JPS6373363U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6373363U JPS6373363U JP16851386U JP16851386U JPS6373363U JP S6373363 U JPS6373363 U JP S6373363U JP 16851386 U JP16851386 U JP 16851386U JP 16851386 U JP16851386 U JP 16851386U JP S6373363 U JPS6373363 U JP S6373363U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- high vacuum
- vacuum evacuation
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
第1図は、この考案の1実施例であるCVD装
置の構成概念図、第2図はこのCVD装置におけ
る自動運転流れを示す図である。 1…入口室、3…第1成膜室、5…第2成膜室
、7…第3成膜室、9…出口室、30…CPU、
SW1,SW2,SW3…切替えスイツチ、11
,31,51,71,91…基板搬入手段、12
…真空排気手段、13…加熱手段、32,35,
52,55,72,75…高真空排気手段、33
,53,73…ガス調圧手段、34,54,74
…成膜手段、14,36,56,76,93…基
板搬出手段、92…大気リーク手段。
置の構成概念図、第2図はこのCVD装置におけ
る自動運転流れを示す図である。 1…入口室、3…第1成膜室、5…第2成膜室
、7…第3成膜室、9…出口室、30…CPU、
SW1,SW2,SW3…切替えスイツチ、11
,31,51,71,91…基板搬入手段、12
…真空排気手段、13…加熱手段、32,35,
52,55,72,75…高真空排気手段、33
,53,73…ガス調圧手段、34,54,74
…成膜手段、14,36,56,76,93…基
板搬出手段、92…大気リーク手段。
Claims (1)
- 入口室、複数の成膜室及び出口室を連設し、入
口室に搬入された基板を各成膜室に順次搬送して
、各成膜室においてそれぞれ基板搬入、高真空排
気、ガス調圧、成膜、高真空排気及び基板搬出の
各工程を経て、自動的に基板上に多層膜を形成し
て、その基板を出口室から搬出するようにしたC
VD装置において、前記各成膜室にそれぞれ、高
真空排気を行なつた後成膜工程を経ないで直ちに
基板排出を行なうようにする制御回路を併設する
ともに、その成膜工程を経ない処理操作と通常の
処理操作とを選択するための切替えスイツチを具
備させたことを特徴とするCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986168513U JPH069019Y2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | Cvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986168513U JPH069019Y2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | Cvd装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373363U true JPS6373363U (ja) | 1988-05-16 |
| JPH069019Y2 JPH069019Y2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=31101454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986168513U Expired - Lifetime JPH069019Y2 (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | Cvd装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH069019Y2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5825226A (ja) * | 1982-07-19 | 1983-02-15 | Shunpei Yamazaki | プラズマ気相反応装置 |
| JPS5941470A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-07 | Shimadzu Corp | 多室形薄膜作成装置 |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP1986168513U patent/JPH069019Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5825226A (ja) * | 1982-07-19 | 1983-02-15 | Shunpei Yamazaki | プラズマ気相反応装置 |
| JPS5941470A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-07 | Shimadzu Corp | 多室形薄膜作成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH069019Y2 (ja) | 1994-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5043299A (en) | Process for selective deposition of tungsten on semiconductor wafer | |
| KR101139165B1 (ko) | Ti계 막의 성막 방법 및 기억 매체 | |
| US20020008099A1 (en) | Method and apparatus for reducing contamination in a wafer loadlock of a semiconductor wafer processing system | |
| JP3342118B2 (ja) | 処理装置 | |
| JPH04370924A (ja) | Cvd装置 | |
| JPH04100222A (ja) | 真空処理方法 | |
| CA2051214A1 (en) | Vacuum Film Forming Apparatus | |
| JPS6053749B2 (ja) | アルミニウムのプラズマエッチング方法およびそのプラズマエッチング装置 | |
| JPH05263228A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH01189114A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH06338465A (ja) | プラズマcvd装置 | |
| JP2605859Y2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH069019Y2 (ja) | Cvd装置 | |
| JPH04210466A (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPH0138911Y2 (ja) | ||
| JPS6280265A (ja) | 真空処理装置 | |
| JP3048982B2 (ja) | レジスト塗布前処理装置 | |
| JPH061758B2 (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JP3202392B2 (ja) | Cvd装置 | |
| JPH08288262A (ja) | 半導体基板処理装置 | |
| JPH0745492A (ja) | 真空チャンバの圧力制御装置 | |
| JP4498503B2 (ja) | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 | |
| JPH0598434A (ja) | マルチチヤンバー型スパツタリング装置 | |
| JP3153138B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3156398B2 (ja) | 薄膜形成装置 |