JPH0312502U - - Google Patents

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JPH0312502U
JPH0312502U JP7275989U JP7275989U JPH0312502U JP H0312502 U JPH0312502 U JP H0312502U JP 7275989 U JP7275989 U JP 7275989U JP 7275989 U JP7275989 U JP 7275989U JP H0312502 U JPH0312502 U JP H0312502U
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JP7275989U
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  • Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は、この考案の一実施例によるスイツチ
ドライン型移相器の構成図、第２図は、従来のス
イツチドライン型移相器の構成図である。図中１
は誘電体基板、２は入出力線路、３はＦＥＴ、３
ａはＦＥＴ３のソース電極、３ｂはドレイン電極
、３ｃはゲート電極、４はインダクタンス用線路
、５は基準線路、６は遅延線路、７は基準側バイ
アス回路、７ａは基準側ゲートバイアス線路、７
ｂは基準側キヤパシタ、７ｃは基準側バイアス端
子、７ｄは基準側接地端子、８は遅延側バイアス
回路、８ａは遅延側ゲートバイアス線路、８ｂは
遅延側キヤパシタ、８ｃは遅延側バイアス端子、
８ｄは遅延側接地端子である。なお、図中同一符
号は同一、または相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 誘電体基板上にストリツプ線路により構成
    される入出力線路と、入出力線路の接点に配置さ
    れる半導体素子と、上記半導体素子の電極にバイ
    アス電圧もしくはバイアス電流を印加するために
    誘電体基板上に配置されたバイアス回路より構成
    されるＲＦスイツチを、２個用いて上記２個のＲ
    Ｆスイツチの出力部分をストリツプ線路により構
    成される基準線路と遅延線路により接続したスイ
    ツチドライン型移相器において、遅延線路と遅延
    線路側のバイアス回路を接近させたことを特徴と
    するスイツチドライン移相器。 (2) 誘電体基板上にストリツプ線路により構成
    される入出力線路と、入出力線路の接点に配置さ
    れる半導体素子と、上記半導体素子の電極にバイ
    アス電圧もしくはバイアス電流を印加するために
    誘電体基板上に配置されたバイアス回路より構成
    されるＲＦスイツチを、２個用いて上記２個のＲ
    Ｆスイツチの出力部分をストリツプ線路により構
    成される基準線路と遅延線路により接続したスイ
    ツチドライン型移相器において、遅延回路と遅延
    線路側のバイアス回路をメアンダラインとし接近
    させたことを特徴とするスイツチドライン移相器
    。
JP7275989U 1989-06-21 1989-06-21 Pending JPH0312502U (ja)

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JPH0312502U true JPH0312502U (ja) 1991-02-07

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JP (1) JPH0312502U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005300327A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Iwasaki Electric Co Ltd 電子線照射装置
JP2006296721A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Eidai Co Ltd 引き出しの支持構造

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005300327A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Iwasaki Electric Co Ltd 電子線照射装置
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