JPS6372874A - 合金タ−ゲツト構造 - Google Patents
合金タ−ゲツト構造Info
- Publication number
- JPS6372874A JPS6372874A JP21711986A JP21711986A JPS6372874A JP S6372874 A JPS6372874 A JP S6372874A JP 21711986 A JP21711986 A JP 21711986A JP 21711986 A JP21711986 A JP 21711986A JP S6372874 A JPS6372874 A JP S6372874A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- alloy
- backing plate
- plate
- alloy target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスパッタリング法によるスパッタ装置に用いる
ターゲットに関し、特に合金成膜を行うための合金ター
ゲット構造に関する。
ターゲットに関し、特に合金成膜を行うための合金ター
ゲット構造に関する。
一般に、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉｘ）等の合金
膜をスパッタリング法で形成する場合には、合金を構成
する複数種類のターゲットを用いる方法及び既に合金化
されたターゲットを用いる方法があるが、均一な合金膜
を形成する上では合金ターゲットを用いる方法が有効で
ある。
膜をスパッタリング法で形成する場合には、合金を構成
する複数種類のターゲットを用いる方法及び既に合金化
されたターゲットを用いる方法があるが、均一な合金膜
を形成する上では合金ターゲットを用いる方法が有効で
ある。
従来、ＭｏＳｉ、膜を形成するためのターゲットとして
は、モリブデンとシリコンの粉末を焼結した構造が採用
されている。しかしながら、この焼結体は割れ易いため
、一般には特開昭６０−２２４７７９号公報に示すよう
に、裏面に補強用のバンキングプレートを付設すること
が行われている。そして、このバンキングプレートを合
金ターゲットに取着するためには、通常インジウムと錫
との合金からなるインジウム半田が使用されている０例
えば、特開昭５９−８９５０６号公報。
は、モリブデンとシリコンの粉末を焼結した構造が採用
されている。しかしながら、この焼結体は割れ易いため
、一般には特開昭６０−２２４７７９号公報に示すよう
に、裏面に補強用のバンキングプレートを付設すること
が行われている。そして、このバンキングプレートを合
金ターゲットに取着するためには、通常インジウムと錫
との合金からなるインジウム半田が使用されている０例
えば、特開昭５９−８９５０６号公報。
このように、合金ターゲットの裏面にインジウム半田で
取着されたパフキングプレートは、ターゲットの機械的
な強度を向上させる上では有効であるが、実際の使用に
おいて過熱によるバンキングプレートが脱落するという
問題が生じている。
取着されたパフキングプレートは、ターゲットの機械的
な強度を向上させる上では有効であるが、実際の使用に
おいて過熱によるバンキングプレートが脱落するという
問題が生じている。
即ち、通常のアルミニウムターゲットは熱膨張率が大き
いため、使用時の加熱によって熱膨張し、ターゲットを
支持するスパッタ電極にしまりばめ状態となり、この電
極に設けた冷却部に良好に接触して十分な冷却効果を得
ることができる。これに対し、合金ターゲットでは、バ
ンキングプレートとしての無酸素鋼の熱膨張率が低くし
かも合金ターゲットへの入力パワーはアルミニウムの場
合の約７分の１程度であるため、バッキングプレートが
熱膨張によってターゲット支持部にしまりばめすること
は期待できない、このため、パフキングプレートにおけ
る冷却効果が低下され、ターゲットが過熱されてインジ
ウム半田が溶融され、バッキングプレートから合金ター
ゲットが脱落されてしまうことになる。
いため、使用時の加熱によって熱膨張し、ターゲットを
支持するスパッタ電極にしまりばめ状態となり、この電
極に設けた冷却部に良好に接触して十分な冷却効果を得
ることができる。これに対し、合金ターゲットでは、バ
ンキングプレートとしての無酸素鋼の熱膨張率が低くし
かも合金ターゲットへの入力パワーはアルミニウムの場
合の約７分の１程度であるため、バッキングプレートが
熱膨張によってターゲット支持部にしまりばめすること
は期待できない、このため、パフキングプレートにおけ
る冷却効果が低下され、ターゲットが過熱されてインジ
ウム半田が溶融され、バッキングプレートから合金ター
ゲットが脱落されてしまうことになる。
本発明の目的は、パフキングプレートからの合金ターゲ
ットの脱落を防止して信転性の高いスパッタリング用の
合金ターゲットを得ることにある。
ットの脱落を防止して信転性の高いスパッタリング用の
合金ターゲットを得ることにある。
本発明の合金ターゲット構造は、合金製のターゲット体
の周囲に環状のバッキングプレートを嵌装し、かつその
円周複数箇所においてピン部材によりバッキングプレー
トをターゲット体に固定した構成としてい石。
の周囲に環状のバッキングプレートを嵌装し、かつその
円周複数箇所においてピン部材によりバッキングプレー
トをターゲット体に固定した構成としてい石。
この構成の合金ターゲット構造では、バッキングプレー
トにより合金ターゲットの機械的強度が増大できるのは
もとより、バッキングプレートと合金ターゲットとの固
着にインジウム半田を用いていないので、合金ターゲッ
トが過熱された場合でも合金ターゲットが脱落されるこ
とはない。また、ビン部材による固着によってもスパッ
タ特性に悪影響を与えることはない。
トにより合金ターゲットの機械的強度が増大できるのは
もとより、バッキングプレートと合金ターゲットとの固
着にインジウム半田を用いていないので、合金ターゲッ
トが過熱された場合でも合金ターゲットが脱落されるこ
とはない。また、ビン部材による固着によってもスパッ
タ特性に悪影響を与えることはない。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明をＭ ｏ Ｓ ｉ ｚスパッタ膜を形成
する際の合金ターゲットに適用した例である。この合金
ターゲットは、断面三角形をした大径円環状のアウター
ターゲット１と、これよりも小径円環状のインナーター
ゲット２とで構成されている。
する際の合金ターゲットに適用した例である。この合金
ターゲットは、断面三角形をした大径円環状のアウター
ターゲット１と、これよりも小径円環状のインナーター
ゲット２とで構成されている。
各ターゲット１．２は、ＭｏＳｉ、の焼結体からなるタ
ーゲット体３．４を有し、これらターゲット体３．４の
外周にはバッキングプレート５．６を夫々固着している
。このバッキングプレート５゜６は無酸素銅を円環状に
形成し、各ターゲット体３．４に嵌合される。
ーゲット体３．４を有し、これらターゲット体３．４の
外周にはバッキングプレート５．６を夫々固着している
。このバッキングプレート５゜６は無酸素銅を円環状に
形成し、各ターゲット体３．４に嵌合される。
そして、この例ではパフキングプレート５，６の円周３
箇所において径方向の孔５ａ、６ａを開設し、この孔５
ａ、６ａを通してピン７．８をターゲット体３．４に植
設し、これらビン７．８によって夫々バンキングプレー
ト５，６をターゲット体３，４に一体的に固定している
。
箇所において径方向の孔５ａ、６ａを開設し、この孔５
ａ、６ａを通してピン７．８をターゲット体３．４に植
設し、これらビン７．８によって夫々バンキングプレー
ト５，６をターゲット体３，４に一体的に固定している
。
このアウターターゲット１及びインナーターゲット２は
、第２図に示すようにスパッタ電極１゜に取着される。
、第２図に示すようにスパッタ電極１゜に取着される。
スパッタ電極ｌＯはインナー壁１１の周囲にインナーコ
イル１２を配設し、センター壁１３とアウター壁１４と
の間にアウターコイル１５を配設している。また、これ
ら壁１１，１３．１４の間の前面に夫々インナー支持板
１６及びアウター支持板１７を配設している。
イル１２を配設し、センター壁１３とアウター壁１４と
の間にアウターコイル１５を配設している。また、これ
ら壁１１，１３．１４の間の前面に夫々インナー支持板
１６及びアウター支持板１７を配設している。
そして、前記インナー壁１１．アウター壁１３゜１４、
更にはインナー支持板１６及びアウター支持板１７に冷
却水パイプ１８．１９及びその通路２０．２１を形成し
、冷却水パイプ１８．１９を通して供給される冷却水に
よって冷却を行うようになっている。
更にはインナー支持板１６及びアウター支持板１７に冷
却水パイプ１８．１９及びその通路２０．２１を形成し
、冷却水パイプ１８．１９を通して供給される冷却水に
よって冷却を行うようになっている。
前記アウターターゲット１は、前記アウター支持板１７
上に支持され、冷却水通路２１に接触して冷却される。
上に支持され、冷却水通路２１に接触して冷却される。
また、インナーターゲット２は前記インナー支持板１６
上に支持され、冷却水通路２０に接触して冷却されるこ
とになる。
上に支持され、冷却水通路２０に接触して冷却されるこ
とになる。
したがって、このように構成した合金ターゲットでは、
焼結合金からなるアウター及びインナーの各ターゲット
体３．４の機械的強度はバッキングプレート５．６によ
って向上されることは言うまでもない。
焼結合金からなるアウター及びインナーの各ターゲット
体３．４の機械的強度はバッキングプレート５．６によ
って向上されることは言うまでもない。
また、このターゲット１．２をスパッタ電極１０に支持
させた状態でスパッタリングを行った際に、スパッタ電
極１０との間にしまりばめ状態が発生せず、これが原因
となって過熱状態とされても、バッキングプレート５．
６はピン７．８によってターゲット体３，４に固定して
いるため、バフキングプレート５．６からターゲット体
３．４が脱落されることは全くない。
させた状態でスパッタリングを行った際に、スパッタ電
極１０との間にしまりばめ状態が発生せず、これが原因
となって過熱状態とされても、バッキングプレート５．
６はピン７．８によってターゲット体３，４に固定して
いるため、バフキングプレート５．６からターゲット体
３．４が脱落されることは全くない。
なお、このターゲット１．２を実際にスパッタ装置に用
いた試験によれば、第３図に示すように、従来のインジ
ウム半田を用いてバッキングプレートを固定したものに
比較して、アウター、インナーの各ターゲット共にスパ
ッタパワー指示値が劣化されることはな（、実用上十分
であることが判明した。
いた試験によれば、第３図に示すように、従来のインジ
ウム半田を用いてバッキングプレートを固定したものに
比較して、アウター、インナーの各ターゲット共にスパ
ッタパワー指示値が劣化されることはな（、実用上十分
であることが判明した。
ここで、バッキングプレートにターゲットを固定するた
めのピンは円周の２箇所以上であればその数に限定され
るものではない、また、前記実施例では本発明をＭｏＳ
ｉｘ合金ターゲットに適用した例を示したが、ＷＳｉｌ
等の他の合金ターゲットにおいても本発明を同様に通用
できることは勿論である。
めのピンは円周の２箇所以上であればその数に限定され
るものではない、また、前記実施例では本発明をＭｏＳ
ｉｘ合金ターゲットに適用した例を示したが、ＷＳｉｌ
等の他の合金ターゲットにおいても本発明を同様に通用
できることは勿論である。
以上のように本発明の合金ターゲット構造は、合金ター
ゲット体の周囲にバフキングプレートを嵌装し、円周複
数箇所においてピン部材でバンキングプレートをターゲ
ット体に固定しているので、バンキングプレートにより
ターゲットの機械的強度を向上できるのはもとより、タ
ーゲットが過熱された場合にもバッキングプレートから
ターゲットが脱落することはなく、ターゲットの信転性
を向上して良好なスパッタリングによる成膜を実現でき
る。
ゲット体の周囲にバフキングプレートを嵌装し、円周複
数箇所においてピン部材でバンキングプレートをターゲ
ット体に固定しているので、バンキングプレートにより
ターゲットの機械的強度を向上できるのはもとより、タ
ーゲットが過熱された場合にもバッキングプレートから
ターゲットが脱落することはなく、ターゲットの信転性
を向上して良好なスパッタリングによる成膜を実現でき
る。
第１図は本発明の一実施例のターゲットの一部破断斜視
図、 第２図はスパッタ電極の断面図、 第３図はスパッタパヮー特性の曲線図である。 １・・・アウターターゲット、２・・・インナーターゲ
ット、３．４・・・ターゲット体、５．６・・・バッキ
ングプレート、７．８・・・ピン、１ｏ・・・スパッタ
電極、１１・・・インナー壁、１２・・・インナーコイ
ル、１３・・・センター壁、１４・・・アウター壁、１
５・・・アウターコイル、１６・・・インナー支持板、
１７・・・アウター支持板、１８．１９・・・冷却水パ
イプ、２ｏ、２１・・・冷却水通路。 第２図 １０ ゛ズハ゛７り’ｔＪ＆ １１・、４ンブー、Ｑ １５．、、アラタフ
ィ」し１２・ インカコ３Ｊし １６ ・４ン
ブ′炙妻シ石屹１３・・七ン７・石き １７ ・
アウク亜＄！）漬更１４ ・ ７つ７−壁 １
８．１９ ・ ノｉす？永パイフ。
図、 第２図はスパッタ電極の断面図、 第３図はスパッタパヮー特性の曲線図である。 １・・・アウターターゲット、２・・・インナーターゲ
ット、３．４・・・ターゲット体、５．６・・・バッキ
ングプレート、７．８・・・ピン、１ｏ・・・スパッタ
電極、１１・・・インナー壁、１２・・・インナーコイ
ル、１３・・・センター壁、１４・・・アウター壁、１
５・・・アウターコイル、１６・・・インナー支持板、
１７・・・アウター支持板、１８．１９・・・冷却水パ
イプ、２ｏ、２１・・・冷却水通路。 第２図 １０ ゛ズハ゛７り’ｔＪ＆ １１・、４ンブー、Ｑ １５．、、アラタフ
ィ」し１２・ インカコ３Ｊし １６ ・４ン
ブ′炙妻シ石屹１３・・七ン７・石き １７ ・
アウク亜＄！）漬更１４ ・ ７つ７−壁 １
８．１９ ・ ノｉす？永パイフ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、合金製のターゲット体の周囲に環状のバッキングプ
レートを嵌装し、かつこのバッキングプレートをその円
周複数箇所においてピン部材によりターゲット体に固定
したことを特徴とする合金ターゲット構造。 ２、ターゲット体は大径の円環状に形成したアウタータ
ーゲットと、これよりも小径の円環状に形成したインナ
ーターゲットからなり、各ターゲットのターゲット体の
周囲に夫々バッキングプレートを固定してなる特許請求
の範囲第１項記載の合金ターゲット構造。 ３、円周３箇所においてピンを配設してなる特許請求の
範囲第２項記載の合金ターゲット構造。 ４、ターゲット体はタングステンシリサイドの焼結合金
からなる特許請求の範囲第２項記載の合金ターゲット構
造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21711986A JPS6372874A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 合金タ−ゲツト構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21711986A JPS6372874A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 合金タ−ゲツト構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6372874A true JPS6372874A (ja) | 1988-04-02 |
Family
ID=16699151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21711986A Pending JPS6372874A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 合金タ−ゲツト構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6372874A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5032246A (en) * | 1990-05-17 | 1991-07-16 | Tosoh Smd, Inc. | Sputtering target wrench and sputtering target design |
| WO2000032347A1 (en) * | 1998-12-03 | 2000-06-08 | Tosoh Smd, Inc. | Insert target assembly and method of making same |
| JP2017002355A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 株式会社高純度化学研究所 | スパッタリングターゲット組立体 |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP21711986A patent/JPS6372874A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5032246A (en) * | 1990-05-17 | 1991-07-16 | Tosoh Smd, Inc. | Sputtering target wrench and sputtering target design |
| WO2000032347A1 (en) * | 1998-12-03 | 2000-06-08 | Tosoh Smd, Inc. | Insert target assembly and method of making same |
| US6419806B1 (en) | 1998-12-03 | 2002-07-16 | Tosoh Smd, Inc. | Insert target assembly and method of making same |
| JP2017002355A (ja) * | 2015-06-09 | 2017-01-05 | 株式会社高純度化学研究所 | スパッタリングターゲット組立体 |
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