JPS6372761A - ゲルマニウムナフタロシアニン誘導体 - Google Patents
ゲルマニウムナフタロシアニン誘導体Info
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- JPS6372761A JPS6372761A JP61215809A JP21580986A JPS6372761A JP S6372761 A JPS6372761 A JP S6372761A JP 61215809 A JP61215809 A JP 61215809A JP 21580986 A JP21580986 A JP 21580986A JP S6372761 A JPS6372761 A JP S6372761A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規なゲルマニウムナフタロシアニン誘導体
、およびその製造法に関する。
、およびその製造法に関する。
従来、ナフタロシアニン誘導体として、各種金属ナフタ
ロシアニンおよびナフタロシアニンのナフタレン環の６
位にアルキル基（炭素数４−１２個）置換したテトラ−
アルキルナフタロシアニンの各種金属物（ただし、金属
としては、銅、亜鉛。
ロシアニンおよびナフタロシアニンのナフタレン環の６
位にアルキル基（炭素数４−１２個）置換したテトラ−
アルキルナフタロシアニンの各種金属物（ただし、金属
としては、銅、亜鉛。
アルミニウム、錫、バナジウム、マンガン、コバルト、
ニッケル、パラジウム、鉛、マグネシウムであり、金属
の代りに水素が２個結合したものもある）が知られてい
る＊ （Ｚｈｕｒｎａｌ ｏｂｓｈｃｈｅｉＫｈｉｍ
ｉｉ ４２． （１９７２） Ｐ ｐ ６９８−６９
９．モルクリスト リフ クリスト 第１１２巻（１９
８４年）第３４５頁から第３５８頁、Ｍｏ１． Ｃｒｙ
ｓｔ、 Ｌｉｇ−Ｃｒｙｓｔ、 、 ４２ （１９８４
） ｐｐ３４５−３５８．米国特許４．４９２．７５０
号、特開昭６０−２３４５１号公報。
ニッケル、パラジウム、鉛、マグネシウムであり、金属
の代りに水素が２個結合したものもある）が知られてい
る＊ （Ｚｈｕｒｎａｌ ｏｂｓｈｃｈｅｉＫｈｉｍ
ｉｉ ４２． （１９７２） Ｐ ｐ ６９８−６９
９．モルクリスト リフ クリスト 第１１２巻（１９
８４年）第３４５頁から第３５８頁、Ｍｏ１． Ｃｒｙ
ｓｔ、 Ｌｉｇ−Ｃｒｙｓｔ、 、 ４２ （１９８４
） ｐｐ３４５−３５８．米国特許４．４９２．７５０
号、特開昭６０−２３４５１号公報。
号公報の化合物は、はとんどの溶剤に不溶で。
精製が困難である。または溶剤に溶けて精製できるが蒸
着できない。
着できない。
またシリコンナフタロシアニン誘導体（一般式（１）に
おいてＲがｎ−ヘキシル基、また中心金属がゲルマニウ
ムのかわりにシリコンにおきかわったもの）が知られて
いる（ジャーナル オブアメリカン ケミカル ソサイ
エテイ 第１０６巻（１９８４年）第７４０４頁から第
７４１０頁、 Ｊ、 Ａｍ、 ｃｈｅｗ。
おいてＲがｎ−ヘキシル基、また中心金属がゲルマニウ
ムのかわりにシリコンにおきかわったもの）が知られて
いる（ジャーナル オブアメリカン ケミカル ソサイ
エテイ 第１０６巻（１９８４年）第７４０４頁から第
７４１０頁、 Ｊ、 Ａｍ、 ｃｈｅｗ。
Ｓｏｃ、 、 １０６ （１９８４） ｐ ｐ７４０４
−７４１０） −〔発明が解決しようとする問題点〕 従来のナフタロシアニンにおいて、無置換の各種金属ナ
フタロシアニンは、ドライプロセスを利用した薄膜作製
法の１つである真空蒸着はできるが、はとんどの溶剤に
不溶で、再結晶等によりその純度を向上させる点で問題
がある。
−７４１０） −〔発明が解決しようとする問題点〕 従来のナフタロシアニンにおいて、無置換の各種金属ナ
フタロシアニンは、ドライプロセスを利用した薄膜作製
法の１つである真空蒸着はできるが、はとんどの溶剤に
不溶で、再結晶等によりその純度を向上させる点で問題
がある。
またアルキル置換したテトラ−６−アルキルナフタロシ
アニンの各種金属物は、芳香族系およびハロゲン系溶剤
に可溶で、再結晶等の方法により精製することは可能で
あるが、真空蒸着においては、これらのナフタロシアニ
ンの各種金属物は、分解し蒸着できない問題点がある。
アニンの各種金属物は、芳香族系およびハロゲン系溶剤
に可溶で、再結晶等の方法により精製することは可能で
あるが、真空蒸着においては、これらのナフタロシアニ
ンの各種金属物は、分解し蒸着できない問題点がある。
本発明の目的は、このような問題点を解決するものであ
り、芳香族系、ハロゲン系溶剤に可溶で電子デバイスへ
の有機物の応用のための薄膜作製方法の１つである真空
蒸着ができる新規なゲルマニウムナフタロシアニン誘導
体を提供するものであり、その蒸着膜の極大吸収波長が
、８００ｎｍ以上にあることから、光デイスク記録材料
や電子写真感光体の感光材料に用いることができる。
り、芳香族系、ハロゲン系溶剤に可溶で電子デバイスへ
の有機物の応用のための薄膜作製方法の１つである真空
蒸着ができる新規なゲルマニウムナフタロシアニン誘導
体を提供するものであり、その蒸着膜の極大吸収波長が
、８００ｎｍ以上にあることから、光デイスク記録材料
や電子写真感光体の感光材料に用いることができる。
すなわち、第１の発明は、一般式
（ただし、式中Ｒは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基
、フェニル基を示す）で表わされるゲルマニウムナフタ
ロシアニン誘導体に特徴を有する。一般式（Ｉ）（以降
ＧｅＮｃＬｚ、Ｌ＝Ｏ３ｉＲａと略記する）で表わされ
る化合物は、芳香族およびハロゲン系溶剤に可能で容易
に再結晶が行なえ純度を高めることができる。また真空
蒸着もボート温度が３００℃〜５００’Ｃで非常に容易
に行なえ、この温度では、化合物は分解することはない
。
ル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基
、フェニル基を示す）で表わされるゲルマニウムナフタ
ロシアニン誘導体に特徴を有する。一般式（Ｉ）（以降
ＧｅＮｃＬｚ、Ｌ＝Ｏ３ｉＲａと略記する）で表わされ
る化合物は、芳香族およびハロゲン系溶剤に可能で容易
に再結晶が行なえ純度を高めることができる。また真空
蒸着もボート温度が３００℃〜５００’Ｃで非常に容易
に行なえ、この温度では、化合物は分解することはない
。
第２の発明は、式
で表わされるゲルマニウムナフタロシアニン誘導体に特
徴を有する０式（■）（以降Ｇ ｅ Ｎ ｃ （ＯＨ）
ｚと略記する）で表わされる化合物は、はとんどの溶剤
に不溶である。
徴を有する０式（■）（以降Ｇ ｅ Ｎ ｃ （ＯＨ）
ｚと略記する）で表わされる化合物は、はとんどの溶剤
に不溶である。
第３の発明は１式
で表わされるゲルマニウムナフタロシアニン誘導体に特
徴を有する０式（■）（以降ＧｅＮｏＣｆ１ｘと略記す
る）で表わされる化合物は、はとんどの溶剤に不溶であ
る。
徴を有する０式（■）（以降ＧｅＮｏＣｆ１ｘと略記す
る）で表わされる化合物は、はとんどの溶剤に不溶であ
る。
第４の発明は、第１の発明に係るゲルマニウムナフタロ
シアニン誘導体（１）の製造法に特徴を有する。
シアニン誘導体（１）の製造法に特徴を有する。
すなわち第４の発明は、式
％式％（）
で表わされる化合物を一般式
ＲａＳｉ ＯＨ（ＩＶ）
（ただし式中Ｒは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、
フェニル基を示す）で表わされる化合物または、一般式 ％式％（） （ただし式中Ｒは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基りｎ−ヘキシル基、
フェニル基を示す）で表わされる化合物と反応させるこ
とを特徴とする。
基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、
フェニル基を示す）で表わされる化合物または、一般式 ％式％（） （ただし式中Ｒは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基りｎ−ヘキシル基、
フェニル基を示す）で表わされる化合物と反応させるこ
とを特徴とする。
なお式
％式％（）
で表わされる化合物は、一般式
ＲＲ’ Ｒ’ Ｓ ｉ ＯＨ（ＩＫ）
（ただし、式中Ｒ，Ｒ’ 、Ｒ’は、アルキル基または
フェニル基、例えば（ＣＨａ）！（ＣａＨｙ） ５ｉｌ
ｌ。
フェニル基、例えば（ＣＨａ）！（ＣａＨｙ） ５ｉｌ
ｌ。
（ＣＨａ） ＊ （Ｃ４Ｈ１１） Ｓ ｉ ＯＨ，（Ｃ
Ｈｓ）ｚＰｈｓｉＯＨ（ｐｈはフェニル基）等で表わさ
れる化合物または、一般式（Ｘ） ＲＲ’ Ｒ’ ＳｉＣ慮 （Ｘ） （ただし、式中Ｒ，Ｒ’ 、Ｒ’は、アルキル基または
フェニル基、例えば（ＣＨａ）ｘ （ＣｎＨ２）ＳｉＣ
ｎ 。
Ｈｓ）ｚＰｈｓｉＯＨ（ｐｈはフェニル基）等で表わさ
れる化合物または、一般式（Ｘ） ＲＲ’ Ｒ’ ＳｉＣ慮 （Ｘ） （ただし、式中Ｒ，Ｒ’ 、Ｒ’は、アルキル基または
フェニル基、例えば（ＣＨａ）ｘ （ＣｎＨ２）ＳｉＣ
ｎ 。
（ＣＨａ） ＊ （Ｃ４Ｈ９） Ｓ ｉ ＣＱ 、 （
ＣＨａ）ｚＰｈｓｉＯＨ２（ｐｈはフェニル基）等で表
わされる化合物とも反応し、一般式 （ただし１式中Ｒ，Ｒ’ 、Ｒ’は、アルキル基または
フェニル基、３つともに同じ場合を除く）で表わされる
ゲルマニウムナフタロシアニン誘導体が合成できる。
ＣＨａ）ｚＰｈｓｉＯＨ２（ｐｈはフェニル基）等で表
わされる化合物とも反応し、一般式 （ただし１式中Ｒ，Ｒ’ 、Ｒ’は、アルキル基または
フェニル基、３つともに同じ場合を除く）で表わされる
ゲルマニウムナフタロシアニン誘導体が合成できる。
第５の発明は、第１の発明に係るゲルマニウムナフタロ
シアニン誘導体（１）の製造法に特徴を有する。
シアニン誘導体（１）の製造法に特徴を有する。
すなわち第５の発明は、
１．３−ジイミノベンゾ〔ｆ〕イソインドリンを四塩化
ゲルマニウムと反応させる工程、次いで、得られた で表わされる化合物を、ＨｘＳＯａ、ついでＮ Ｈａ水
と反応させる工程、 次いで、得られた で表わされる化合物を一般式 ＲｓＳ ｉ ＯＨ（ＥＶ）または、一般式Ｒａ５ｉＣＱ
（Ｖ）で表わされる化合物と反応させることを特徴と
する。
ゲルマニウムと反応させる工程、次いで、得られた で表わされる化合物を、ＨｘＳＯａ、ついでＮ Ｈａ水
と反応させる工程、 次いで、得られた で表わされる化合物を一般式 ＲｓＳ ｉ ＯＨ（ＥＶ）または、一般式Ｒａ５ｉＣＱ
（Ｖ）で表わされる化合物と反応させることを特徴と
する。
第３の発明に係るゲルマニウムナフタロシアニン誘導体
（ｍ）は、１，３−ジイミノベンゾ（ｊ）イソインドリ
ンを四塩化ゲルマニウムと反応させることによって得ら
れる。
（ｍ）は、１，３−ジイミノベンゾ（ｊ）イソインドリ
ンを四塩化ゲルマニウムと反応させることによって得ら
れる。
１．３−ジイミノベンゾ〔ｆ〕イソインドリンは、ジャ
ーナル オブ アメリカン ケミカルソサイエテイ 第
１０６巻（１９８４年）第７４０４頁から第７４１０頁
、 Ｊ、 Ａｍ、 Ｃｈｅｗ、 Ｓｏｃ、 、 １０６
（１９８４）ｐ Ｐ ７４０４−７４１０）に記載さ
れている方法を利用して下記式（Ａ）の経路により製造
できる。
ーナル オブ アメリカン ケミカルソサイエテイ 第
１０６巻（１９８４年）第７４０４頁から第７４１０頁
、 Ｊ、 Ａｍ、 Ｃｈｅｗ、 Ｓｏｃ、 、 １０６
（１９８４）ｐ Ｐ ７４０４−７４１０）に記載さ
れている方法を利用して下記式（Ａ）の経路により製造
できる。
Ｈ
（■） （■） （■）すなわち、α
、α、α′、α′−テトラブロモ−〇−キシレン式（Ｖ
Ｉ） ０ 、１ ｖａｏΩとフマロニトリル０．１７３
ｍｍｏｆｉをヨウ化ナトリウム０．６７＋ｗｏｆｆｉ存
在下、無水Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド中で７５℃７
時間反応させ、２．３−ジシアノナフタリン（■）を得
る。続いて２．３−ジシアノナフタリン５７．３＋鳳ｏ
ｊｌをナトリウムメトキシド存在下、メタノール中アン
モニアと３時間加熱反応させることによって１．３−ジ
イミノベンゾ〔ｆ〕イソインドリン（■）が得られる。
、α、α′、α′−テトラブロモ−〇−キシレン式（Ｖ
Ｉ） ０ 、１ ｖａｏΩとフマロニトリル０．１７３
ｍｍｏｆｉをヨウ化ナトリウム０．６７＋ｗｏｆｆｉ存
在下、無水Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド中で７５℃７
時間反応させ、２．３−ジシアノナフタリン（■）を得
る。続いて２．３−ジシアノナフタリン５７．３＋鳳ｏ
ｊｌをナトリウムメトキシド存在下、メタノール中アン
モニアと３時間加熱反応させることによって１．３−ジ
イミノベンゾ〔ｆ〕イソインドリン（■）が得られる。
式（ｍ）で表わされる化合物は、１．３−ジイミノベン
ゾ（１）イソインドリン（■）をトリーｎ−ブチルアミ
ン存在下無水テトラリン中で四塩化ゲルマニウムと約３
時間還流することによって得られる。
ゾ（１）イソインドリン（■）をトリーｎ−ブチルアミ
ン存在下無水テトラリン中で四塩化ゲルマニウムと約３
時間還流することによって得られる。
第２の発明に係るゲルマニウムナフタロシアニン誘導体
（ＩＩ）は１式 ％式％（） で表わされる化合物を、ＨｚＳＯａ、ついでＮＨｓ水と
反応させることによって得られる。
（ＩＩ）は１式 ％式％（） で表わされる化合物を、ＨｚＳＯａ、ついでＮＨｓ水と
反応させることによって得られる。
本発明のゲルマニウムナフタロシアニン誘導体は、８０
０ｎｍ以上の近赤外光線を吸収する能力があるため、波
長が８００ｎｍ以上の半導体レーザー光を利用して書込
みあるいは読取りを行なうことが可能である。
０ｎｍ以上の近赤外光線を吸収する能力があるため、波
長が８００ｎｍ以上の半導体レーザー光を利用して書込
みあるいは読取りを行なうことが可能である。
製造例１
α、α、αＩ、α′−テトラブロモ−〇−キシレン４２
．２ ｇ （０，１ｍｍｏ１２）、フマロニトリル１３
．５ ｇ （０，１７３＋ｍｏｊ２）の無水Ｎ、Ｎ−ジ
メチルホルムアミド４００ｍｇ溶液によく撹拌しながら
ヨウ化ナトリウム１００ ｇ（０，６７ｍｏＡ）を加え
、窒素下７５℃で約７時間撹拌した０反応後、反応混合
物を約２ｋｇの氷中へ注ぎ出した赤かつ色の水溶液が淡
黄色になるまで徐々に亜硫酸水素ナトリウムを加え、わ
ずかに過屑量亜硫酸ナトリウムを加え、しばらく撹拌し
た後、室温下−晩装置した。析出した淡黄色固体を吸引
ろ過し、充分水洗した後、自然乾燥した。淡黄色固体を
エタノール／クロロホルムから再結晶すると無色の結晶
として、２．３−ジシアノナフタリン１３．（７３％）
を得た。融点 ２５６．５−２５７．５℃（文献値 融
点 ２５６℃） 次に、窒素雰囲気下、無水メタノール９０ｍΩに金属ナ
トリウム０．６４ｇ （２８ｍｍｏｎ）を５回に分けて
加えて調整したナトリウムメトキシド−メタノール溶液
に２．３−ジシアノナフタリン１０．２ ｇ （５７，
３ｍｍｏｎ ）を加えよく撹拌しながら室温で無水ア
ンモニアガスを約１時間ゆっくりとバブルした。ついで
無水アンモニアガスをバブルしながら約３時間還流した
。冷却後、析出した黄色固体をろ過し、メタノールで充
分洗浄後、減圧乾燥すると１．３−ジイミノベンゾ（ｊ
）イソインドリンが黄色固体として約９．５ｇ（８６％
）得られた。
．２ ｇ （０，１ｍｍｏ１２）、フマロニトリル１３
．５ ｇ （０，１７３＋ｍｏｊ２）の無水Ｎ、Ｎ−ジ
メチルホルムアミド４００ｍｇ溶液によく撹拌しながら
ヨウ化ナトリウム１００ ｇ（０，６７ｍｏＡ）を加え
、窒素下７５℃で約７時間撹拌した０反応後、反応混合
物を約２ｋｇの氷中へ注ぎ出した赤かつ色の水溶液が淡
黄色になるまで徐々に亜硫酸水素ナトリウムを加え、わ
ずかに過屑量亜硫酸ナトリウムを加え、しばらく撹拌し
た後、室温下−晩装置した。析出した淡黄色固体を吸引
ろ過し、充分水洗した後、自然乾燥した。淡黄色固体を
エタノール／クロロホルムから再結晶すると無色の結晶
として、２．３−ジシアノナフタリン１３．（７３％）
を得た。融点 ２５６．５−２５７．５℃（文献値 融
点 ２５６℃） 次に、窒素雰囲気下、無水メタノール９０ｍΩに金属ナ
トリウム０．６４ｇ （２８ｍｍｏｎ）を５回に分けて
加えて調整したナトリウムメトキシド−メタノール溶液
に２．３−ジシアノナフタリン１０．２ ｇ （５７，
３ｍｍｏｎ ）を加えよく撹拌しながら室温で無水ア
ンモニアガスを約１時間ゆっくりとバブルした。ついで
無水アンモニアガスをバブルしながら約３時間還流した
。冷却後、析出した黄色固体をろ過し、メタノールで充
分洗浄後、減圧乾燥すると１．３−ジイミノベンゾ（ｊ
）イソインドリンが黄色固体として約９．５ｇ（８６％
）得られた。
実施例１
窒素雰囲気下、未精製の１．３−ジイミノベンゾ（Ｊ）
イソインドリン４ ｇ （２０，４ｍｉ＊ｏｆｆｉ）の
無水テトラリン２７ｍΩ懸濁液に無水トリーｎ−ブチル
アミン１４ｍｊｌを加え、ついで四塩化ゲルマニウム３
．６ｍｍｏｎ （３１，６ｍｍｏｎ）を加えて約３時間
還流した。
イソインドリン４ ｇ （２０，４ｍｉ＊ｏｆｆｉ）の
無水テトラリン２７ｍΩ懸濁液に無水トリーｎ−ブチル
アミン１４ｍｊｌを加え、ついで四塩化ゲルマニウム３
．６ｍｍｏｎ （３１，６ｍｍｏｎ）を加えて約３時間
還流した。
冷却後、メタノール２０ｍΩを加え、−晩放置した、赤
かっ色反応混合物をろ過し、メタノールで充分洗浄後、
減圧乾燥すると濃緑色の固体としてジクロロゲルマニウ
ムナフタロシアニン（ＧａＮｃＣＱ ｘ）が約２ｇ（４
６％）得られた。
かっ色反応混合物をろ過し、メタノールで充分洗浄後、
減圧乾燥すると濃緑色の固体としてジクロロゲルマニウ
ムナフタロシアニン（ＧａＮｃＣＱ ｘ）が約２ｇ（４
６％）得られた。
この化合物は、はとんどの溶剤にとけなかった。
ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第１図に示す。
第４１！ｌのビス（トリエチルゲルマニウムナフタロシ
アニンのＩＲスペクトルとこの化合物のＩＲスペクトル
（第１図）とほとんど等しいことからこの化合物は、ジ
クロロゲルマニウムナフタロシアニンであることが考え
られる。
アニンのＩＲスペクトルとこの化合物のＩＲスペクトル
（第１図）とほとんど等しいことからこの化合物は、ジ
クロロゲルマニウムナフタロシアニンであることが考え
られる。
実施例２
未精製のＧａＮｃ（ｊｌｘ５．２ ｇ （６，０８ｍ
ｍｏｊｌ）を濃硫酸１８０ｍＡに加え、約３時間撹拌し
た０反応混合物を氷約５００ｇ中に注ぎ、−晩装置した
。
ｍｏｊｌ）を濃硫酸１８０ｍＡに加え、約３時間撹拌し
た０反応混合物を氷約５００ｇ中に注ぎ、−晩装置した
。
析出した沈殿をろ過した後、この沈殿を１４０ｍｆｉの
濃アンモニア水中約１．５時間還流した。
濃アンモニア水中約１．５時間還流した。
冷却後、ろ過し水で充分洗浄し、減圧乾燥すると濃緑色
の固体としてジヒドロキシゲルマニウムナフタロシアニ
ン（Ｇ ｅ Ｎ ｃ （ＯＨ） ｚ）が約４ｇ（７９％
）得られた。この化合物は、はとんどの溶剤にとけなか
った。ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第２図に示す、第
４図のビス（トリエチルシロキシ）ゲルマニウムナフタ
ロシアニンのＩＲスペクトルと第２図のＩＲスペクトル
がほとんど等しいこと、またこの化合物とトリアルキル
シラノールが反応し、ビス（トリアルキルシロキシ）ゲ
ルマニウムナフタロシアニンと水ができること（実施例
３．４）からこの化合物は、ジヒドロキシゲルマニウム
ナフタロシアニンであることが確認できた。
の固体としてジヒドロキシゲルマニウムナフタロシアニ
ン（Ｇ ｅ Ｎ ｃ （ＯＨ） ｚ）が約４ｇ（７９％
）得られた。この化合物は、はとんどの溶剤にとけなか
った。ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第２図に示す、第
４図のビス（トリエチルシロキシ）ゲルマニウムナフタ
ロシアニンのＩＲスペクトルと第２図のＩＲスペクトル
がほとんど等しいこと、またこの化合物とトリアルキル
シラノールが反応し、ビス（トリアルキルシロキシ）ゲ
ルマニウムナフタロシアニンと水ができること（実施例
３．４）からこの化合物は、ジヒドロキシゲルマニウム
ナフタロシアニンであることが確認できた。
実施例３
ＧｅＮｏ（ＯＨ） ｘ４００ｍｇ （０，５ｍｍｏｊｌ
）のクロロベンゼン２０ ｍ ｍ懸濁液にトリエチルシ
ラノール０．２ｍｊｌ（１，３ｍｍｏｎ） を力ロ火、
約１．５時間還流した。冷却後、反応混合物をエタノー
ル／水（１／１）ｌｏｏｍｊｌ中へ注ぎ、よくかきまぜ
た後、−晩装置した。
）のクロロベンゼン２０ ｍ ｍ懸濁液にトリエチルシ
ラノール０．２ｍｊｌ（１，３ｍｍｏｎ） を力ロ火、
約１．５時間還流した。冷却後、反応混合物をエタノー
ル／水（１／１）ｌｏｏｍｊｌ中へ注ぎ、よくかきまぜ
た後、−晩装置した。
析出した沈殿をろ過し、メタノールで洗浄した。
熱クロロホルム約４００ ｍ Ａを用いてこの沈殿のう
ち溶けるものだけを溶かし出し、クロロホルム溶液を約
３０ｍｊ！に濃縮した。濃縮したクロロホルム溶液を冷
却し、析出した結晶をろ過し、クロロホルムで洗浄した
。得られた結晶をクロロホルムを用いて再結晶したとこ
ろ、濃緑色の結晶１６８ｍｇ （３３％）が得られた。
ち溶けるものだけを溶かし出し、クロロホルム溶液を約
３０ｍｊ！に濃縮した。濃縮したクロロホルム溶液を冷
却し、析出した結晶をろ過し、クロロホルムで洗浄した
。得られた結晶をクロロホルムを用いて再結晶したとこ
ろ、濃緑色の結晶１６８ｍｇ （３３％）が得られた。
この濃緑色結晶は、下記の分析結果よりビス（トリエチ
ルシロキシ）ゲルマニウムナフタロシアニン（ＧｅＮｃ
（Ｏ５ｉ（（、ｚＨδ）８））であることを確認した
。
ルシロキシ）ゲルマニウムナフタロシアニン（ＧｅＮｃ
（Ｏ５ｉ（（、ｚＨδ）８））であることを確認した
。
（１）融点〉３００℃
（２）元素分新値
ＣＭ Ｎ
計算値（％） ６８．７７％ ５．１９％ １０．６
９％実測値（％） ６７．０７％ ４．９０％ １０
．５８％（３）ＮＭＲ値（ＮＭＲスペクトルを第３図に
示す）、ＤＣｎａ δ値 １０．１４ （８Ｈ，Ｓ） ８．７１ （８Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝３．０５＆）７．９４
（８Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝３．０５ＦＬｔ）−１，００（１２
Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．９３Ｈｚ）−２，０２（１８Ｈ，ｑ、
Ｊ＝７．９３Ｈｚ）（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）
を第４図に示す。
９％実測値（％） ６７．０７％ ４．９０％ １０
．５８％（３）ＮＭＲ値（ＮＭＲスペクトルを第３図に
示す）、ＤＣｎａ δ値 １０．１４ （８Ｈ，Ｓ） ８．７１ （８Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝３．０５＆）７．９４
（８Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝３．０５ＦＬｔ）−１，００（１２
Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．９３Ｈｚ）−２，０２（１８Ｈ，ｑ、
Ｊ＝７．９３Ｈｚ）（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）
を第４図に示す。
約２９００（！ｌ−”付近のピークは、ナフタロシアニ
ン環の上下にあるトリエチルシロキシ基のＣ−Ｈ伸縮振
動に起因するものである。
ン環の上下にあるトリエチルシロキシ基のＣ−Ｈ伸縮振
動に起因するものである。
（５）ＵＶＸペクト）Ｌｔ （ＣＨｚＣＱｚ溶液）を第
５図に示す。
５図に示す。
実施例４
ＧｅＮｃ （ＯＨ）ｚ４００ｍｇ （約０．５ｍ＋ｍｏ
Ｒ）のクロロベンゼン２０ ｍ １１懸濁液にトリーｎ
−ブチ）Ｌｉシ９）−ル０．５ｍｆｉ （１，９ｍｍｏ
ｊ２ ）を加え、約１．５時間還流した。冷却後反応
混合物をエタノール／水（１／ １） １００ ｍ Ｑ
中へ注ぎ、よくかきまぜた後、−晩装置した。
Ｒ）のクロロベンゼン２０ ｍ １１懸濁液にトリーｎ
−ブチ）Ｌｉシ９）−ル０．５ｍｆｉ （１，９ｍｍｏ
ｊ２ ）を加え、約１．５時間還流した。冷却後反応
混合物をエタノール／水（１／ １） １００ ｍ Ｑ
中へ注ぎ、よくかきまぜた後、−晩装置した。
析出した沈殿をろ過し、メタノールで洗浄した。
熱クロロホルム約４００ｍＢを用いてこの沈殿のうち溶
けるものだけを溶かし出し、クロロホルム溶液を約３０
ｍｆｆ１に濃縮した。濃縮したクロロホルム溶液を冷却
し、析出した結晶をろ過し、クロロホルムを用いて再結
晶したところ、濃緑色の結晶１２０ｍｇ（２０％）が得
られた。この濃緑色結晶は、下記の分析結果よりビス（
トリブチルシロキシ）ゲルマニウムナフタロシアニン（
ＧａＮｃ（Ｏ８ｉ （ＣａＨｓ） ａ） ｚ）であるこ
とを確認した。
けるものだけを溶かし出し、クロロホルム溶液を約３０
ｍｆｆ１に濃縮した。濃縮したクロロホルム溶液を冷却
し、析出した結晶をろ過し、クロロホルムを用いて再結
晶したところ、濃緑色の結晶１２０ｍｇ（２０％）が得
られた。この濃緑色結晶は、下記の分析結果よりビス（
トリブチルシロキシ）ゲルマニウムナフタロシアニン（
ＧａＮｃ（Ｏ８ｉ （ＣａＨｓ） ａ） ｚ）であるこ
とを確認した。
（１）融点〉３ｏＯ℃
（２）元素分析値
ＨＮ
計算値（％） ７１．１０％ ６．４６％ ９．２１
％実測値（％） ７１．０３％ ６．４１％ ９．４
１％（３）ＮＭＲ値（ＮＭＲスペクトルを第６図に示す
）、ＣＤ Ｃｎ ａ δ値 １０．１２ （８Ｈ，Ｓ） ８．６８ （８Ｈ，ｄ ｄ 、 Ｊ ＝６．１０．３．
３５七）７．９４ （８Ｈ、ｄ ｄ 、 Ｊ ＝６．１
０．３．３５＆）−０，１〜０．１ （３０Ｈ、ｍ） −０，８９（１２Ｈ，ｑｕ；ｎｔｅｔ、 Ｊ ＝７．６
３＆）−１，９９（１２Ｈ、Ｊ ＝７．６３＆）（４）
ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第７図に示す。
％実測値（％） ７１．０３％ ６．４１％ ９．４
１％（３）ＮＭＲ値（ＮＭＲスペクトルを第６図に示す
）、ＣＤ Ｃｎ ａ δ値 １０．１２ （８Ｈ，Ｓ） ８．６８ （８Ｈ，ｄ ｄ 、 Ｊ ＝６．１０．３．
３５七）７．９４ （８Ｈ、ｄ ｄ 、 Ｊ ＝６．１
０．３．３５＆）−０，１〜０．１ （３０Ｈ、ｍ） −０，８９（１２Ｈ，ｑｕ；ｎｔｅｔ、 Ｊ ＝７．６
３＆）−１，９９（１２Ｈ、Ｊ ＝７．６３＆）（４）
ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第７図に示す。
約２９００ｃｍ″″１付近のピークは、ナフタロシアニ
ン環の上下にあるトリブチルシロキシ基のＣ−Ｈ伸縮振
動に起因するものである。
ン環の上下にあるトリブチルシロキシ基のＣ−Ｈ伸縮振
動に起因するものである。
（５）ＵＶスペクトル（ＣＨｚＣＱｚ溶液）を第８図に
示す。
示す。
本発明に係るゲルマニウムナフタロシアニン誘導体（ジ
クロロゲルマニウムナフタロシアニン。
クロロゲルマニウムナフタロシアニン。
ジクロロゲルマニウムナフタロシアニンを除く）は、芳
香族系およびハロゲン系溶剤に可溶で再結晶等にて精製
が容易であり、かつ蒸着も可能である。またこの化合物
のジクロロメタン溶液は、第５図、第８図に示したよう
に７８０ｎｍ付近に最大吸収をもつが、真空蒸着した薄
膜では、８００ｎｍ以上に最大吸収をもつので、光デイ
スク記録材料や電子写真感光体の感光材料に用いること
ができる。
香族系およびハロゲン系溶剤に可溶で再結晶等にて精製
が容易であり、かつ蒸着も可能である。またこの化合物
のジクロロメタン溶液は、第５図、第８図に示したよう
に７８０ｎｍ付近に最大吸収をもつが、真空蒸着した薄
膜では、８００ｎｍ以上に最大吸収をもつので、光デイ
スク記録材料や電子写真感光体の感光材料に用いること
ができる。
第１図は、ジクロロゲルマニウムナフタロシアニン（Ｇ
ｅＮｃＣΩユ）のＩＲスペクトルである、第２図は、ジ
ヒドロキシゲルマニウムナフタロシアニン（Ｇ ｅ Ｎ
ｃ （ＯＨ） ｘ＞のＩＲスペクトルである。 第３図は、ビス（トリエチルシロキシ）ゲルマニウムナ
フタロシアニン（ＧａＮｃ （Ｏ５ｉ （ＣｚＨｓ）
ａ） ｚ）のＮＭＲスペクトルである。第４図は、ビ
ス（トリエチルシロキシ）ゲルマニウムナフタロシアニ
ン（Ｇ ｅ Ｎ ｃ （ＯＳ ｉ （ＣｚＨａ） ａ
） ｔ）のＩＲスペクトルである。第５図は、ビス（ト
リエチルシロキシ）ゲルマニウムナフタロシアニン（Ｇ
ｅ Ｎ ｃ （ＯＳ ｉ ） ＣｚＨａ） ａ） ｚ
）のＵＶＸベクトルである。第６図は、ビス（トリブチ
ルシロキシ）ゲルマニウムナフタロシアニン（ＧｅＮｃ
（ＯＳ ｉ （Ｃ４Ｈ１ｌ） ａ） ｘ）のＮＭＲス
ペクトルである。第７図は、ビス（トリブチルシロキシ
）ゲルマニウムナフタロシアニン（ＧｅＮｃ（Ｏ８ｉ（
Ｃ４ＨＩ） ａ） ｎ）のＩＲスペクトルである。第８
図は、ビス（トリブチルシロキシ）ゲルマニウムナフタ
ロシアニン（Ｇ ｅ Ｎ ｃ （ＯＳ ｉ （Ｃ４Ｈ＠
）ａ）ｚ）のＵＶスペクトルである。
ｅＮｃＣΩユ）のＩＲスペクトルである、第２図は、ジ
ヒドロキシゲルマニウムナフタロシアニン（Ｇ ｅ Ｎ
ｃ （ＯＨ） ｘ＞のＩＲスペクトルである。 第３図は、ビス（トリエチルシロキシ）ゲルマニウムナ
フタロシアニン（ＧａＮｃ （Ｏ５ｉ （ＣｚＨｓ）
ａ） ｚ）のＮＭＲスペクトルである。第４図は、ビ
ス（トリエチルシロキシ）ゲルマニウムナフタロシアニ
ン（Ｇ ｅ Ｎ ｃ （ＯＳ ｉ （ＣｚＨａ） ａ
） ｔ）のＩＲスペクトルである。第５図は、ビス（ト
リエチルシロキシ）ゲルマニウムナフタロシアニン（Ｇ
ｅ Ｎ ｃ （ＯＳ ｉ ） ＣｚＨａ） ａ） ｚ
）のＵＶＸベクトルである。第６図は、ビス（トリブチ
ルシロキシ）ゲルマニウムナフタロシアニン（ＧｅＮｃ
（ＯＳ ｉ （Ｃ４Ｈ１ｌ） ａ） ｘ）のＮＭＲス
ペクトルである。第７図は、ビス（トリブチルシロキシ
）ゲルマニウムナフタロシアニン（ＧｅＮｃ（Ｏ８ｉ（
Ｃ４ＨＩ） ａ） ｎ）のＩＲスペクトルである。第８
図は、ビス（トリブチルシロキシ）ゲルマニウムナフタ
ロシアニン（Ｇ ｅ Ｎ ｃ （ＯＳ ｉ （Ｃ４Ｈ＠
）ａ）ｚ）のＵＶスペクトルである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、式中Ｒは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基
、フェニル基）で表わされるゲルマニウムナフタロシア
ニン誘導体。 ２、式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） で表わされるゲルマニウムナフタロシアニン誘導体。 ３、式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） で表わされるゲルマニウムナフタロシアニン誘導体。 ４、式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） で表わされる化合物を一般式 Ｒ＿３ＳｉＯＨ（IV）または、一般式 Ｒ＿３ＳｉＣｌ（Ｖ）で表わされる化合物と反応させる
ことを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、式（IV）、（Ｖ）、（ I ）中Ｒは、メチル
基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペ
ンチル基、ｎ−ヘキシル基、フェニル基を示す）で表わ
されるゲルマニウムナフタロシアニン誘導体の製造法。 ５、１、３−ジイミノベンゾ〔ｆ〕イソインドリンを四
塩化化ゲルマニウムと反応させる工程、次いで、得られ
た ▲数式、化学式、表等があります▼（III） で表わされる化合物を、Ｈ＿２ＳＯ＿４、ついでＮＨ＿
３水と反応させる工程、 次いで、得られた ▲数式、化学式、表等があります▼（II） で表わされる化合物を一般式 Ｒ＿３ＳｉＯＨ（IV）または、一般式 Ｒ＿３ＳｉＣｌ（Ｖ）で表わされる化合物と反応させる
ことを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （ただし、式中Ｒは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基
、フェニル基を示す）で表わされるゲルマニウムナフタ
ロシアニン誘導体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215809A JPH07107138B2 (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | ゲルマニウムナフタロシアニン誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215809A JPH07107138B2 (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | ゲルマニウムナフタロシアニン誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6372761A true JPS6372761A (ja) | 1988-04-02 |
| JPH07107138B2 JPH07107138B2 (ja) | 1995-11-15 |
Family
ID=16678616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61215809A Expired - Lifetime JPH07107138B2 (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | ゲルマニウムナフタロシアニン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07107138B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5064951A (en) * | 1989-04-06 | 1991-11-12 | Orient Chemical Industries, Ltd. | Naphthalocyanine compound and production thereof |
| US5149847A (en) * | 1989-04-06 | 1992-09-22 | Orient Chemical Industries, Ltd. | Naphthalocyanine compound and production thereof |
| JP2004349684A (ja) * | 2003-04-05 | 2004-12-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ゲルマニウム化合物 |
| JP2009162792A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Konica Minolta Business Technologies Inc | シアントナー |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61177287A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-08 | ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション | 発色団を含有する情報記録媒体 |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP61215809A patent/JPH07107138B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61177287A (ja) * | 1985-02-04 | 1986-08-08 | ヘキスト・セラニーズ・コーポレーション | 発色団を含有する情報記録媒体 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5064951A (en) * | 1989-04-06 | 1991-11-12 | Orient Chemical Industries, Ltd. | Naphthalocyanine compound and production thereof |
| US5149847A (en) * | 1989-04-06 | 1992-09-22 | Orient Chemical Industries, Ltd. | Naphthalocyanine compound and production thereof |
| JP2004349684A (ja) * | 2003-04-05 | 2004-12-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ゲルマニウム化合物 |
| JP2009162792A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Konica Minolta Business Technologies Inc | シアントナー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07107138B2 (ja) | 1995-11-15 |
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