JPS6372173A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS6372173A JPS6372173A JP61215717A JP21571786A JPS6372173A JP S6372173 A JPS6372173 A JP S6372173A JP 61215717 A JP61215717 A JP 61215717A JP 21571786 A JP21571786 A JP 21571786A JP S6372173 A JPS6372173 A JP S6372173A
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- semiconductor layer
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザの構造に係り、特に民生用におい
て要求される高出力半導体レーザに関する。
て要求される高出力半導体レーザに関する。
光ディスク書き込みおよび読み出しの光源として用いる
ために、発振波長が７８０〜８３０ｎｍの、縦単一モー
ドで、非点収差のない半導体レーザ装置が要求されてい
る。これらの要求を満足するものとして、自己整合型半
導体レーザ装置が有力な候補である。従来この自己整合
型レーザ装置については、Ｓ、Ｎａｋａｔｓｕｋａらに
より報告されている。（第１５目面体素子材料コンファ
レンス・アブストラクト第２９７〜３００頁（１９８３
年）（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ
ｔｈｅ １５ｔｈＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌ
ｊｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ ａｎｄＭａｔｅｒｉ
ａｌｓ （１９８３）ｐ、２９７〜３００頁参照）。
ために、発振波長が７８０〜８３０ｎｍの、縦単一モー
ドで、非点収差のない半導体レーザ装置が要求されてい
る。これらの要求を満足するものとして、自己整合型半
導体レーザ装置が有力な候補である。従来この自己整合
型レーザ装置については、Ｓ、Ｎａｋａｔｓｕｋａらに
より報告されている。（第１５目面体素子材料コンファ
レンス・アブストラクト第２９７〜３００頁（１９８３
年）（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ ｏｆ
ｔｈｅ １５ｔｈＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌ
ｊｄ ５ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅ ａｎｄＭａｔｅｒｉ
ａｌｓ （１９８３）ｐ、２９７〜３００頁参照）。
この従来技術による自己整合型半導体レーザ装置の構造
を第２図に示す、この構造の半導体レーザ装置を作製す
る時、溝ストライプを形成する際に、溝底部のｐ−Ｇａ
ＡｌＡｓクラッド層が大気中に露出される。ところが、
このｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層は、非常に酸化されや
すいため、大気にさらされると同時に露出面が酸化され
る。吹に、ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッドの露出面及びｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層上に結晶を再成長させても、この酸
化物は成長界面に存在したままとなる。しかもこの酸化
物は電流通路に存在する。
を第２図に示す、この構造の半導体レーザ装置を作製す
る時、溝ストライプを形成する際に、溝底部のｐ−Ｇａ
ＡｌＡｓクラッド層が大気中に露出される。ところが、
このｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層は、非常に酸化されや
すいため、大気にさらされると同時に露出面が酸化され
る。吹に、ｐ−ＧａＡｌＡｓクラッドの露出面及びｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層上に結晶を再成長させても、この酸
化物は成長界面に存在したままとなる。しかもこの酸化
物は電流通路に存在する。
上記従来技術は、前記界面の酸化物が原因で、作製され
た素子の電流電圧特性の電流のたち上がり電圧は１．９
ｖ、素子抵抗は５Ωといったように電気特性が非常に
悪いため、歩留まりは悪かった。また、この界面の酸化
物により素子の寿命はたいへん短かく、信頼性にも欠け
ていた。
た素子の電流電圧特性の電流のたち上がり電圧は１．９
ｖ、素子抵抗は５Ωといったように電気特性が非常に
悪いため、歩留まりは悪かった。また、この界面の酸化
物により素子の寿命はたいへん短かく、信頼性にも欠け
ていた。
本発明の目的は、自己整合型半導体レーザ装置の信頼性
を向上させ、素子を歩留まりよく提供することにある。
を向上させ、素子を歩留まりよく提供することにある。
上記目的は、溝ストライプ形成時に大気中に露出される
ストライプ底部の半導体層を構成する半導体のＡ１２モ
ル比が、クラッド層を構成する半導体のＡ１モル比より
も小さく、且活性層を構成する半導体のＡｆ１モル比よ
りも小さいかもしくは等しい半導体からなる界面改良層
で形成することにより、もしくは溝ストライプ形成時に
大気中に露出されるストライプ底部の半導体すなわち界
面改良層１１を構成する半導体のＡ４モル比を、クラッ
ド層４を構成する半導体のＡ１モル比よりも小さくし、
且埋込みクラッド層６の屈折率をクラッド層４の屈折率
より小さくすることにより、もしくは溝ストライプ形成
時に大気中に露出されるストライブ底部の半導体層を、
クラッド層のＡＩ！モル比よりも小さく且活性層のＡ１
モル比よりも大きい半導体層からなる界面改良層で形成
することにより達成される。なお、界面改良層の半導体
は、活性層よりも禁制帯幅が広いため、界面改良層によ
る吸収損失は全くない。
ストライプ底部の半導体層を構成する半導体のＡ１２モ
ル比が、クラッド層を構成する半導体のＡ１モル比より
も小さく、且活性層を構成する半導体のＡｆ１モル比よ
りも小さいかもしくは等しい半導体からなる界面改良層
で形成することにより、もしくは溝ストライプ形成時に
大気中に露出されるストライプ底部の半導体すなわち界
面改良層１１を構成する半導体のＡ４モル比を、クラッ
ド層４を構成する半導体のＡ１モル比よりも小さくし、
且埋込みクラッド層６の屈折率をクラッド層４の屈折率
より小さくすることにより、もしくは溝ストライプ形成
時に大気中に露出されるストライブ底部の半導体層を、
クラッド層のＡＩ！モル比よりも小さく且活性層のＡ１
モル比よりも大きい半導体層からなる界面改良層で形成
することにより達成される。なお、界面改良層の半導体
は、活性層よりも禁制帯幅が広いため、界面改良層によ
る吸収損失は全くない。
溝ストライプ形成時に大気中に露出されるストライブ底
部の半導体層すなわち界面改良層を形成している半導体
のＡＭモル比を、クラッド層を形成している半導体のＡ
ｌモル比よりも小さく且、活性層を形成している半導体
のＡ４モル比よりも小さいかもしくは等しくすることに
より、溝ストライブ形成時に大気中に露出する面に酸化
物が生成されなくなる。この効果は、Ａｆｌを組成の１
構成原子とする半導体において、Ａｌモル比が小さいほ
ど著しい、したがって、界面改良層を形成している半導
体のＡ１モル比を活性層を形成している半導体のＡｌモ
ル比よりも小さいかもしくは等しくすることにより、上
記効果は顕著に現われる。
部の半導体層すなわち界面改良層を形成している半導体
のＡＭモル比を、クラッド層を形成している半導体のＡ
ｌモル比よりも小さく且、活性層を形成している半導体
のＡ４モル比よりも小さいかもしくは等しくすることに
より、溝ストライブ形成時に大気中に露出する面に酸化
物が生成されなくなる。この効果は、Ａｆｌを組成の１
構成原子とする半導体において、Ａｌモル比が小さいほ
ど著しい、したがって、界面改良層を形成している半導
体のＡ１モル比を活性層を形成している半導体のＡｌモ
ル比よりも小さいかもしくは等しくすることにより、上
記効果は顕著に現われる。
上記酸化物は、自己整合型半導体レーザ装置の電気的特
性及び光学的特性に悪影響を及ぼし歩留まりを悪くさせ
、また、信頼性を低下させる原因と −なって
いた、したがって、上述した酸化物が生成されなくなっ
たことにより１歩留まりよく、高い信頼性を有する半導
体レーザ装置が得られるようになった。
性及び光学的特性に悪影響を及ぼし歩留まりを悪くさせ
、また、信頼性を低下させる原因と −なって
いた、したがって、上述した酸化物が生成されなくなっ
たことにより１歩留まりよく、高い信頼性を有する半導
体レーザ装置が得られるようになった。
なお、界面改良層を構成している半導体のＡΩモル比は
、活性層を形成している半導体層のＡ１モル比よりも小
さい半導体で構成しているため。
、活性層を形成している半導体層のＡ１モル比よりも小
さい半導体で構成しているため。
界面改良層の禁制帯幅は活性層の禁制帯幅よりも小さい
、したがってこの層による吸収損失はなく、光学特性に
影響はない。
、したがってこの層による吸収損失はなく、光学特性に
影響はない。
また、上記界面改良層１１の屈折率は、導波される光の
実効屈折率よりも大きいため、光は界面改良層１１にし
みだしてしまう、第４図（ａ）に界面改良層１１を設け
ない場合の光強度分布を、第４図（ｂ）に界面改良層１
１を設け、埋込みクラッド層６の屈折率をクラッド層４
と同じにした場合の光強度分布を示す、これらの図から
明らかなように、界面改良層を設けたことにより光は界
面改良層にしみだしてしまう、したがって光が活性層に
分布する割合（第４図の斜線部の割合）は小さくなって
しまう、このことは、しきい値電流の上昇につながる。
実効屈折率よりも大きいため、光は界面改良層１１にし
みだしてしまう、第４図（ａ）に界面改良層１１を設け
ない場合の光強度分布を、第４図（ｂ）に界面改良層１
１を設け、埋込みクラッド層６の屈折率をクラッド層４
と同じにした場合の光強度分布を示す、これらの図から
明らかなように、界面改良層を設けたことにより光は界
面改良層にしみだしてしまう、したがって光が活性層に
分布する割合（第４図の斜線部の割合）は小さくなって
しまう、このことは、しきい値電流の上昇につながる。
しかしながら、埋込みクラッド層６の屈折率をクラッド
層４の屈折率よりも小さくすることにより、界面改良層
への光のしみ出しを小さくすることができる。この時の
光強度分布を第４図（ｃ）に示す、この図から明らかな
ように、埋込みクラッド層の屈折率が小さいと、この層
における光の減衰量が大きいため、光はこの層にしみだ
さないように分布する。したがって、境界条件の連続性
により界面改良層に分布する割合も小さくなり、光は主
に活性層において導波されるようになる。すなわち、光
が活性層に分布する割合は界面改良層がない場合と同程
度となり、数面改良層を設けたことによるしきい値電流
の上昇は全くなくなる。
層４の屈折率よりも小さくすることにより、界面改良層
への光のしみ出しを小さくすることができる。この時の
光強度分布を第４図（ｃ）に示す、この図から明らかな
ように、埋込みクラッド層の屈折率が小さいと、この層
における光の減衰量が大きいため、光はこの層にしみだ
さないように分布する。したがって、境界条件の連続性
により界面改良層に分布する割合も小さくなり、光は主
に活性層において導波されるようになる。すなわち、光
が活性層に分布する割合は界面改良層がない場合と同程
度となり、数面改良層を設けたことによるしきい値電流
の上昇は全くなくなる。
以下１本発明の実施例を図を用いて説明する。
実施例１
第１図を用いて説明する。
ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板結晶１の上にｎ型Ｇａｔ−ｘＡ
Ｑ ｘＡｓクラッド層２ （Ｘ：０．４５） 、 Ｇ
ａｔ−ｙｌｌｙＡｓ活性層３ （ｙ＝０．１４ ）、ｐ
型Ｇａ１−ｘＡ Ｑ ｘＡｓクラッド層４ （Ｘ ＝０
．４５ ） 、 ｐ型Ｇａ５−ｚＡ ｎ ｚＡｓ界面改
良層１１ （ｚ＝０．２５ ）、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電
流狭窄ＭＳをＭＯＣＶＤ法により順次形成する。ホトエ
ツチング工程によりｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層５を
完全に除去し、ｐ型Ｇａｔ−ｚＡ Ｑ ｚＡｇ界面改良
層１１の表面を露出する幅１〜１５μｍの溝ストライプ
を形成する０次にＭＯＣＶＤ法によりｐ型Ｇａ１−ｘＡ
Ｑ ｘＡｓクラッド埋込みｍ （Ｘ＝０．４５ ）６
、ｐ型ＧａＡｓキャップ層７を形成する。この後ｐ側電
極８ｐ Ｊ電極９を形成した後、へき開法により、共振
器長約３００μｍのレーザ素子を得た。
Ｑ ｘＡｓクラッド層２ （Ｘ：０．４５） 、 Ｇ
ａｔ−ｙｌｌｙＡｓ活性層３ （ｙ＝０．１４ ）、ｐ
型Ｇａ１−ｘＡ Ｑ ｘＡｓクラッド層４ （Ｘ ＝０
．４５ ） 、 ｐ型Ｇａ５−ｚＡ ｎ ｚＡｓ界面改
良層１１ （ｚ＝０．２５ ）、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電
流狭窄ＭＳをＭＯＣＶＤ法により順次形成する。ホトエ
ツチング工程によりｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層５を
完全に除去し、ｐ型Ｇａｔ−ｚＡ Ｑ ｚＡｇ界面改良
層１１の表面を露出する幅１〜１５μｍの溝ストライプ
を形成する０次にＭＯＣＶＤ法によりｐ型Ｇａ１−ｘＡ
Ｑ ｘＡｓクラッド埋込みｍ （Ｘ＝０．４５ ）６
、ｐ型ＧａＡｓキャップ層７を形成する。この後ｐ側電
極８ｐ Ｊ電極９を形成した後、へき開法により、共振
器長約３００μｍのレーザ素子を得た。
試作した素子は、発振波長７８０ｎｍにおいて。
しきい電流値３０〜５０ ｍ Ａで室温連続発振し、発
振スペクトルは、安定な縦単一モードであった。
振スペクトルは、安定な縦単一モードであった。
また、非点収差は全くなかった。また、電流電圧特性に
おける電流のたちあがり電圧は１．３ Ｖ。
おける電流のたちあがり電圧は１．３ Ｖ。
素子抵抗１．５ Ωといった、良好な電気特性も得られ
た。さらに、７０℃において、光出力４０ｍＷ定光出力
動作時の寿命も２０００時間経過後も顕著な劣化は見ら
れず、信頼性も高いことが明らかになった。
た。さらに、７０℃において、光出力４０ｍＷ定光出力
動作時の寿命も２０００時間経過後も顕著な劣化は見ら
れず、信頼性も高いことが明らかになった。
なお本発明は、実施例に示した波長７８０ｎｍ前後に限
らず、波長６８０〜８９０ｎｍのＧａＡ Ｑ Ａｓ系半
導体レーザ装置で、室温連続発振できる全範囲にわたり
同様な結果が得られた０本実施例では活性層として単一
のＧａＡｇＡｓ層を用いたが、Ｇａｔ−ｕＡ Ｕ ｕＡ
ｓとＧａｔ−ｖＡ Ｑ ｖＡｓ （ｕ≠Ｖ）の超格子
で活性層を形成したＭＱＷ （Ｍｕｌｔｕ−Ｑｕａｎｔ
ｕｍｎＷｅｌｌ）構造の場合も同様な結果が得られた。
らず、波長６８０〜８９０ｎｍのＧａＡ Ｑ Ａｓ系半
導体レーザ装置で、室温連続発振できる全範囲にわたり
同様な結果が得られた０本実施例では活性層として単一
のＧａＡｇＡｓ層を用いたが、Ｇａｔ−ｕＡ Ｕ ｕＡ
ｓとＧａｔ−ｖＡ Ｑ ｖＡｓ （ｕ≠Ｖ）の超格子
で活性層を形成したＭＱＷ （Ｍｕｌｔｕ−Ｑｕａｎｔ
ｕｍｎＷｅｌｌ）構造の場合も同様な結果が得られた。
また、レーザの構造と゛しては前記実施例で示した３層
導波路を基本とするものに限らず、活性層の片側に隣接
して光ガイド層を設けるＬ ＯＧ （ＬａｒｇｅＯｐｔ
ｉｃａｌ Ｃａｖｔｙ）構造や、活性層の両側にそれぞ
れ隣接して光ガイド層を設ける０ＲＩＮ−８ＣＨ（Ｇｒ
ａｄｅｄ −Ｉｎｄｅｘ −５ｅｐａｒｒａｔａ −Ｃ
ｏｎｆｉｎｅ＋ｎｅｎｔ −Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔ
ｕｒｅ ）構造にも本発明を適用することができた。
導波路を基本とするものに限らず、活性層の片側に隣接
して光ガイド層を設けるＬ ＯＧ （ＬａｒｇｅＯｐｔ
ｉｃａｌ Ｃａｖｔｙ）構造や、活性層の両側にそれぞ
れ隣接して光ガイド層を設ける０ＲＩＮ−８ＣＨ（Ｇｒ
ａｄｅｄ −Ｉｎｄｅｘ −５ｅｐａｒｒａｔａ −Ｃ
ｏｎｆｉｎｅ＋ｎｅｎｔ −Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔ
ｕｒｅ ）構造にも本発明を適用することができた。
また、本実施例においては、ＭＯＣＶＤ法により素子を
作製したが、ＭＢＥ法によって作製した素子についても
同様の特性が得られた。
作製したが、ＭＢＥ法によって作製した素子についても
同様の特性が得られた。
また、前記実施例において導電型を全て反対にした構造
（ｐをｎに、ｎをｐに置換えた構造）においても同様な
結果が得られた。
（ｐをｎに、ｎをｐに置換えた構造）においても同様な
結果が得られた。
また、本実施例では、ＡｆｉＧａＡｓ系の材料を用いて
いるが、Ａ Ｑ Ｇａ Ｐ Ａｓ、 Ａ Ｑ Ｉ ｎ
Ｐ Ａｓ。
いるが、Ａ Ｑ Ｇａ Ｐ Ａｓ、 Ａ Ｑ Ｉ ｎ
Ｐ Ａｓ。
Ａｌ ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＡｓ
など。
など。
Ａｌを含む材料系全てに適応できることは言うまでもな
い。
い。
実施例２
第１図を用いて説明する。
ｎ型ＧａＡｓ基板結晶１の上にｎ型Ｇａ５−ｘＡ Ｑ
ＸＡ８クラッド層２ （ｘ＝０．４５） 、 Ｇａｔ−
ｙＡ（ＩｙＡｓ活性層３ （ｙ＝０．１４ ）、ｐ型Ｇ
ａｚ−Ｊ ４１ ｘＡｓクラッド層４ （ｘ ＝０．４
５ ） 、 ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ界面改良層１１、ｎ型
Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層５を順次形成する。このｗａ
ｆｅｒ上に、フォトリソグラフィにより。
ＸＡ８クラッド層２ （ｘ＝０．４５） 、 Ｇａｔ−
ｙＡ（ＩｙＡｓ活性層３ （ｙ＝０．１４ ）、ｐ型Ｇ
ａｚ−Ｊ ４１ ｘＡｓクラッド層４ （ｘ ＝０．４
５ ） 、 ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ界面改良層１１、ｎ型
Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層５を順次形成する。このｗａ
ｆｅｒ上に、フォトリソグラフィにより。
窓幅１〜１５μｍのホトレジマスクを形成し、これをマ
スクにして、リン酸系エッチャントでｎ型Ｇ ａ Ａ
ｓ電流狭窄層５を完全に除去し、ｐ型ＧａＡｓ界面改良
Ｍ１１の表面を露出する幅１〜１５μｍの溝ストライプ
を形成する０次にＭＯＣＶＤ法によりｐ型Ｇａ１−ｘＡ
Ｑ Ｊｓクラッド埋込み層（ｘ＝０．４５ ）６．Ｐ
型Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層７を形成する。この後Ｐ＠
電極８．ｎ＠′！ｔ、＠９を形成した後、＾き開法によ
り、共振器長約３００μｍのレーザ素子を得た。
スクにして、リン酸系エッチャントでｎ型Ｇ ａ Ａ
ｓ電流狭窄層５を完全に除去し、ｐ型ＧａＡｓ界面改良
Ｍ１１の表面を露出する幅１〜１５μｍの溝ストライプ
を形成する０次にＭＯＣＶＤ法によりｐ型Ｇａ１−ｘＡ
Ｑ Ｊｓクラッド埋込み層（ｘ＝０．４５ ）６．Ｐ
型Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層７を形成する。この後Ｐ＠
電極８．ｎ＠′！ｔ、＠９を形成した後、＾き開法によ
り、共振器長約３００μｍのレーザ素子を得た。
試作した素子は、発振波長７８０ｎｍにおいて、しきい
電流値３０〜５０ ｍ Ａで室温連続発振し、発振スペ
クトルは安定な縦単一モードであった６また。非点収差
は全くなかった。また電流電圧特性における電流のたち
上がり電圧は１．３５ Ｖ。
電流値３０〜５０ ｍ Ａで室温連続発振し、発振スペ
クトルは安定な縦単一モードであった６また。非点収差
は全くなかった。また電流電圧特性における電流のたち
上がり電圧は１．３５ Ｖ。
素子抵抗は１．５ Ωといった、良好な電気特性も得ら
れた。さらに、７０℃において、光出力４０ｍＷ定光出
力動作時の寿命も、２０００時間経過後も顕著な劣化は
見られず、信頼性も高いことが明らかになった。
れた。さらに、７０℃において、光出力４０ｍＷ定光出
力動作時の寿命も、２０００時間経過後も顕著な劣化は
見られず、信頼性も高いことが明らかになった。
実施例３
第３図に本発明の別の実施例を示す、ｎ型ＧａＡｓ基板
１の上にｎ型Ｇａｔ−Ｊ Ｑ ｘＡｓクラッドＭ２（ｘ
＝０．３５）、ＱａＡｓ活性Ｍ ａ ｔ ｐ型Ｇａｚ−
ｘＡ ｎ ｘＡｓクラッド層４ Ｃｘ＝０．３５ ）、
ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ界面改良層１１．ｎ型Ｇａｔ−ｕＡ
Ｑ ｕＡｓエツチング停止層１２ （ｕ＝０．３５
）、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層５を順次形成する。
１の上にｎ型Ｇａｔ−Ｊ Ｑ ｘＡｓクラッドＭ２（ｘ
＝０．３５）、ＱａＡｓ活性Ｍ ａ ｔ ｐ型Ｇａｚ−
ｘＡ ｎ ｘＡｓクラッド層４ Ｃｘ＝０．３５ ）、
ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓ界面改良層１１．ｎ型Ｇａｔ−ｕＡ
Ｑ ｕＡｓエツチング停止層１２ （ｕ＝０．３５
）、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層５を順次形成する。
このｗａｆｅｒ上にフォトリソグラフィにより、窓幅１
〜１５μｍのホトレジマスクを形成し、これをマスクに
して、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉ
ｎｇ）により、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層５を選択
的に除去する。このとき、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄
層５のエツチングレートは、ｎ型Ｇａｔ−ｕＡ ｎ ｕ
Ａｓエツチング停止層１２のエツチングレートに対して
、２００倍程程度あるので、エツチングはｎ型Ｇａｔ−
ｕＡ ｌＡｕＡｓエツチング停止層１２の表面で停止す
る。その後、ウェットエッチにより、ｎ型Ｇａｔ−ｕＡ
Ｑ ｕＡｓエツチング停止層を除去し、ｐ型界面改良
層１１の表面を露出する幅１〜１５μｍの溝ストライプ
を形成する。このｎ型Ｇａ５−ｕＡ Ｑ ｕＡｓエツチ
ング停止層の存在により、ＲＩＥによるエツチングは確
実にこの層の表面でとまり、オーバーエッチによりＰ型
Ｇ ａ Ａ ｓ界面改良層までエツチングしてしまうと
いうことがない、その後ＭＢＥ法によりＰ型Ｇａ５−ｘ
Ａ Ｑ ＸＡＩＩクラッド埋込みＩＩ （ｘ＝０．３５
）６．ｐ型Ｇ ｒｉ Ａ ｓキャップ層７を形成する
。この後ｐ検電ｔｉ８．ｎ側電極９を形成した後、へき
開法により、共振器長約３００μｍのレーザ素子を得た
。
〜１５μｍのホトレジマスクを形成し、これをマスクに
して、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉ
ｎｇ）により、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層５を選択
的に除去する。このとき、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄
層５のエツチングレートは、ｎ型Ｇａｔ−ｕＡ ｎ ｕ
Ａｓエツチング停止層１２のエツチングレートに対して
、２００倍程程度あるので、エツチングはｎ型Ｇａｔ−
ｕＡ ｌＡｕＡｓエツチング停止層１２の表面で停止す
る。その後、ウェットエッチにより、ｎ型Ｇａｔ−ｕＡ
Ｑ ｕＡｓエツチング停止層を除去し、ｐ型界面改良
層１１の表面を露出する幅１〜１５μｍの溝ストライプ
を形成する。このｎ型Ｇａ５−ｕＡ Ｑ ｕＡｓエツチ
ング停止層の存在により、ＲＩＥによるエツチングは確
実にこの層の表面でとまり、オーバーエッチによりＰ型
Ｇ ａ Ａ ｓ界面改良層までエツチングしてしまうと
いうことがない、その後ＭＢＥ法によりＰ型Ｇａ５−ｘ
Ａ Ｑ ＸＡＩＩクラッド埋込みＩＩ （ｘ＝０．３５
）６．ｐ型Ｇ ｒｉ Ａ ｓキャップ層７を形成する
。この後ｐ検電ｔｉ８．ｎ側電極９を形成した後、へき
開法により、共振器長約３００μｍのレーザ素子を得た
。
試作した素子は１発振波長８９０ｎｍにおいて、しきい
電流値３０〜５０ ｍ Ａで室温連続発振し、発振スペ
クトルは、安定な縦！豫−モードであった。
電流値３０〜５０ ｍ Ａで室温連続発振し、発振スペ
クトルは、安定な縦！豫−モードであった。
また、非点収差は全くなかった。また、電流電圧特性に
おける電流のたちあがり電圧は１３５ Ｖ、素子抵抗
は１．３５ Ωといった、良好な電気特性が得られた。
おける電流のたちあがり電圧は１３５ Ｖ、素子抵抗
は１．３５ Ωといった、良好な電気特性が得られた。
さらに、７０℃において、光出力４０ｍＷ定光出力動作
時の寿命も、２０００時間経過後も顕著な劣化は見られ
ず、信頼性も貰いことが明らかになった。
時の寿命も、２０００時間経過後も顕著な劣化は見られ
ず、信頼性も貰いことが明らかになった。
なお本発明は、実施例に示した、波長７８０ｎｍ前後及
び波長８９０ｎｍ前後に限らず、波長６８０〜８９０ｎ
ｍのＧａＡ Ｑ Ａｓ系半導体レーザ装置で、室温連続
発振できる全範囲にわたり同様な結果が得られた０本実
施例では活性層として単一のＧａＡｌＡｓ層を用いたが
、Ｇａｘ−ｖＡ Ｑ ｖＡｓとＧａｔ−ｗＡ ｎ ｗＡ
ｓ （ｖ≠Ｗ）の超格子で活性層を形成したＭＱＷ
（Ｍｕｌｔｕ−Ｑｕａｎｔｕｍｎ Ｗａｌｌ）構造の場
合も同様な結果が得られた。また、レーザ構造としては
前記実施例に示した３層導波路を基本とするものに限ら
ず、活性層の片側に隣接して光ガイド層を設けるＬ Ｏ
Ｇ （Ｌａｒｇｅ ０ｐｔｉｃａｌ Ｃａｖｔｙ ）構
造や。
び波長８９０ｎｍ前後に限らず、波長６８０〜８９０ｎ
ｍのＧａＡ Ｑ Ａｓ系半導体レーザ装置で、室温連続
発振できる全範囲にわたり同様な結果が得られた０本実
施例では活性層として単一のＧａＡｌＡｓ層を用いたが
、Ｇａｘ−ｖＡ Ｑ ｖＡｓとＧａｔ−ｗＡ ｎ ｗＡ
ｓ （ｖ≠Ｗ）の超格子で活性層を形成したＭＱＷ
（Ｍｕｌｔｕ−Ｑｕａｎｔｕｍｎ Ｗａｌｌ）構造の場
合も同様な結果が得られた。また、レーザ構造としては
前記実施例に示した３層導波路を基本とするものに限ら
ず、活性層の片側に隣接して光ガイド層を設けるＬ Ｏ
Ｇ （Ｌａｒｇｅ ０ｐｔｉｃａｌ Ｃａｖｔｙ ）構
造や。
活性層の両側にそれぞれ隣接して光ガイド層を設けるＯ
ＲＩ Ｎ −Ｓ ＣＨ（Ｇｒａｄｅｄ−Ｉｎｄｅｘ
−３ｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔ
ｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ）構造にも本発明を適用す
ることができた。
ＲＩ Ｎ −Ｓ ＣＨ（Ｇｒａｄｅｄ−Ｉｎｄｅｘ
−３ｅｐａｒａｔｅ Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ Ｈｅｔ
ｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ ）構造にも本発明を適用す
ることができた。
また、前記実施例において導電型を全て反対にした構造
（ｐをｎに、ｎをｐに置き換えた構造）においても同様
な結果が得られた。
（ｐをｎに、ｎをｐに置き換えた構造）においても同様
な結果が得られた。
また、本実施例では、ＡａＡｆｉＡｓ系の材料を用いて
いるが、 Ａ ｎ ＧａＰ Ａ！！、 Ａ Ｑ Ｉ ｎ
Ｐ Ａｓ。
いるが、 Ａ ｎ ＧａＰ Ａ！！、 Ａ Ｑ Ｉ ｎ
Ｐ Ａｓ。
Ａ１１ＧａＩｎＰ、 ＡｌＧａＩｎＰ、 ＡｌＧａＩｎ
Ａｇなど、Ａ２を含む材料系全てに適応できることは、
言うまでもない。
Ａｇなど、Ａ２を含む材料系全てに適応できることは、
言うまでもない。
実施例４
第１図を用いて説明する。
ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板結晶１の上にｎ型Ｇａｘ−ｘＡ
Ｑ ｘＡｓクラッドｐＩＩ２ （ｘ＝０．３８） 、
Ｇａ５−ｙＡ１１ｙＡｓ活性層３ （ｙ＝０．０６
）、ｐ型Ｇａｚ−ｘＡ Ｑ ｘＡｓクラッド層４ （Ｘ
＝０．３８ ）−Ｐ型Ｇａｔ−ｚＡ Ｑ ２Ａ８界面改
良層１１ （ｚ＝０．２０ ）、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄
層５をＭＯＣＶＤ法により順次形成する。ホトエツチン
グ工程によりｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層５を完全に
除去し、Ｐ型Ｇａｚ−ｚＡΩｚＡｓ界面改良層１１の表
面を露出する幅１〜１５μｍの溝ストライブを形成する
０次にＭＯＣＶＤ法によりｐ型ＧａニーｕＡｌｕＡｓ埋
め込みクラッド層６ （ｕ ＝０．５０）、ｐ型Ｇ ａ
Ａ ｓキャップ層７を形成する。この後ｐ側電極８．
ｎ側電極９を形成した後、へき開法により、共振器長約
３００μｍのレーザ素子を得た。
Ｑ ｘＡｓクラッドｐＩＩ２ （ｘ＝０．３８） 、
Ｇａ５−ｙＡ１１ｙＡｓ活性層３ （ｙ＝０．０６
）、ｐ型Ｇａｚ−ｘＡ Ｑ ｘＡｓクラッド層４ （Ｘ
＝０．３８ ）−Ｐ型Ｇａｔ−ｚＡ Ｑ ２Ａ８界面改
良層１１ （ｚ＝０．２０ ）、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄
層５をＭＯＣＶＤ法により順次形成する。ホトエツチン
グ工程によりｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層５を完全に
除去し、Ｐ型Ｇａｚ−ｚＡΩｚＡｓ界面改良層１１の表
面を露出する幅１〜１５μｍの溝ストライブを形成する
０次にＭＯＣＶＤ法によりｐ型ＧａニーｕＡｌｕＡｓ埋
め込みクラッド層６ （ｕ ＝０．５０）、ｐ型Ｇ ａ
Ａ ｓキャップ層７を形成する。この後ｐ側電極８．
ｎ側電極９を形成した後、へき開法により、共振器長約
３００μｍのレーザ素子を得た。
試作した素子は、発振波長８３０ｎｍにおいて。
しきい電流値３０〜５０ ｍ Ａで室温連続発振し。
発振スペクトルは、安定な縦単一モードであった。
また、非点収差は全くなかった。また、電流−電圧特性
における電流のたちあがり電圧は１．３ ｖ、素子抵抗
１．５ Ωといった、良好な電気特性も得られた。さら
に、７０℃において、光出力４０ｍＷ定光出力動作時の
寿命も、２０００時間経過後も顕著な劣化は見られず、
信頼性も高いことが明らかとなった。
における電流のたちあがり電圧は１．３ ｖ、素子抵抗
１．５ Ωといった、良好な電気特性も得られた。さら
に、７０℃において、光出力４０ｍＷ定光出力動作時の
寿命も、２０００時間経過後も顕著な劣化は見られず、
信頼性も高いことが明らかとなった。
なお本発明は、実施例に示した波長８３０ｎｍ前後に限
らず、波長６８０〜８９０ｎｍのＧａＡ Ｑ Ａｓ系半
導体レーザ装置で、室温連続発振できる全範囲にわたり
同様な結果が得られた０本実施例では活性層として単一
のＧａＡｆｉＡｓ層を用いたが。
らず、波長６８０〜８９０ｎｍのＧａＡ Ｑ Ａｓ系半
導体レーザ装置で、室温連続発振できる全範囲にわたり
同様な結果が得られた０本実施例では活性層として単一
のＧａＡｆｉＡｓ層を用いたが。
Ｇａｔ−ｖＡ Ｑ ＪｓとＧａｘ−ｗＡｆｌｗＡｓ
（ｖ；４ｗ）の超格子で活性層を形成したＭ ＱＷ （
Ｍｕｌｔｉ−ＱｕａｎｔｕｍｎＷｅｌｌ）構造の場合も
同様な結果が得られた。また。
（ｖ；４ｗ）の超格子で活性層を形成したＭ ＱＷ （
Ｍｕｌｔｉ−ＱｕａｎｔｕｍｎＷｅｌｌ）構造の場合も
同様な結果が得られた。また。
レーザの構造としては前記実施例で示した３層導波路を
基本とするものに限らず、活性層の片側に隣接して光ガ
イド層を設けるＬ ＯＧ （ＬａｒｇｅＯｐｔｉｃａｌ
Ｃａｖｔｙ）構造や、活性層の両側にそれぞれ隣接し
て光ガイド層を設けるＧＲＩＮ−８ＣＨ（Ｇｒａｄｅｄ
−Ｉｎｄｅｘ −５ｓｐａｒｒａｔａ −Ｃｏｎｆｉ
ｎｅａ＋ｅｎｔ −Ｈｅｔａｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
） ａ造にも本発明を適用することができた。
基本とするものに限らず、活性層の片側に隣接して光ガ
イド層を設けるＬ ＯＧ （ＬａｒｇｅＯｐｔｉｃａｌ
Ｃａｖｔｙ）構造や、活性層の両側にそれぞれ隣接し
て光ガイド層を設けるＧＲＩＮ−８ＣＨ（Ｇｒａｄｅｄ
−Ｉｎｄｅｘ −５ｓｐａｒｒａｔａ −Ｃｏｎｆｉ
ｎｅａ＋ｅｎｔ −Ｈｅｔａｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
） ａ造にも本発明を適用することができた。
また、前記実施例において導電型を全て反対にした構造
（ｐをｎに、ｎをｐに置換えた＃！造）においても同様
な結果が得られた。
（ｐをｎに、ｎをｐに置換えた＃！造）においても同様
な結果が得られた。
また１本実施例では、ＧａＡｌＡｓ系の材料を用いてい
るが、ＡｆｉＧａＰＡｓ、Ａｌ ＩｎＰＡｓｔＡｌＧａ
ＩｎＰ、ＡｆｉＧａＩｎＡｓなど、Ａｌを含む材料系全
てに適応できることは言うまでもない。
るが、ＡｆｉＧａＰＡｓ、Ａｌ ＩｎＰＡｓｔＡｌＧａ
ＩｎＰ、ＡｆｉＧａＩｎＡｓなど、Ａｌを含む材料系全
てに適応できることは言うまでもない。
なお１本発明は、当該基板と前記各半導体領域の間およ
び／もしくは前記各半導体領域間に、他の介在物が存在
しても実施できる。
び／もしくは前記各半導体領域間に、他の介在物が存在
しても実施できる。
溝ストライプ形成時に大気中に露出されるストライブ底
部の半導体層すなわち界面改良層を形成している半導体
のへρモル比を、クラッド層を形成している半導体のＡ
ｌモル比よりも小さくすることにより、溝ストライプ形
成時に大気中に露出する面に酸化物が生成されなくなる
。また、埋込みクラッド層の屈折率を、界面改良層に隣
接しているクラッド層の屈折率よりも小さくすることに
より、光が界面改良層にしみださなくなるため、光が活
性層に分布する割合は、界面改良層を設けない場合と比
較して同程度となる。これらの結果、ダイオード特性で
あるたち上がり電圧が従来構造においては１．９■であ
ったものが１本構造においては１．３５Ｖと向上した。
部の半導体層すなわち界面改良層を形成している半導体
のへρモル比を、クラッド層を形成している半導体のＡ
ｌモル比よりも小さくすることにより、溝ストライプ形
成時に大気中に露出する面に酸化物が生成されなくなる
。また、埋込みクラッド層の屈折率を、界面改良層に隣
接しているクラッド層の屈折率よりも小さくすることに
より、光が界面改良層にしみださなくなるため、光が活
性層に分布する割合は、界面改良層を設けない場合と比
較して同程度となる。これらの結果、ダイオード特性で
あるたち上がり電圧が従来構造においては１．９■であ
ったものが１本構造においては１．３５Ｖと向上した。
また素子抵抗も従来構造では５Ωであったものが、本構
造では１．５Ωと向上した。このことは、界面付近の結
晶の結晶性が大幅に改善されたことを示している。また
、信頼性についても、７０℃における光出力４０ｍＶ定
光出力動作時の寿命が、従来構造においては２０〜３０
時間であったものが１本構造においては、２０００時間
を経過後も顕著な劣化がみられない、というように向上
した。
造では１．５Ωと向上した。このことは、界面付近の結
晶の結晶性が大幅に改善されたことを示している。また
、信頼性についても、７０℃における光出力４０ｍＶ定
光出力動作時の寿命が、従来構造においては２０〜３０
時間であったものが１本構造においては、２０００時間
を経過後も顕著な劣化がみられない、というように向上
した。
第１図は実施例１，２および４を説明するため１ ・＝
ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２−ｎ型Ｇａｚ−ｘＡ Ｄ
ＸＡＳクラッド層、３−Ｇａｔ−ｙＡ Ｑ ｙＡｓ活
性層、４ ・Ｐ型Ｇａｚ−ｘＡ ｆｌ ｘＡｓクラッド
層、５−ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層、６・・・ｐ型
Ｇａ１−ｘＡ Ｑ ＸＡ８クラッド埋込み層、７・・・
ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層、８・・・ｐｆ！！極、
９・・・ｎ電極、１０＝・ｆｉ出面、Ｌ Ｌ ・ｐ型Ｇ
ａ１−ｚＡ Ｑ ｚＡｓ界面改良層、１２−ｎ型Ｇａｚ
−ｕＡ Ｑ １ＩＡＳ工ツチング停止層。 第 １ 図 ゝ９ 蒐 ２ 図 ５７１９Ｇａ Ａｓｔｉｔ＄１ 第 ３ 凹 第４ 図 躬 ４ ワ 手 続 補 正 書 （方式）昭和６に１２
月１′＋３
ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、２−ｎ型Ｇａｚ−ｘＡ Ｄ
ＸＡＳクラッド層、３−Ｇａｔ−ｙＡ Ｑ ｙＡｓ活
性層、４ ・Ｐ型Ｇａｚ−ｘＡ ｆｌ ｘＡｓクラッド
層、５−ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流狭窄層、６・・・ｐ型
Ｇａ１−ｘＡ Ｑ ＸＡ８クラッド埋込み層、７・・・
ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層、８・・・ｐｆ！！極、
９・・・ｎ電極、１０＝・ｆｉ出面、Ｌ Ｌ ・ｐ型Ｇ
ａ１−ｚＡ Ｑ ｚＡｓ界面改良層、１２−ｎ型Ｇａｚ
−ｕＡ Ｑ １ＩＡＳ工ツチング停止層。 第 １ 図 ゝ９ 蒐 ２ 図 ５７１９Ｇａ Ａｓｔｉｔ＄１ 第 ３ 凹 第４ 図 躬 ４ ワ 手 続 補 正 書 （方式）昭和６に１２
月１′＋３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１導電型の第１半導体領域上に、少なくとも第１
導電型の第２半導体層、該第２半導体層よりも屈折率が
大きく且禁制帯幅の小さい第３半導体層、該第３半導体
層よりも屈折率が小さく且禁制帯幅の大きな第２導電帯
の第４半導体層、該第４半導体層よりも大気中において
酸化されにくい第２導電型の第５半導体層、上記第３及
び第４半導体層よりも禁制帯幅の小さな第６半導体層を
順次積層した後、エッチングにより上記第６半導体層を
ストライプ状に除去することにより上記第５半導体層を
露出させ、次に、上記エッチングにより露出された第５
半導体層及び上記第６半導体層の表面上に、少なくとも
上記第３半導体層よりも屈折率が小さく且禁制帯幅の大
きな第２導電型の第７半導体層を設けたことを特徴とす
る半導体レーザ装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置にお
いて、上記第５半導体層を形成する半導体のＡｌモル比
が上記第３半導体層を形成するＡｌモル比よりも小さい
かもしくは等しいことを特徴とする半導体レーザ装置。 ３、特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置にお
いて、上記第５半導体層のＡｌモル比が上記第３半導体
層のＡｌモル比よりも大きく且上記第４半導体層のＡｌ
モル比よりも小さいことを特徴とする半導体レーザ装置
。 ４、特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置にお
いて、上記第５半導体層を形成する半導体のＡｌモル比
が上記第４半導体層を形成する半導体のＡｌモル比より
も小さいことを特徴とする半導体レーザ装置。 ５、特許請求の範囲第１〜４項のいずれかに記載の半導
体レーザ装置において、上記半導体層が有機金属気相成
長法（ＭＯＣＶＤ法）または分子線エピタキシー法（Ｍ
ＢＥ法）により形成されたことを特徴とする半導体レー
ザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215717A JP2585230B2 (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 半導体レ−ザ装置 |
| US07/094,602 US4800565A (en) | 1986-09-16 | 1987-09-09 | Semiconductor laser device having high optical intensity and reliability |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215717A JP2585230B2 (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6372173A true JPS6372173A (ja) | 1988-04-01 |
| JP2585230B2 JP2585230B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=16677008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61215717A Expired - Lifetime JP2585230B2 (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4800565A (ja) |
| JP (1) | JP2585230B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02116187A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-27 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| JPH04116994A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JPH05283790A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-10-29 | Sharp Corp | 半導体レーザ |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5058120A (en) * | 1990-02-28 | 1991-10-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Visible light emitting semiconductor laser with inverse mesa-shaped groove section |
| JPH08222815A (ja) * | 1994-12-13 | 1996-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置の製造方法、及び半導体レーザ装置 |
| US5751756A (en) * | 1995-09-05 | 1998-05-12 | Matsushita Electronics Corporation | Semiconductor laser device for use as a light source of an optical disk or the like |
| JP3521793B2 (ja) * | 1999-03-03 | 2004-04-19 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
| JP4641736B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2011-03-02 | ソニー株式会社 | 面発光半導体レーザーとその製造方法及び光学装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59171188A (ja) * | 1984-01-11 | 1984-09-27 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS6142984A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPS62176183A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | Sony Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JPS6370587A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP61215717A patent/JP2585230B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-09-09 US US07/094,602 patent/US4800565A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
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| JPS6142984A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Rohm Co Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPS62176183A (ja) * | 1986-01-29 | 1987-08-01 | Sony Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JPS6370587A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ |
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| JPH04116994A (ja) * | 1990-09-07 | 1992-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JPH05283790A (ja) * | 1991-08-30 | 1993-10-29 | Sharp Corp | 半導体レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4800565A (en) | 1989-01-24 |
| JP2585230B2 (ja) | 1997-02-26 |
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