
置を自動的に位置合せすることを可能とする投影露光装
置を提供することにある。
［問題点を解決するための手段と作用コこの目的を達成
するため本発明に従って照明光学系内でレチクルと共役
な位置に、レチクルの露光範囲外を遮光するマスキング
機構を配置し、マスキング機構をレチクルの位置に結像
させ、そして投影光学系を通してウェハ面にレチクルの
パターンを投影するようにし、前記のマスキング機構に
露光調整範囲の中心に対称に配置した複数の受光素子に
よってウェハ面と共役な面で、かつ露光可能範囲内での
照度分布を測定できるようにし、そして対称な位置にあ
る受光素子の出力信号が等しくなるように光源位置を自
動的に調整するようにしている。また、受光素子の出力
信号が最大となるように光源位置を自動的に調整し、そ
れによりウェハ面上の照度が最大になる位置に光源を自
動的に位置合せするようにしている。
するため本発明に従って照明光学系内でレチクルと共役
な位置に、レチクルの露光範囲外を遮光するマスキング
機構を配置し、マスキング機構をレチクルの位置に結像
させ、そして投影光学系を通してウェハ面にレチクルの
パターンを投影するようにし、前記のマスキング機構に
露光調整範囲の中心に対称に配置した複数の受光素子に
よってウェハ面と共役な面で、かつ露光可能範囲内での
照度分布を測定できるようにし、そして対称な位置にあ
る受光素子の出力信号が等しくなるように光源位置を自
動的に調整するようにしている。また、受光素子の出力
信号が最大となるように光源位置を自動的に調整し、そ
れによりウェハ面上の照度が最大になる位置に光源を自
動的に位置合せするようにしている。
また、上記の目的を達成するため本発明に従って照明光
学系内でレチクルに近−接して、レチクルの露光範囲外
を遮光するマスキング機構を配置し、このマスキング機
構に、露光調整範囲の中心に対称に配置した複数の受光
素子によってウェハ面と共役な面で、かつ露光可能範囲
内での照度分布を測定できるようにし、そして対称な位
置にある受光素子の出力信号が等しくなるように光源位
置を自力的に調整するようにしている。また、受光素子
の出力信号が最大となるようにように光源位置を自動的
に調整し、それによりウニ八面上の照度が最大になる位
置に光源を自動的に位置合せするようにしている。
学系内でレチクルに近−接して、レチクルの露光範囲外
を遮光するマスキング機構を配置し、このマスキング機
構に、露光調整範囲の中心に対称に配置した複数の受光
素子によってウェハ面と共役な面で、かつ露光可能範囲
内での照度分布を測定できるようにし、そして対称な位
置にある受光素子の出力信号が等しくなるように光源位
置を自力的に調整するようにしている。また、受光素子
の出力信号が最大となるようにように光源位置を自動的
に調整し、それによりウニ八面上の照度が最大になる位
置に光源を自動的に位置合せするようにしている。
［実施例］
第１図は本発明の第１の実施例を示す。同図において１
は光源である水銀ランプ、２は水銀ランプ１からの光束
を効率よく集光する楕円ミラーである。楕円ミラー２に
よって集光された光束はミラー３によって折りまげられ
オブテイカルインテグレータ４を照明する。このオブテ
ィカルインテグレータ４は２次光源であり、ミラー５を
介してコンデンサレンズ６により集光され、ミラー７を
介してマスキング機構１４ａ、 １４ｂの面を照明する
。マスキング機構はレンズ８．１０によってレチクル保
持部材３０に支持されたレチクル１１に結像される。す
なわち、このマスキング機構はレチクル１１と光学的に
共役関係にあり、そしてレチクル１１の露光範囲外を遮
光する。レチクル１１は投影レンズ１２によっである倍
率でウェハ１３上に投影される。１５ａ、１５ｂはマス
キング機構１４ａ、１４ｂのレチクル１１側に配置され
た受光素子である。これらの受光素子１５ａ、 １５ｂ
はマスキング機構１４ａ、１４ｂ上の照度分布を測定す
る。その出力信号はコンピュータ１６に取り込まれ、コ
ンピュータ１６はマスキング機構面上での照度分布が対
称になるように水足ランプ１の駆動手段１７に駆動命令
を出す。駆動手段１７はこの命令に従って水銀ランプの
位置を肪かし受光素子１５ａ、 １５ｂの出力信号が等
しくなるようにその位置を調整する。
は光源である水銀ランプ、２は水銀ランプ１からの光束
を効率よく集光する楕円ミラーである。楕円ミラー２に
よって集光された光束はミラー３によって折りまげられ
オブテイカルインテグレータ４を照明する。このオブテ
ィカルインテグレータ４は２次光源であり、ミラー５を
介してコンデンサレンズ６により集光され、ミラー７を
介してマスキング機構１４ａ、 １４ｂの面を照明する
。マスキング機構はレンズ８．１０によってレチクル保
持部材３０に支持されたレチクル１１に結像される。す
なわち、このマスキング機構はレチクル１１と光学的に
共役関係にあり、そしてレチクル１１の露光範囲外を遮
光する。レチクル１１は投影レンズ１２によっである倍
率でウェハ１３上に投影される。１５ａ、１５ｂはマス
キング機構１４ａ、１４ｂのレチクル１１側に配置され
た受光素子である。これらの受光素子１５ａ、 １５ｂ
はマスキング機構１４ａ、１４ｂ上の照度分布を測定す
る。その出力信号はコンピュータ１６に取り込まれ、コ
ンピュータ１６はマスキング機構面上での照度分布が対
称になるように水足ランプ１の駆動手段１７に駆動命令
を出す。駆動手段１７はこの命令に従って水銀ランプの
位置を肪かし受光素子１５ａ、 １５ｂの出力信号が等
しくなるようにその位置を調整する。
このように本発明では、直接ウェハ１３の面上の照度分
布を測定し、ウェハ１３の面上の照度分布が対称となる
よう光源位置を調整する代りに、ウェハの面と共役な面
にあるマスキング機構１４上の照度分布を測定し、この
面の照度分布を対称になるように光源位置を調整するこ
とにより、ウェハＩ３の面の照度分布を対称となるよう
にして”）る。
布を測定し、ウェハ１３の面上の照度分布が対称となる
よう光源位置を調整する代りに、ウェハの面と共役な面
にあるマスキング機構１４上の照度分布を測定し、この
面の照度分布を対称になるように光源位置を調整するこ
とにより、ウェハＩ３の面の照度分布を対称となるよう
にして”）る。
第２図にマスキング機構に受光素子を配置した例を示す
。第２図（ａ）は最も簡単な例である。１４ａはマスキ
ング機構を構成する１枚の遮光板である。この遮光板１
４ａ上には照度測定のためのピンホール１８をあけて光
を取り出す。ピンホール１８と受光素子１５ａとの間に
はガラス板２１から成る拡散板、または光量調整用のＮ
Ｄフィルタ、または焼付に使用する波長の光を取り出す
色フィルタを設けてもよい。
。第２図（ａ）は最も簡単な例である。１４ａはマスキ
ング機構を構成する１枚の遮光板である。この遮光板１
４ａ上には照度測定のためのピンホール１８をあけて光
を取り出す。ピンホール１８と受光素子１５ａとの間に
はガラス板２１から成る拡散板、または光量調整用のＮ
Ｄフィルタ、または焼付に使用する波長の光を取り出す
色フィルタを設けてもよい。
第２図（ｂ）はピンホール１８と受光素子１５ａの間に
ミラーやレンズ等を配置した例である。１９は光束を直
角に折り曲げるミラー、２０は発散する光束を集光させ
る凸レンズ、２１は光量調整用のＮＤフィルタもしくは
波長選択用の色フィルタである。
ミラーやレンズ等を配置した例である。１９は光束を直
角に折り曲げるミラー、２０は発散する光束を集光させ
る凸レンズ、２１は光量調整用のＮＤフィルタもしくは
波長選択用の色フィルタである。
第３図は露光可能範囲とマスキング機構の関係を示す。
ウニ八面上、レチクル面上、マスキング機構面上が光学
的に共役であるためにレンズの倍率で大きさは変わるが
、相対的な位置関係は変化しない。２２は投影露光装置
の露光可能範囲を示す円である。また露光範囲は一般に
正方形や長方形であるので露光しない範囲はマスキング
機構１４ａ、ｂ、ｃ、ｄで遮光する。第３図（ａ）は露
光範囲が正方形である場合、第３図（ｂ）は長方形であ
る場合をそれぞれ示す。遮光板、１４ａ、ｂ、ｃ。
的に共役であるためにレンズの倍率で大きさは変わるが
、相対的な位置関係は変化しない。２２は投影露光装置
の露光可能範囲を示す円である。また露光範囲は一般に
正方形や長方形であるので露光しない範囲はマスキング
機構１４ａ、ｂ、ｃ、ｄで遮光する。第３図（ａ）は露
光範囲が正方形である場合、第３図（ｂ）は長方形であ
る場合をそれぞれ示す。遮光板、１４ａ、ｂ、ｃ。
ｄは矢印方向に独立に駆動されて、任意の露光範囲を形
成する。１８ａ、ｂ、ｃ、ｄは照度測定用のピンホール
である。これらのピンホールの（立置はＸ、Ｙ！Ｉ＋ｈ
上の対称位置に配置することが望ましい。また、第３図
（ｂ）のごとく露光範囲が長方形の場合、遮光板１４ｃ
と１４ｄとが露光可能範囲２２を遮蔽する部分が小さく
なる。このため図に示すようにビンポールの位置はマス
キング機構の遮光板のなるべく露光範囲の中心に近い位
置に設置する必要がある。
成する。１８ａ、ｂ、ｃ、ｄは照度測定用のピンホール
である。これらのピンホールの（立置はＸ、Ｙ！Ｉ＋ｈ
上の対称位置に配置することが望ましい。また、第３図
（ｂ）のごとく露光範囲が長方形の場合、遮光板１４ｃ
と１４ｄとが露光可能範囲２２を遮蔽する部分が小さく
なる。このため図に示すようにビンポールの位置はマス
キング機構の遮光板のなるべく露光範囲の中心に近い位
置に設置する必要がある。
次に、調整の順序について説明する。光軸（この場合は
２軸）に対して直交する平面内にＸ、 Ｙ軸をとり、第
３図のようにＸ軸方向に動く機構１４ａ、１４ｂに設け
られた受光素子をａ、ｂ（図示せず）Ｙ軸方向のマスキ
ング機構１４ｃ、１４ｄに設けられた受光素子をｃ、ｄ
（図示せず）とする。受光素ｆ ａ 、 ｂ ＋ｆ７
（Ｓ １図の１５ａ、１５ｂに対応し、受光素子ｃ、ｄ
は第１図の紙面に垂直に設けられている。また第１図の
駆動手段１７は光源１をＸ。
２軸）に対して直交する平面内にＸ、 Ｙ軸をとり、第
３図のようにＸ軸方向に動く機構１４ａ、１４ｂに設け
られた受光素子をａ、ｂ（図示せず）Ｙ軸方向のマスキ
ング機構１４ｃ、１４ｄに設けられた受光素子をｃ、ｄ
（図示せず）とする。受光素ｆ ａ 、 ｂ ＋ｆ７
（Ｓ １図の１５ａ、１５ｂに対応し、受光素子ｃ、ｄ
は第１図の紙面に垂直に設けられている。また第１図の
駆動手段１７は光源１をＸ。
Ｙ、Ｚ軸方向にそれぞれ独立に配力することができる。
コンピュータ１６は受光素子１５ａ、１５ｂの出力信号
ａ、ｂがａ≠ｂの時に駆動手段１７にＸ軸方向へ駆動命
令を送る。出力信号ａ、ｂがａ＞ｂの場合には駆動手段
１７にａが小さくなりｂが大きくなる方向にＸ軸方向の
駆動命令を出す。ａ＝＝ｂとなったところでコンピュー
タ１６は駆動手段１７に停止命令を送る。Ｘ軸方向につ
いても同様に出力信号ｃ、ｄの大小関係からコンピュー
タ１６は駆動手段１７にＸ軸方向の駆動命令または停止
命令を送る。このＸ、Ｘ軸方向の駆動で、ａ＝ｂ１かつ
Ｃ＝ｄとなったところでウェハ１３面上での照度分布は
対称になり、照度のむらが最小となる。クエへ面上の照
度分布が対称の時にａ＝ｂ、ｃ＝ｄとなるように受光素
子の出力はあらかじめ調整しておく。
ａ、ｂがａ≠ｂの時に駆動手段１７にＸ軸方向へ駆動命
令を送る。出力信号ａ、ｂがａ＞ｂの場合には駆動手段
１７にａが小さくなりｂが大きくなる方向にＸ軸方向の
駆動命令を出す。ａ＝＝ｂとなったところでコンピュー
タ１６は駆動手段１７に停止命令を送る。Ｘ軸方向につ
いても同様に出力信号ｃ、ｄの大小関係からコンピュー
タ１６は駆動手段１７にＸ軸方向の駆動命令または停止
命令を送る。このＸ、Ｘ軸方向の駆動で、ａ＝ｂ１かつ
Ｃ＝ｄとなったところでウェハ１３面上での照度分布は
対称になり、照度のむらが最小となる。クエへ面上の照
度分布が対称の時にａ＝ｂ、ｃ＝ｄとなるように受光素
子の出力はあらかじめ調整しておく。
次にコンピュータ１６に駆動手段１７にＺ軸方向への駆
動命令を出す。駆動手段１７は命令に従って一足の区間
光源１をＺ軸方向に駆動させこの間コンピュータ１６は
受光素子の出力信号ａ、ｂ、ｃ、ｄの値を読み込み、ａ
＋ｂ＋ｃ＋ｄの最大値を記憶する。
動命令を出す。駆動手段１７は命令に従って一足の区間
光源１をＺ軸方向に駆動させこの間コンピュータ１６は
受光素子の出力信号ａ、ｂ、ｃ、ｄの値を読み込み、ａ
＋ｂ＋ｃ＋ｄの最大値を記憶する。
コンピュータ１６は再び駆動手段１７にＺ軸方向への駆
動命令を出し、受光素子の出力信号の和ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ
が記憶した最大値と等しくなったところで停止命令を送
る。
動命令を出し、受光素子の出力信号の和ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ
が記憶した最大値と等しくなったところで停止命令を送
る。
以上の順序で光源１はウェハ１３の面で照度のむらが最
小で照度が最大となる位置に正確迅速に調整される。
小で照度が最大となる位置に正確迅速に調整される。
第４図は本発明の第２の実施例を示す。１４ａ。
１４ｂは露光範囲外を遮光するマスキング機構で、レチ
クル１１と照明光学系内のレンズ１０との間でレチクル
１１に近接する位置に置かれている。この実施例におい
ても光源位置の調整は第１の実方五例と同一の方法で行
なわれる。
クル１１と照明光学系内のレンズ１０との間でレチクル
１１に近接する位置に置かれている。この実施例におい
ても光源位置の調整は第１の実方五例と同一の方法で行
なわれる。
第１図と第４図に示す受光素子１５ａ、１５ｂは露光量
を一定に制御するための光景モニタとして使用できる。
を一定に制御するための光景モニタとして使用できる。
その場合光量モニタ用の光束を取り田すハーフミラ−等
を設ける必要もなく、ウェハと共役な面に受光素子を配
置しているため、有効光束をロスさせることなく高精度
な光量モニタとして使用できる。
を設ける必要もなく、ウェハと共役な面に受光素子を配
置しているため、有効光束をロスさせることなく高精度
な光量モニタとして使用できる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の投影露光装置においては
ウェハ面と共役な面に複数個の受光素子を配置し、この
面での照度分布が対称でかつ照度が最大となるように駆
動手段によって自動的に光源位置を調整する。このため
光源の位置合せを正確、迅速に実施できる。
ウェハ面と共役な面に複数個の受光素子を配置し、この
面での照度分布が対称でかつ照度が最大となるように駆
動手段によって自動的に光源位置を調整する。このため
光源の位置合せを正確、迅速に実施できる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す。第２図（ａ）
、 （ｂ）はマスキング機構の遮光板と受光素子のそれ
ぞれ異なる配置を示す。第３図はマスキング機構と露光
可能範囲を示す。第４図は本発明の第２の実施例を示す
。第５図は従来のランプのモニタの概略図である。 １：水銀ランプ、２：楕円ミラー、３，５゜７．９・ミ
ラー、４；オブテイカルインテグレータ、６二コンデン
サレンズ、８，１０：レンズ、１１ニレチクル、１２：
投影レンズ、１３：ウェハ、１４ａ、 ｂ、 ｃ、
ｄ ：マスキング機構、１５ａ、ｂ：受光素子、１６
；コンピュータ、１７：駆動手段、１８ａ、ｂ、ｃ、ｄ
：ビンホール、１９：ミラー、２０：凸レンズ、２１
ニガラス板（フィルタ類）、２２．露光可能範囲、２３
ハーフミラ−１２４・ミラー、２５：ピンホール板
、２６：アークモニタ板、３０ニレチクル保持部材。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也１６
フンじ゛エータ 第１図 ○５２図 第３図
、 （ｂ）はマスキング機構の遮光板と受光素子のそれ
ぞれ異なる配置を示す。第３図はマスキング機構と露光
可能範囲を示す。第４図は本発明の第２の実施例を示す
。第５図は従来のランプのモニタの概略図である。 １：水銀ランプ、２：楕円ミラー、３，５゜７．９・ミ
ラー、４；オブテイカルインテグレータ、６二コンデン
サレンズ、８，１０：レンズ、１１ニレチクル、１２：
投影レンズ、１３：ウェハ、１４ａ、 ｂ、 ｃ、
ｄ ：マスキング機構、１５ａ、ｂ：受光素子、１６
；コンピュータ、１７：駆動手段、１８ａ、ｂ、ｃ、ｄ
：ビンホール、１９：ミラー、２０：凸レンズ、２１
ニガラス板（フィルタ類）、２２．露光可能範囲、２３
ハーフミラ−１２４・ミラー、２５：ピンホール板
、２６：アークモニタ板、３０ニレチクル保持部材。 特許出願人 キャノン株式会社 代理人 弁理士 伊 東 辰 雄 代理人 弁理士 伊 東 哲 也１６
フンじ゛エータ 第１図 ○５２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、照明光学系内の所定の位置に基板を配置するための
支持部材、 照明光学系内で前記の支持部材に支持された基板と共役
な位置に配置され、該基板の所定露光範囲外を遮光する
マスキング機構、および このマスキング機構に配置された複数の受光素子を備え
ていることを特徴とする投影露光装置。 ２、照明光学系内の所定の位置に基板を配置するための
支持部材、 照明光学系内で前記の支持部材に支持された基板と共役
な位置に配置され、該基板の所定露光範囲外を遮光する
マスキング機構、 このマスキング機構に配置されている複数の受光素子、
および これらの受光素子からの信号に応答して光源位置を調整
する光源位置制御手段を備えたことを特徴とする投影露
光装置。 ３、前記の光源位置制御手段が、前記の受光素子からの
信号を演算処理する手段と、この演算の結果から光源位
置を調整する３軸駆動手段とを含む特許請求の範囲第２
項に記載の投影露光装置。 ４、前記の受光素子が露光調整範囲の中心に対して対称
な位置に配置された少なくとも４個の受光素子である特
許請求の範囲第１、２項または３項に記載の投影露光装
置。 ５、照明光学系内の所定の位置に基板を配置するための
支持部材、 照明光学系内で前記の支持部材に支持された基板に近接
して配置され、該基板の所定露光範囲外を遮光するマス
キング機構、および このマスキング機構に配置した複数の受光素子を備えて
いることを特徴とした投影露光装置。 ６、照明光学系内の所定の位置に基板を配置するための
支持部材、 照明光学系内で前記の支持部材に支持された基板に近接
して配置され、該基板の所定露光範囲外を遮光するマス
キング機構、 このマスキング機構に配置されている複数の受光素子、
および これらの受光素子からの信号に応答して光源位置を調整
する光源位置制御手段 を備えたことを特徴とする投影露光装置。 ７、前記の光源位置制御手段が、前記の受光素子からの
信号を演算処理する手段と、この演算の結果から光源位
置を調整する３軸駆動手段とを含む特許請求の範囲第６
項に記載の投影露光装置。 ８、前記の受光素子が露光調整範囲の中心に対して対称
な位置に配置された少なくとも４個の受光素子である特
許請求の範囲第５、６または７項に記載の投影露光装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212751A JPH0669015B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61212751A JPH0669015B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370419A true JPS6370419A (ja) | 1988-03-30 |
| JPH0669015B2 JPH0669015B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=16627812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61212751A Expired - Fee Related JPH0669015B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669015B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07192995A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nec Corp | 露光装置 |
| JP2000277413A (ja) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Canon Inc | 露光量制御方法、露光装置およびデバイス製造方法 |
| WO2001008205A1 (en) * | 1999-07-23 | 2001-02-01 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure system, light source, and method of device manufacture |
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| WO2012127966A1 (ja) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | 岩崎電気株式会社 | ランプ位置調整方法、ランプ位置調整用具、及び照射装置 |
-
1986
- 1986-09-11 JP JP61212751A patent/JPH0669015B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US8085383B2 (en) | 2005-10-27 | 2011-12-27 | Asml Holding N.V. | System, method, and apparatus for scanning detector for fast and frequent illumination uniformity correction module |
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| WO2012127966A1 (ja) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | 岩崎電気株式会社 | ランプ位置調整方法、ランプ位置調整用具、及び照射装置 |
| JP2012199488A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Iwasaki Electric Co Ltd | ランプ位置調整方法、ランプ位置調整用具、及び照射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0669015B2 (ja) | 1994-08-31 |
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