JPS6372117A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPS6372117A JPS6372117A JP61215720A JP21572086A JPS6372117A JP S6372117 A JPS6372117 A JP S6372117A JP 61215720 A JP61215720 A JP 61215720A JP 21572086 A JP21572086 A JP 21572086A JP S6372117 A JPS6372117 A JP S6372117A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- wafer
- window
- exposure
- beryllium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路のパターンを転写するＸ線露光
装置に係り、特にシンクロトロン放射光をＸ線源とする
場合に好適なＸ線露光装置に関する０ 〔従来の技術〕 半導体集積回路の製造工程の１つに、回路パターンをウ
ェハ上に形成する、いわゆるリソグラフィ一工程があり
、光学的な方法では解像できないサブミクロン領域の微
細な回路パターンの形成のためには、より波長の短かい
Ｘ線露光法が用いられる。露光原理は、マスクとウェハ
を近接させておいてマスク上からＸ線を照射する極めて
簡単なものであるが、高いスループットを得るためには
強力なＸ線源が必要となる。そのため、シンクロトロン
放射光を光源とするＸ線露光装置が考案されている。（
例えば、特開昭５９−６９９２７号参照） 〔発明が解決しようとする問題点〕 シンクトロン放射光を発生するリングは超高真空内で作
動させる必要があるが、逆にマスクは温度安定化のため
気体中にあることが望まれる。そのため従来は、上記リ
ング部とマスクおよびウェハが置かれる露光部をべＩＪ
ＩＪウム膜で真空的に仕切り、露光室内には数十Ｔｏ
ｒｒのＨｅガスを流していた。べＩＪ ＩＪウムはＸ線
を透過しやすい材料であるが、露光に用いられる１０〜
２０λ程度の波長を透過するためには膜厚は２０μｍ程
度以下であることが必要である。他方、従来装置におけ
る上記ベリリウム窓の開口部の大きさは通常５０７〜７
０φ程度であり、これは回路パターンの露光に必要な露
光面積から決定される。この開口部の面積に対して膜厚
２０μｍでは到底大気圧に耐えることができず、やむを
得ず従来は数＋Ｔｏｒｒの圧力差として使用していた。
装置に係り、特にシンクロトロン放射光をＸ線源とする
場合に好適なＸ線露光装置に関する０ 〔従来の技術〕 半導体集積回路の製造工程の１つに、回路パターンをウ
ェハ上に形成する、いわゆるリソグラフィ一工程があり
、光学的な方法では解像できないサブミクロン領域の微
細な回路パターンの形成のためには、より波長の短かい
Ｘ線露光法が用いられる。露光原理は、マスクとウェハ
を近接させておいてマスク上からＸ線を照射する極めて
簡単なものであるが、高いスループットを得るためには
強力なＸ線源が必要となる。そのため、シンクロトロン
放射光を光源とするＸ線露光装置が考案されている。（
例えば、特開昭５９−６９９２７号参照） 〔発明が解決しようとする問題点〕 シンクトロン放射光を発生するリングは超高真空内で作
動させる必要があるが、逆にマスクは温度安定化のため
気体中にあることが望まれる。そのため従来は、上記リ
ング部とマスクおよびウェハが置かれる露光部をべＩＪ
ＩＪウム膜で真空的に仕切り、露光室内には数十Ｔｏ
ｒｒのＨｅガスを流していた。べＩＪ ＩＪウムはＸ線
を透過しやすい材料であるが、露光に用いられる１０〜
２０λ程度の波長を透過するためには膜厚は２０μｍ程
度以下であることが必要である。他方、従来装置におけ
る上記ベリリウム窓の開口部の大きさは通常５０７〜７
０φ程度であり、これは回路パターンの露光に必要な露
光面積から決定される。この開口部の面積に対して膜厚
２０μｍでは到底大気圧に耐えることができず、やむを
得ず従来は数＋Ｔｏｒｒの圧力差として使用していた。
上記のごとく、従来はべＩＪ ＩＪウム窓の制約から露
光室を大気圧とすることができなかったが、前述したよ
うにマスクの温度制御、ウェハの真空チャック機構の適
用性およびウェハ交換時のハンドリングの問題などを考
慮した場合には、露光室を大気圧にすることが不可欠と
なる。
光室を大気圧とすることができなかったが、前述したよ
うにマスクの温度制御、ウェハの真空チャック機構の適
用性およびウェハ交換時のハンドリングの問題などを考
慮した場合には、露光室を大気圧にすることが不可欠と
なる。
本発明は上記問題を解決するためになされたものであり
、Ｘ線源の真空度を損うことなく露光室を大気圧にし得
る技術を提供するものである。
、Ｘ線源の真空度を損うことなく露光室を大気圧にし得
る技術を提供するものである。
本発明の上記目的はＸ線源と、Ｘ純マスクおよびウェハ
を有する露光部と、該Ｘ線源と露光部を真空的に遮断し
てＸ線を透過するＸ線透過窓を有するＸ線露光装置にお
いて、上記Ｘ線透過窓はＸ純マスク及びウェハにＸ線が
照射される部分よりも小さい面積のＸ線透過部を有し、
Ｘ線透過窓の動き又はＸ線の走査とＸ線透過窓の動きに
よりウェハのＸＩｆＭが照射されるべき部分に略均等に
Ｘ線を照射するように構成することにより達成される。
を有する露光部と、該Ｘ線源と露光部を真空的に遮断し
てＸ線を透過するＸ線透過窓を有するＸ線露光装置にお
いて、上記Ｘ線透過窓はＸ純マスク及びウェハにＸ線が
照射される部分よりも小さい面積のＸ線透過部を有し、
Ｘ線透過窓の動き又はＸ線の走査とＸ線透過窓の動きに
よりウェハのＸＩｆＭが照射されるべき部分に略均等に
Ｘ線を照射するように構成することにより達成される。
本発明の好ましい実施襲様によればＸ線透過窓はＸ線ビ
ームの形状に合うベリリウムのＸ緑透過部を有し、Ｘ線
ビームの走査に連動してＸ線透過窓を移動するように構
成され、又はＸ線透過窓は〔作用〕 上記の構成によればＸ線のＸｉマスクおよびウェハへの
露光に影響を与えることなくＸ線透過部の面積を大気圧
との差圧に耐え得るまで小さくすることができるので、
Ｘ、Ｂ源の真空度を損うことなく露光部を大気圧になし
得る。
ームの形状に合うベリリウムのＸ緑透過部を有し、Ｘ線
ビームの走査に連動してＸ線透過窓を移動するように構
成され、又はＸ線透過窓は〔作用〕 上記の構成によればＸ線のＸｉマスクおよびウェハへの
露光に影響を与えることなくＸ線透過部の面積を大気圧
との差圧に耐え得るまで小さくすることができるので、
Ｘ、Ｂ源の真空度を損うことなく露光部を大気圧になし
得る。
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
第１図に本発明の一実施例を示す。リング部から放射さ
れたＸ線は偏平な帯状ビーム２となって真空容器３内を
進行し、反射鏡４に入射する。反射鏡４は紙面に垂直な
回転軸５のまわりを回転振動し、反射ビーム６をマスク
７とウェハ８に対して振動的に走査する。べＩＪ ＩＪ
ウム窓９は第２図に示すごとく偏平な開口部１０を厚さ
２０μｍ程度のべ＋７１Ｊウム膜１１でおおった構造を
しており、真空容器３の真空を保ちながらビーム６をマ
スク７、ウェハ８が置かれている大気圧露光部にまで導
く。上記偏平開口部１０の形状はシンクロトロンビーム
６の軸上断面形状と一致させである。上記べＩＪ ｌｌ
ｌラム９の材料自体は十分に厚いべＩＪ ＩＪウム板で
も良いし、Ｘ線を遮光できる材料ならば何でも良い。
れたＸ線は偏平な帯状ビーム２となって真空容器３内を
進行し、反射鏡４に入射する。反射鏡４は紙面に垂直な
回転軸５のまわりを回転振動し、反射ビーム６をマスク
７とウェハ８に対して振動的に走査する。べＩＪ ＩＪ
ウム窓９は第２図に示すごとく偏平な開口部１０を厚さ
２０μｍ程度のべ＋７１Ｊウム膜１１でおおった構造を
しており、真空容器３の真空を保ちながらビーム６をマ
スク７、ウェハ８が置かれている大気圧露光部にまで導
く。上記偏平開口部１０の形状はシンクロトロンビーム
６の軸上断面形状と一致させである。上記べＩＪ ｌｌ
ｌラム９の材料自体は十分に厚いべＩＪ ＩＪウム板で
も良いし、Ｘ線を遮光できる材料ならば何でも良い。
上記べＩＪ ＩＪウム窓９をビーム６の振動走査に連動
させて動かせば、マスク７のパターン領域全体を照射し
、ウェハ８を露光することができる。べＩＪ ＩＪウム
窓９の上下動は反射鏡４の回転と連動させれば良く、機
械的連結のほかに、電気信号を用いて連動させても良い
。真空を保ちながらべＩＪ １１ウム窓９の上下動を行
うため、べＩＪ ＩＪウム窓９と真空容器３との間はベ
ローズ１２で結ぶ。
させて動かせば、マスク７のパターン領域全体を照射し
、ウェハ８を露光することができる。べＩＪ ＩＪウム
窓９の上下動は反射鏡４の回転と連動させれば良く、機
械的連結のほかに、電気信号を用いて連動させても良い
。真空を保ちながらべＩＪ １１ウム窓９の上下動を行
うため、べＩＪ ＩＪウム窓９と真空容器３との間はベ
ローズ１２で結ぶ。
上記のような構成とすることにより、開口部の小さな窓
を用いながら広い露光面積を得ることができ、結局、膜
厚の薄い窓としながら大きな差圧に耐えることができる
。具体例を挙げれば、開口部１０のスリット幅を０．７
５ｍｍ、ベリリウム膜厚を２０人ｍとすれば１気圧の差
圧に耐えることができる。このべＩＪ ＩＪウムの膜厚
２０μｍに対するＸ線の透過率は波長によっても異るが
、波長１２人の場合には透過率は約１５％程度となる。
を用いながら広い露光面積を得ることができ、結局、膜
厚の薄い窓としながら大きな差圧に耐えることができる
。具体例を挙げれば、開口部１０のスリット幅を０．７
５ｍｍ、ベリリウム膜厚を２０人ｍとすれば１気圧の差
圧に耐えることができる。このべＩＪ ＩＪウムの膜厚
２０μｍに対するＸ線の透過率は波長によっても異るが
、波長１２人の場合には透過率は約１５％程度となる。
べＩＪ ＩＪウム膜の厚さをさらに薄くしてＸ線の透過
率を向上し得る発明について以下説明する。
率を向上し得る発明について以下説明する。
第３図に示すごとく、ベリリウム窓のスリット状開口部
を１つの開口とせず、さらに小さな傾斜した小スリット
１２を規則正しく多数配列し、全体として１つの偏平状
の窓と見えるように形成する。上記小スリット群の裏か
らＸ線ビームを当てながらマスク７とウェハ８に対して
矢印１３の方向に走査することにより、あたかも単一の
スリットで走査した場合と同様にウェハ８を露光するこ
とができる。
を１つの開口とせず、さらに小さな傾斜した小スリット
１２を規則正しく多数配列し、全体として１つの偏平状
の窓と見えるように形成する。上記小スリット群の裏か
らＸ線ビームを当てながらマスク７とウェハ８に対して
矢印１３の方向に走査することにより、あたかも単一の
スリットで走査した場合と同様にウェハ８を露光するこ
とができる。
上記のごとく１つの開口部の面積を小さくすることによ
り、ベリリウム膜の厚みを小さくしても強度を保つこと
ができ、Ｘ線の透過率を向上させることができる。例え
ば小スリット１２の幅ｄをｔｏｏａｍとした場合、１気
圧に耐えるためのべＩＪ ＩＪウム膜の厚みはわずか２
〜３μｍで足りる。
り、ベリリウム膜の厚みを小さくしても強度を保つこと
ができ、Ｘ線の透過率を向上させることができる。例え
ば小スリット１２の幅ｄをｔｏｏａｍとした場合、１気
圧に耐えるためのべＩＪ ＩＪウム膜の厚みはわずか２
〜３μｍで足りる。
この厚みにおけるべＩＪ ＩＪウム膜の波長１２人に対
する透過率は８０％以上であり、極めて損失が少い露光
光学系を実現できる。
する透過率は８０％以上であり、極めて損失が少い露光
光学系を実現できる。
小スリット１２の形状および配列ピッチなどは、ウェハ
に照射される積算露光量のムラの許容量によって決める
。べＩＪ ＩＪウム窓の走査速度が等速である場合には
、走介方向１３における各小スリット１２の長さの和が
等しくなるように、小スリット１２の平面形状を決めれ
ば良い。例えば夏型なとでも容易に実現できる。
に照射される積算露光量のムラの許容量によって決める
。べＩＪ ＩＪウム窓の走査速度が等速である場合には
、走介方向１３における各小スリット１２の長さの和が
等しくなるように、小スリット１２の平面形状を決めれ
ば良い。例えば夏型なとでも容易に実現できる。
本発明のさらに他の実施例を第４図により説明する。べ
ＩＪ ＩＪウム窓９は第４図にその半断面を示すごとく
、多数の開口部１０に厚さ１０〜２゜μｍ程度のべＩＪ
ＩＪウム膜１１を貼りつけた構造をしており、この開
口部１０でＸ線を透過させると同時に、真空的には完全
に遮断する働らきをする。
ＩＪ ＩＪウム窓９は第４図にその半断面を示すごとく
、多数の開口部１０に厚さ１０〜２゜μｍ程度のべＩＪ
ＩＪウム膜１１を貼りつけた構造をしており、この開
口部１０でＸ線を透過させると同時に、真空的には完全
に遮断する働らきをする。
窓９と真空容器３の間はベローズ１２で結合されている
。上記窓９を固定したままＸ線ビーム６を走査させて露
光した場合には、窓９の遮光部分の影がウェハ８上に転
写されてしまうが、本発明では窓９を高速に振動させ、
窓９の遮光部の影を平均的に分散させる。その結果、ウ
ェハ８上には照度ムラなく、マスク７のパターンが転写
されることになる。
。上記窓９を固定したままＸ線ビーム６を走査させて露
光した場合には、窓９の遮光部分の影がウェハ８上に転
写されてしまうが、本発明では窓９を高速に振動させ、
窓９の遮光部の影を平均的に分散させる。その結果、ウ
ェハ８上には照度ムラなく、マスク７のパターンが転写
されることになる。
上記のようにべＩＪ ＩＪウム窓９の各開口部１０を小
さなものとすることにより、薄いベリリウム膜でも大気
圧との差圧に耐えることができる。例えば、開孔を直径
１００μｍの円とした場合、ベリリウム膜の厚さは２〜
３μｍもあれば強度的には十分である。この膜厚では波
長１０〜１２人のＸ線を８０％以上透過する。その結果
、露光室を大気圧としながら、高いＸ線露光照度が得ら
れ、きわめて実用性の高いＸ線露光装置が実現できる。
さなものとすることにより、薄いベリリウム膜でも大気
圧との差圧に耐えることができる。例えば、開孔を直径
１００μｍの円とした場合、ベリリウム膜の厚さは２〜
３μｍもあれば強度的には十分である。この膜厚では波
長１０〜１２人のＸ線を８０％以上透過する。その結果
、露光室を大気圧としながら、高いＸ線露光照度が得ら
れ、きわめて実用性の高いＸ線露光装置が実現できる。
小さな開口１０の形状および配列ピッチは窓９全体の振
動形態を考慮して決める必要がある。すなわち、透過し
たＸ線の積算量がどの場所でも均一となるようにすれば
良いが、配列ピッチに対して振動振幅が十分に大きい、
例えば１０ピッチ程度あればほとんど照度ムラはなくな
る。振動の形態は上下、左右方向に動かす必要があり、
例えば円を描くように回転振動をさせても良い。またラ
ンダム振動としても良い。
動形態を考慮して決める必要がある。すなわち、透過し
たＸ線の積算量がどの場所でも均一となるようにすれば
良いが、配列ピッチに対して振動振幅が十分に大きい、
例えば１０ピッチ程度あればほとんど照度ムラはなくな
る。振動の形態は上下、左右方向に動かす必要があり、
例えば円を描くように回転振動をさせても良い。またラ
ンダム振動としても良い。
べＩＪ ＩＪウム窓９の製作法には種々の方法がある。
十分に厚いべＩＪ ＩＪウム板を開口部のみエツチング
して、わずかな厚みが残るようにしても良いし、貫通さ
せておいてべＩＪ ＩＪウム薄膜を接着させても良い。
して、わずかな厚みが残るようにしても良いし、貫通さ
せておいてべＩＪ ＩＪウム薄膜を接着させても良い。
後者の場合、大気圧側に薄膜が置かれるようにセットす
れば、接着部の引張強度はほとんど必要とされない。
れば、接着部の引張強度はほとんど必要とされない。
以上述べたように、本発明によればマスクとウェハを大
気中において露光することが可能となり、Ｘ線透過部を
小さくすることが可能であるためＸ線透過部の部材を薄
くすることが可能であるので高いＸ線の透過率を得るこ
とができる。
気中において露光することが可能となり、Ｘ線透過部を
小さくすることが可能であるためＸ線透過部の部材を薄
くすることが可能であるので高いＸ線の透過率を得るこ
とができる。
その結果、高いスループットを得られると共にマスクの
温度制御が容易に行え、またウェハの真空チャッキング
も可能となる。ざらにウェハの交換も大気中のみですむ
ため、装置構成も簡略化できるなど、多くの利点を生み
出す。
温度制御が容易に行え、またウェハの真空チャッキング
も可能となる。ざらにウェハの交換も大気中のみですむ
ため、装置構成も簡略化できるなど、多くの利点を生み
出す。
第１図は本発明の原理を示すＸ線露光装置の側面図、第
２図は本発明の一実施例を示すべＩＪ ＩＪウム窓の正
面図と側面図、第３図は本発明の他の実施例を示す小ス
リットを多数配列したベリリウム窓の正面図、第４図は
本発明のさらに他の実施例を示すべＩＪ ＩＪウム窓の
斜視図である。 ｌ・・・シンクロトロン・リング、２・り・Ｘ線ビーム
４・・・反射鏡、７・・・マスク、８・・・ウェハ、９
・・・ベリリウム窓、１２・・・ベローズ、１１・・・
ベリリウム膜。 ）、
２図は本発明の一実施例を示すべＩＪ ＩＪウム窓の正
面図と側面図、第３図は本発明の他の実施例を示す小ス
リットを多数配列したベリリウム窓の正面図、第４図は
本発明のさらに他の実施例を示すべＩＪ ＩＪウム窓の
斜視図である。 ｌ・・・シンクロトロン・リング、２・り・Ｘ線ビーム
４・・・反射鏡、７・・・マスク、８・・・ウェハ、９
・・・ベリリウム窓、１２・・・ベローズ、１１・・・
ベリリウム膜。 ）、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線源と、Ｘ線マスクおよびウェハを有する露光部
と、該Ｘ線源と露光部を真空的に遮断してＸ線を透過す
るＸ線透過窓を有するＸ線露光装置において、上記Ｘ線
透過窓はＸ線マスク及びウェハにＸ線が照射される部分
よりも小さい面積のＸ線透過部を有し、Ｘ線透過窓の動
き又はＸ線の走査とＸ線透過窓の動きによりウェハのＸ
線が照射されるべき部分に略均等にＸ線を照射するよう
に構成したことを特徴とするＸ線露光装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載のものにおいて、上記Ｘ
線透過窓はＸ線のビーム形状に合うＸ線透過部を有し、
Ｘ線のビームの走査に連動してＸ線透過窓を移動させる
ように構成したことを特徴とするＸ線露光装置。 ３、特許請求の範囲第２項記載のものにおいて、上記Ｘ
線透過窓のＸ線透過部はＸ線透過窓の移動方向に対して
斜めに構成された複数のＸ線透過開口部から構成された
ことを特徴とするＸ線露光装置。 ４、特許請求の範囲第１項記載のものにおいて、上記Ｘ
線透過窓は複数のＸ線透過開口部を有し、該Ｘ線透過窓
はＸ線進行方向と直交する面内に振動するように構成さ
れたことを特徴とするＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215720A JPS6372117A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215720A JPS6372117A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6372117A true JPS6372117A (ja) | 1988-04-01 |
Family
ID=16677061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61215720A Pending JPS6372117A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6372117A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011212706A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Ngk Insulators Ltd | 超薄膜ベリリウム箔及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP61215720A patent/JPS6372117A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011212706A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Ngk Insulators Ltd | 超薄膜ベリリウム箔及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6038279A (en) | X-ray generating device, and exposure apparatus and semiconductor device production method using the X-ray generating device | |
| JPS63283022A (ja) | Ｘ線リソグラフイの投影スケール変更方法および装置 | |
| KR920001171B1 (ko) | X선 노출 장치 | |
| JPS6372117A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JPS6280617A (ja) | インテグレ−タ | |
| US5548625A (en) | Method for parallel multiple field processing in X-ray lithography | |
| JPH11260705A (ja) | 露光装置 | |
| JPS62150720A (ja) | 放射光による表面処理装置 | |
| JPS62150718A (ja) | 放射光による表面処理装置 | |
| JPH1138193A (ja) | Ｘ線照明光学系とｘ線露光装置 | |
| JPH0570296B2 (ja) | ||
| JPS5915380B2 (ja) | 微細パタ−ンの転写装置 | |
| JPH04230900A (ja) | シンクロトロン放射光照射装置及びｘ線露光装置 | |
| US4569068A (en) | X-Ray Lithography apparatus | |
| JP2697264B2 (ja) | 露光処理装置 | |
| JPH09115803A (ja) | Ｘ線発生装置、及びこれを用いた露光装置やデバイス生産方法 | |
| JPH0834132B2 (ja) | 放射光透過窓及び放射光透過窓における放射光透過薄膜の取付方法 | |
| JPS61168917A (ja) | 露光方法および露光装置 | |
| JPH02234498A (ja) | シンクロトロン放射光走査装置 | |
| JP3058603B2 (ja) | Ｘ線リソグラフィ用ビームライン | |
| JPH04112523A (ja) | シンクロトロン放射光による微細パターンの転写方法 | |
| JPH05337671A (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPS60240125A (ja) | 露光方法 | |
| JPS6329930A (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JPH10289867A (ja) | Ｘ線露光装置およびデバイス製造方法 |