JPS6376336A - マイクロ波アニ−ル装置 - Google Patents
マイクロ波アニ−ル装置Info
- Publication number
- JPS6376336A JPS6376336A JP22041486A JP22041486A JPS6376336A JP S6376336 A JPS6376336 A JP S6376336A JP 22041486 A JP22041486 A JP 22041486A JP 22041486 A JP22041486 A JP 22041486A JP S6376336 A JPS6376336 A JP S6376336A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- wall
- treatment chamber
- processing chamber
- treated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
マイクロ波アニール装置において、処理室内壁で反射し
たマイクロ波の２次的照射によるアニールの均一性、制
御性の劣化の問題を解決するため、処理室内壁にマイク
ロ波吸収体を設け、マイクロ波の反射を防止し、被処理
体に照射するマイクロ波を限定するようにしたマイクロ
波アニール装置を提起する。
たマイクロ波の２次的照射によるアニールの均一性、制
御性の劣化の問題を解決するため、処理室内壁にマイク
ロ波吸収体を設け、マイクロ波の反射を防止し、被処理
体に照射するマイクロ波を限定するようにしたマイクロ
波アニール装置を提起する。
本発明は均一性、制御性を改善したマイクロ波アニール
装置の構造に関する。
装置の構造に関する。
半導体装置の高速化、高集積化にともない、素子寸法の
微細化は強、！、要求されている。そのために、パター
ンの微細化と同時に浅い接合の形成が要求される。
微細化は強、！、要求されている。そのために、パター
ンの微細化と同時に浅い接合の形成が要求される。
そのために、マイクロ波アニール装置を半導体結晶中に
注入されたイオンの活性化に利用すると、注入イオンの
再拡散を抑え、かつ局所加熱が可能であるため、極めて
有効である。
注入されたイオンの活性化に利用すると、注入イオンの
再拡散を抑え、かつ局所加熱が可能であるため、極めて
有効である。
この場合、均一な浅い接合を形成するためには、マイク
ロ波の被処理体への照射の均一性と制御性が重要である
。
ロ波の被処理体への照射の均一性と制御性が重要である
。
第２図は従来例のマイクロ波アニール装置の模武断面図
である。
である。
図において、マイクロ波発振管により発生したマイクロ
波を導波管により導き、ホーン２を介して処理室１内の
台５上に置かれた被処理体６にマイクロ波３を照射して
いる。
波を導波管により導き、ホーン２を介して処理室１内の
台５上に置かれた被処理体６にマイクロ波３を照射して
いる。
均一なマイクロ波を被処理体６に照射するために、被処
理体６を移動する方法（図中、矢印は移動方向を示す）
がとられる場合があるが、このような方法でも、ホーン
２から出て発散したマイクロ波４は処理室１の内壁で反
射を繰り返し、被処理体６に対しランダムな照射となる
ため、移動の効果が少ない。
理体６を移動する方法（図中、矢印は移動方向を示す）
がとられる場合があるが、このような方法でも、ホーン
２から出て発散したマイクロ波４は処理室１の内壁で反
射を繰り返し、被処理体６に対しランダムな照射となる
ため、移動の効果が少ない。
従来のマイクロ波アニール装＝の処理室は金属製が一般
的であり、ホーンから出て発敗したマイクロ波は処理室
内壁で反射を繰り返し、被処理体にランダムに照射され
る。
的であり、ホーンから出て発敗したマイクロ波は処理室
内壁で反射を繰り返し、被処理体にランダムに照射され
る。
また、被処理体を移動した場合でも、移動した位置にお
いて前と違った反射波がランダムに照射されることにな
り、被処理体を移動した効果がなく、照射の均一性と制
御性はわるい。
いて前と違った反射波がランダムに照射されることにな
り、被処理体を移動した効果がなく、照射の均一性と制
御性はわるい。
上記問題点の解決は、内壁をマイクロ波吸収体で覆い、
かつ外壁に冷却手段を設けた処理室と、該処理室にマイ
クロ波を導入する手段とを有し、該処理室内に導入され
たマイクロ波により、該処理室内に置かれた被処理体の
アニールを行うようにした本発明によるマイクロ波アニ
ール装置により達成される。
かつ外壁に冷却手段を設けた処理室と、該処理室にマイ
クロ波を導入する手段とを有し、該処理室内に導入され
たマイクロ波により、該処理室内に置かれた被処理体の
アニールを行うようにした本発明によるマイクロ波アニ
ール装置により達成される。
本発明はつぎの２つの作用により、アニールの均一性と
制御性を向上したものである。
制御性を向上したものである。
■ 処理室内壁はマイクロ波を吸収する吸収体（誘電率
の大きい物質）で覆われているため、ホーンから出て発
散したマイクロ波は処理室内壁で吸収される。
の大きい物質）で覆われているため、ホーンから出て発
散したマイクロ波は処理室内壁で吸収される。
■ マイクロ波吸収によって発生した熱は外壁に密着し
て設けられた冷却水を流す冷却管等の冷却手段によって
取り除かれ、装置全体の温度上昇を防止している。
て設けられた冷却水を流す冷却管等の冷却手段によって
取り除かれ、装置全体の温度上昇を防止している。
第１図は本発明のマイクロ波アニール装置の模式断面図
である。
である。
図において、アルミニウム、（＾１）？！の処理室１の
内壁をマイクロ波吸収体として、例えば炭化珪素（Ｓｉ
Ｃ）板７で覆う。
内壁をマイクロ波吸収体として、例えば炭化珪素（Ｓｉ
Ｃ）板７で覆う。
処理室１の外壁に冷却管として洞（Ｃｕ）管を設け、冷
却水を流す。
却水を流す。
マイクロ波発振管により発生した波長２．４５ＧＨｚの
マイクロ波を真波管により導き、へ１製のホーン２を介
して処理室１内の、ＳｉＣをコートしたカーボン製の台
５上に置かれたＳｉウェハ等の被処理体６にマイクロ波
３を照射し、所期のアニールを行う。
マイクロ波を真波管により導き、へ１製のホーン２を介
して処理室１内の、ＳｉＣをコートしたカーボン製の台
５上に置かれたＳｉウェハ等の被処理体６にマイクロ波
３を照射し、所期のアニールを行う。
この場合のマイクロ波電力は６００〜２０００ Ｗ程度
である。
である。
なお、図中ではマイクロ波発振管、および処理室へマイ
クロ波を導く導波管は省略する。
クロ波を導く導波管は省略する。
他方、被処理体６に照射しないで発散したマイクロ波４
は処理室１の内壁を照射するが、内壁を覆うＳｉＣ板７
に吸収される。
は処理室１の内壁を照射するが、内壁を覆うＳｉＣ板７
に吸収される。
また、マイクロ波の吸収によってＳｉＣ仮７は発熱する
が、処理室外壁に設けられた冷却水を流す冷却管８によ
り冷却される。
が、処理室外壁に設けられた冷却水を流す冷却管８によ
り冷却される。
このようにして、均一なマイクロ波を被処理体に照射す
ることができる。
ることができる。
実施例では、マイクロ波吸収体としてＳｉＣを用いたが
、これの代わりにその他の誘電率の大きい物質を用いて
も同様の効果が得られる。
、これの代わりにその他の誘電率の大きい物質を用いて
も同様の効果が得られる。
以上説明したように本発明によれば、ホーンより発敗し
処理室内壁に照射するマイクロ波の反射を防止でき、被
処理体に照射するマイクロ波の限定が行えることから、
マイクロ波電力と照射時間の高精度制御が可能となる。
処理室内壁に照射するマイクロ波の反射を防止でき、被
処理体に照射するマイクロ波の限定が行えることから、
マイクロ波電力と照射時間の高精度制御が可能となる。
また、被処理体を従来例のように移動することによりさ
らに均一な照射も可能となる。
らに均一な照射も可能となる。
第１図は本発明のマイクロ波アニール装置の模式断面図
、 第２図は従来例のマイクロ波アニール装置の模式断面図
である。 図において、 ■は処理室、 ２はホーン、 ３は被処理体に照射するマイクロ波、 ４は処理室の内壁に照射するマイクロ波、５は台、 ６は被処理体、 ７はマイクロ波吸収体でＳｉＣ板、 ８は冷却管 ５冶 木全日耳ｆ）耐雨図 第１ 困
、 第２図は従来例のマイクロ波アニール装置の模式断面図
である。 図において、 ■は処理室、 ２はホーン、 ３は被処理体に照射するマイクロ波、 ４は処理室の内壁に照射するマイクロ波、５は台、 ６は被処理体、 ７はマイクロ波吸収体でＳｉＣ板、 ８は冷却管 ５冶 木全日耳ｆ）耐雨図 第１ 困
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 内壁をマイクロ波吸収体で覆い、かつ外壁に冷却手段を
設けた処理室と、該処理室にマイクロ波を導入する手段
とを有し、 該処理室内に導入されたマイクロ波により、該処理室内
に置かれた被処理体のアニールを行うようにしたことを
特徴とするマイクロ波アニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22041486A JPS6376336A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | マイクロ波アニ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22041486A JPS6376336A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | マイクロ波アニ−ル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376336A true JPS6376336A (ja) | 1988-04-06 |
Family
ID=16750739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22041486A Pending JPS6376336A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | マイクロ波アニ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6376336A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000000311A1 (en) * | 1998-06-26 | 2000-01-06 | Hpm Stadco, Inc. | Microwave processing system for metals |
| US6078035A (en) * | 1995-12-22 | 2000-06-20 | Lucent Technologies Inc. | Integrated circuit processing utilizing microwave radiation |
| JP2012109528A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-06-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP22041486A patent/JPS6376336A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6078035A (en) * | 1995-12-22 | 2000-06-20 | Lucent Technologies Inc. | Integrated circuit processing utilizing microwave radiation |
| WO2000000311A1 (en) * | 1998-06-26 | 2000-01-06 | Hpm Stadco, Inc. | Microwave processing system for metals |
| JP2012109528A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-06-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| US8557720B2 (en) | 2010-10-28 | 2013-10-15 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Substrate processing apparatus and method of manufacturing a semiconductor device |
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