JPH0132649B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は集積回路の製造、より具体的にはその
ような回路に用いるマスク及びウエハ部を、精密
に位置合せするための技術に係る。

微細デバイス及び回路の製造は、一連のマスク
（しばしば１０ないし１２の多数）のそれぞれを、
半導体ウエハに対し、順次位置合わせすること
が、しばしば必要となる。そのようなデバイスの
製造において、順当な歩留りを得るためには、位
置合せプロセスにおいて、わずかな許容度が必要
とされる。非常に高分解能デバイスの場合、サブ
ミクロンの位置合せ許容度が、しばしば必要であ
る。実際、そのような高精密位置合せを達成する
ために十分な道具を考案する問題は、解決が困難
なものの一つであつた。

Ｘ線リソグラフイは非常に高分解能デバイスを
実現するための魅力的な手法として、認識が高ま
つている。しかし、Ｘ線露出システムの設計者が
直面するいくつかの主要な問題の一つは、そのマ
スク−ウエハ位置合せ能力がサブミクロンの精度
でなければならないという条件であつた。更に、
もし光学的に基礎をおいた位置合せ技術が必要な
らば、そのようなシステム中のウエハに付随した
その上のマスクは、位置合せに用いる光に対し、
典型的な場合高い透明度をもたないという余計な
問題に、設計者は直面する。その結果、位置合せ
プロセス中ウエハ上に観察されるマークの明るさ
及びコントラストは、しばしば特性の限界にあ
る。更に、周知の位置合せ技術は、マスク又はウ
エハの一方あるいは両方の歪又はマスク−ウエハ
間の変化をもたらす他の原因により、Ｘ線システ
ム中で生じるいわゆる拡大誤差を補償することが
できない。

従つて、特にＸ線リソグラフイシステムに用い
るための改善された光学的位置合せ技術を考案す
るために、かなりの努力が向けられてきた。その
ような努力は、もし成功するならば、システムの
性能を著しく増し、非常に高分解能のデバイスを
製造するために、その商業的用途が広がる可能性
を増すことが認識された。

本発明に従うと、空間的に分離されたマスク及
びウエハ部上に形成されたゾーンプレートマーク
を、Ｘ線リソグラフイシステム中の位置合せパタ
ーンの像を作るために用いられる。本発明の特徴
に従うと、マークはシステムの主縦軸に対するあ
る角度で、光照射され、それによりゾーンプレー
トマークの像がＸ線源と交差する軸に沿つて投影
される。これらの軸に沿つて各種のゾーンプレー
トマークを適当に位置合せすることにより、Ｘ線
源に対するマスクとウエハの適当な位置合せが実
現される。

マスク又はウエハの位置合せを容易にするため
に、それらの一方又は両方の上のゾーンプレート
パターンを用いることについては、エム・フエル
ドマン（M.Feldman）及びエイ・デイー・ホワ
イト（A.D.White）に付与された米国特許第
4037969号に述べられている。その中で詳細に述
べられているように、そのようなパターンは比較
的低照度下及びパターンがたとえば摩滅あるいは
ほこりによつて劣化した場合ですら、比較的高揮
度のコントラストの良い像を生ずることのできる
レンズとして、実効的に機能する。

本発明の原理に従うと、先に引用した特許に述
べられた型のパターンは、Ｘ線リソグラフイシス
テム中で用いられるマスク及びウエハ上に含まれ
る。典型的なそのようなマスク及びウエハは、そ
れぞれ第１図及び第２図中に示されている。

第１図はマスク１０の上面図で、それはたとえ
ばその上に堆積された金の選択的にパターン形成
された薄膜を有する基板から成る。具体的な位置
合せパターンの２つのグループ１２及び２０が、
Ｘ軸１８に中心をおくマスク１０の空間的に分離
された周辺部分中に形成されている。グループ１
２はそれぞれ１３から１６までの番号がつけられ
た４個の本質的に同一のパターンを含み、グルー
プ２０は４個の本質的に同一のパターン２１ない
し２４を含む。

たとえば、第１図のマスク１０は直径約7.5cm
（３インチ）で、グループ１２及び２０の各中心
１７及び２５は、マスク１０の端部からそれぞれ
約６mm（0.25インチ）にある。例として、パター
ン１３ないし１６及び２１ないし２４のそれぞれ
は、直径約100マイクロメータ（μｍ）で、グル
ープ１２及び２０のそれぞれの全体の直径は約
300μｍである。

第１図はまた、マーク２３の形状の拡大図２６
である。拡大されたマーク２６は一連の同心環２
９ないし４２により囲まれた内部円２８から成る
ように、ダイアグラムで示されている。マスク１
０の表面のその他の部分は、付随した半導体ウエ
ハ中に形成すべき集積回路の形状を表すように、
通常の方式（図示されていない）により、パター
ン形成される。

第１図のマーク２６の内部円２８及び環３０，
３２，３４，３６，３８，４０及び４２は、たと
えば、比較的高反射率の領域から成り、一方環２
９，３１，３３，３５，３７，３９，４１は比較
的低反射率を示すように設計される。マスク１０
がその上に金パターンを有するＸ線に対し透明な
基板から成る具体例において、領域２８，３０，
３２，３４，３６，３８，４０，４２は金で作ら
れ、領域２９，３１，３３，３５，３７，３９，
４１は基板の表面部分から成る。これらの表面部
分は比較的低い反射率を示し、少くとも部分的に
位置合せに用いる光に対し透明である。あるい
は、領域２８，３０，３２，３４，３６，３８，
４０，４２及び２９，３１，３３，３５，３７，
３９，４１はそれぞれ低及び高反射率を有する領
域に形成してもよい。

第２図は半導体ウエハ６０の上面図である。２
つの具体的な位置合せパターン６１及び６２の例
は、ウエハ６０の空間的に分離された周辺部中に
形成される。例として、パターン６１及び６２は
第１図に示された先に述べたマーク１３ないし１
６及び２１ないし２４と、それぞれ類似である。
第２図はまた、マーク６２の形状の拡大図６４を
示す。拡大されたマーク６４は一連の同心環６７
ないし８０により囲まれた内部円６６から成るよ
うにダイアグラムで示されている。

第２図の位置合せパターン６１及び６２のそれ
ぞれは、直径約100μｍである。本発明の原理に
従うと、パターン６１及び６２はマスク１０及び
ウエハ６０が、後に具体的に述べる方式で正確に
位置合せされた時、グループ１２及び２０（第１
図）の各中心から、わずかにずれているようにみ
える。具体的な一実施例において、パターン６１
の中心はグループ１２の中心点１７に対し、故意
に2.54μｍ左にずれており、パターン６２の中心
はグループ２０の中心点２５に対し、故意に
2.54μｍ右にずれている。第２図において、ウエ
ハ６０上の仮想点８１及び８２は、部分１０及び
６０が正確に位置合せされたとき、それぞれマス
ク１０の中心点１７及び２５のちようど下にく
る。

第１図及び第２図中に示された位置合せパター
ンの各種の直接的な作成方法が、当業者には知ら
れている。ウエハ６０上で、パターン６１及び６
２は第１図の説明と関連して上で具体的に示した
一般的な形の高−低反射領域から成つてもよい。
または、パターン６１及び６２はいわゆる位相差
パターンから成つてもよく、それはフエルドマン
−ホワイトの特許中に示された高さの差又は屈折
率の差を特徴とする。

第１図及び第２図に示された具体的なゾーンプ
レートパターンは、円状のフレネルプレートから
成る。そのようなパターン及びレンズとしてのそ
の働きの詳細な説明は、フエルドマン−ホワイト
の特許に述べられている。ここで例を示すために
示し説明した具体的なゾーンプレートは、円状フ
レネル領域プレートである。他の形のゾーンプレ
ート及び他のゾーンプレート以外のパターンも、
引用した特許で述べられているように、位置合せ
用の焦点のあつた像を作るのに用いられる。これ
らの他のパターンは、ここで示し説明した具体的
なものと置き代えてもよい。

例えば、第１図のマスク１０上に形成されたゾ
ーンプレートマークは、焦点距離が異なるという
一点においてのみ、第２図のウエハ６０上に形成
されたゾーンプレートマークと異なる。先に引用
したフエルドマン−ホワイトの特許に述べられて
いるように、ゾーンプレートマークは特定の焦点
距離を示すように、設計できる。ここで、ゾーン
プレートマーク１３ないし１６及び２１ないし２
４のそれぞれは、焦点距離fmを有するように設
計され、ゾーンプレートマーク６１及び６２のそ
れぞれは焦点距離fwを有するように設計される。
以下で具体的に示す実施例において、fwはfmよ
りSμｍだけ大きくなるように設計され、これは
マスク及びウエハがＸ線リソグラフイシステム中
の露出のために位置合せされた時、マスク及びウ
エハ間にできる名目上の間隔である。

第３図はＸ線リソグラフイシステム中での露出
のため、空間的に分離された関係で配置された第
１図のマスク１０及びウエハ６０を示す。ウエハ
６０は可動テーブル８４上に支持されている。
（典型的なＸ線露出システムは、アール・イー・
デイーン（R.E.Dean）、デイー・マイデン（D.
Maydan）、ジエイ・エム・モラン（J.M.Moran）
及びジー・エヌ・テイラー（G.N.Taylor）に付
与された米国特許第4185202号に、詳細に述べら
れている。）そのようなシステムの具体的な一例
においては、Ｘ線源８５はマスク１０上約50セン
チメートルに中心が置かれている。源８５から放
射されるＸ線ビームの広がりは、マスク１０の最
上表面全体に注ぐように設計される。Ｘ線ビーム
の線８６及び８７は第３図のマスク１０の底面上
に形成された位置合せマークグループ１２及び２
０の、先に述べた中心点１７及び２５に、それぞ
れ向けられる。ここで仮定した特定のシステムに
おいて、各線８６及び８７と主縦軸８３との間の
角ａは、約3.6度である。

本発明の原理に従うと、第３図の線８６及び８
７はまた、ウエハ６０上に形成されたマーク６１
及び６２の中心に、それぞれ向けられる。第３図
の配置において、マスク上の重なりあつた位置合
せパターンとウエハ上のそれとの間のずれｄは、
マスク１０及びウエハ６０間の間隔ｓが約40μｍ
である時、約2.54μｍである。

本発明の一視点に従うと、第３図のマスク及び
ウエハ上に形成されたゾーンプレートパターンの
重なりあつた対は、無限にある仮の源から発する
軸のずれた光ビームにより照射される。第３図に
おいて、入射照明ビームは、線８８及び９０上に
中心がある。各源の中心からの主要な線は、水平
軸９２と角ｂをなす。角ｂは角ａの余角である。
従つて、ここで述べた具体例において、ｂ＝86.4
度である。

第３図の線８８及び９０に沿つた入射ビーム
は、マスク１０及びウエハ６０上に形成されたゾ
ーンプレートマークにより、反射及び焦点が合せ
られる。マスク１０上のグループ１２及び２０中
に含まれるゾーンプレートマークのそれぞれの焦
点距離は、約300μｍに設計され、一方ウエハ６
０上のマーク６１及び６２のそれぞれの焦点距離
は、約300＋Ｓ又は340μｍである。従つて、すべ
てのゾーンプレートマークにより形成される像
は、マスク１０の最上面上約300μｍでそれと平
行な共通のＸ−Ｙ平面上に生じるように設計され
る。

第３図において、ウエハ６０上のゾーンプレー
トマーク６１により反射されかつ焦点が合された
光の主要な線９４は、マスク１０上のグループ１
２の中心を通つて延び、源８５に向けられる。そ
のような条件下で、後に述べるように実現される
が、マスク１０及びウエハ６０はＸ線源８５に対
し、相互に適切に位置合せされる。すなわち、各
マスク要素はウエハ上のあらかじめ決められた対
応する表面部分から、横方向に適切にずらされ、
広がるＸ線ビームからそのような表面をマスクあ
るいはしや敝するようにされる。同様に、マーク
６２により反射されかつ焦点の合わされた光の主
要な線９６は、グループ２０の中心を通つて源８
５に向けられる。マスク１０上のグループ１２中
の４個のゾーンプレートマークから反射されかつ
焦点の合された主要な線は、線９４に並行に延び
る。同様に、グループ２０中のマークからの光の
主要な線は、それぞれ線９６に並行に延びる。

第４図は本発明の原理に従い作られた手動操作
位置合せシステムを示す。システムはたとえば標
準のタングステン−ハロゲン又は水銀アークラン
プのような非可干渉性多色性エミツタから成る光
源１００を含む。（源１００はまたレーザから成
つてもよい。レーザ光源を含む自動位置合せシス
テムについては、第７図に関連して、後に詳細に
述べる。）たとえば、源１００の出力は光フアイ
バ１０２の入力端に結合され、フアイバの出力端
はターゲツトプレート１０４を照射するように配
置されている。例として、プレート１０４は不透
明な金属基板から成り、その中に中心を合せて置
かれた透明なマークが形成されている。ここで、
光学的に透明なターゲツトマークは、単一の十字
である。（そのような十字のアレイは第６図に示
されており、それについては以下で述べる。） 第４図中に示されたシステムは、更に標準のリ
レーレンズ１０６及び通常のビームスプリツタ１
０８を含む。レンズ１０６により、照射されたタ
ーゲツト十字の像は、通常の顕微鏡の対物レンズ
１１０の裏面焦点面中の点１１２付近に中心がく
るように形成される。すると、対物レンズ１１０
は無限遠の仮想ターゲツト源からの光ビームを、
マスク１０及びウエハ６０上に含まれる左側のゾ
ーンプレートマークに向ける。入射ビームの軸の
ずれた方向は、線１１４により表され、第３図の
説明と関連して上で正確に述べた。

第４図中に表されたゾーンプレート位置合せマ
ークに向けられた光は、それから反射されマスク
１０上300μｍにある平面及びＸ線源（図示され
ていない）と交差する軸に沿つて焦点が合され
る。第１図及び第２図に示された特定のゾーンプ
レートパターンは、第４図のマスク及びウエハ上
に形成されると仮定すると、５個のターゲツト十
字のアレイは、それにより指定された面内に焦点
が合う。これらターゲツト十字の相対的な配置
は、後に述べるように、Ｘ線源に対するマスク及
びウエハの適当な位置合せを意味する。すると、
像のこのアレイは対物レンズ１１０、ビームスプ
リツタ１０８及び標準のアイピース１１６によ
り、示された位置合せシステムの人間のオペレー
タの目１１８に向けられ、オペレータは実効的に
位置合せパターンをＸ線から“見える”ように見
る。

本発明の原理のいくつかの実施例において、第
４図に示された装置中の標準の光フイルタを含む
と有利である。そのようにして、ゾーンプレート
マークの設計に調和し、比較的高い強度位置合せ
パターンを生じるように選択された具体的な波長
が選択される。しかし、そのようなフイルタがな
くても、多色光源を用いて、十分な動作が実現で
きた。これはフイルタ動作をするよう実効的に組
合さるいくつかの要因による。第１に、人間の目
は比較的狭い周波数帯にピークをもつ応答を示
す。第２に、マスク及びウエハ部が作られる各種
の具体的な材料は、実際により短い波長を減衰さ
せるように観測された。更に、主要な波長のみが
典型的な場合、オペレータが見る具体的なターゲ
ツト像面中に、鋭く焦点が合される。

上に述べたものと同一の位置合せチヤネルが、
マスク１０及びウエハ６０上に含まれる右側のゾ
ーンプレートマークを照射するために、第４図の
装置に含まれる。しかし、図面を不当に混乱させ
ないように、他のチヤネルに含まれる顕微鏡対物
レンズ１２０の破線の概略のみが、第４図に示さ
れている。この別のチヤネルは先に述べた面中に
焦点を結ぶもう一つの５個のターゲツト十字アレ
イを生じる。

ターゲツト十字の２個のアレイを、Ｘ線源に
“見える”ように観側することにより、オペレー
タはＸ線源に対し、マスク１０及びウエハ６０を
相互に正確に位置合せすることができる。位置合
せは手動のマイクロポジシヨナ１２２により実現
される。マイクロポジシヨナ１２２により、オペ
レータはウエハ６０をＸ及びＹ方向に動かすこと
ができる。加えて、ウエハ６０を乗せているテー
ブル８４は、マスク−ウエハ間隔を調整するた
め、マイクロポジシヨナ１２２によりＺ方向に移
動できる。更に、指定されたいわゆるＯ合せをす
るため、ウエハ６０はＸ−Ｙ面内でＺに平行な軸
の周囲に回転できる。

第５図において、寸法の超過したウエハ１２６
（すなわちその名目上の設計寸法に比べ）が正常
の寸法のマスク１２８から分離されているように
示されている。第５図中の線１３０及び１３２は
それぞれ中心を合せて配置されたＸ線源１３４か
ら出て、マスク１２８の下側の表面に形成された
２個のゾーンプレートパターン１３６及び１３８
の各中心を通つて延びる。しかし、ウエハ１２６
がその規定された正常な寸法より大きいため、そ
の上のゾーンプレートパターン１４０及び１４２
はウエハ１２６に先に規定された他の点ととも
に、マスク１２８上の形状に対し、適切に合され
ない。その結果、マスク１２８と寸法の超過した
ウエハ１２６の露出が間隔４０μｍで行われたと
すると、誤差が生じる。

本発明の原理に従うと、第５図に示されたゾー
ンプレートパターン１３６，１３８，１４０及び
１４２の軸のずれた照射は、マスク１２８及びウ
エハ１２６が40μｍ離れたままであると生じるで
あろう誤差条件を示すターゲツト像を生ずること
になる。第５図に示されるように、ゾーンプレー
トマーク１４０及１４２の軸のずれた照射は、ウ
エハ１２６が寸法超過でなければ生じるであろう
と所より、それぞれ左及び右にターゲツト十字を
生ずる。（この誤差条件は第６図の下部の矢印で
表わされている。） 本発明に従うと、寸法超過又は寸法不足のウエ
ハ１２６から生ずる誤差を実効的に補償するた
め、マスク−ウエハ間隔の調整用に基板が用意さ
れる。余分の距離ｇ（第５図参照）だけウエハを
マスク１２８から離すか近づけることにより、あ
らかじめ規定されたウエハ上の形状及びその上に
規定すべき新しい形状（マスク１２８により指定
される）間の所望の位置合せが実現される。正確
な位置合せを実現するための適当なマスク−ウエ
ハ間隔は、ウエハのゾーンプレートマーク１４０
及び１４２により焦点の合されるターゲツト十字
が、第６図の最上部の列により表されるように、
マスク１２８上のゾーンプレートアレイ１３６及
び１３８により焦点の合される各十字アレイ内に
中心が来るようになつた時に示される。

第６図の最上部列中に示される２個のターゲツ
ト十字アレイは、ここで具体的に示した形の空間
的に分離されたマスク及びウエハの例で、Ｘ、
Ｙ、Ｚ及びθで位置が指定してある。たとえば、
第６図に示される十字１４４から１５１は、第１
図のマスク１０上に示された個々のゾーンプレー
トマーク１３から１６及び２１から２４により形
成された像を構成する。第６図の最上部の列に示
される中心に配置された十字１６１及び１６２
は、第２図のウエハ６０上のゾーンプレートマー
ク６１及び６２により形成されるターゲツト像で
ある。

第６図の第２、第３及び第４の列に示されるタ
ーゲツトアレイは、それぞれ空間的に分離された
マスク及びウエハ部の例で、Ｘ、Ｙ及びθ方向に
配置が誤つている。加えて、第６図の最後の列に
示されたアレイは、マスク又はウエハの一方又は
両方の寸法超過又は寸法不足から生じる誤差状態
の例である。これらのアレイを観察し、マイクロ
ポジシヨナ１２２（第４図）の位置をあわせるこ
とにより、オペレータはマスク及びウエハ間の所
望の方向を得るため、それらの位置合せをするこ
とができる。

本発明の原理に従い作られた自動位置合せシス
テムが、第７図に示されている。そのようなシス
テムにおいて、レーザ１６６をその中の光源とし
て用いると有利である。そのようにして、比較的
高い信号対雑音比が、システムで実現される。

第７図のシステム中の干渉効果を避けるため、
２個の直列のスポツト対から成る４スポツトター
ゲツトアレイを形成する目的で、レーザ１６６の
単一スポツト出力を処理するのが有利である。各
対において、スポツトは異なつて偏光する。従つ
て、たとえばレーザ１６６の出力が単一の45度偏
光スポツトを形成するように焦点を合されると仮
定する。このスポツトは標準の偏光ビームスプリ
ツタ１６８中に向けられ、それは光を四分の一波
長板１７０及び１７２を通して、それぞれ鏡１７
４及び１７６上に当るように、上方及び左に伝播
する。鏡から反射された光は、プレート１７０及
び１７２を通して再び方向が変えられ、次にビー
ムスプリツタ１６８により光路１７７を横切り、
Ｙ方向軸の周囲に回転するように設計されたガル
バノメータ鏡１７８上に当るように向けられる。

第７図の鏡１７４及び１７６の一つを、他方の
鏡に対し垂直に数度ずらして置くことにより、２
個の空間的に分離されたスポツトが、光路１７７
に沿つて伝播される。たとえば、１つのスポツト
は水平面内に偏光され、他方は垂直面内に偏光さ
れる。これらのスポツトはＹ軸に沿つて空間的に
分離された位置における鏡１７８上に当り、光路
１８０に沿つて伝播するよう反射される。レンズ
１８２及び１８４を横切つた後、これらのスポツ
トはＹ軸に沿つて基準線１８６のいずれかの側に
空間的に分離された同じＸ軸位置に像ができる。

次いて、鏡１７８は回転され、それから反射さ
れた２個のスポツトを光路１８８、レンズ１８２
及びレンズ１９０を横切らせる。先のように、こ
れらのスポツトは基準線１８６のいずれかのＹ軸
に沿い、異なるＸ軸上の空間的に分離された位置
に像ができる。例えば、鏡１７９は２個の指定さ
れた位置の間で、１秒当り約30回転の速度で移動
される。

上で述べ第７図に示した具体的な方式の例で
は、４個のスポツトターゲツトアレイが発生され
る。このアレイは第４図のシステムに関連して上
で述べた単一のターゲツト十字に代る。

第７図のリレーレンズ１０６、ビームスプリツ
タ１０８及び顕微鏡対物レンズ１１０は、第４図
中の同一の数字の要素に対応する。同様に、可動
テーブル８４上のマスク１０及びウエハ６０は、
先に述べたマスク及びウエハ部と同一でよい。こ
れら部分上のゾーンプレートマークは、入射スポ
ツトアレイをマスク１０の表面上に焦点を合せる
働きをする。その後、スポツトは対物レンズ１１
０及びビームスプリツタ１０８により、レンズ１
９２に向けられそれはスポツトをテレビカメラ１
９４のような標準の感光性検出器の表面上に焦点
を合せる。それに応答して、カメラ１９４は光ス
ポツトの入射アレイを表す電気信号を発生する。
マスク又はウエハの一方又は両方中の歪あるいは
寸法の違いから生じるＸ、Ｙ又はＯ中の位置合せ
誤差に対応する誤差状態の場合、電気的修正信号
が標準の制御回路１９６により発生され、マイク
ロポジシヨナユニツト１９８に印加される。する
と、ユニツト１９８はＸ、Ｙ、Ｏの位置を合せ、
示したマスク及びウエハ部間の距離を調整し、対
称なパターンがカメラ１９４上に入射するように
する。そのようなパターンは部分間の正確な位置
関係を表す。その点において、もはや修正信号は
制御回路１９６により発生されず、マイクロポジ
シヨナ１９８に印加されない。従つて、位置合せ
されたマスク及びウエハ部はそれ以上動かない。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図はそれぞれマスク及びウエハ
上に作られたゾーンプレートマークを示す図、第
３図はそれぞれがその上にゾーンプレートマーク
を有し、位置合せ中マークが照射される方式を示
す空間的に分離されたマスク及びウエハを示す
図、第４図は手動位置合せシステムの概略を示す
図、第５図は物理的に歪んだウエハを伴うマスク
及びいわゆる拡大誤差の発生及び修正を示す図、
第６図は各種の位置合せマークパターンを示す
図、第７図は自動位置合せシステムの概略を示す
図である。 〔主要部分の符号の説明〕、位置合せパターン
……１２，６１、マスク……１０、ウエハ……６
０、放射エネルギー線源……８５、位置合せパタ
ーン照射手段……１００，１０２，１０４，１０
６，１１０。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 空間的に分離されたマスク部およびウエハ部
   を第１の放射エネルギー線源に対して位置合せを
   する方法であり、 該マスク部およびウエハ部の各々がその上に位
   置合せに適した位置合せパターンを有し、該パタ
   ーンの各々は位置合せマーク情報を伝搬する第２
   の放射エネルギー線源からの入射光に応答して、
   その反射により焦点のあつた位置合せマーク像を
   形成するようにし、該第２の放射エネルギー線源
   からのビームの軸と該第１の放射エネルギー線源
   からのビームの軸とが互いにずれている上記位置
   合せをする方法において、 前記第１の放射エネルギー線源と交差する方向
   に沿つて前記位置合せマーク像を形成させるよう
   な前記第２の放射エネルギー線源からの角度で位
   置合せパターンの各々を照射することを特徴とす
   るマスク−ウエハ位置合せ方法。 ２ 空間的に分離されたマスク部およびウエハ部
   を第１の放射エネルギー線源に対して位置合せを
   するための装置であり、 該マスク部およびウエハ部の各々が位置合せに
   適した位置合せパターンを有し、該パターンの
   各々は位置合せマーク情報を伝搬する第２の放射
   エネルギー線源からの入射光により照射されたと
   きに、その反射により、前記入射光の焦点を合せ
   て位置合せマーク像を形成するものであり、該第
   ２の放射エネルギー線源からのビームの軸と該第
   １の放射エネルギー線源からのビームの軸とが互
   いにずれている上記位置合せをするためのマスク
   −ウエハ位置合せ装置において、 前記第１の放射エネルギー線源と交差する方向
   に沿つて前記位置合せマーク像を形成させるよう
   な前記第２のエネルギー線源からの角度で位置合
   せパターンの各々を照射する手段を含むことを特
   徴とするマスク−ウエハ位置合せ装置。 ３ 特許請求の範囲第２項記載の装置において、
   該装置が前記マスク部とウエハ部との間の距離を
   変化させる手段を含むことを特徴とするマスク−
   ウエハ位置合せ装置。