JPS6373363U - - Google Patents

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JPS6373363U
JPS6373363U JP16851386U JP16851386U JPS6373363U JP S6373363 U JPS6373363 U JP S6373363U JP 16851386 U JP16851386 U JP 16851386U JP 16851386 U JP16851386 U JP 16851386U JP S6373363 U JPS6373363 U JP S6373363U
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Japan
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chamber
high vacuum
vacuum evacuation
film forming
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  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は、この考案の1実施例であるCVD装
置の構成概念図、第2図はこのCVD装置におけ
る自動運転流れを示す図である。 1…入口室、3…第1成膜室、5…第2成膜室
、7…第3成膜室、9…出口室、30…CPU、
SW1,SW2,SW3…切替えスイツチ、11
,31,51,71,91…基板搬入手段、12
…真空排気手段、13…加熱手段、32,35,
52,55,72,75…高真空排気手段、33
,53,73…ガス調圧手段、34,54,74
…成膜手段、14,36,56,76,93…基
板搬出手段、92…大気リーク手段。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 入口室、複数の成膜室及び出口室を連設し、入
    口室に搬入された基板を各成膜室に順次搬送して
    、各成膜室においてそれぞれ基板搬入、高真空排
    気、ガス調圧、成膜、高真空排気及び基板搬出の
    各工程を経て、自動的に基板上に多層膜を形成し
    て、その基板を出口室から搬出するようにしたC
    VD装置において、前記各成膜室にそれぞれ、高
    真空排気を行なつた後成膜工程を経ないで直ちに
    基板排出を行なうようにする制御回路を併設する
    ともに、その成膜工程を経ない処理操作と通常の
    処理操作とを選択するための切替えスイツチを具
    備させたことを特徴とするCVD装置。
JP1986168513U 1986-10-31 1986-10-31 Cvd装置 Expired - Lifetime JPH069019Y2 (ja)

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JP1986168513U JPH069019Y2 (ja) 1986-10-31 1986-10-31 Cvd装置

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JP1986168513U JPH069019Y2 (ja) 1986-10-31 1986-10-31 Cvd装置

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Publication Number Publication Date
JPS6373363U true JPS6373363U (ja) 1988-05-16
JPH069019Y2 JPH069019Y2 (ja) 1994-03-09

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ID=31101454

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5825226A (ja) * 1982-07-19 1983-02-15 Shunpei Yamazaki プラズマ気相反応装置
JPS5941470A (ja) * 1982-08-31 1984-03-07 Shimadzu Corp 多室形薄膜作成装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5825226A (ja) * 1982-07-19 1983-02-15 Shunpei Yamazaki プラズマ気相反応装置
JPS5941470A (ja) * 1982-08-31 1984-03-07 Shimadzu Corp 多室形薄膜作成装置

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JPH069019Y2 (ja) 1994-03-09

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