JPS6371920A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPS6371920A JPS6371920A JP21653786A JP21653786A JPS6371920A JP S6371920 A JPS6371920 A JP S6371920A JP 21653786 A JP21653786 A JP 21653786A JP 21653786 A JP21653786 A JP 21653786A JP S6371920 A JPS6371920 A JP S6371920A
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- Japan
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- thin film
- ferromagnetic metal
- magnetic
- metal thin
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- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、真空蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属3膜を
磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁
気記録媒体に関するものである。
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属3膜を
磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁
気記録媒体に関するものである。
本発明は、非磁性支持体上に強磁代金に71膜を磁性層
として形成してなる磁気記録媒体において、磁性層であ
る強磁性金属3膜上にN−パーフルオロフェニルカルボ
ン酸アミドを被着し、あらゆる使用条件下においても優
れた走行性。
として形成してなる磁気記録媒体において、磁性層であ
る強磁性金属3膜上にN−パーフルオロフェニルカルボ
ン酸アミドを被着し、あらゆる使用条件下においても優
れた走行性。
耐摩耗性、耐久性を発揮する磁気記録媒体を提供しよう
とするものである。
とするものである。
従来よりモiり気記録媒体としては、非磁性支持体上に
γ−Fe20,1COを含有するT F’3zOx+
Fe30 a + Coを含有するFe’+04+ r
F e 203とFe、04とのへルトライド化合
物、Coを含有するヘルドライド化合物、CrO2等の
酸化物強磁性粉末あるいはFe、Co、Ni等を主成分
とする合金(n性粉末等の粉末磁性材j′4を塩化ビニ
ル−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ボリウ
レクン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗
料を■布・乾燥することにより作製される塗布型の磁気
記録媒体が広く使用されている。
γ−Fe20,1COを含有するT F’3zOx+
Fe30 a + Coを含有するFe’+04+ r
F e 203とFe、04とのへルトライド化合
物、Coを含有するヘルドライド化合物、CrO2等の
酸化物強磁性粉末あるいはFe、Co、Ni等を主成分
とする合金(n性粉末等の粉末磁性材j′4を塩化ビニ
ル−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ボリウ
レクン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗
料を■布・乾燥することにより作製される塗布型の磁気
記録媒体が広く使用されている。
これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりととも
に、Co−Ni合金等の強(イ1性金属材i4を、メッ
キや真空3膜形成技術(tL空g75法やスパッタリン
グ法、イオンブレーティング法等)によってポリエステ
ルフィルムやポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に
直接被着した、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒
体が提案され、注目を集めている。この強磁性金属薄膜
型(n気記録媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長
での電磁変喚特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚み
を極めて薄くすることが可能であるため記録凋磁や再生
時の厚み損失が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材
である有機バインダーを混入する必要がないため磁性材
料の充填密度を高めることができること等、数々の利点
を有している。
に、Co−Ni合金等の強(イ1性金属材i4を、メッ
キや真空3膜形成技術(tL空g75法やスパッタリン
グ法、イオンブレーティング法等)によってポリエステ
ルフィルムやポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に
直接被着した、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒
体が提案され、注目を集めている。この強磁性金属薄膜
型(n気記録媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長
での電磁変喚特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚み
を極めて薄くすることが可能であるため記録凋磁や再生
時の厚み損失が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材
である有機バインダーを混入する必要がないため磁性材
料の充填密度を高めることができること等、数々の利点
を有している。
しかしながら、上述の強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体
では、磁性層表面の平滑性が極めて良好であるために実
質的な接触面積が大きくなり、凝着現象(いわゆるはり
つき)が起こり易くなったり摩擦係数が大きくなる等、
耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな課題
となっている。
では、磁性層表面の平滑性が極めて良好であるために実
質的な接触面積が大きくなり、凝着現象(いわゆるはり
つき)が起こり易くなったり摩擦係数が大きくなる等、
耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな課題
となっている。
一般に、磁気記録媒体は磁気信号の記録・再生の過程で
石は気へノドとの高速相対運動のもとにおかれ、その際
走行が円滑に、かつ安定な状信で行われなければならな
い。また、磁気ヘッドとの接触による摩耗や…傷はなる
べく少ないほうがよい。
石は気へノドとの高速相対運動のもとにおかれ、その際
走行が円滑に、かつ安定な状信で行われなければならな
い。また、磁気ヘッドとの接触による摩耗や…傷はなる
べく少ないほうがよい。
そこで例えば、上記磁気記録媒体の磁性層、すなわち強
磁性金属薄膜表面に潤滑剤を塗布して保護膜を形成する
ことにより、上記耐久性や走行性を改善することが試み
られている。
磁性金属薄膜表面に潤滑剤を塗布して保護膜を形成する
ことにより、上記耐久性や走行性を改善することが試み
られている。
ところで、上述のように潤滑剤を塗布して保工5膜を形
成した場合には、この保護膜が磁性層である強磁性金属
薄膜に対して良好な密着性を示し、かつ高い潤滑効果を
発揮することが要求される。
成した場合には、この保護膜が磁性層である強磁性金属
薄膜に対して良好な密着性を示し、かつ高い潤滑効果を
発揮することが要求される。
また、これら密着性や潤滑効果は、熱帯、亜熱帯地方等
のように高温多湿の条件下でも、寒冷地のように低温の
条件下でも優れたものでなければならない。
のように高温多湿の条件下でも、寒冷地のように低温の
条件下でも優れたものでなければならない。
しかしながら、従来広く用いられている潤滑剤の使用温
度範囲は限られており、特に、0〜−5℃のような低温
下では固体化または凍結するものが多く、充分にその潤
滑効果を発揮させることができなかった。
度範囲は限られており、特に、0〜−5℃のような低温
下では固体化または凍結するものが多く、充分にその潤
滑効果を発揮させることができなかった。
そこで本発明は、如何なる使用条件下においても密着性
や潤滑性が保たれ、がっ長月に亘り潤滑効果が持続する
潤滑剤を提供し、走行性、i!lJt久性にイ3れた磁
気記録媒体を提供することを目的とする。
や潤滑性が保たれ、がっ長月に亘り潤滑効果が持続する
潤滑剤を提供し、走行性、i!lJt久性にイ3れた磁
気記録媒体を提供することを目的とする。
C問題点を解決するだめの手段〕
本発明者は、上述の目的を達成せんものと鋭意研究の結
果、N−パーフルオロフェニルカルボン酸アミドが広い
温度範囲に亘って良好な潤滑効果を発揮することを見出
し本発明を完成するに至ったものであって、第1図に示
すように、非磁性支持体(1)上に強もf性金属薄膜(
2)を形成し、上記強磁性金属薄膜(2)にN−パーフ
ルオロフェニルカルボン酸アミドを主成分とする潤滑剤
(3)尼を被着したことを特徴とするものである。
果、N−パーフルオロフェニルカルボン酸アミドが広い
温度範囲に亘って良好な潤滑効果を発揮することを見出
し本発明を完成するに至ったものであって、第1図に示
すように、非磁性支持体(1)上に強もf性金属薄膜(
2)を形成し、上記強磁性金属薄膜(2)にN−パーフ
ルオロフェニルカルボン酸アミドを主成分とする潤滑剤
(3)尼を被着したことを特徴とするものである。
本発明で′18滑剤として使用されるN−パーフルオロ
フェニルカルボン酸アミドには、(i)パーフルオロフ
ェニルカルボン酸アミド及び(ii)N−バーフルオロ
フェニルパーフルオロアルキルアミドがあり、各々次に
示す一般式で表される。
フェニルカルボン酸アミドには、(i)パーフルオロフ
ェニルカルボン酸アミド及び(ii)N−バーフルオロ
フェニルパーフルオロアルキルアミドがあり、各々次に
示す一般式で表される。
(1)パーフルオロフェニルカルボン
(但し、式中Rは炭素数6以上の炭化水素基であればよ
く、飽和,不飽和,直鎮状または分枝状のいずれであっ
てもよい。) (ii)N−パーフルオロフェニルパーフルオロアルキ
ルアミド (但し、式中パーフルオロアルキル基の炭素数nは3以
上の整数である。) 上記(i)パーフルオロフェニルカルボン酸アミドある
いは(ii)N−パーフルオロフェニルパーフルオロア
ルキルアミドは、パーフルオロアニリンと長鎖カルボン
酸塩化物あるいはパーフルオロカルボン酸クロリドとを
塩基(例えばピリジン。
く、飽和,不飽和,直鎮状または分枝状のいずれであっ
てもよい。) (ii)N−パーフルオロフェニルパーフルオロアルキ
ルアミド (但し、式中パーフルオロアルキル基の炭素数nは3以
上の整数である。) 上記(i)パーフルオロフェニルカルボン酸アミドある
いは(ii)N−パーフルオロフェニルパーフルオロア
ルキルアミドは、パーフルオロアニリンと長鎖カルボン
酸塩化物あるいはパーフルオロカルボン酸クロリドとを
塩基(例えばピリジン。
トリエチルアミン)の存在下で簡単に合成することがで
きる。
きる。
ここで、上記一般式(1)において、パーフルオロフェ
ニルカルボン酸アミドのRは炭化水素基であればよく、
飽和、不飽和、直鎖状または分枝状のいずれでもよい。
ニルカルボン酸アミドのRは炭化水素基であればよく、
飽和、不飽和、直鎖状または分枝状のいずれでもよい。
また、上記一般式(11)において、N−パーフルオロ
フェニルパーフルオロアルキルアミドのパーフルオロ基
の炭素数nは3以上の整数であることが望ましく、パー
フルオロ基の炭素数が3未満の場合には所定の潤滑効果
を期待することができない。 上述のようにして合成さ
れるN−パーフルオロフェニルカルボン酸アミドは、単
独で潤滑剤として用いてもよいが、従来公知の潤滑剤と
混合して用い、さらに使用温度帯域の拡大を図るように
してもよい。
フェニルパーフルオロアルキルアミドのパーフルオロ基
の炭素数nは3以上の整数であることが望ましく、パー
フルオロ基の炭素数が3未満の場合には所定の潤滑効果
を期待することができない。 上述のようにして合成さ
れるN−パーフルオロフェニルカルボン酸アミドは、単
独で潤滑剤として用いてもよいが、従来公知の潤滑剤と
混合して用い、さらに使用温度帯域の拡大を図るように
してもよい。
使用される潤滑剤としては、脂肪酸またはその金属塩、
脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールまた
はそのアルコキシド、脂肪族アミン、多価アルコール、
ソルビタンエステル、マンニソタンエステル、硫黄化脂
肪酸、脂肪族メルカプタン、変性シリコーンオイル、パ
ーフルオロアルキルエチレンオキシド、パーフルオロポ
リエーテル類、高級アルキルスルホン酸またはその金属
塩、パーフルオロアルキルスルホン酸またはそのアンモ
ニウム塩あるいはその金属塩、パーフルオロアルキルカ
ルボン酸またはその金属塩等が例示される。
脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールまた
はそのアルコキシド、脂肪族アミン、多価アルコール、
ソルビタンエステル、マンニソタンエステル、硫黄化脂
肪酸、脂肪族メルカプタン、変性シリコーンオイル、パ
ーフルオロアルキルエチレンオキシド、パーフルオロポ
リエーテル類、高級アルキルスルホン酸またはその金属
塩、パーフルオロアルキルスルホン酸またはそのアンモ
ニウム塩あるいはその金属塩、パーフルオロアルキルカ
ルボン酸またはその金属塩等が例示される。
特に、一般式C,Fz−+C0OR’ (但し、式中
mは6〜10の整数を表し、R゛は炭素数1〜25の炭
化水素基を表す。)で示されるパーフルオロアルキルカ
ルボン酸エステルや一般弐R”C00(CHz)jCk
Fz、−+ (但し、R’ は炭素数1〜25の炭化水
素基を表し、0≦3≦5、k≧3である。)も低温特性
が良好であることから上記不飽和脂肪酸アミドと併用す
るのに好適である。
mは6〜10の整数を表し、R゛は炭素数1〜25の炭
化水素基を表す。)で示されるパーフルオロアルキルカ
ルボン酸エステルや一般弐R”C00(CHz)jCk
Fz、−+ (但し、R’ は炭素数1〜25の炭化水
素基を表し、0≦3≦5、k≧3である。)も低温特性
が良好であることから上記不飽和脂肪酸アミドと併用す
るのに好適である。
さらには、より厳しい使用条件に対処し、かつ潤滑効果
を持続するために、上記N−パーフルオロフェニルカル
ボン酸アミド中にm’Hk比テ30 ニア0〜70:3
0.11度の配合比で極圧剤を併用してもよい。
を持続するために、上記N−パーフルオロフェニルカル
ボン酸アミド中にm’Hk比テ30 ニア0〜70:3
0.11度の配合比で極圧剤を併用してもよい。
上記))圧剤は、境界潤滑領域において部分的に金属接
触を生じたとき、これに伴う摩擦熱によって金属面と反
応し、反応生成物被膜を形成することにより摩擦・摩1
を防止作用を行うものであって、リン酸エステル、亜リ
ン酸エステル又はリン酸エステルアミン塩等のリン系極
圧剤、硫化油脂、モノサルファイド又はポリサルファイ
ド等のイオウ系極圧剤、ヨウ素化合物、臭素化合物又は
塩素化合物等のハロゲン系極圧剤、チオリン酸塩、チオ
カルバミン酸塩又は金属アルキルジチオカルバミン酸塩
等の有殿金属系極圧剤、ジアルキルチオリン酸アミン、
チオフォスフェート又はチオフォスファイト等の複合型
極圧剤等が知られている。
触を生じたとき、これに伴う摩擦熱によって金属面と反
応し、反応生成物被膜を形成することにより摩擦・摩1
を防止作用を行うものであって、リン酸エステル、亜リ
ン酸エステル又はリン酸エステルアミン塩等のリン系極
圧剤、硫化油脂、モノサルファイド又はポリサルファイ
ド等のイオウ系極圧剤、ヨウ素化合物、臭素化合物又は
塩素化合物等のハロゲン系極圧剤、チオリン酸塩、チオ
カルバミン酸塩又は金属アルキルジチオカルバミン酸塩
等の有殿金属系極圧剤、ジアルキルチオリン酸アミン、
チオフォスフェート又はチオフォスファイト等の複合型
極圧剤等が知られている。
また、上述の1!′Il滑剤、極圧剤の他必要に応じて
防錆剤を併用してもよい。
防錆剤を併用してもよい。
使用可能な防錆剤としては、通常この種の磁気記録媒体
の防錆剤とし°ζ使用されるものであれば如何なるもの
でもよく、例えば二価フェノール。
の防錆剤とし°ζ使用されるものであれば如何なるもの
でもよく、例えば二価フェノール。
アルキルフェノールあるいはニトロソフェノール等のフ
ェノール類、純ナフトール又はニトロ、ニトロ゛八ツミ
ノ、ハロゲノ直換ナフト−ル類ルナフトール類、メチル
キノン、ヒドロキシキノン。
ェノール類、純ナフトール又はニトロ、ニトロ゛八ツミ
ノ、ハロゲノ直換ナフト−ル類ルナフトール類、メチル
キノン、ヒドロキシキノン。
アミノキノン、ニトロキノン又はハロゲノキノン等のキ
ノン類、ベンゾフェノン及びその誘導体であるヒドロキ
シヘンシフエノン、アミノベンヅフエノン等のジアリー
ルケトン、アクリジン、4−キノリツール、キヌレン酸
又はリボフラビン等の窒素原子を含む複素環化合物、ト
コフェロール又はグアノシン等の酸素原子を含む複素環
化合物、スルホラン、スルホレン又はビチオン等の硫黄
原子を含む複素環化合物、チオフェノール、ジチゾン又
はチオオキンン等のメルカプト基を有する化合物、エン
タチオ酸又はルヘアン酸等のチオカルボン酸またはその
塩、ジアヅスルフィド又はヘンゾチアゾリン等のチアゾ
ール系化合物等が挙げられる。上記防錆剤は、潤滑剤と
混合させて用いても良いが、例えば第2図に示すように
、非磁性支持体(1)上に形成した強磁性金属薄膜(2
)の表面に先ず上記防錆剤(4)を塗布し、しかる後潤
滑剤(3)を塗布するというように、2層以上に分けて
被着すると効果が高い。
ノン類、ベンゾフェノン及びその誘導体であるヒドロキ
シヘンシフエノン、アミノベンヅフエノン等のジアリー
ルケトン、アクリジン、4−キノリツール、キヌレン酸
又はリボフラビン等の窒素原子を含む複素環化合物、ト
コフェロール又はグアノシン等の酸素原子を含む複素環
化合物、スルホラン、スルホレン又はビチオン等の硫黄
原子を含む複素環化合物、チオフェノール、ジチゾン又
はチオオキンン等のメルカプト基を有する化合物、エン
タチオ酸又はルヘアン酸等のチオカルボン酸またはその
塩、ジアヅスルフィド又はヘンゾチアゾリン等のチアゾ
ール系化合物等が挙げられる。上記防錆剤は、潤滑剤と
混合させて用いても良いが、例えば第2図に示すように
、非磁性支持体(1)上に形成した強磁性金属薄膜(2
)の表面に先ず上記防錆剤(4)を塗布し、しかる後潤
滑剤(3)を塗布するというように、2層以上に分けて
被着すると効果が高い。
これらN−パーフルオロフェニルカルボン酸アミドを含
有する潤滑剤層を強磁性金属薄膜上に付着させる方法と
しては、上記潤滑剤を溶媒に溶解して得られた溶液を強
磁性金属薄膜の表面に塗布もしくは噴霧するか、あるい
は逆にこの?容ン夜中に強磁性金属薄膜を浸漬し乾燥す
ればよい。
有する潤滑剤層を強磁性金属薄膜上に付着させる方法と
しては、上記潤滑剤を溶媒に溶解して得られた溶液を強
磁性金属薄膜の表面に塗布もしくは噴霧するか、あるい
は逆にこの?容ン夜中に強磁性金属薄膜を浸漬し乾燥す
ればよい。
ここで、その塗布量は、0.5mg/r4〜100++
v/%であるのが好ましく、1■/rLr〜20■/イ
であるのがより好ましい。この塗布量があまり少なすぎ
ると、摩擦係数の低下、耐摩耗性・耐久性の向上という
効果が顕れず、一方あまり多すぎると、摺動部材と強磁
性金属薄膜との間ではりつき現象が起こり、却って走行
性が悪くなる。
v/%であるのが好ましく、1■/rLr〜20■/イ
であるのがより好ましい。この塗布量があまり少なすぎ
ると、摩擦係数の低下、耐摩耗性・耐久性の向上という
効果が顕れず、一方あまり多すぎると、摺動部材と強磁
性金属薄膜との間ではりつき現象が起こり、却って走行
性が悪くなる。
本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
磁性層として強磁性金属31′!2を設けたらのである
が、ここで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレン
テレフタレート等のポリエステル類、ボリエヂレン、ポ
リプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリア
セテート、セルロースグイアセテート、セルロースアセ
テートブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボ
ネート、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチッ
ク、アルミニウム合金、チタン合金等の軽金又、アルミ
ナガラス等のセラミックス等が挙げられる。
磁性層として強磁性金属31′!2を設けたらのである
が、ここで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレン
テレフタレート等のポリエステル類、ボリエヂレン、ポ
リプロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリア
セテート、セルロースグイアセテート、セルロースアセ
テートブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボ
ネート、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチッ
ク、アルミニウム合金、チタン合金等の軽金又、アルミ
ナガラス等のセラミックス等が挙げられる。
この非磁性支持体の形態としては、フィルl1.シート
、ディスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。
、ディスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。
上記非磁性支持体には、その表面に山状突起やしわ状突
起2粒状突起等の突起を1種以上を形成し、表面粗さを
コントロールしてもよい。
起2粒状突起等の突起を1種以上を形成し、表面粗さを
コントロールしてもよい。
上記山伏突起は、例えば高分子フィルム製膜時に粒径5
00〜3000人程度の無機微粒子を内添することによ
り形成され、高分子フィルム表面からの高さは100〜
1000人、密度はおよそI X 10’〜l0XIO
’個/龍2とする。山状突起を形成するために使用され
る無機微粒子としては、炭酸カルシウム(CaCOx)
やシリカ、アルミナ等が好適である。
00〜3000人程度の無機微粒子を内添することによ
り形成され、高分子フィルム表面からの高さは100〜
1000人、密度はおよそI X 10’〜l0XIO
’個/龍2とする。山状突起を形成するために使用され
る無機微粒子としては、炭酸カルシウム(CaCOx)
やシリカ、アルミナ等が好適である。
上記しわ状突起は、例えば特定の混合溶媒を用いた樹脂
の希薄溶液を塗布乾燥することにより形成される起伏で
あって、その高さは0.01〜10μm、好ましくは0
.03〜0.5μm、突起間の最短間隔は0.1〜20
μmとする。このしわ状突起を形成するための樹脂とし
ては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート等の会包和ポリエステル、ポリアミド、ポリス
チロール、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリ
スルホン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリフェニ
レンオキサイド、フェノキシ樹脂等の各種樹脂の単体、
混合体または共重合体であり、可溶性溶剤を有するもの
が適している。そして、これらの樹脂をその良溶媒に溶
解せしめた樹脂4度1〜11000ppの溶液に、その
樹脂の貧溶媒であって前記良溶媒より高い沸点を有する
溶媒を樹脂に対して10〜100倍里添加した溶液を、
高分子フィルムの表面に塗布・乾燥することにより、非
常に微細なしわ状凹凸を有する薄層を得ることができる
。
の希薄溶液を塗布乾燥することにより形成される起伏で
あって、その高さは0.01〜10μm、好ましくは0
.03〜0.5μm、突起間の最短間隔は0.1〜20
μmとする。このしわ状突起を形成するための樹脂とし
ては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート等の会包和ポリエステル、ポリアミド、ポリス
チロール、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリ
スルホン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリフェニ
レンオキサイド、フェノキシ樹脂等の各種樹脂の単体、
混合体または共重合体であり、可溶性溶剤を有するもの
が適している。そして、これらの樹脂をその良溶媒に溶
解せしめた樹脂4度1〜11000ppの溶液に、その
樹脂の貧溶媒であって前記良溶媒より高い沸点を有する
溶媒を樹脂に対して10〜100倍里添加した溶液を、
高分子フィルムの表面に塗布・乾燥することにより、非
常に微細なしわ状凹凸を有する薄層を得ることができる
。
粒状突起は、アクリル樹脂等の有機超微粒子またはシリ
カ、金属粉等の無機微粒子を球状あるいは半球状に付着
させることにより形成される。この粒状突起の高さは、
50〜500人1密度は1×106〜50X106個/
1m2程度とする。
カ、金属粉等の無機微粒子を球状あるいは半球状に付着
させることにより形成される。この粒状突起の高さは、
50〜500人1密度は1×106〜50X106個/
1m2程度とする。
これら突起の少なくとも一種以上を形成すれば磁性層で
ある強磁性金属薄膜の表面性が制御されるが、2種以上
を組み合わせることにより効果が増し、特に山状突起を
設けたベースフィルム上にしわ状突起とつぶ状突起を形
成すれば、極めて耐久性、走行性が改善される。
ある強磁性金属薄膜の表面性が制御されるが、2種以上
を組み合わせることにより効果が増し、特に山状突起を
設けたベースフィルム上にしわ状突起とつぶ状突起を形
成すれば、極めて耐久性、走行性が改善される。
この場合、突起の全体としての高さは、100〜200
0人の範囲内であることが好ましく、その密度は11■
2当り平均でlXl0’〜1×10?個であることが好
ましい。
0人の範囲内であることが好ましく、その密度は11■
2当り平均でlXl0’〜1×10?個であることが好
ましい。
また、上記磁性層である強磁性金属薄膜は、真空蒸着法
やイオンブレーティング法、スパッタリング法等の真空
薄膜形成技術により連続膜として形成される。
やイオンブレーティング法、スパッタリング法等の真空
薄膜形成技術により連続膜として形成される。
上記真空蒸着法は、10−’〜10−”Torrの真空
下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビー
ム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属(
強磁性金属材料)を沈着するというものであり、一般に
高い抗Ell力を得るため基板に対して上記強磁性金属
材料を斜めに薄着する斜方蒸着法が採用される。あるい
は、より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記薄
着を行うものも含まれる。
下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビー
ム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属(
強磁性金属材料)を沈着するというものであり、一般に
高い抗Ell力を得るため基板に対して上記強磁性金属
材料を斜めに薄着する斜方蒸着法が採用される。あるい
は、より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記薄
着を行うものも含まれる。
上記イオンブレーティング法も真空7着法の一種であり
、10−4〜I O−3Torrの不活性ガス雰囲気中
でDCグロー放電、RFグロー放電を起こして、放電中
で上記強磁性金属材料を蒸発させるというものである。
、10−4〜I O−3Torrの不活性ガス雰囲気中
でDCグロー放電、RFグロー放電を起こして、放電中
で上記強磁性金属材料を蒸発させるというものである。
上記スパッタリング法は、10−3〜l O−’Tor
rのアルゴンガスを主成分とする’[気中でグロー放電
を起こし、生したアルゴンガスイオンでターゲット表面
の原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方
法により直流2極、3極スパツタ法や、高周波スパッタ
法、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンス
パッタ法等がある。
rのアルゴンガスを主成分とする’[気中でグロー放電
を起こし、生したアルゴンガスイオンでターゲット表面
の原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方
法により直流2極、3極スパツタ法や、高周波スパッタ
法、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンス
パッタ法等がある。
このスパッタリング法による場合には、CrやW。
■等の下地膜を形成しておいてもよい。
なお、上記いずれの方法においても、基板上にあらかじ
めBi、Sb、Pb、Sn、Ga、In。
めBi、Sb、Pb、Sn、Ga、In。
Cd、Ge、Si、Tl1等の下地金属層を被着形成し
ておき、基板面に対して垂直方向から成膜することによ
り、磁気異方性の配向かなく面内等方法に優れた磁性層
を形成することができ、例えば磁気ディスクとする場合
には好適である。
ておき、基板面に対して垂直方向から成膜することによ
り、磁気異方性の配向かなく面内等方法に優れた磁性層
を形成することができ、例えば磁気ディスクとする場合
には好適である。
このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜を形成
する際に、使用される強磁性金属材料としては、Fe、
Co、Ni等の金属の他に、C0−Ni合金、Co−P
t合金、Co−Ni−Pt合金、Fe−Co合金、F
e−N i合金、Fe−Co−Ni合金、Fe−Co−
13合金、Co−N1−Fe−B合金、Co−Cr合金
あるいはこれらにCr、 A18等の金属が含有された
もの等が挙げられる。特に、Co−Cr合金を使用した
場合には、垂直磁化膜が形成される。
する際に、使用される強磁性金属材料としては、Fe、
Co、Ni等の金属の他に、C0−Ni合金、Co−P
t合金、Co−Ni−Pt合金、Fe−Co合金、F
e−N i合金、Fe−Co−Ni合金、Fe−Co−
13合金、Co−N1−Fe−B合金、Co−Cr合金
あるいはこれらにCr、 A18等の金属が含有された
もの等が挙げられる。特に、Co−Cr合金を使用した
場合には、垂直磁化膜が形成される。
ごのような手法により形成される磁性層の膜厚は、0.
04〜1μm程度である。
04〜1μm程度である。
また、第3図に示すように、非磁性支持体(1)上の強
磁性金属薄膜(2)が設けられる面とは反対側に、いわ
ゆるバラクコ−1一層(5)を形成してもよい。バンク
コート層はlfA化ビエビニル酸ビニル、フェノール樹
脂又はポリフッ化ビニル並びにポリウレタン樹脂又はブ
タジェン系共重合体等の結合剤樹脂と界雷性を付与する
ためのカーボン系微粉末又は表面粗度のコントロール及
び耐久性向上のために添加される無機顔料等の粉末成分
とをアセトン、メチルエチルケトン又はヘンゼン等の有
R溶媒に混合分散させたハックコート用塗料を非磁性支
持体面に塗布することにより形成される。
磁性金属薄膜(2)が設けられる面とは反対側に、いわ
ゆるバラクコ−1一層(5)を形成してもよい。バンク
コート層はlfA化ビエビニル酸ビニル、フェノール樹
脂又はポリフッ化ビニル並びにポリウレタン樹脂又はブ
タジェン系共重合体等の結合剤樹脂と界雷性を付与する
ためのカーボン系微粉末又は表面粗度のコントロール及
び耐久性向上のために添加される無機顔料等の粉末成分
とをアセトン、メチルエチルケトン又はヘンゼン等の有
R溶媒に混合分散させたハックコート用塗料を非磁性支
持体面に塗布することにより形成される。
前述のバンクコート層には潤滑剤を使用してもよい。こ
の場合、上記バックコート層中に潤滑剤を内添する方法
、あるいはバックコート層上に潤滑剤を被着する方法が
ある。いずれにしても、上記潤滑剤としては、脂肪酸、
脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、金属石鹸、脂肪族アル
コール、パラフィン、シリコーン等従来より周知の潤滑
剤が使用できる。
の場合、上記バックコート層中に潤滑剤を内添する方法
、あるいはバックコート層上に潤滑剤を被着する方法が
ある。いずれにしても、上記潤滑剤としては、脂肪酸、
脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、金属石鹸、脂肪族アル
コール、パラフィン、シリコーン等従来より周知の潤滑
剤が使用できる。
N−パーフルオロフェニルカルボン酸アミドを強磁性金
属Fjl膜に被着することにより良好な潤滑作用を発揮
して摩擦係数を低減する。
属Fjl膜に被着することにより良好な潤滑作用を発揮
して摩擦係数を低減する。
特に、N−パーフルオロフェニルカルボン酸アミドは、
低温下においても良好な潤滑効果を発揮する。
低温下においても良好な潤滑効果を発揮する。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
N−パーフルオロフェニルカルボン酸アミドを用いて強
磁性金属薄膜型の磁気記録媒体を作製した。
磁性金属薄膜型の磁気記録媒体を作製した。
実施例1゜
14μml¥のポリエチレンテレフタシートフィルムに
斜め蒸着法によりCOを被着させ、膜厚1000人の強
磁性金属薄膜を形成した。
斜め蒸着法によりCOを被着させ、膜厚1000人の強
磁性金属薄膜を形成した。
次に、この強磁性金属薄膜表面に、N−ペンタフルオロ
フェニルリルニルアミド をフレオン溶液に溶解したものを、塗布量が5■/n(
となるように塗布し、1/2インチ幅に裁断してサンプ
ルテープを作製した。
フェニルリルニルアミド をフレオン溶液に溶解したものを、塗布量が5■/n(
となるように塗布し、1/2インチ幅に裁断してサンプ
ルテープを作製した。
実施例2
14μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
めz6法によりCOを被着させ、膜71000人の強磁
性金属薄膜を形成した。
めz6法によりCOを被着させ、膜71000人の強磁
性金属薄膜を形成した。
次に、この強磁性金属薄膜表面に、N−ペンタフルオロ
フェニルステアリルアミド をフレオン溶液に溶解したものを、塗布量が5■/11
(となるように塗布し、1/2インチ幅に裁断してサン
プルテープを作製した。
フェニルステアリルアミド をフレオン溶液に溶解したものを、塗布量が5■/11
(となるように塗布し、1/2インチ幅に裁断してサン
プルテープを作製した。
実施例3
14μm17Eのポリエチレンテレフタレートフィルム
に斜め蒸着法によりCoを被着させ、膜厚1OOO人の
強磁性金属薄膜を形成した。
に斜め蒸着法によりCoを被着させ、膜厚1OOO人の
強磁性金属薄膜を形成した。
次に、この強磁性金属コ膜表面に、N−ペンタフルオロ
フェニルイソステアリルアミドをフレオン溶液に溶解し
たものを、塗布量が5mg/耐となるように塗布し、1
/2インチ幅に裁断してサンプルテープを作製した。
フェニルイソステアリルアミドをフレオン溶液に溶解し
たものを、塗布量が5mg/耐となるように塗布し、1
/2インチ幅に裁断してサンプルテープを作製した。
実施例4
14μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め蒸着法によりCOを被着させ、膜厚1000人の強磁
性金属薄膜を形成した。
め蒸着法によりCOを被着させ、膜厚1000人の強磁
性金属薄膜を形成した。
次に、この強磁性金属薄膜表面に、N−ペンタフルオロ
オレイルアミド をフレオン溶液に溶解したものを、塗布量が5mg/M
となるように塗布し、1/2インチ幅に裁断してサンプ
ルテープを作製した。
オレイルアミド をフレオン溶液に溶解したものを、塗布量が5mg/M
となるように塗布し、1/2インチ幅に裁断してサンプ
ルテープを作製した。
実施例5
14μm厚のポリエチレンテレフタシートフィルムに斜
め蒸着法によりcoを被着させ、膜厚1000人の強磁
性金属薄膜を形成した。
め蒸着法によりcoを被着させ、膜厚1000人の強磁
性金属薄膜を形成した。
次に、この強(H性金属薄膜表面に、N−ペンタフルオ
ロヘキサンアミド をフレオン?容?夜に)8解したものを、塗布量が5N
/n(となるように塗布し、1/2インチ幅に裁断して
サンプルテープを作製した。
ロヘキサンアミド をフレオン?容?夜に)8解したものを、塗布量が5N
/n(となるように塗布し、1/2インチ幅に裁断して
サンプルテープを作製した。
実施例6
14μmfq−のポリエチレンテレフタシートフィルム
に斜め薄着法によりCOを被着させ、膜y11000人
の強磁性金属薄膜を形成した。
に斜め薄着法によりCOを被着させ、膜y11000人
の強磁性金属薄膜を形成した。
次に、この強(51性金属薄膜表面に、ペンタフルオ口
フェニルベンタデカフルオ口オクタンアミドをフレオン
)容;夜に才容解したものを、塗布量が5■/dとなる
ように塗布し、1/2インチ幅に裁断してサンプルテー
プを作製した。
フェニルベンタデカフルオ口オクタンアミドをフレオン
)容;夜に才容解したものを、塗布量が5■/dとなる
ように塗布し、1/2インチ幅に裁断してサンプルテー
プを作製した。
実施例7
14μmKのポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め蒸着法によりCOを被着させ、膜厚1000人の強磁
性金属薄膜を形成した。
め蒸着法によりCOを被着させ、膜厚1000人の強磁
性金属薄膜を形成した。
次に、この強磁性金属薄膜表面に、ペンタフルオロフェ
ニルノナデカフルオロデカンアミドをフレオン)容;夜
に?容解したものを、塗布量が5mg/dとなるように
塗布し、1/2インチ幅に裁断してサンプルテープを作
製した。
ニルノナデカフルオロデカンアミドをフレオン)容;夜
に?容解したものを、塗布量が5mg/dとなるように
塗布し、1/2インチ幅に裁断してサンプルテープを作
製した。
実施例日
14μmrrIのポリエチレンテレフタレートフィルム
に斜め薄着法によりCoを被着させ、膜厚1000人の
強磁性金属薄膜を形成した。
に斜め薄着法によりCoを被着させ、膜厚1000人の
強磁性金属薄膜を形成した。
次に、この強磁性金属薄膜表面に、ペンタフルオロフェ
ニルペンタコサフルオロドデカンアミドをフレオンを客
演に?容解したものを、塗布付力(5111r/m′と
なるように塗布し、1/2インチ幅に裁断してサンプル
テープを作製した。
ニルペンタコサフルオロドデカンアミドをフレオンを客
演に?容解したものを、塗布付力(5111r/m′と
なるように塗布し、1/2インチ幅に裁断してサンプル
テープを作製した。
作製された各サンプルテープについて、温度25℃、相
対湿度(RH)り10%、および−5℃の各条件下での
動子1*係数及びンヤトル耐久性をぷil定した。この
動摩擦係数は、財貨がステンレス(StJS304)の
ガイドビンを用い、一定のテンションをかけ5 mm/
secの速度で送り、試験したものである。また、シャ
トル耐久性は、1回につき2分間のシャトル走行を行い
、出力が一3dB低下までのシャトル回数で評価した。
対湿度(RH)り10%、および−5℃の各条件下での
動子1*係数及びンヤトル耐久性をぷil定した。この
動摩擦係数は、財貨がステンレス(StJS304)の
ガイドビンを用い、一定のテンションをかけ5 mm/
secの速度で送り、試験したものである。また、シャ
トル耐久性は、1回につき2分間のシャトル走行を行い
、出力が一3dB低下までのシャトル回数で評価した。
スチル耐久性はポーズ状態での出力の一3dBまでの減
衰時間を評価した。なお、比較例として、全く潤滑剤を
被着しないブランクテープについても測定した。
衰時間を評価した。なお、比較例として、全く潤滑剤を
被着しないブランクテープについても測定した。
結果を次表に示す。
(以下余白)
上記表から明らかなように、本発明の各実施例の条件下
で動Fi?擦係数が小さく、走行が極めて安定しており
、また100回往復走行後もテープ表面のtA fJG
は全く見られなかった。また、スチル耐久性も極めて良
く、150回シャトル走行を行ワても出ツノの一3dB
低下は見られなかった。これに対して、潤滑剤層のない
比較例のテープでは、g擦係数が往復走行回数が多くな
るにつれて大となり、走行も不安定でテープの摩擦が見
られ、耐久性も悪いものであった。
で動Fi?擦係数が小さく、走行が極めて安定しており
、また100回往復走行後もテープ表面のtA fJG
は全く見られなかった。また、スチル耐久性も極めて良
く、150回シャトル走行を行ワても出ツノの一3dB
低下は見られなかった。これに対して、潤滑剤層のない
比較例のテープでは、g擦係数が往復走行回数が多くな
るにつれて大となり、走行も不安定でテープの摩擦が見
られ、耐久性も悪いものであった。
以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体の潤滑剤としてN−パ
ーフルオロフェニルカルボン酸アミドを用いているので
、如何なる温度条件下においても動摩擦係数を小さくす
ることができ、走行安定性や耐摩耗性に(2れた磁気記
録媒体とすることができる。
強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体の潤滑剤としてN−パ
ーフルオロフェニルカルボン酸アミドを用いているので
、如何なる温度条件下においても動摩擦係数を小さくす
ることができ、走行安定性や耐摩耗性に(2れた磁気記
録媒体とすることができる。
第1図は本発明を通用した磁気記録媒体の一構成例を示
す要部拡大断面図、第2図は本発明を適用したCn磁気
記録媒体他の構成例を示す要部拡大断面図、第312I
は本発明を適用した磁気記録媒体のさらに他の構成例を
示す要部拡大断面図である。 1・・・非磁性支持体 2・・・強磁性金属薄膜 3・・・潤滑剤層 4・・・防錆剤層 5・・・バックコート層
す要部拡大断面図、第2図は本発明を適用したCn磁気
記録媒体他の構成例を示す要部拡大断面図、第312I
は本発明を適用した磁気記録媒体のさらに他の構成例を
示す要部拡大断面図である。 1・・・非磁性支持体 2・・・強磁性金属薄膜 3・・・潤滑剤層 4・・・防錆剤層 5・・・バックコート層
Claims (1)
- 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、上記強磁性
金属薄膜上にN−パーフルオロフェニルカルボン酸アミ
ドを被着したことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21653786A JPS6371920A (ja) | 1986-09-13 | 1986-09-13 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21653786A JPS6371920A (ja) | 1986-09-13 | 1986-09-13 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6371920A true JPS6371920A (ja) | 1988-04-01 |
Family
ID=16689992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21653786A Pending JPS6371920A (ja) | 1986-09-13 | 1986-09-13 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6371920A (ja) |
-
1986
- 1986-09-13 JP JP21653786A patent/JPS6371920A/ja active Pending
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