JPS6272116A - ド−ピング方法 - Google Patents
ド−ピング方法Info
- Publication number
- JPS6272116A JPS6272116A JP21288485A JP21288485A JPS6272116A JP S6272116 A JPS6272116 A JP S6272116A JP 21288485 A JP21288485 A JP 21288485A JP 21288485 A JP21288485 A JP 21288485A JP S6272116 A JPS6272116 A JP S6272116A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic tin
- tin compound
- gas
- container
- dilution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はｍ−ｖ族化合物半導体の有機金属化学的気相成
長法（以下ＭＯＣＶＤ法と略称する）におけるドーピン
グ方法に関し、特にそのドーピング原料である有機金属
化合物の供給方法に関する。
長法（以下ＭＯＣＶＤ法と略称する）におけるドーピン
グ方法に関し、特にそのドーピング原料である有機金属
化合物の供給方法に関する。
ＧａＡｓで代表される［１−Ｖ族化合物半導体のｎ型単
結晶薄膜をエピタキシャル成長させる場合は、不純物と
して硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、シリコン（Ｓｉ）、
スズ（Ｓｎ）等が通常ドーピングされる。
結晶薄膜をエピタキシャル成長させる場合は、不純物と
して硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、シリコン（Ｓｉ）、
スズ（Ｓｎ）等が通常ドーピングされる。
これら不純物の中で特にＳｎはＧａＡｓ結晶中での拡散
係数が小さく、そのためエピタキノヤル膜作成後の素子
化の工程で熱処理を受けてもドープした不純物のプロフ
ァイルの”ダレ” といった現象を起こし難い特長を存
している。よって液相法によるエピタキシャル成長では
、従来からＳｎが用いられてきた実績がある。
係数が小さく、そのためエピタキノヤル膜作成後の素子
化の工程で熱処理を受けてもドープした不純物のプロフ
ァイルの”ダレ” といった現象を起こし難い特長を存
している。よって液相法によるエピタキシャル成長では
、従来からＳｎが用いられてきた実績がある。
一方、気相成長法であるＭＯＣＶＤ法ではこのように長
所のあるＳｎをドープする場合は、前駆体とじて有機ス
ズ化合物を用いる必要がありテトラメルスズ（ＴＭＳｎ
）やテトラエチルスズ（ＴＥＳｎ）が有効であることは
、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｇｙｓｔａ！ Ｇｒｏｗｔｈ
第６８巻（１９８４）第６０−６４及び６５−７０頁で
既にに報告されている。
所のあるＳｎをドープする場合は、前駆体とじて有機ス
ズ化合物を用いる必要がありテトラメルスズ（ＴＭＳｎ
）やテトラエチルスズ（ＴＥＳｎ）が有効であることは
、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｇｙｓｔａ！ Ｇｒｏｗｔｈ
第６８巻（１９８４）第６０−６４及び６５−７０頁で
既にに報告されている。
しかしながら、上記文献からも明らかなように成長反応
室へはこの化合物を蒸気にして輸送することが必要であ
る。
室へはこの化合物を蒸気にして輸送することが必要であ
る。
すなわち、第１図に示したように原料の液体有機スズ化
合物１を冷媒２の入った恒温構３内におかれたバブラー
（Ｔ発器）４に充填し、これ゛、水素等のキャリヤーガ
スを流ｆｆｔ調節器（ＭＦＣ）６で所定の流量に調節し
、バブラー４に導入する。この際、切換弁７．８は開の
状態、９は閉の状態にしておく。バブリングにより有機
スズ化合物の飽和蒸気としたものをライン１０を通して
反応室（図示せず）へ供給するが、予めトリメチルガリ
ウム（ＴＭＧ）、アルシン（Ａｓｆ１３）等を含むガス
と混合して反応室へ供給する。
合物１を冷媒２の入った恒温構３内におかれたバブラー
（Ｔ発器）４に充填し、これ゛、水素等のキャリヤーガ
スを流ｆｆｔ調節器（ＭＦＣ）６で所定の流量に調節し
、バブラー４に導入する。この際、切換弁７．８は開の
状態、９は閉の状態にしておく。バブリングにより有機
スズ化合物の飽和蒸気としたものをライン１０を通して
反応室（図示せず）へ供給するが、予めトリメチルガリ
ウム（ＴＭＧ）、アルシン（Ａｓｆ１３）等を含むガス
と混合して反応室へ供給する。
この場合、Ｓｎの供給量はキャリアーガス量とバブラ一
温度を厳密に制御することにより求めることとなる。
温度を厳密に制御することにより求めることとなる。
ところが、従来からのこのような供給方法では再現性良
く均一にドーピングすることは非常に困難であり、現実
には後述の比較例に挙げたように不満足な結果しか得ら
れないことが判った。
く均一にドーピングすることは非常に困難であり、現実
には後述の比較例に挙げたように不満足な結果しか得ら
れないことが判った。
この原因として一般的に次のことが考えられる。すなわ
ち、通常のドーピングずべき濃度は多くとも１０目〜１
０′９個／ｃＩ１１３ のレベルであるから、分解効率
の差を無視するとして、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ
）等の■族側原料４度の１／１０００〜１／１００００
の４麿を制御する必要がある。
ち、通常のドーピングずべき濃度は多くとも１０目〜１
０′９個／ｃＩ１１３ のレベルであるから、分解効率
の差を無視するとして、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ
）等の■族側原料４度の１／１０００〜１／１００００
の４麿を制御する必要がある。
通常のＭＯＣＶＤ法ではＴＭＧａは〜１０− ’ｍｏｌ
ｅ／ｍｉｎの供給量であるから結局ドーパント量は１０
−８〜１０− ”ｍｏｌｅ／ｗｉｎに制御する必要があ
る。
ｅ／ｍｉｎの供給量であるから結局ドーパント量は１０
−８〜１０− ”ｍｏｌｅ／ｗｉｎに制御する必要があ
る。
この量を現行の？Ｒ量調節器（ＭＦＣ）と、温度制御さ
れたバブリングシステムとの併用で達成することは、は
とんど不可能に近い。何故ならば例えば、供給する場合
には実質的にはキャリヤー流量を０．０１ｍ１／ｍｉｎ
で制御しなければならなく、通常のＭＦＣではこれは不
可能である。逆にＭＦＣの制御範囲内になる、例えば、
１ ｍｌ／ｗｉｎのキャリアー供給量にするには、バブ
ラ一温度は一８０℃まで冷却する必要があり、ＴＭＳｎ
の凝固点以下となってバブリングには不都合が生じる。
れたバブリングシステムとの併用で達成することは、は
とんど不可能に近い。何故ならば例えば、供給する場合
には実質的にはキャリヤー流量を０．０１ｍ１／ｍｉｎ
で制御しなければならなく、通常のＭＦＣではこれは不
可能である。逆にＭＦＣの制御範囲内になる、例えば、
１ ｍｌ／ｗｉｎのキャリアー供給量にするには、バブ
ラ一温度は一８０℃まで冷却する必要があり、ＴＭＳｎ
の凝固点以下となってバブリングには不都合が生じる。
更に、バブラーのディップチューブの実際的な口径に対
して、バブリングガスがｌ ｍｌ／ｍｉｎの供給ｌでは
過少であるため、バブリング気泡の生しる間隔が数回７
分となってしまって脈流を生しる原因となっている。
して、バブリングガスがｌ ｍｌ／ｍｉｎの供給ｌでは
過少であるため、バブリング気泡の生しる間隔が数回７
分となってしまって脈流を生しる原因となっている。
この脈流はＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇ
ｒｏｗｔｈ 第６８巻 第４１２頁（１９８４）でも考
察されている通りである。
ｒｏｗｔｈ 第６８巻 第４１２頁（１９８４）でも考
察されている通りである。
本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、上記の欠点
を改良するものである。
を改良するものである。
すなわち、本発明は容器に予めキャリアーガスで所望の
／ａ変まで希釈した有機スズ原料を調製し、該シリンダ
ーから原料有機スズ化合物の所定量をＮＦＣにより反応
室へ供給することを特徴とするＭＯＣＶＤにおけるドー
ピング方法を提供するものである。
／ａ変まで希釈した有機スズ原料を調製し、該シリンダ
ーから原料有機スズ化合物の所定量をＮＦＣにより反応
室へ供給することを特徴とするＭＯＣＶＤにおけるドー
ピング方法を提供するものである。
本発明によれば、バブリングを行わないため脈流の心配
がなく、また胞和茎気法を採らないため、有機スズ原料
を充分な希薄濃度でキャリアーガスで希釈できる。従っ
て、ＮＦＣの制御可能な範囲に入るガス量で供給できる
こととなり、制ｉ：ｌｌＩが容易で、かつ均一で再現性
に優れたドーピングをすることができる。
がなく、また胞和茎気法を採らないため、有機スズ原料
を充分な希薄濃度でキャリアーガスで希釈できる。従っ
て、ＮＦＣの制御可能な範囲に入るガス量で供給できる
こととなり、制ｉ：ｌｌＩが容易で、かつ均一で再現性
に優れたドーピングをすることができる。
また、温度制御の必要がなく 、ＮＦＣにょリイ】度の
定まったガス量を制御するだけで良いためｇ置が簡単に
なるという利点もある。
定まったガス量を制御するだけで良いためｇ置が簡単に
なるという利点もある。
以下、本発明について詳述する。
本発明のドーピング法は従来公知の■−■族半導体、す
なわちＧａＡｓ、 ＧａＡｌＡｓ、 ＩｎＰ、ＩｎＡＩ
Ｐ等のＭＯＣＶＤ法による製造において好適に採用でき
る。
なわちＧａＡｓ、 ＧａＡｌＡｓ、 ＩｎＰ、ＩｎＡＩ
Ｐ等のＭＯＣＶＤ法による製造において好適に採用でき
る。
本発明において、使用する有機スズ化合物としては（Ｃ
ｌｌｉ）４Ｓｎ、（Ｃｚｌｌｓ）ａＳｎが好ましく、希
釈用のキャリアーガスとしては、Ｈ２、Ｎ２、Ａｒ、、
Ｈｅ等の有機スズ化合物と反応しない不活性ガスが好ま
しい。
ｌｌｉ）４Ｓｎ、（Ｃｚｌｌｓ）ａＳｎが好ましく、希
釈用のキャリアーガスとしては、Ｈ２、Ｎ２、Ａｒ、、
Ｈｅ等の有機スズ化合物と反応しない不活性ガスが好ま
しい。
但し、Ｈ２やＨｅガスと有機スズ化合物原料とを容器中
でガス混合する場合、若干の注意を払う必要があり、均
一的な混合状態となるために長時間の熟成時間が不可欠
である。これを怠ると、容器内の４度分析値が一定せず
再現性が不定となる原因になる。従って、これを避ける
ため、Ｎ８ガスで混合するのが好ましい。
でガス混合する場合、若干の注意を払う必要があり、均
一的な混合状態となるために長時間の熟成時間が不可欠
である。これを怠ると、容器内の４度分析値が一定せず
再現性が不定となる原因になる。従って、これを避ける
ため、Ｎ８ガスで混合するのが好ましい。
希釈の濃度は、原ネ４の有機スズ化合物が液化しない範
囲で任意に決めることができる力＜ ＭＦＣの数ｍｌ／
ｍｉｎ〜数１０ ｍｌ／ｗｉｎの範囲が現実的に制御容
易な供給量とすると、通常のドーピングレベルが結晶中
不純物濃度で１０皇６〜１０１個／ｃＩＩ＋３であるか
ら容器内の有機スズ化合物濃度は０．２ｐｐｍ〜２００
ｐｐｍの範囲が実用的である。
囲で任意に決めることができる力＜ ＭＦＣの数ｍｌ／
ｍｉｎ〜数１０ ｍｌ／ｗｉｎの範囲が現実的に制御容
易な供給量とすると、通常のドーピングレベルが結晶中
不純物濃度で１０皇６〜１０１個／ｃＩＩ＋３であるか
ら容器内の有機スズ化合物濃度は０．２ｐｐｍ〜２００
ｐｐｍの範囲が実用的である。
原料有機スズ化合物の供給量の制御には、バブリング法
とは異なりシリンダーの厳密な温度制御■は不要であり
、７肩度の一定した希釈ガスをＭＦＣにより一定量を反
応室へ送るだけで良い。
とは異なりシリンダーの厳密な温度制御■は不要であり
、７肩度の一定した希釈ガスをＭＦＣにより一定量を反
応室へ送るだけで良い。
すなわち、温度を厳密に制御するための高価な恒温槽と
その制御システム、第１図に例示したような？ｊｌ Ｈ
な形状をしたバブラーとこれに付随したガス切替弁類が
不要という（所を併せもつ。
その制御システム、第１図に例示したような？ｊｌ Ｈ
な形状をしたバブラーとこれに付随したガス切替弁類が
不要という（所を併せもつ。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが本発明
はこれらに限定されるものではない。
はこれらに限定されるものではない。
実施例
第２図に示したシリンダー容器１１にドーピング用のＴ
ＭＳｎを窒素ガスに希釈しＴＭＳｎ ｉ： ｒｆ−２，
５ｐｐｍとしたガス１２を減圧弁１３を通してＭＦＣ６
によりｌｏｍｌ／ｍｉｎの流量でライン１４へ導き、Ｇ
ａＡｓ成長用のキャリアー水素（９０００ｍｌ／ｍ１ｎ
）、 アルシン（Ａｓｌｌ＊、 １５ｍ１／ｍ１ｎ）
ガスと混合し、更にこれに第１図に示した蒸発２＝
（バブラー）４を用いてＴＭＧａをバブラ一温度−１０
℃でバブル用水素（１５ｍｌ／＋ｉｎ）に飽和させた７
ＭＧａガスを混合しりＴＭＳｎ、 ＡｓＬ、 ＴＭＧａ
の混合原料ガスを縦型の反応成長室（図示せず）へ上方
か：）導入する。
ＭＳｎを窒素ガスに希釈しＴＭＳｎ ｉ： ｒｆ−２，
５ｐｐｍとしたガス１２を減圧弁１３を通してＭＦＣ６
によりｌｏｍｌ／ｍｉｎの流量でライン１４へ導き、Ｇ
ａＡｓ成長用のキャリアー水素（９０００ｍｌ／ｍ１ｎ
）、 アルシン（Ａｓｌｌ＊、 １５ｍ１／ｍ１ｎ）
ガスと混合し、更にこれに第１図に示した蒸発２＝
（バブラー）４を用いてＴＭＧａをバブラ一温度−１０
℃でバブル用水素（１５ｍｌ／＋ｉｎ）に飽和させた７
ＭＧａガスを混合しりＴＭＳｎ、 ＡｓＬ、 ＴＭＧａ
の混合原料ガスを縦型の反応成長室（図示せず）へ上方
か：）導入する。
反応室中央部に高周波誘導加軌できるグラファイト製支
持台があり、この上に （１００）面ＧａＡｓ１ｉｊ結
晶基板を置き、成長１麿６５０℃に加執し、前記導入原
料ガスを吹付けてエビタキンヤル成長を実施した。２時
間の成長時間で約６μｍの膜厚まで成長した。
持台があり、この上に （１００）面ＧａＡｓ１ｉｊ結
晶基板を置き、成長１麿６５０℃に加執し、前記導入原
料ガスを吹付けてエビタキンヤル成長を実施した。２時
間の成長時間で約６μｍの膜厚まで成長した。
第３図のａにこのようにして得られたエビタキンヤル成
長膜中の不純物ｌ４度のイエさ方向プロファイルをと８
式電解研磨法によるＣ−■測定により求めた結果を示し
た。非常に均一なプロファイルが得られていることが良
く理解される。
長膜中の不純物ｌ４度のイエさ方向プロファイルをと８
式電解研磨法によるＣ−■測定により求めた結果を示し
た。非常に均一なプロファイルが得られていることが良
く理解される。
比較例
ＴＭＳｎドーパントの反応室への輸送方法を、従来の奈
発器（第１図）を用いた以外は実施例と全く同し条件で
成長を行った。 ＴＭＳｎの蒸発条件は実施例の場合と
供給ＴＭＳｎを同じにするためにバブラ一温度−８０℃
、バブル用Ｈｚガス導入ｆ！ｔＯ，２ｍｌ／＋ｉｎから
最大１０ｍ１／ｍｉｎまで流れるＭＦＣを用いて調節し
た。
発器（第１図）を用いた以外は実施例と全く同し条件で
成長を行った。 ＴＭＳｎの蒸発条件は実施例の場合と
供給ＴＭＳｎを同じにするためにバブラ一温度−８０℃
、バブル用Ｈｚガス導入ｆ！ｔＯ，２ｍｌ／＋ｉｎから
最大１０ｍ１／ｍｉｎまで流れるＭＦＣを用いて調節し
た。
成長膜の不純物７農度プロファイルを同し手法で求め、
図３のｂ に示した。
図３のｂ に示した。
実施例の膜とは異なり、均一なドーピングが起こってい
ないことがわかる。
ないことがわかる。
第１図は従来のＭＯＣＶＤ装置の液体ドーパント供給部
（蒸発用バブラー）の−例のブロック図、第２図は本発
明の実施例のブロック図、第３図ａ、ｂはそれぞれ、実
施例、比較例で得られたＧａＡｓ膜中の不純物濃度の濶
さ方向プロファイルである。 ４・・・・・バブラー（蒸発器） ６ ・ ・ ・ ・ 流 量 調 節 器
（ＭＦＣ）１１・・・・シリンダー容器 第 ２ 図 第 ３ 図 手続補正書（方式） ％式％ ２、発明の名称 ドーピング方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 大阪市東区北浜５丁目１５番地住所 大阪市
東区北浜５丁目１５番地住友化学工業株式会社内 ＋ｉ
”’ ” ’ ：”５．Ｉ ５、補正命令の日付 昭和６１年１月２８日（発送日） ６、補正の対象 明細書の「図面の簡単な説明」の欄 ７、補正の内容 明細書第９頁第１９〜第１０頁第２行「第３図ａ、ｂは
それぞれ−・・−−−−プロファイルである。 」を「第３図は実施例および比較例で得られたＣａＡｓ
膜中の不純物濃度の深さ方向の分布を示す図で縦軸は不
純物ｌ肩度、横軸は深さを示す。」に訂正する。 以 上
（蒸発用バブラー）の−例のブロック図、第２図は本発
明の実施例のブロック図、第３図ａ、ｂはそれぞれ、実
施例、比較例で得られたＧａＡｓ膜中の不純物濃度の濶
さ方向プロファイルである。 ４・・・・・バブラー（蒸発器） ６ ・ ・ ・ ・ 流 量 調 節 器
（ＭＦＣ）１１・・・・シリンダー容器 第 ２ 図 第 ３ 図 手続補正書（方式） ％式％ ２、発明の名称 ドーピング方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 大阪市東区北浜５丁目１５番地住所 大阪市
東区北浜５丁目１５番地住友化学工業株式会社内 ＋ｉ
”’ ” ’ ：”５．Ｉ ５、補正命令の日付 昭和６１年１月２８日（発送日） ６、補正の対象 明細書の「図面の簡単な説明」の欄 ７、補正の内容 明細書第９頁第１９〜第１０頁第２行「第３図ａ、ｂは
それぞれ−・・−−−−プロファイルである。 」を「第３図は実施例および比較例で得られたＣａＡｓ
膜中の不純物濃度の深さ方向の分布を示す図で縦軸は不
純物ｌ肩度、横軸は深さを示す。」に訂正する。 以 上
Claims (3)
- （１）III−Ｖ族の化合物半導体の有機金属化学的気相
成長法において、ドーパント原料の有機スズ化合物蒸気
を容器に希釈ガスであらかじめ希釈して用いることを特
徴とするドーピング方法。 - （２）有機スズ化合物が（ＣＨ＿３）＿４Ｓｎまたは（
Ｃ＿２Ｈ＿３）＿４Ｓｎである特許請求の範囲第（１）
項記載のドーピング方法。 - （３）希釈ガスがＮ＿２、Ａｒ、Ｈ＿２またはＨｅであ
る特許請求の範囲第（１）または（２）項記載のドーピ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212884A JPH0652718B2 (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | ド−ピング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60212884A JPH0652718B2 (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | ド−ピング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6272116A true JPS6272116A (ja) | 1987-04-02 |
| JPH0652718B2 JPH0652718B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=16629853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60212884A Expired - Fee Related JPH0652718B2 (ja) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | ド−ピング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652718B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6484620A (en) * | 1987-09-26 | 1989-03-29 | Ricoh Kk | Mocvd process |
| KR100549090B1 (ko) * | 2003-01-08 | 2006-02-06 | 이명기 | 유기물 기상 증착장치용 증발기구 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60500954A (ja) * | 1983-04-04 | 1985-06-27 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | Ｍｏｃｖｄ成長エピタキシヤル半導体層用のテトラメチルスズド−パント源 |
-
1985
- 1985-09-26 JP JP60212884A patent/JPH0652718B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60500954A (ja) * | 1983-04-04 | 1985-06-27 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | Ｍｏｃｖｄ成長エピタキシヤル半導体層用のテトラメチルスズド−パント源 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6484620A (en) * | 1987-09-26 | 1989-03-29 | Ricoh Kk | Mocvd process |
| KR100549090B1 (ko) * | 2003-01-08 | 2006-02-06 | 이명기 | 유기물 기상 증착장치용 증발기구 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0652718B2 (ja) | 1994-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4404265A (en) | Epitaxial composite and method of making | |
| US3394390A (en) | Method for making compond semiconductor materials | |
| JPH0688871B2 (ja) | 化学ビ−ム堆積法 | |
| JPS63227007A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH01103996A (ja) | 化合物半導体の気相成長法 | |
| JPS6272116A (ja) | ド−ピング方法 | |
| US4407694A (en) | Multi-range doping of epitaxial III-V layers from a single source | |
| JPH0510317B2 (ja) | ||
| EP0212910A2 (en) | Method and apparatus for the chemical vapour deposition of III-V semiconductors utilizing organometallic and elemental pnictide sources | |
| JPS61275191A (ja) | ＧａＡｓ薄膜の気相成長法 | |
| JPH01261818A (ja) | 高抵抗ＡｌＧａＡｓ混晶の気相成長方法 | |
| JPS6373617A (ja) | 化合物半導体の気相成長法 | |
| Koukitu et al. | Vapor-phase epitaxial growth of GaAs by the single flat temperature zone method | |
| JPS61205696A (ja) | ３−５族化合物半導体の気相成長装置 | |
| JPH02126632A (ja) | 化合物半導体結晶層の気相成長方法及びそれに用いる反応管 | |
| JPS6124227A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH06314658A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS63190330A (ja) | 有機金属気相成長方法 | |
| JPS5826655B2 (ja) | ケツシヨウセイチヨウホウ | |
| JPS6381813A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPS60245214A (ja) | 化合物半導体結晶の気相成長方法 | |
| JPS61176111A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH01141899A (ja) | ３−５族化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPH04151821A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPH03133123A (ja) | 有機金属気相成長法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |