JPS6373617A - 化合物半導体の気相成長法 - Google Patents
化合物半導体の気相成長法Info
- Publication number
- JPS6373617A JPS6373617A JP21876286A JP21876286A JPS6373617A JP S6373617 A JPS6373617 A JP S6373617A JP 21876286 A JP21876286 A JP 21876286A JP 21876286 A JP21876286 A JP 21876286A JP S6373617 A JPS6373617 A JP S6373617A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor phase
- chloride
- reacting
- aluminum chloride
- phase growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はｍ−ｖ族化合物半導体、特にＡＩを含んだ化合
物半導体の新規な気相成長法に関する。さらに詳しくは
、融点以下に保たれた金属ＡＩと）ＨＣｌまたはＶ族元
素の塩化物を反応させることにより、ＡＩの塩化物を作
ることを特徴とするｍ−ｖ族化合物半導体の気相成長法
に関する。
物半導体の新規な気相成長法に関する。さらに詳しくは
、融点以下に保たれた金属ＡＩと）ＨＣｌまたはＶ族元
素の塩化物を反応させることにより、ＡＩの塩化物を作
ることを特徴とするｍ−ｖ族化合物半導体の気相成長法
に関する。
最近、ｍ−ｖ族化合物半導体は半導体レーザ、ＦＥＴ、
ＬＥＤ等の種々のデバイスとして実用化されている。
ＬＥＤ等の種々のデバイスとして実用化されている。
とくにＡｌＧａＡｓはＡＩの組成を変えても格子定数が
ほとんど変わらないため、理想的なＡｌＧａＡｓ −Ｇ
ａＡｓヘテロ接合が形成され、レーザ・ダイオード、Ｈ
ＥＭＴ （高電子移動度トランジスタ）等に応用されて
いる。また、＾１１ｎＧａＰは可視光レーザ・ダイオー
ド用材料として期待されている。
ほとんど変わらないため、理想的なＡｌＧａＡｓ −Ｇ
ａＡｓヘテロ接合が形成され、レーザ・ダイオード、Ｈ
ＥＭＴ （高電子移動度トランジスタ）等に応用されて
いる。また、＾１１ｎＧａＰは可視光レーザ・ダイオー
ド用材料として期待されている。
＾１を含んだ化合物半導体は現在、主としてＬＰＥ法（
液相エピタキシャル成長法）で生産されている。また最
近、ＡＩを含んだ化合物半導体の新しい成長法としてＭ
ＢＥ法（分子線エピタキシャル成長法）やＭＯＣＶＤ法
（有機金属気相成長法）が開発されている。
液相エピタキシャル成長法）で生産されている。また最
近、ＡＩを含んだ化合物半導体の新しい成長法としてＭ
ＢＥ法（分子線エピタキシャル成長法）やＭＯＣＶＤ法
（有機金属気相成長法）が開発されている。
しかしながら、シＰＥ法は表面平滑性、量産性に問題が
ある。また、ＭＢＥ法は超格子構造等、非常に微細な構
造を実験室的レベルで製作するには非常叫優れた方法で
あるが、装置が高価である上にランニングコストも高く
量産性に乏しいという欠点がある。
ある。また、ＭＢＥ法は超格子構造等、非常に微細な構
造を実験室的レベルで製作するには非常叫優れた方法で
あるが、装置が高価である上にランニングコストも高く
量産性に乏しいという欠点がある。
またさらにＭＯＣＶＤ法はクロライド法、ハイドライド
法等の気相成長法（ＶＰＥ法）に較べて熱平衡状態から
ずれた状態で成長が行われるため結晶性が悪いという欠
点がある。
法等の気相成長法（ＶＰＥ法）に較べて熱平衡状態から
ずれた状態で成長が行われるため結晶性が悪いという欠
点がある。
事実、現状では超高周波ＰＥＴ用エピタキシャルウェー
ハはすべて金属の塩化物と′して■族元素を供給するク
ロライド気相成長法（クロライドＶＰＥ法）により生産
されている。しかし、クロライドＶＰＥ法の最大の欠点
はＡｌを含んだ化合物半導体の成長ができないことであ
る。クロライドＶＰＥ法ではＧａやＩｎの金属を８００
〜９００℃に保ち、これとＡｓＣｌ５を反応させてＧａ
ＣｌやＩｎＣｌを作り、これを７００〜８００℃の成長
領域に導くことにより次式の反応によりＧ５Ａｓ等のエ
ピタキシャル層を得る。
ハはすべて金属の塩化物と′して■族元素を供給するク
ロライド気相成長法（クロライドＶＰＥ法）により生産
されている。しかし、クロライドＶＰＥ法の最大の欠点
はＡｌを含んだ化合物半導体の成長ができないことであ
る。クロライドＶＰＥ法ではＧａやＩｎの金属を８００
〜９００℃に保ち、これとＡｓＣｌ５を反応させてＧａ
ＣｌやＩｎＣｌを作り、これを７００〜８００℃の成長
領域に導くことにより次式の反応によりＧ５Ａｓ等のエ
ピタキシャル層を得る。
３ＧａＣｌ＋ １／２Ａｓｅ ２ＧａＡｓ ＋ Ｇａ
Ｃｌ＊しかしながら、溶融ＡＩは石英ボートと反応して
石英が溶けてしまう、またＡＩは非常に酸化されやすい
ため、溶融＾ｌの表面が酸化されてアルミナ被覆が生成
し、ＨＣｌあるいはＡｓＣｌ５と内部の溶融ＡＩの反応
が進まなくなり、そのため、＾ＩＧａ溶液中にＨＣｌを
バブルさせるとか、１０００℃程度に保たれたアルミナ
ボート中のＡＩ金金属）ＩＣＩとを反応させ、アルシン
ガス（Ａｓｈｓ）で＾Ｓを供給し、ＡｌＧａＡｓあるい
はＡｌＡｓを成長させたという報告はあるが、ＧａＡｓ
のエピタキシャル成長に使われているような、いわゆる
クロライドＶＰＥ法によるＡＩ化合物半導体の成長の報
告はない。
Ｃｌ＊しかしながら、溶融ＡＩは石英ボートと反応して
石英が溶けてしまう、またＡＩは非常に酸化されやすい
ため、溶融＾ｌの表面が酸化されてアルミナ被覆が生成
し、ＨＣｌあるいはＡｓＣｌ５と内部の溶融ＡＩの反応
が進まなくなり、そのため、＾ＩＧａ溶液中にＨＣｌを
バブルさせるとか、１０００℃程度に保たれたアルミナ
ボート中のＡＩ金金属）ＩＣＩとを反応させ、アルシン
ガス（Ａｓｈｓ）で＾Ｓを供給し、ＡｌＧａＡｓあるい
はＡｌＡｓを成長させたという報告はあるが、ＧａＡｓ
のエピタキシャル成長に使われているような、いわゆる
クロライドＶＰＥ法によるＡＩ化合物半導体の成長の報
告はない。
本発明の目的は上記の欠点を改良する気相成長法を提供
することにある。
することにある。
本発明はｍ−ｖ族化合物半導体の気相成長法において、
（１）ヘリウムを主体とするキャリヤガスにより送られ
るＩ（ＣＩ またはＶ族元素の塩化物と、融点以下に保
たれた金属アルミニウムとを反応させて塩化アルミニウ
ムを作る工程、（２）該塩化アルミニウムを７００〜８
００℃に加熱する工程および（３）加熱された塩化アル
ミニウムに水素を主体とするガ不を導入することにより
ＡＩを含んだ化合物半導体を気相エピタキシャル成長さ
せる工程を含むことを特徴とする化合物半導体の気相成
長法を提供する。
（１）ヘリウムを主体とするキャリヤガスにより送られ
るＩ（ＣＩ またはＶ族元素の塩化物と、融点以下に保
たれた金属アルミニウムとを反応させて塩化アルミニウ
ムを作る工程、（２）該塩化アルミニウムを７００〜８
００℃に加熱する工程および（３）加熱された塩化アル
ミニウムに水素を主体とするガ不を導入することにより
ＡＩを含んだ化合物半導体を気相エピタキシャル成長さ
せる工程を含むことを特徴とする化合物半導体の気相成
長法を提供する。
本発明はＩ［［−Ｖ族化合物半導体の気相成長法におい
て＾１ａの供給方法に特徴があり、本発明によれば、金
属＾ｌは融点以下に保たれているために石英ボートと反
応することなく、また塩化ＡＩは成長領域において水素
を導入することによって還元析出される（通常のクロラ
イドＶＰＥ法では温度を下げることにより３ＧａＣｌ→
２Ｇａ＋ＧａＣＩｚのような反応により■族元素の析出
を行う）ので、金属ＡＩをソースとするＡＩを含んだ化
合物半導体のクロライドＶＰＥ成長が可能となる。
て＾１ａの供給方法に特徴があり、本発明によれば、金
属＾ｌは融点以下に保たれているために石英ボートと反
応することなく、また塩化ＡＩは成長領域において水素
を導入することによって還元析出される（通常のクロラ
イドＶＰＥ法では温度を下げることにより３ＧａＣｌ→
２Ｇａ＋ＧａＣＩｚのような反応により■族元素の析出
を行う）ので、金属ＡＩをソースとするＡＩを含んだ化
合物半導体のクロライドＶＰＥ成長が可能となる。
また、他の元素、例えばＧａ、Ｉｎ等の成長は従来のク
ロライドＶＰＥ法、ハイドライドＶＰＥ法の手法が採用
できる。
ロライドＶＰＥ法、ハイドライドＶＰＥ法の手法が採用
できる。
以下、本発明の実施態様を図面を用いて具体的に説明す
る。第１図は本発明によりＡｌＧａＡｓを成長させる場
合の成長装置の模式図である０石英反応管１は大きく分
けてソース領域２と成長ＳＪＷ域３とからなり、そして
ソース領域２は２つのソース領域反応室６．７と水素ガ
ス供給用のパス８を有する。一方のソース領域反応室６
の入口に近い側に金属ＡＩソース４、もう一方のソース
領域反応室７の成長領域３に近い部分に金属Ｇａのソー
ス１０を置く、このソースおよび成長領域の温度は抵抗
加熱炉４．５によって金属ＡＩソース９は６００℃（Ａ
Ｉの融点以下）に保たれており、金属Ｇａのソース１０
部分および成長領域３は約７５０℃に保たれている。
る。第１図は本発明によりＡｌＧａＡｓを成長させる場
合の成長装置の模式図である０石英反応管１は大きく分
けてソース領域２と成長ＳＪＷ域３とからなり、そして
ソース領域２は２つのソース領域反応室６．７と水素ガ
ス供給用のパス８を有する。一方のソース領域反応室６
の入口に近い側に金属ＡＩソース４、もう一方のソース
領域反応室７の成長領域３に近い部分に金属Ｇａのソー
ス１０を置く、このソースおよび成長領域の温度は抵抗
加熱炉４．５によって金属ＡＩソース９は６００℃（Ａ
Ｉの融点以下）に保たれており、金属Ｇａのソース１０
部分および成長領域３は約７５０℃に保たれている。
成長は次のように行われる。ガスライン１１より水素を
約１％含んだヘリウムガスが送られ、流量計１２．１３
でそれぞれ例えば２００ＣＣ／分に制御されて一定の温
度に保たれたＡｓＣｌ３バブラー１４．１５中をバブル
される。 ＡｓＣｌ３を含んだ（Ｈｅ＋１χ１１１ ）
ガスはＡ１ソース９ 、Ｇａソース１０の部分に導かれ
、それぞれ次の反応によってＡＩ、Ｇａの塩化物となる
。
約１％含んだヘリウムガスが送られ、流量計１２．１３
でそれぞれ例えば２００ＣＣ／分に制御されて一定の温
度に保たれたＡｓＣｌ３バブラー１４．１５中をバブル
される。 ＡｓＣｌ３を含んだ（Ｈｅ＋１χ１１１ ）
ガスはＡ１ソース９ 、Ｇａソース１０の部分に導かれ
、それぞれ次の反応によってＡＩ、Ｇａの塩化物となる
。
ＡＩ ＋ ＡｓＣｌ３ ＡｌＣｌ５÷１／４Ａｓ４−
（１）３Ｇａ ＋ ＡｓＣｌ３３ＧａＣｌ＋ １／４＾
ｓａ・−（２）これらの塩化物は成長領域３に運ばれた
後、ライン１６より流量計１７で所定の流量に制御され
、パス８から導入される水素ガスによって還元され、Ａ
ｓａと反応して次式のようにＡｌＡｓ、 ＧａＡｓとな
る。
（１）３Ｇａ ＋ ＡｓＣｌ３３ＧａＣｌ＋ １／４＾
ｓａ・−（２）これらの塩化物は成長領域３に運ばれた
後、ライン１６より流量計１７で所定の流量に制御され
、パス８から導入される水素ガスによって還元され、Ａ
ｓａと反応して次式のようにＡｌＡｓ、 ＧａＡｓとな
る。
ＡｌＣｌ３＋３／２Ｈｚ＋１／４Ａ３４→＾１＾ｓ＋３
ＨＣｌ−−（３）ＧａＣＩ ＋ １／２Ｈｚ ＋ １
／４Ａ３４ →ＧａＡｓ ＋ ＨＣｌ −（４）した
がってＡＩソース、Ｇａソースに送られるＡｌＣｌ３の
量を制御することにより成長領域の基板１８上にはＡ
ＩＨＧａ ＋ −ＸＡＳ （０＜ｘ〈１）の化合物半導
体を成長させることができる。なお、反応後のガスは排
気部１９から排気される。
ＨＣｌ−−（３）ＧａＣＩ ＋ １／２Ｈｚ ＋ １
／４Ａ３４ →ＧａＡｓ ＋ ＨＣｌ −（４）した
がってＡＩソース、Ｇａソースに送られるＡｌＣｌ３の
量を制御することにより成長領域の基板１８上にはＡ
ＩＨＧａ ＋ −ＸＡＳ （０＜ｘ〈１）の化合物半導
体を成長させることができる。なお、反応後のガスは排
気部１９から排気される。
第２図は上記の方法でＧａＡｓ基板上にＡｌＡｓを約１
μ、ＡｌＧａＡｓを約１μ成長させた場合のエピタキシ
ャル層の組成分布をスパッタリング・オージェ電子分光
計により測定した結果を示す、この結果からＡｌＧａＡ
ｓのエピタキシャル層が成長していることが認められる
。すなわち、Ａ１を含んだｍ−ｖ族化合物半導体の気相
成長が可能であることが判る。
μ、ＡｌＧａＡｓを約１μ成長させた場合のエピタキシ
ャル層の組成分布をスパッタリング・オージェ電子分光
計により測定した結果を示す、この結果からＡｌＧａＡ
ｓのエピタキシャル層が成長していることが認められる
。すなわち、Ａ１を含んだｍ−ｖ族化合物半導体の気相
成長が可能であることが判る。
また、ＡｌＩｎＧａＰの成長を行うには、第１図におい
てＩｎ用の第３のソース領域反応室（図示せず）を設け
ればよい、 ＩｎソースはＡ１ソースにおけるような問
題はないのでＧａソースと同一温度に保って成長を行う
ことができる。勿論、ＡｌＩｎＧａＰの成長を行うため
にはＣＩおよびＰの供給源としてＡｓＣＩｚの代わりに
ＰＣＩ、を用いることが必要である。
てＩｎ用の第３のソース領域反応室（図示せず）を設け
ればよい、 ＩｎソースはＡ１ソースにおけるような問
題はないのでＧａソースと同一温度に保って成長を行う
ことができる。勿論、ＡｌＩｎＧａＰの成長を行うため
にはＣＩおよびＰの供給源としてＡｓＣＩｚの代わりに
ＰＣＩ、を用いることが必要である。
このようにして上記のＡ１．Ｇａ＋−、Ａｓの場合と同
様ＡＩ、１ｌｎｙＧａ＋−ｘ−ｙＰ（０＜ｘ、ｙ＜１）
の気相成長を行うことができる。
様ＡＩ、１ｌｎｙＧａ＋−ｘ−ｙＰ（０＜ｘ、ｙ＜１）
の気相成長を行うことができる。
以上の説明ではＡｓＣｌ、またはＰｃｔ、を用いて成長
を行う場合について述べたが、全く同様な原理に基づい
てＨＣｌ とＡｓＨｓを用いることによりＡ１化合物
のハイドライド気相成長法を行うことができることは勿
論である。
を行う場合について述べたが、全く同様な原理に基づい
てＨＣｌ とＡｓＨｓを用いることによりＡ１化合物
のハイドライド気相成長法を行うことができることは勿
論である。
その場合には第１図に示すＡｓＣＩｚのバブラーは必要
なく、第３図に示すようにガスライン１１より、水素を
数２、例えば１χ含むＨｅガスで希釈したＨＣｌを送れ
ばよい、 ＡｌＣ１，とＧａＣｌの比は流量計１２．１
３によって所定の比になるよう制御される。＾Ｓの供給
はガスライン１６よりＨｚ希釈のＡｓｈｓを送ることに
よって行う、このＨｚは成長領域に導入され、ＡｓＣｌ
５、ＧａＣｌを還元するため使われる。
なく、第３図に示すようにガスライン１１より、水素を
数２、例えば１χ含むＨｅガスで希釈したＨＣｌを送れ
ばよい、 ＡｌＣ１，とＧａＣｌの比は流量計１２．１
３によって所定の比になるよう制御される。＾Ｓの供給
はガスライン１６よりＨｚ希釈のＡｓｈｓを送ることに
よって行う、このＨｚは成長領域に導入され、ＡｓＣｌ
５、ＧａＣｌを還元するため使われる。
〔発明の効果〕
本発明によればクロライドまたはハイドライド気相成長
法においてＡＩを含んだ化合物半導体の製造が可能とな
る。
法においてＡＩを含んだ化合物半導体の製造が可能とな
る。
第１および３図は本発明を実施するための装置の模式図
、第２図は本発明で得られたエピタキシャル層の深さ方
向の組成分布を示すための図である。 １・・石英管反応器、２・・ソース領域、３・・成長領
域、４および５・・加熱炉 スパッタリング時間（分） 第２図 Ｐ−θフ
、第２図は本発明で得られたエピタキシャル層の深さ方
向の組成分布を示すための図である。 １・・石英管反応器、２・・ソース領域、３・・成長領
域、４および５・・加熱炉 スパッタリング時間（分） 第２図 Ｐ−θフ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）III−Ｖ族化合物半導体の気相成長法において、ソ
ース領域においてヘリウムを主体とするキャリヤガスに
より送られるＨＣｌまたはＶ族元素の塩化物と融点以下
に保たれた金属アルミニウムとを反応させて塩化アルミ
ニウムを作る工程、該塩化アルミニウムを７００〜８０
０℃に加熱する工程および成長領域において加熱された
該塩化アルミニウムに水素を主体とするガスを導入する
ことによりＡｌを含んだ化合物半導体を気相エピタキシ
ャル成長させる工程を含むことを特徴とする化合物半導
体の気相成長法 ２）Ｖ族元素の塩化物がＡｓＣｌ＿３である特許請求の
範囲第（１）項記載の気相成長法 ３）Ｖ族元素の塩化物がＰＣｌ＿３である特許請求の範
囲第（１）項記載の気相成長法 ４）III−Ｖ族化合物半導体の気相成長法において、ソ
ース領域においてヘリウムを主体とするキャリヤガスに
より送られるＨＣｌまたはＡｓＣｌ＿３と融点以下に保
たれた金属アルミニウムとを反応させて塩化アルミニウ
ムを作り、ついで７００〜８００℃に加熱された塩化ア
ルミニウムと、Ｖ族元素の塩化物としてＡｓＣｌ＿３を
用い７００〜８００℃に保たれた金属Ｇａとヘリウムを
主体とするキャリヤガスにより送られるＡｓＣｌ＿３と
を反応させて得られたＧａＣｌおよびＡｓ＿４とを成長
領域へ導入、混合し、該混合物を水素と反応させること
によりＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）の
気相成長を行うことを特徴とする化合物半導体の気相成
長法 ５）III−Ｖ族化合物半導体の気相成長法において、ソ
ース領域においてヘリウムを主体とするキャリヤガスに
より送られるＨＣｌまたはＰＣｌ＿３と融点以下に保た
れた金属アルミニウムとを反応させて塩化アルミニウム
を作り、ついで７００〜８００℃に加熱された塩化アル
ミニウム、７００〜８００℃に保たれた金属Ｇａとヘリ
ウムを主体とするキャリヤガスにより送られるＰＣｌ＿
３とを反応させて得られたＧａＣｌおよびＰ＿４、およ
び７００〜８００℃に保たれた金属Ｉｎとヘリウムを主
体とするキャリヤガスにより送られるＰＣｌ＿３とを反
応させて得られたＩｎＣｌおよびＰ＿４とを成長領域へ
導入、混合し、該混合物を水素と反応させることにより
Ａｌ＿ｘＩｎ＿ＹＧａ＿１＿−＿ｘ＿−＿ＹＰ（０＜ｘ
、ｙ＜１）の気相成長を行うことを特徴とする化合物半
導体の気相成長法６）III−Ｖ族化合物半導体の気相成
長法において、ソース領域においてヘリウムを主体とす
るキャリヤガスにより送られるＨＣｌまたはＰＣｌ＿３
と融点以下に保たれた金属アルミニウムとを反応させて
塩化アルミニウムを作り、ついで７００〜８００℃に加
熱された塩化アルミニウム、７００〜８００℃に保たれ
た金属ＧａとＨＣｌを反応させて得られたＧａＣｌ、お
よびＡｓＨ＿３とを成長領域へ導入、混合し、該混合物
を水素と反応させることによりＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿
ｘＡｓ（０＜ｘ＜１）の気相成長を行うことを特徴とす
る化合物半導体の気相成長法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21876286A JPH0760800B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 化合物半導体の気相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21876286A JPH0760800B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 化合物半導体の気相成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6373617A true JPS6373617A (ja) | 1988-04-04 |
| JPH0760800B2 JPH0760800B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=16725001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21876286A Expired - Fee Related JPH0760800B2 (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 化合物半導体の気相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0760800B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007042854A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | アルミニウム系ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法および結晶積層基板 |
| EP1494269A4 (en) * | 2002-04-09 | 2007-10-10 | Univ Tokyo Agriculture & Technology Tlo Co Ltd | STEAM PHASE GROWTH PROCESS FOR GROUP III-V AL-CONTAINED COMPOUND SEMICONDUCTORS AND METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING AL-CONTAINED GROUP III-V SEMICONDUCTED SEMICONDUCTOR |
| CN107902695A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-04-13 | 红河砷业有限责任公司 | 一种高效制备高纯砷化铝的方法 |
-
1986
- 1986-09-17 JP JP21876286A patent/JPH0760800B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1494269A4 (en) * | 2002-04-09 | 2007-10-10 | Univ Tokyo Agriculture & Technology Tlo Co Ltd | STEAM PHASE GROWTH PROCESS FOR GROUP III-V AL-CONTAINED COMPOUND SEMICONDUCTORS AND METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING AL-CONTAINED GROUP III-V SEMICONDUCTED SEMICONDUCTOR |
| US7645340B2 (en) | 2002-04-09 | 2010-01-12 | Tokyo University Agriculture And Technology Tlo Co., Ltd. | Vapor phase growth method for A1-containing III-V group compound semiconductor, and method and device for producing A1-containing III-V group compound semiconductor |
| JP2007042854A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | アルミニウム系ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法および結晶積層基板 |
| CN107902695A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-04-13 | 红河砷业有限责任公司 | 一种高效制备高纯砷化铝的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0760800B2 (ja) | 1995-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100693078B1 (ko) | Ａｌ계 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 기상 성장 방법, Ａｌ계Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 제조 방법 및 제조 장치 | |
| US4404265A (en) | Epitaxial composite and method of making | |
| US6632725B2 (en) | Process for producing an epitaxial layer of gallium nitride by the HVPE method | |
| JP3879173B2 (ja) | 化合物半導体気相成長方法 | |
| JPS63227007A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH06252057A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01103982A (ja) | ３−５族化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH1017400A (ja) | Ｍｇドープ窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の成長方法 | |
| JPH01103996A (ja) | 化合物半導体の気相成長法 | |
| Scholz | MOVPE of Group‐III Heterostructures for Optoelectronic Applications | |
| JPS6373617A (ja) | 化合物半導体の気相成長法 | |
| US8728233B2 (en) | Method for the production of group III nitride bulk crystals or crystal layers from fused metals | |
| JP2725355B2 (ja) | 気相エピタキシャル成長方法 | |
| JP2714824B2 (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法及びそれを実施する装置 | |
| JPS5895696A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH01100976A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS61205696A (ja) | ３−５族化合物半導体の気相成長装置 | |
| JP2736417B2 (ja) | 半導体素子の製法 | |
| JPS5858316B2 (ja) | ３−５ ゾクカゴウブツノキソウセイチヨウホウホウ | |
| JPS62238618A (ja) | 半導体ウエハ | |
| KR20090083600A (ko) | 인듐을 이용한 저온에서의 나노 구조체 제조방법 | |
| JPS6278815A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPS5826655B2 (ja) | ケツシヨウセイチヨウホウ | |
| JPS6272116A (ja) | ド−ピング方法 | |
| JPH07321374A (ja) | 化合物半導体薄膜の成長方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |