JPS637421B2

JPS637421B2 -

Info

Publication number: JPS637421B2
Application number: JP13779579A
Authority: JP
Inventors: Eiji Kanbara
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1979-10-26
Filing date: 1979-10-26
Publication date: 1988-02-16
Also published as: JPS5663754A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は少なくとも１本の電子ビームを射出す
る電子銃構体に関するものである。

例えば多電子ビームを射出する電子銃構体を内
装する通常のカラー受像管に於ては陰極から放出
される熱電子は複数個の電子レンズにより集束さ
れ、螢光面に射突させるようになつている。

そして前記電子レンズは一般に静電界で形成さ
れており、この静電界は電子ビームの径路にほぼ
直角に配設され、かつ電子ビームの通過する開口
部を有する少なくとも２個の電極間に形成される
ことになる。

一方、電子銃構体の性能は前述した電子レンズ
の倍率と、その球面収差が少ない程良いとされて
おり、このため一般に長焦点距離を有する電子レ
ンズとすることが望ましく、例えば特開昭51−
76072号公報、特開昭51−77061号公報などに示さ
れているように電極に印加する電圧及び電極の数
を許容される範囲で組合せる構造が用いられてい
る。しかるにこれらの例にみられるように電極に
印加する電圧、電極の種類を組合わせる構造は電
子銃構体を複雑にしたり、電子レンズを形成する
ために、更に他の電圧を附与しなければならず電
子銃構体の構造を複雑にし製造コストの上昇を招
きやすい。

また電子レンズの性能を良くするためには電極
に印加する電圧を前記例も含めて高くしなければ
ならず、それに伴つて受像管のステム部分でステ
ムピン間に放電を起し易くなるため、この放電を
防止し、受像管の信頼性を確保するためにはこの
ステムなどを特別な構造とする必要があり、更に
経済性を低下させることになる。

この解決方法の一つとして電子銃構体の所望電
極に陽極電圧を抵抗分割比により附与し、ステム
部にはあまり高電圧が印加されないような構造と
して、例えば実開昭48−21561号公報などに記載
されている電子銃構体があるが、一般に独立した
抵抗器を電子銃構体とネツク内壁間に配設させる
空間がなく、もしもこの空間を大きくするために
はネツクを太くしたり、電子銃構体を小型にしな
ければならないし、また例え空間的余裕があつて
も、ここに挿入される抵抗器の許容負荷が小さく
なり実用的でない。

また他の方法として電子銃構体の一部である絶
縁支持体の所定部に抵抗物質からなる膜状抵抗層
を形成し、陽極電圧をこの膜状抵抗層を介して次
第に分割して、例えば25KVの陽極電圧を数KV、
数100Vなどにして所定電極に印加してステム部
では高い電圧とならないように形成した電子銃構
体もあるが、これも膜状抵抗層の許容負荷が小さ
く実用的でない。

前述した電子銃構体の諸欠点を除去するため、
発明者らは複数個の電極と、これら電極を支持す
る支持構体からなる電子銃の少なくとも１個の支
持構体を抵抗体とし、この抵抗体を介して複数個
の電極のうち、所定電極に陽極電圧を抵抗体の抵
抗の分割比によつて印加するような電子銃構体を
出願したが、このように、支持構体をガラス抵抗
体などにした場合、このガラス抵抗体に植設され
る所望電極の植設部の主として先端部は支持構体
がガラス絶縁体の場合よりも強い電界強度となる
ため高電圧の印加された電極の植設部と低電圧の
印加された電極の植設部間にガラス抵抗体を介し
て強いスパークが発生し、所望電極に印加される
電圧を不安定にするのみではなく、支持構体とし
てのガラス抵抗体を破壊させる問題点があり、こ
の問題点を解決するため発明者らは、更に、陽極
電圧を抵抗の分割比によつて印加する所定電極の
植設される位置近傍を除いて支持構体としての抵
抗体の全面に絶縁部材層を被着形成させる構造を
出願したが、このように部分的に被着形成するの
には支持構体一本一本を注意深く製作しなければ
ならず生産性を著るしく低下させる問題点があつ
た。

本発明は前述した従来の欠点及び先願の問題点
に鑑みなされたものであり、陽極電圧を所定電極
に効果的に抵抗の分割比によつて印加することが
可能な電子銃構体を提供することを目的としてい
る。

次に本発明の電子銃構体の一実施例を第１図乃
至第３図によつて説明する。

即ち、電子銃構体１は１対の支持構体２₁，２₂
にそれぞれ植設部を介して図示しないヒータを内
装する１列配設された３個の陰極３，４，５、第
１グリツド６、第２グリツド７、第３グリツド
８、第４グリツド９、第５グリツド１０、第６グ
リツド１１及びコンバーゼンス電極１２よりな
り、コンバーゼンス電極１２を除いて各電極はそ
れぞれ植設部６₁，７₁，８₁，９₁，１０₁，１１₁
により支持構体２₁，２₂に植設されている。この
場合、陰極３，４，５はそれぞれ支持部材を介し
て１列配列されるように支持構体２₁，２₂に植設
されているが図面に於ては省略してある。

そして第１グリツド６と第２グリツド７は近接
配置された平板状電極であり、それぞれ各電子ビ
ーム径路と整合した３個の開口部を有する。第３
グリツド８は第２グリツド７に近接配置され、接
合された２個のカツプよりなり、それぞれ各電子
ビームに整合した３個の開口部を有する。第４グ
リツド９も２個のカツプよりなり、それぞれ各電
子ビームの径路に整合した３個の開口部を介し、
この電極にはリード線１７、ステムピン１８を介
して外部電源１９より所定電圧が印加されるよう
になつている。第５グリツド１０は第４グリツド
９に近接配置され、電子ビーム径路に整合した３
個の開口部を有する複数のカツプよりなり、第３
グリツド８と第５グリツド１０は同電位であり、
リード線１６により電気的に接続されている。

また第６グリツド１１は３個の開口部を有する
１個のカツプであるが、この開口部のうち中央の
ものは第１グリツド６から第５グリツド１０まで
の開口部と整合し、両側の開口部は夫々中央のも
のから外方に離れるように僅かに偏心させてあ
る。この偏心は３本の電子ビームを螢光面上で一
点に集束させるために中央の電子ビームを除く他
の２本の電子ビームに僅かに非対称電界による偏
向を与えるものである。そしてこの第６グリツド
１１には３個の開口部が形成されたコンバーゼン
ス電極１２が取付けられている。このコンバーゼ
ンス電極１２にはスプリング１５が固定されてお
り、このスプリング１５はネツク１３内壁の図示
しない陽極端子に導接された内部導電被覆１４に
弾接するようになつており、コンバーゼンス電極
１２、第６グリツド１１に約25KVの電圧を印加
する。

この様な複数個の電極を植設部を介して支持す
る支持構体２₁及び２₂のうち、例えば２₂は96％
シリカガラスにFe₂O₃、MnO₂、V₂O₅、または
Cu₂Oなどの遷移金属酸化物を多量に混在させた
ガラス抵抗体２ａに従来のガラス絶縁部材層２ｂ
から形成されているが、この場合、第３グリツド
８、第４グリツド９、第５グリツド１０及び第６
グリツド１１の各植設部８₁，９₁，１０₁，１１₁
の植設される近傍のガラス抵抗体２ａにはそれぞ
れ凹部８₂，９₂，１０₂，１１₂が設けられている
のでガラス絶縁部材層２ａは被着されていないこ
とになる。

支持構体２₁，２₂のうち少なくとも１個２₂を、
この様な構造にして電子銃を組立てると、第３グ
リツド８の植設部８₁、第４グリツド９の植設部
９₁、第５グリツド１０の植設部１０₁、第６グリ
ツド１１の植設部１１₁は直接ガラス抵抗体２ａ
に植設されるが、第２グリツド７の植設部７₁第
１グリツド６の植設部６₁は絶縁部材層２ｂを介
して植設されることになる。

この様な構造の電子銃構体１に於て陽極端子、
内部導電被覆１４、スプリング１５、コンバーゼ
ンス電極１２を介して第６グリツド１１に印加さ
れた約25KVの陽極電圧と外部電源１９、ステム
ピン１８、リード線１７を介して第４グリツド９
に印加された低電圧がガラス抵抗体２ａによつて
抵抗分割され、第５グリツド１０及び第３グリツ
ド８に約7KVの中電圧を与えることになり、第
３グリツド８、第４グリツド９、第５グリツド１
０により補助電子レンズとしてのユニポテンシヤ
ル形レンズが形成され、第５グリツド１０と第６
グリツド１１により主電子レンズとしてのバイポ
テンシヤル形レンズが形成され、この２個の電子
レンズにより図示しない螢光面上の電子ビームの
焦点を極めて小さくするようになされた複合形主
電子レンズ系を有するインライン形１体構造の電
子銃構体１を完成する。そしてこの場合、先願の
ように第６グリツド１１の植設部１１₁と第４グ
リツド９の植設部９₁との間のガラス抵抗体２ａ
を介してのスパークは絶縁部材層２ｂのためにほ
とんど消滅させることが出来るし、また第３グリ
ツド乃至第６グリツドの植設部８₁，９₁，１０₁，
１１₁は完全に抵抗体に植設させることが可能と
なるし、凹部８₂，９₂，１０₂，１１₂は予めガラ
ス抵抗体を形成する時点で型押しなどにより簡単
に作れ、その上の絶縁部材層２ｂはローラ状のも
ので簡単に被着形成することが可能となり、支持
構体の生産性も向上する。

更に凹部８₂，９₂，１０₂，１１₂を設けたため
第４グリツド９を例にとると電極の植設部を植設
する時に発生する第４図ａの様な盛り上り部２１
がｂ図の様に凹部を適当に形成することにより皆
無となる。この盛り上り部２１は異常な電界を創
り、また不要電荷の蓄積がおこり、スパークの要
因の一つとなつている。

発明者らは支持構体２₁，２₂に41mm長さ×７mm
幅×３mm厚さのガラス抵抗体２ａを使用しこれに
溝状凹部を1.0mm幅×6.8mm長さ×0.4mm深さで形成
し、ガラス絶縁物層２ｂを0.2mm程度にして特性
の良好な電子銃構体を作製したが、コーテイング
する絶縁物層はこれに限定されるものではなく、
支持構体として許される限り厚くすること、逆に
電極間に発生するスパークを消滅することが出来
るならば、さらに薄くすることも出来るし、凹部
の深さ、大きさも電極の大きさ、植設部の大き
さ、形状に応じて変化し得ることは勿論である。

また前記実施例では第３グリツド８乃至第６グ
リツド１１の植設部８₁，９₁，１０₁，１１₁に対
応して凹部を設けたが、抵抗分割するのに必要な
電極であれば第２グリツド７、第１グリツド６の
各植設部７₁，６₁に対応して凹部を設けることも
可能である。

また、前記実施例に限らず、支持構体に抵抗体
を用いることによつて電子銃構体を動作させるの
に必要な電圧のうち少なくとも１つを前記抵抗体
を介して陽極高電圧の分割比として与えるように
した電子銃構体であればそのまま適用出来ること
も勿論である。

上述のように本発明の電子銃構体は電極間に発
生するスパークを簡易な方法で消滅させることが
でき、さらに電極の植設部と抵抗体の接触を良好
にして、陽極電圧を正確に抵抗分割することが可
能でありまた、支持構体も比較的容易に製作する
ことが出来るので、その工業的価値は極めて大で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子銃構体の一実施例をネツ
ク内に装着した状態を示す説明用断面図、第２図
は第１図の要部拡大説明用断面図、第３図は支持
構体を示す図であり、ａ図は斜視図、ｂ図はａ図
をＹ−Y′方向に切断して見た断面図、ｃ図はａ
図をＸ−X′方向に切断して見た断面図、第４図
は支持構体に電極の植設部を植設した状態を示す
図であり、ａ図は凹部のない支持構体の場合を示
す断面図、ｂ図は本発明に適応する支持構体の場
合を示す断面図である。２₁，２₂……支持構体、２ａ……抵抗体、２ｂ
……絶縁部材層、３，４，５……陰極、６……第
１グリツド、７……第２グリツド、８……第３グ
リツド、９……第４グリツド、１０……第５グリ
ツド、１１……第６グリツド、１２……コンバー
ゼンス電極、１３……ネツク、１４……内部導電
膜。

Claims

【特許請求の範囲】

１複数個の電極と、これら電極を支持する支持
構体とからなり、この支持構体の少なくとも１個
が抵抗体であつて、この抵抗体により前記複数個
の電極の内の所定電極に陽極電圧を前記抵抗体の
分割比によつて印加するようになされた電子銃構
体に於て、前記抵抗体の前記所定電極が植設され
る位置近傍に凹部を形成し、前記凹部を除く前記
抵抗体の表面に所定厚の絶縁部材層が被着形成さ
れていることを特徴とする電子銃構体。