JPS6373547A - 半導体装置のリ−ドフレ−ム - Google Patents

半導体装置のリ−ドフレ−ム

Info

Publication number
JPS6373547A
JPS6373547A JP61218387A JP21838786A JPS6373547A JP S6373547 A JPS6373547 A JP S6373547A JP 61218387 A JP61218387 A JP 61218387A JP 21838786 A JP21838786 A JP 21838786A JP S6373547 A JPS6373547 A JP S6373547A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrical insulating
lead frame
insulating tape
semiconductor device
leads
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61218387A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomoichi Oku
倶一 奥
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP61218387A priority Critical patent/JPS6373547A/ja
Publication of JPS6373547A publication Critical patent/JPS6373547A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 CM業上の利用分野〕 本発明は半導体装置のリードフレームに係り。
特に同一平面に位置する内部リードを有する樹脂封止型
半導体装は用のリードフレームに関する。
〔従来の技術〕
従来のこの種の樹脂封止型半導体装置のリードフレーム
は、第3図に示すLうに内部リード1′に電気的絶縁テ
ープ2t−単なる熱圧着で接着剤3を介して接着してい
友。
〔発明が解決しょうとする問題点〕
従来の樹脂封止型半導体装置用リードフレームは、電気
的絶縁テープを、内部リード部の平面に単なる熱圧着に
Lる接着方法である為、次の様な欠点がある。
(1)  半導体装置の樹脂の厚さの薄化を阻害してい
る。
0)樹脂封入バラツキが大きくなり、ボイドが発生し易
い。
(3)L/Ft重ねた際に、ズレが発生し易い為、取扱
いにくい。
(4)  接着強度が弱い(特に水平方向のダメージに
対して)。
本発明の目的は、このような欠点欠除き、内部リードの
変形全防止した半導体装置のリードフレームを提供する
ことにある。
〔問題点を解決する丸めの手段〕
本発明の半導体装置のリードフレームの構成は。
同一平面に位置する内部リード部分に凹部を設け、その
凹部に電気的絶縁テープを嵌合し几ことを特徴とする。
〔実施例〕
次に本発明について図面上参照しながら詳細に説明する
〇 第1図は本発明の第1の実施例の半導体装置のリードフ
レームを示す平面図、第2図は第1図のY−Y’線にそ
って切断して見比断面図である。
第1図において1本実施例はエツチング加工法に工って
厚さ0.250の42合金材を用意し、DIP型の40
ビン書リードフレームに電気的絶縁テープ2’を熱圧着
しmものである。第2図では。
第1図の電気的絶縁テープ2全リード1に熱圧着し次状
態が示さnている。この2枚の電気的絶縁テープ2は、
リード10凹部と嵌合さn次状態となっているが、さら
に接着剤3に工つて固着させることが好ましい。ここで
、リード1の凹部の深さは約0.15mとし丸。又、使
用し九電気的絶縁テーグ2は、一般的に市販さnている
もの1例えば巴用製紙KKの商品名「ニレ7アンR−7
22J’kL25a+幅で熱圧着したものである。
第40は本発明の第2の実施例の半導体装置のリードフ
レームを示す平面図である。第4において、本実施例の
リードフレームに、エツチング加工法に工つて、厚さ0
.20111の銅合金材(ここでは三菱電機(株)の商
品名:MF−2o2r使用し九)全用意し、PLCC型
40ピン書リードフレームのリードに、4枚の電気的絶
縁テープ2を熱圧着し次ものである。第5図は第4囚の
電気的絶縁チーブ2l−Y−Y’線にそって切断して見
た断面図である。尚、リード1の凹部の深さは約0.1
551jlとし、電気的絶縁テープ2も第1の実施例で
使用し友ものと同じm類で同一寸法の幅にカットしたも
のである。
〔発明の効果〕
以上説明し比重うに、不発明に工tば、内部リードの電
気的絶縁テープyMM領域に凹部全段け、電気的絶縁テ
ープと嵌合させることにニジ、谷リードと同一平面とな
り、樹脂封止する際溶融し次樹脂の流:rLヲ何んら阻
害する事がなくなり、樹脂のボイドが減少でき、電気的
絶縁テープの厚さ分だけ半導体装置の外形寸法(厚さ)
の縮少化が可能となり、更に電気的絶縁テープを使用す
る主目的である内部リードの(リードフレーム製造工程
中及び#−導導体装置組立工空中の変形の防止効果があ
ジ1%に水平方向の変形が良好に防止できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例の半導体装置のリードフ
レームを示す平面図、第2図はfa1図のリードフレー
ムt−Y−Y’線にそって切断して見比断面図、第3図
は従来のDIP型40ビン・リードフレームに電気的絶
縁テープを熱圧着し九場合の断面図、第4図は本発明の
第2の実施例の半導体装置のリードフレームを示す平面
因、第5図は第4図のリードフレームkY−Y’線にそ
って切断して見比断面図である。 1・・・・・・リード、2・・・・・・ポリイミド樹脂
製の電気的絶縁テープ、3・・・・・・接着剤。 牟 1 回 第+ 聞 牛S 図 /     J

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子が固着されるアイランドと、前記半体素子の
    電極と電気的に接続される複数のリードとを備えた半導
    体装置のリードフレームにおいて、前記リードの各主面
    に連続的に凹部が形成され、前記凹部に電気的絶縁テー
    プが嵌合されていることを特徴とする半導体装置のリー
    ドフレーム。
JP61218387A 1986-09-16 1986-09-16 半導体装置のリ−ドフレ−ム Pending JPS6373547A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61218387A JPS6373547A (ja) 1986-09-16 1986-09-16 半導体装置のリ−ドフレ−ム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61218387A JPS6373547A (ja) 1986-09-16 1986-09-16 半導体装置のリ−ドフレ−ム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6373547A true JPS6373547A (ja) 1988-04-04

Family

ID=16719106

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61218387A Pending JPS6373547A (ja) 1986-09-16 1986-09-16 半導体装置のリ−ドフレ−ム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6373547A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02743U (ja) * 1988-06-13 1990-01-05
EP0434195A1 (en) * 1989-10-20 1991-06-26 Texas Instruments Inc A semiconductor device package and a method of manufacture for making it.
US5177591A (en) * 1991-08-20 1993-01-05 Emanuel Norbert T Multi-layered fluid soluble alignment bars
US5231755A (en) * 1991-08-20 1993-08-03 Emanuel Technology, Inc. Method of forming soluble alignment bars
US5969412A (en) * 1997-04-09 1999-10-19 Nec Corporation Tape-fixed leadframe

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02743U (ja) * 1988-06-13 1990-01-05
EP0434195A1 (en) * 1989-10-20 1991-06-26 Texas Instruments Inc A semiconductor device package and a method of manufacture for making it.
US5176366A (en) * 1989-10-20 1993-01-05 Texas Instruments Incorporated Resin-encapsulated semiconductor device package with nonconductive tape embedded between outer lead portions
US5177591A (en) * 1991-08-20 1993-01-05 Emanuel Norbert T Multi-layered fluid soluble alignment bars
US5231755A (en) * 1991-08-20 1993-08-03 Emanuel Technology, Inc. Method of forming soluble alignment bars
US5969412A (en) * 1997-04-09 1999-10-19 Nec Corporation Tape-fixed leadframe

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2816239B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
US5942794A (en) Plastic encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same
US20110073921A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2001036000A (ja) チップサイズスタックパッケージ及びメモリモジュールとその製造方法
JPWO1998018161A1 (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びにフィルムキャリアテープ
JP2006128684A (ja) 半導体電力スイッチングデバイスを製作および接続するための方法および装置
US20240312878A1 (en) Semiconductor device and method for producing semiconductor device
JPH0513514A (ja) Tabテープとtab式半導体装置及びその製造方法
JP2020088035A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2569008B2 (ja) 半導体装置
JPS61183936A (ja) 半導体装置
CN217606815U (zh) 应用于大功率tvs的框架
JPS61241954A (ja) 半導体装置
US20260033349A1 (en) Methods and systems for fabricating a wettable sidewall for a lead
JPS5930538Y2 (ja) 半導体装置
JP3192238B2 (ja) 半導体装置の組立方法
JPH03261153A (ja) 半導体装置用パッケージ
JPH0744018Y2 (ja) 突起電極部構造
JP3925280B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3255715B2 (ja) ターミナルテープの打ち抜き方法及びその打ち抜き金型
EP0375217B1 (en) Semiconductor package having an outwardly arced die cavity
KR930005495B1 (ko) 리드프레임 및 그 제조방법
KR200331874Y1 (ko) 반도체의다핀형태패키지
JP2564595B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2918342B2 (ja) リードフレーム及びその製造方法