JPS6375782A - アクテイブマトリツクス型表示パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 本発明は、画素対応にマトリックス状に配列されたトラ
ンジスタ素子の、ゲート電極とドレイン電極を導出する
行９列方向に配列された２組のバスラインのうち、行２
列方向における配列ピッチの広い方向に導出する第１の
バスライン（ゲートまたはドレイン）を、配列ピッチの
狭い方向に導出する第２のバスライン（ドレインまたは
ゲートバスライン）の上側を通って交叉するように形成
した。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、アクティブマトリックス型表示パネルに係り
、特に線欠陥を減少させ得る薄ＩＱ　）ランジスタマト
リックスの構造に関する。

〔従来の技術〕

薄膜トランジスタをマトリックス配列したアクティブマ
トリックス型の表示パネルでは、マトリックスを無欠陥
で形成する必要がある。欠陥は大別してバスライン開放
とバスライン短絡があるが、高精細インライン型のカラ
ー表示パネルでは、ドレインバスの数が多くなるため、
欠陥率が大きくなるという問題がある。

薄膜トランジスタ形成工程においてドレインバスライン
を断線させることな（形成するには、下地の影響を受け
ないように、最初にバターニングすることと、完全な二
重構造のバスラインにすることが必要である。

従来の形成方法を第４図及び第５図により説明する。第
４図（ａｌ〜（ｄ）は従来の形成方法を製造工程の順に
示す平面図、第５図は第４図（ｄｌのＡ−Ａ矢視部断面
図である。

薄膜トランジスタマトリックスを形成するにはまず、第
４図（ａｌに見られるように、ガラス基板ＢＰ上にゲー
ト電極１及びこれを連結するゲートバスライン１゛を形
成する。

次いで、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン（ＳｉＮ
＋）膜１１とアモルファスシリコン（ａ　−３ｉ）層１
２〔第５図参照〕を積層形成し、上記ａ　−５ｉ層１２
表面に燐（Ｐ　）等をドーピングしてオーミックコンタ
クト層となる低抵抗層（図示せず）を形成し、次いで第
４図（ｂ）に見られるように、例えばチタン（↑１）層
及びアルミニウム（＾ｌ）等からなるドレイン電極とこ
れから導出されるドレインバスライン（以下単に下層ド
レインバスラインと略記する）２、及びソース電極２”
を形成する。

上記ドレインバスライン２はゲートバスライン１゛の上
方にそれと直交する方向に形成されるため、その交叉部
で切断され、両者が短絡しないようにされている。

次いで同図（Ｃ１に見られるように、ポリイミド等から
なる眉間絶縁膜３を形成し、次いでその上に同図１ｄ）
に見られる如く、上層のドレインバスライン４を形成し
て、第５図に見られる如き断面構造を有する薄膜トラン
ジスタマトリックスが形成される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記従来の形成方法では、第４図Ｔｂｌに示す下層ドレ
インバスライン２の形成時に、下地の窒化シリコン膜１
１及びａ　−５ｉＮ１２等による凹凸の影響を受け、そ
の肩部においてバターニング時に断線不良が生じやすい
。また同図ｔｄ）において、上層ドレインバスライン４
を形成する際に、ゲートバスライン１′　との交叉部は
、第５図に示すようにドレインバスが二重構造とならず
、この部分で上述の断線が生じた場合には代替経路が存
在しないため表示欠陥を生じ、パネル全体が不良となっ
てしまう。

このようにドレインバスが完全な二重構造とならないの
は、従来はゲートバスラインがガラス基板面を横断する
ように形成されていたため、これと同一平面上で交叉す
る下層ドレインバスラインは、上記ゲートバスラインの
交叉部分で切断せざるを得す、その結果上層ドレインバ
スラインはその分離された下層ドレインバスライン間を
接続しなければならないためであった。　　　　゛−一
方ラー液晶パネルは、第６図に示すように、一つの画素
２１がＲ，Ｇ、Ｂの三色で構成され、それら個々に薄膜
トランジスタが配設されるので、ドレインバスライン２
２の数はゲートバスライン２３の数に比べて格段に多く
、ドレインバスライン２２の配列ピッチは狭くなる。そ
のため、ゲートバスライン２３には両端に端子部２４を
設けることができるのに対し、ドレインバスライン２２
にはいずれか一方にのみ端子部が設けられる。従ってゲ
ートバスライン２３は両端から電圧が供給できるので、
たとえ断線があってもそれが１個所であれば実際の使用
に支障は生じない。これに対し、ドレインハスライン２
２には一方端からしか電圧が供給されないため、断線は
一切許容されない。

ところが上述のように従来の構造では、配列ピッチの狭
い方向に導出するドレインバスライン２２は部分的に一
重構造となり、しかもこの部分は下地の凹凸のために断
線しやすいという問題があり、特にカラー表示化に際し
ては大きな問題となる。

そこで本発明は、配列ピッチの狭い方向に導出するバス
ラインを欠陥のない構造となし得るアクティブマトリッ
クス型表示パネルを提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は本発明において、配列ピンチの広い方向に導
出する第１のバスラインを、配列ピッチの狭い方向に導
出する第２のバスラインの上側を通って交叉する構造と
したことにより達成される。

〔作　用〕

上記配列ピッチの広い方向に導出する第１のバスライン
、例えばゲートバスラインは、配列ピッチの狭い方向に
導出される第２のバスライン、例えばドレインバスライ
ンの上側を通って交叉するので、第１のバスラインは両
者の交叉部で第２のバスライン上を跨ぐ構造となるが、
これには前述のように端子部をバスラインの両端に設け
ることができるので、断線が１箇所であれば、問題はな
い。端子部を片側にのみ配設される第２のバスラインは
、両者の交叉部で下側を通る構造としたので、平坦な基
板表面に直接形成することが可能となり、従って断線等
の危険なく形成できる。

〔実　施　例〕

以下本発明の一実施例を第１図〜第３図により説明する
。

第１図は本発明の一実施例の構造を示す要部断面図、第
２図（ａｌ〜（ｄ）は上記一実施例を製造工程の順に示
す要部平面図である。

本実施例ではゲートバスラインを第１のバスライン（配
列ピッチが広い）３１．ドレインバスラインを第２のバ
スライン（配列ピッチが狭い）３２とする例を説明する
。

まず第２図（ａｌと第１図に示すように、透明絶縁性基
板２例えばガラス基板ＢＰ上にチタン（Ｔｉ）のような
金属を選択的に被着させて、下層ドレインバスライン５
及び下層ゲートバスライン（ゲート電極６゛を含む）６
を形成する。第３図はそのパターンの要部を示す図で、
上記２つのバスライン５，６のうち、下層ドレインバス
ライン５は、図の上下方向に連結してガラス基板面を縦
断するよう形成されているのに対し、これに直交する方
向に配設されるゲートバスライン６は、両者の交叉部で
分離されたパターンに形成されている。

なお上記２つのバスライン５．６の端部には、前述した
ように端子部が設けられるが、カラー表示パネルの場合
、配列ピッチが広いゲートバスライン５には、端子部６
″がライン両端に設けられ、配列ピッチが狭いドレイン
バスライン６には、端子部５°がライン一端にのみ設け
られる。

次いで上記下層ドレインバスライン５上にプラズマＣＶ
Ｄ法により、窒化シリコン（Ｓｉ！ｂ）層１１及びその
上にアモルファス・シリコン（ａ−３ｉ）層１２を選択
的に形成〔第１図即ち第２図（ｄｌのＢ−Ｂ矢視部断面
図参照コし、その後第２図（ｂ）に示すように、下層ド
レインバスライン５の真上に上層ドレインバスライン（
ドレイン電極７′を含む）７及びソース電極７“を形成
する。

次いで同図（Ｃ１に見られるように、ポリイミド樹脂の
ような層間絶縁膜８を回転塗布法により形成し、これに
コンタクトホール９．及び上層ドレインハスライ７７、
ａ−５ｉ層１２＋　　Ｓ　ｉ　Ｎ　３層１１を有して下
層ドレインバスライン５に連なるコンタクトホール９°
を開口する。

次いで同図（ｄ）に示すように、下層ゲートバスライン
６の真上に上層ゲートバスライン１０、コンタクトホー
ル９°に上層及び下層ドレインバスライン５，７を接続
するコンタクトメタル層１３を形成する。

以上により第１図に示すような断面構造を有する薄膜ト
ランジスタマトリックスが完成する。

本実施例の薄膜トランジスタマトリックスは、以上の説
明により明らかなように、配列ピッチが狭いドレインバ
ス３１は平坦なガラス基板ＢＰ上に直接形成できるので
、上層及び下層のドレインバスライン５及び７からなる
完全な二重構造とすることができ、従って断線の危険は
きわめて少ない。

一方配列ピンチが広いゲートバスライン３２は、交叉部
で下層ゲートバスライン６を橋絡する単層構造となるが
、前述したようにバスラインの両端に端子部６゛を有す
るので、たとえ断線が一個所生じても表示欠陥を生じる
ことはない。従って本実施例によればバスラインの断線
による表示欠陥の発生が著しく減少する。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、バスライン断線
による表示欠陥の発生を低減できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明一実施例断面構造説明図、第２図は上記
一実施例の工程説明図、 第３図は上記一実施例のパターン説明図、第４図は従来
の薄膜トランジスタマトリックスの形成方法説明図、 第５図は第４図（ｄ）のＡ−Ａ矢視部の断面図、第６図
は高精細カラー液晶パネルに設けられたバスラインの配
設状況説明図である。 図において、ＢＰはガラス基板、５は下層ドレインバス
ライン、６は下層ゲートバスライン、７は上層ドレイン
バスライン、７゛　はソース電極、８は層間絶縁膜、９
はコンタクトホール、１０は上層ゲートバスライン、３
１．３２はそれぞれ第１及び第２のバスラインを示す。 写）η第２／）バ′スライン ；午−（１至１日１１−実ス蔭乏イヶ」斬６１う１１４
呵Ｃぎ」１シａロ目［２コ第１図 才４図のＡ−Ａ犬′ｆｌ帥覇−命ｍ 第５図 第２図 ントｊｔト萌−ゾデメ１叫イルｒｙ７−＞鉗口ＪＴＩＸ
Ｉ第３図 ト２ ７Ｌす・、７ス／Ｉ形へ°方法 第４図 第６図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 画素対応のトランジスタ素子をマトリックス状に配列し
   、各素子のゲート電極とドレイン電極を行、列方向のバ
   スラインを通して導出してなる表示用アクティブマトリ
   ックス型パネルにおいて、前記各素子の行、列方向にお
   ける配列ピッチの広い方向に導出する第１のバスライン
   （３１）を、配列方向ピッチの狭い方向に導出する第２
   のバスライン（３２）の上側を通って交叉するように形
   成したことを特徴とするアクティブマトリックス型表示
   パネル。