JPS6220659B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6220659B2 JPS6220659B2 JP12689779A JP12689779A JPS6220659B2 JP S6220659 B2 JPS6220659 B2 JP S6220659B2 JP 12689779 A JP12689779 A JP 12689779A JP 12689779 A JP12689779 A JP 12689779A JP S6220659 B2 JPS6220659 B2 JP S6220659B2
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- JP
- Japan
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- grid
- electron gun
- resistor
- electrodes
- electron
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Links
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 8
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/484—Eliminating deleterious effects due to thermal effects, electrical or magnetic fields; Preventing unwanted emission
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は少なくとも１本の電子ビームを射出す
る電子銃構体に関するものである。
る電子銃構体に関するものである。
例えば多電子ビームを射出する電子銃構体を内
装する通常のカラー受像管に於ては各電子ビーム
が、それぞれ別個の主電子レンズを通過したのち
ターゲツト上の１点に集束される。この主電子レ
ンズは一般に静電界で形成されており、電子ビー
ムがこの静電界を通過する間に集束されることに
なる。
装する通常のカラー受像管に於ては各電子ビーム
が、それぞれ別個の主電子レンズを通過したのち
ターゲツト上の１点に集束される。この主電子レ
ンズは一般に静電界で形成されており、電子ビー
ムがこの静電界を通過する間に集束されることに
なる。
そして、この静電界で形成された主電子レンズ
は電子ビームの経路に直角に配設され、かつ電子
ビームが通過する開孔部の穿設された少なくとも
２個の電極間に形成され、この主電子レンズの特
性は対設する電極間に印加される電圧、開孔部の
形状、大きさ、電極間の距離などにより変化させ
ることが可能である。
は電子ビームの経路に直角に配設され、かつ電子
ビームが通過する開孔部の穿設された少なくとも
２個の電極間に形成され、この主電子レンズの特
性は対設する電極間に印加される電圧、開孔部の
形状、大きさ、電極間の距離などにより変化させ
ることが可能である。
また電子銃構体の性能は前述した主電子レンズ
の倍率と球面収差が少ない程良いとされており、
このため長焦点距離の電子レンズとすることが必
要であるが、最も効果的な電圧を電子銃構体に印
加する場合、一般には受像管のステム部で放電を
起さない範囲としなければならず、また開孔部の
形状、大きさも受像管のネツク直径が他の電気的
条件から制約を受けるため、任意に大きく設計す
ることは不可能であり、更に電極間の距離を大き
くすることは、受像管のネツク内面に発生する浮
遊電界と、電子銃構体内の他の不所望な電界によ
つて主電子レンズの特性が影響を受けるため、こ
れも適当な手段とはならない。いずれにせよ主電
子レンズの設計は受像管の設計から定められる物
理的条件により制約を受けることになる。特にカ
ラー受像管の場合には多電子ビームをそれぞれ射
出する電子銃構体をネツクに内装する必要があ
り、前述した制約は更にきびしくなる。
の倍率と球面収差が少ない程良いとされており、
このため長焦点距離の電子レンズとすることが必
要であるが、最も効果的な電圧を電子銃構体に印
加する場合、一般には受像管のステム部で放電を
起さない範囲としなければならず、また開孔部の
形状、大きさも受像管のネツク直径が他の電気的
条件から制約を受けるため、任意に大きく設計す
ることは不可能であり、更に電極間の距離を大き
くすることは、受像管のネツク内面に発生する浮
遊電界と、電子銃構体内の他の不所望な電界によ
つて主電子レンズの特性が影響を受けるため、こ
れも適当な手段とはならない。いずれにせよ主電
子レンズの設計は受像管の設計から定められる物
理的条件により制約を受けることになる。特にカ
ラー受像管の場合には多電子ビームをそれぞれ射
出する電子銃構体をネツクに内装する必要があ
り、前述した制約は更にきびしくなる。
前述した制約を回避するための一般的な構造は
長焦点距離の電子レンズを作るために電極電圧お
よび電極数を許容される範囲内で組合わせること
である。例えば特開昭51−76072号公報、特開昭
51−77061号公報に述べられる電子銃構体がその
例である。
長焦点距離の電子レンズを作るために電極電圧お
よび電極数を許容される範囲内で組合わせること
である。例えば特開昭51−76072号公報、特開昭
51−77061号公報に述べられる電子銃構体がその
例である。
これらの例にみられるように電極の電圧及び種
類を組合わせる方法は一般に電子銃構体を複雑に
したり、電子レンズを形成させるのに更に他の電
圧を附与しなければならず経済性を損うのが常で
ある。
類を組合わせる方法は一般に電子銃構体を複雑に
したり、電子レンズを形成させるのに更に他の電
圧を附与しなければならず経済性を損うのが常で
ある。
また一般に電子レンズの性能を向上させるため
には電極に附与すべき電圧を上記例も含めて高く
しなければならず、それに伴つて受像管のステム
部での放電を防止し、受像管の信頼性を確保する
のに特別の工夫を施す必要があり、更に経済性を
低下させることになる。
には電極に附与すべき電圧を上記例も含めて高く
しなければならず、それに伴つて受像管のステム
部での放電を防止し、受像管の信頼性を確保する
のに特別の工夫を施す必要があり、更に経済性を
低下させることになる。
この解決法の一つとして電子銃構体の所望の電
極の陽極電圧を抵抗分割により附与し、ステム部
にはあまり高電圧が印加されないような構造とし
て、例えば実開昭48−21561号公報などに記載さ
れている電子銃構体があるが、一般に独立した抵
抗器を電子銃構体とネツク間に配設する空間がな
く、もしもこの空間を大きくするためにはネツク
を太くしたり、電子銃構体を小型にしなければな
らない。また例え空間余裕があつても、ここに挿
入される抵抗器の許容負荷が小さくなり実用的で
ない。
極の陽極電圧を抵抗分割により附与し、ステム部
にはあまり高電圧が印加されないような構造とし
て、例えば実開昭48−21561号公報などに記載さ
れている電子銃構体があるが、一般に独立した抵
抗器を電子銃構体とネツク間に配設する空間がな
く、もしもこの空間を大きくするためにはネツク
を太くしたり、電子銃構体を小型にしなければな
らない。また例え空間余裕があつても、ここに挿
入される抵抗器の許容負荷が小さくなり実用的で
ない。
また他の方法として電子銃構体の一部である絶
縁支持体の所定部に抵抗物質からなる膜状抵抗層
を形成し、陽極電圧をこの膜状抵抗層を介して次
第に分割して、例えば25KVの陽極電圧を数KV、
数100Vなどにして所定電極に印加してステム部
では高い電圧とならないように形成した電子銃構
体もあるが、これも膜状抵抗層の許容負荷が小さ
く実用的でない。
縁支持体の所定部に抵抗物質からなる膜状抵抗層
を形成し、陽極電圧をこの膜状抵抗層を介して次
第に分割して、例えば25KVの陽極電圧を数KV、
数100Vなどにして所定電極に印加してステム部
では高い電圧とならないように形成した電子銃構
体もあるが、これも膜状抵抗層の許容負荷が小さ
く実用的でない。
前述した欠点を除去するため、発明者らは、複
数個の電極と、これら電極を支持する支持構体か
らなる電子銃構体の少なくとも１個の支持構体を
抵抗体とし、この抵抗体を介して複数個の電極の
うち、所定電極に陽極電圧を分割比によつて印加
するような電子銃構体を出願したが、この様な構
造にした場合、陽極電圧を分割比によつて印加す
る必要のない電極にも抵抗体を介して陽極から不
所望な電流が流入し、陽極電圧を分割比によつて
印加した電極電位を乱す問題があることを見出し
た。
数個の電極と、これら電極を支持する支持構体か
らなる電子銃構体の少なくとも１個の支持構体を
抵抗体とし、この抵抗体を介して複数個の電極の
うち、所定電極に陽極電圧を分割比によつて印加
するような電子銃構体を出願したが、この様な構
造にした場合、陽極電圧を分割比によつて印加す
る必要のない電極にも抵抗体を介して陽極から不
所望な電流が流入し、陽極電圧を分割比によつて
印加した電極電位を乱す問題があることを見出し
た。
本発明は前述した従来の欠点及び先願の問題点
に鑑みなされたものであり、陽極電圧を所定電極
に効果的に分割比によつて印加することが可能な
電子銃構体を提供することを目的としている。
に鑑みなされたものであり、陽極電圧を所定電極
に効果的に分割比によつて印加することが可能な
電子銃構体を提供することを目的としている。
次に本発明の電子銃構体の一実施例を第１図乃
至第３図によつて説明する。
至第３図によつて説明する。
即ち、図において、電子銃構体１は１対の支持
構体２１，２２にそれぞれ植設部を介して、図示
しないヒータを内装する１列配設された３個の陰
極３，４，５、第１グリツド６、第２グリツド
７、第３グリツド８、第４グリツド９、第５グリ
ツド１０、第６グリツド１１及びコンバーゼンス
電極１２よりなり、コンバーゼンス電極１２及び
第６グリツド１１にはネツク１３内壁の導電膜１
４によりスプリング１５を介して約25KVの電圧
が印加され、第５グリツド１０及びこの電極１０
にリード線１６により接続された第３グリツド８
には約7KV、第４グリツド９には約500Vが印加
されるようになつており、前記第３グリツド８、
第４グリツド９及び第５グリツド１０により補助
電子レンズとしてのユニポテンシヤルレンズが形
成され、第５グリツド１０と第６グリツド１１に
より主電子レンズとしてのバイポテンシヤルレン
ズが形成され、この２個の電子レンズにより図示
しない螢光面上の電子ビームの焦点を極めて小さ
くするようになされた複合形主レンズ系を有する
インライン形１体構造の電子銃構体であるが、本
実施例に於ては第３グリツド８、第４グリツド
９、第５グリツド１０及び第６グリツド１１の各
電極に印加される電圧を次のようにして陽極電圧
から分割比によつて印加するようにしている。
構体２１，２２にそれぞれ植設部を介して、図示
しないヒータを内装する１列配設された３個の陰
極３，４，５、第１グリツド６、第２グリツド
７、第３グリツド８、第４グリツド９、第５グリ
ツド１０、第６グリツド１１及びコンバーゼンス
電極１２よりなり、コンバーゼンス電極１２及び
第６グリツド１１にはネツク１３内壁の導電膜１
４によりスプリング１５を介して約25KVの電圧
が印加され、第５グリツド１０及びこの電極１０
にリード線１６により接続された第３グリツド８
には約7KV、第４グリツド９には約500Vが印加
されるようになつており、前記第３グリツド８、
第４グリツド９及び第５グリツド１０により補助
電子レンズとしてのユニポテンシヤルレンズが形
成され、第５グリツド１０と第６グリツド１１に
より主電子レンズとしてのバイポテンシヤルレン
ズが形成され、この２個の電子レンズにより図示
しない螢光面上の電子ビームの焦点を極めて小さ
くするようになされた複合形主レンズ系を有する
インライン形１体構造の電子銃構体であるが、本
実施例に於ては第３グリツド８、第４グリツド
９、第５グリツド１０及び第６グリツド１１の各
電極に印加される電圧を次のようにして陽極電圧
から分割比によつて印加するようにしている。
即ち、支持構体２１，２２のうち、少なくとも
１個の支持構体、例えば支持構体２２を第２図に
示す様に、抵抗体２ａ及び、この抵抗体２ａに被
着形成された絶縁部材層２ｂとから形成し、第３
グリツド８、第４グリツド９、第５グリツド１０
及び第６グリツド１１の各植設部８１，９１，１
０１，１１１近傍に於ては第３図に示すように絶
縁部材層２ｂを被着せずにそれぞれ開口部８２，
９２，１０２，１１２を形成し、他の電極、即ち
第１グリツド６及び第２グリツド７の植設部６
１，７１を植設する位置に於ては絶縁部材層２ｂ
を残し、この絶縁部材層２ｂを介して植設するよ
うにしている。
１個の支持構体、例えば支持構体２２を第２図に
示す様に、抵抗体２ａ及び、この抵抗体２ａに被
着形成された絶縁部材層２ｂとから形成し、第３
グリツド８、第４グリツド９、第５グリツド１０
及び第６グリツド１１の各植設部８１，９１，１
０１，１１１近傍に於ては第３図に示すように絶
縁部材層２ｂを被着せずにそれぞれ開口部８２，
９２，１０２，１１２を形成し、他の電極、即ち
第１グリツド６及び第２グリツド７の植設部６
１，７１を植設する位置に於ては絶縁部材層２ｂ
を残し、この絶縁部材層２ｂを介して植設するよ
うにしている。
この様な構造にすることにより、所定電極であ
る第３グリツド８、第４グリツド９、第５グリツ
ド１０及び第６グリツド１１の各植設部８１，９
１，１０１，１１１は直接開口部８２，９２，１
０２，１１２を介して抵抗体２ａに植設すること
が可能であり、更に抵抗体２ａの全面は絶縁部材
層２ｂ被覆されているので植設部間のスパークも
消滅させることができる。本実施例の電子銃構体
に対してスプリング１５に印加される約25KVの
高電圧は、そのまま第６グリツド１１に印加さ
れ、例えば第４グリツド９にリード線１７、ステ
ムリード１８を介して外部電源１９より約500V
を印加すると、各電極の植設部８１，９１，１０
１，１１１間の抵抗体２ａの間隔により約25KV
の高電圧は分割比によつて第３グリツド８、第５
グリツド１０に約7KVが印加されることになる
が、この場合第１グリツド６及び第２グリツド７
の植設部６１，７１は絶縁部材層２ｂに植設され
ているので抵抗体２ａからの不所望な電流の流入
がない。
る第３グリツド８、第４グリツド９、第５グリツ
ド１０及び第６グリツド１１の各植設部８１，９
１，１０１，１１１は直接開口部８２，９２，１
０２，１１２を介して抵抗体２ａに植設すること
が可能であり、更に抵抗体２ａの全面は絶縁部材
層２ｂ被覆されているので植設部間のスパークも
消滅させることができる。本実施例の電子銃構体
に対してスプリング１５に印加される約25KVの
高電圧は、そのまま第６グリツド１１に印加さ
れ、例えば第４グリツド９にリード線１７、ステ
ムリード１８を介して外部電源１９より約500V
を印加すると、各電極の植設部８１，９１，１０
１，１１１間の抵抗体２ａの間隔により約25KV
の高電圧は分割比によつて第３グリツド８、第５
グリツド１０に約7KVが印加されることになる
が、この場合第１グリツド６及び第２グリツド７
の植設部６１，７１は絶縁部材層２ｂに植設され
ているので抵抗体２ａからの不所望な電流の流入
がない。
前述した抵抗体２ａとしては、例えば96％シリ
カガラスにFe2O3、MnO2、V2O5またはCu2Oなど
の遷移金属酸化物を混在させたガラス抵抗体など
が適しているが、これに限定されるものではなく
被着形成する絶縁部材層２ｂもガラスに限定され
るものではない。また本実施例に於ては絶縁部材
層２ｂの厚さを0.1mm厚さ程度にしたが、この絶
縁部材層２ｂの厚さは支持構体２２の厚さとして
許される限り厚くすることもできるし、また逆に
第１グリツド６、第２グリツド７などを抵抗体２
ａから絶縁することができ、さらに電極の植設部
間にスパークを消滅させることが可能であればさ
らに薄くすることも可能である。
カガラスにFe2O3、MnO2、V2O5またはCu2Oなど
の遷移金属酸化物を混在させたガラス抵抗体など
が適しているが、これに限定されるものではなく
被着形成する絶縁部材層２ｂもガラスに限定され
るものではない。また本実施例に於ては絶縁部材
層２ｂの厚さを0.1mm厚さ程度にしたが、この絶
縁部材層２ｂの厚さは支持構体２２の厚さとして
許される限り厚くすることもできるし、また逆に
第１グリツド６、第２グリツド７などを抵抗体２
ａから絶縁することができ、さらに電極の植設部
間にスパークを消滅させることが可能であればさ
らに薄くすることも可能である。
前記実施例はユニポテンシヤルレンズとバイポ
テンシヤルレンズとの複合主レンズ系を有する電
子銃構体について述べたが、これは単なる一実施
例であり、普通のユニポテンシヤル形、バイポテ
ンシヤル形などの電極構成を有する電子銃構体に
もそのまま適用出来ることは勿論である。
テンシヤルレンズとの複合主レンズ系を有する電
子銃構体について述べたが、これは単なる一実施
例であり、普通のユニポテンシヤル形、バイポテ
ンシヤル形などの電極構成を有する電子銃構体に
もそのまま適用出来ることは勿論である。
上述のように本発明の電子銃構体は電極間、特
に植設部間のスパークを消滅させることができる
と共に、更に陽極電圧の分割比による電圧を必要
としない電極を抵抗体より絶縁することが可能で
あり、極めて特性の良好な電子銃構体を得ること
が出来るので、その工業的価値は極めて大であ
る。
に植設部間のスパークを消滅させることができる
と共に、更に陽極電圧の分割比による電圧を必要
としない電極を抵抗体より絶縁することが可能で
あり、極めて特性の良好な電子銃構体を得ること
が出来るので、その工業的価値は極めて大であ
る。
第１図は本発明の電子銃構体の一実施例をネツ
ク内に装着した状態をを示す説明用断面図、第２
図は第１図の要部拡大説明用断面図、第３図は支
持構体を示す図であり、ａ図は斜視図、ｂ図はａ
図をＹ−Y′方向に切断して見た断面図、ｃ図は
ａ図をＸ−Y′方向に切断して見た断面図であ
る。 ２１，２２……支持構体、２ａ……抵抗体、２
ｂ……絶縁部材層、３，４，５……陰極、６……
第１グリツド、７……第２グリツド、８……第３
グリツド、９……第４グリツド、１０……第５グ
リツド、１１……第６グリツド、１２……コンバ
ーゼンス電極、１３……ネツク、１４……導電
膜。
ク内に装着した状態をを示す説明用断面図、第２
図は第１図の要部拡大説明用断面図、第３図は支
持構体を示す図であり、ａ図は斜視図、ｂ図はａ
図をＹ−Y′方向に切断して見た断面図、ｃ図は
ａ図をＸ−Y′方向に切断して見た断面図であ
る。 ２１，２２……支持構体、２ａ……抵抗体、２
ｂ……絶縁部材層、３，４，５……陰極、６……
第１グリツド、７……第２グリツド、８……第３
グリツド、９……第４グリツド、１０……第５グ
リツド、１１……第６グリツド、１２……コンバ
ーゼンス電極、１３……ネツク、１４……導電
膜。
Claims (1)
- １ 複数個の電極と、これら電極を支持する支持
構体とからなり、この支持構体の少なくとも１個
が抵抗体であつて、この抵抗体により、前記複数
個の電極の内の所定電極に陽極電圧を分割比によ
つて印加するようになされた電子銃構体に於て、
前記抵抗体の前記所定電極が植設される植設部近
傍を除く部分に所定厚の絶縁部材層が被着形成さ
れていることを特徴とする電子銃構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12689779A JPS5652851A (en) | 1979-10-03 | 1979-10-03 | Electron gun structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12689779A JPS5652851A (en) | 1979-10-03 | 1979-10-03 | Electron gun structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5652851A JPS5652851A (en) | 1981-05-12 |
| JPS6220659B2 true JPS6220659B2 (ja) | 1987-05-08 |
Family
ID=14946575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12689779A Granted JPS5652851A (en) | 1979-10-03 | 1979-10-03 | Electron gun structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5652851A (ja) |
-
1979
- 1979-10-03 JP JP12689779A patent/JPS5652851A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5652851A (en) | 1981-05-12 |
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