JPS6370703U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6370703U JPS6370703U JP16477686U JP16477686U JPS6370703U JP S6370703 U JPS6370703 U JP S6370703U JP 16477686 U JP16477686 U JP 16477686U JP 16477686 U JP16477686 U JP 16477686U JP S6370703 U JPS6370703 U JP S6370703U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gaasfet
- switch
- dielectric substrate
- switches
- drain
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Description
第１図は、本考案の一実施例の構成図、第２図
は、同上の回路図、第３図は、同上に係るウイル
キンソンタイプの電力分配器の構成図、第４図は
、スミスチヤート、第５図は、従来例の回路図、
第６図は、同上の構成図である。 ＫＫ…誘電体基板、ＧａＡｓＦＥＴ…ＧａＡｓ
ＦＥＴ素子、Ｇ…ゲート、Ｄ…ドレイン、Ｓ…ソ
ース、ＳＷ１，ＳＷ２…スイツチ、Ｙ…合成器。
は、同上の回路図、第３図は、同上に係るウイル
キンソンタイプの電力分配器の構成図、第４図は
、スミスチヤート、第５図は、従来例の回路図、
第６図は、同上の構成図である。 ＫＫ…誘電体基板、ＧａＡｓＦＥＴ…ＧａＡｓ
ＦＥＴ素子、Ｇ…ゲート、Ｄ…ドレイン、Ｓ…ソ
ース、ＳＷ１，ＳＷ２…スイツチ、Ｙ…合成器。
Claims (1)
- ストリツプラインよりなる回路パターンとチツ
プ素子及びＧａＡｓＦＥＴ素子を誘電体基板上に
形成し、前記ＧａＡｓＦＥＴ素子のゲートに印加
する電圧により、前記ＧａＡｓＦＥＴ素子のドレ
イン―ソース間をスイツチングするスイツチを、
誘電体基板上に２個並列に形成し、前記２個のス
イツチの出力合成器により接続したことを特徴と
するマイクロ波用スイツチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16477686U JPS6370703U (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16477686U JPS6370703U (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370703U true JPS6370703U (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=31094205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16477686U Pending JPS6370703U (ja) | 1986-10-27 | 1986-10-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6370703U (ja) |
-
1986
- 1986-10-27 JP JP16477686U patent/JPS6370703U/ja active Pending