JPS6376355A - 半導体装置用容器 - Google Patents
半導体装置用容器Info
- Publication number
- JPS6376355A JPS6376355A JP61221296A JP22129686A JPS6376355A JP S6376355 A JPS6376355 A JP S6376355A JP 61221296 A JP61221296 A JP 61221296A JP 22129686 A JP22129686 A JP 22129686A JP S6376355 A JPS6376355 A JP S6376355A
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- JP
- Japan
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- insulating substrate
- transistor
- container
- insulating material
- conductor layer
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用容器に関し、特に超高周波用トラ
ンジスタを搭載して収容するための半導体装置用容器に
関する。
ンジスタを搭載して収容するための半導体装置用容器に
関する。
従来の半導体装置用容器のうち、容器の内部に整合用コ
ンデンサ等を含んで超高周波用トランジスタを搭載する
ための容器は、第４図に例示するような構造のものが用
いられている。第４図は、超高周波電力用トランジスタ
と整合用コンデンサとを搭載して収容した半導体装置用
容器の斜視図である。
ンデンサ等を含んで超高周波用トランジスタを搭載する
ための容器は、第４図に例示するような構造のものが用
いられている。第４図は、超高周波電力用トランジスタ
と整合用コンデンサとを搭載して収容した半導体装置用
容器の斜視図である。
一般に超高周波トランジスタでは、外部線路（一般には
５０Ω）との整合をとって使用するが、不整合による損
失を少なくするために、可能な限りトランジスタの近く
で整合をとることが必要であり、このため第４図に例示
するように、同一の容器内に整合用コンデンサ８とトラ
ンジスタ７とを搭載するような構成としている。また接
地インダクタンスを低減するため、トランジスタのエミ
ッタの配線用金属１９の細線は、同一エミッタ電極につ
いて複数本を接続している。このため、ブリッジ用金属
１０を容器内にろう付等の手段を用いて取付けている。
５０Ω）との整合をとって使用するが、不整合による損
失を少なくするために、可能な限りトランジスタの近く
で整合をとることが必要であり、このため第４図に例示
するように、同一の容器内に整合用コンデンサ８とトラ
ンジスタ７とを搭載するような構成としている。また接
地インダクタンスを低減するため、トランジスタのエミ
ッタの配線用金属１９の細線は、同一エミッタ電極につ
いて複数本を接続している。このため、ブリッジ用金属
１０を容器内にろう付等の手段を用いて取付けている。
従来の超高周波トランジスタを搭載するための半導体装
置用容器は、上述のように金属ブリッジ１０を絶縁基板
１１にろう付等で固着しているため、信号導入用メタラ
イズ層との間に空間を設けて絶縁する必要があり、この
ためある程度の金属ブリッジ１０の高さく１朋程度）が
必要である。
置用容器は、上述のように金属ブリッジ１０を絶縁基板
１１にろう付等で固着しているため、信号導入用メタラ
イズ層との間に空間を設けて絶縁する必要があり、この
ためある程度の金属ブリッジ１０の高さく１朋程度）が
必要である。
更に金属ブリッジ１０の機械的強度を保つためにも、そ
の形状も大きくする必要がある。従って従来の半導体装
置用容器は、その形状が大きくなり、また製造コストも
高くなるという欠点がある。
の形状も大きくする必要がある。従って従来の半導体装
置用容器は、その形状が大きくなり、また製造コストも
高くなるという欠点がある。
本発明の目的は、上述のような従来の半導体装置用容器
の欠点を除去して、形状が小さくまた製造コストを低減
できる半導体装置用容器を提供することにある。
の欠点を除去して、形状が小さくまた製造コストを低減
できる半導体装置用容器を提供することにある。
本発明の半導体装置用容器は、電子部品搭載部と前記電
子部品搭載部に搭載した電子部品間の接続を行うための
信号導入用導体層とを上面に有しかつ上面または下面に
第一の接地用導体層を有する絶縁基板と、上面に第二の
接地用導体層を有し前記絶縁基板上に載置された絶縁体
とを備え、前記第一および第二の接地用導体層を電気的
に接続して構成される。
子部品搭載部に搭載した電子部品間の接続を行うための
信号導入用導体層とを上面に有しかつ上面または下面に
第一の接地用導体層を有する絶縁基板と、上面に第二の
接地用導体層を有し前記絶縁基板上に載置された絶縁体
とを備え、前記第一および第二の接地用導体層を電気的
に接続して構成される。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）および（ｂ）は本発明の第一の実施例の平
面図および側面図である。
面図および側面図である。
第１図において参照符号１は絶縁基板、２は絶縁基板１
上に設けられている第二絶縁体であり、絶縁基板１の上
下面に設けられている接地導体層３ａ・３ｂと第二絶縁
体２の上面に設けられている接地導体層３Ｃとは、絶縁
基板１と第二絶縁体２とを貫通するスルーホール４によ
って導通されている。電力用トランジスタのように熱消
費が大きいトランジスタを搭載する場合は、絶縁基板１
としてはべりリアのような熱伝導度の大きい材料が選ば
れるが、第二絶縁体２は、アルミナのような安価な材料
でよい。絶縁基板１の上面には、接地用導体層３ａと絶
縁された信号導入用導体層５および６が設けられている
。
上に設けられている第二絶縁体であり、絶縁基板１の上
下面に設けられている接地導体層３ａ・３ｂと第二絶縁
体２の上面に設けられている接地導体層３Ｃとは、絶縁
基板１と第二絶縁体２とを貫通するスルーホール４によ
って導通されている。電力用トランジスタのように熱消
費が大きいトランジスタを搭載する場合は、絶縁基板１
としてはべりリアのような熱伝導度の大きい材料が選ば
れるが、第二絶縁体２は、アルミナのような安価な材料
でよい。絶縁基板１の上面には、接地用導体層３ａと絶
縁された信号導入用導体層５および６が設けられている
。
第２図は第１図の実施例にトランジスタ７と、整合用コ
ンデンサ８とを搭載した状態を示す平面図である。
ンデンサ８とを搭載した状態を示す平面図である。
トランジスタ７は信号導入用導体層６上に、整合用コン
デンサ８は接地用導体層３ａ上に搭載し、トランジスタ
７の接地用端子は配線用金属９によって接地導体層３ｃ
または３ａと接続する。これによって従来のように金属
ブリッジを使用せずに所望の接続を行うことができる。
デンサ８は接地用導体層３ａ上に搭載し、トランジスタ
７の接地用端子は配線用金属９によって接地導体層３ｃ
または３ａと接続する。これによって従来のように金属
ブリッジを使用せずに所望の接続を行うことができる。
第３図は本発明の第二の実施例を示す平面図である。
本実施例は絶縁基板２１の上面または下面の接地導体層
と第二絶縁体２２の上面の接地導体層との接続を、スル
ーホールの代りにそれらの側面に被着させた金属化層２
３によって行ったものである。
と第二絶縁体２２の上面の接地導体層との接続を、スル
ーホールの代りにそれらの側面に被着させた金属化層２
３によって行ったものである。
なお、上記の各実施例は、トランジスタや整合コンデン
サ等の電子部品搭載部が露出された構成の容器の場合の
例であるが、本発明はキャップを有して、搭載した電子
部品を封止する構成の容器の場合にも適用できる。
サ等の電子部品搭載部が露出された構成の容器の場合の
例であるが、本発明はキャップを有して、搭載した電子
部品を封止する構成の容器の場合にも適用できる。
以上説明したように、本発明は従来トランジスタの設置
のなめ用いていた金属ブリッジの代りに導体層を表面に
被着した第二絶縁体を用い、第二絶縁体を絶縁基板上に
直接搭載することによって小形で安価な半導体装置用容
器が得られるという効果がある。
のなめ用いていた金属ブリッジの代りに導体層を表面に
被着した第二絶縁体を用い、第二絶縁体を絶縁基板上に
直接搭載することによって小形で安価な半導体装置用容
器が得られるという効果がある。
第１図（ａ＞および（ｂ）は本発明の第一の実施例の平
面図および側面図、第２図は第１図の実施例にトランジ
スタを搭載した状態を示す平面図、第３図は本発明の第
二の実施例を示す平面図、第４図は従来の半導体容器の
一例にトランジスタを搭載した状態を示す斜視図である
。 １．１１．２１・・・・・・絶縁基板、２．２２・・・
・・・第二絶縁体、３ａ・３ｂ・・・・・・接地導体層
、４・・・・・・スルーホール、５・６・１５・１６・
・・・・・信号導入用導体層、７・・・・・・トランジ
スタ、８・・・・・・整合用コンデンサ、９・１９・・
・・・・配線用金属、１０・・・・・・金属ブリッジ、
１１・・・・・・絶縁基板。 （（ｊ） （４）信１図 第 ２ 図
面図および側面図、第２図は第１図の実施例にトランジ
スタを搭載した状態を示す平面図、第３図は本発明の第
二の実施例を示す平面図、第４図は従来の半導体容器の
一例にトランジスタを搭載した状態を示す斜視図である
。 １．１１．２１・・・・・・絶縁基板、２．２２・・・
・・・第二絶縁体、３ａ・３ｂ・・・・・・接地導体層
、４・・・・・・スルーホール、５・６・１５・１６・
・・・・・信号導入用導体層、７・・・・・・トランジ
スタ、８・・・・・・整合用コンデンサ、９・１９・・
・・・・配線用金属、１０・・・・・・金属ブリッジ、
１１・・・・・・絶縁基板。 （（ｊ） （４）信１図 第 ２ 図
Claims (1)
- 電子部品搭載部と前記電子部品搭載部に搭載した電子
部品間の接続を行うための信号導入用導体層とを上面に
有しかつ上面または下面に第一の接地用導体層を有する
絶縁基板と、上面に第二の接地用導体層を有し前記絶縁
基板上に載置された絶縁体とを備え、前記第一および第
二の接地用導体層を電気的に接続したことを特徴とする
半導体装置用容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221296A JPH0783072B2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 半導体装置用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221296A JPH0783072B2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 半導体装置用容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376355A true JPS6376355A (ja) | 1988-04-06 |
| JPH0783072B2 JPH0783072B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=16764563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61221296A Expired - Fee Related JPH0783072B2 (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 半導体装置用容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0783072B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59126654A (ja) * | 1983-01-10 | 1984-07-21 | Toshiba Corp | 高周波電力増幅器 |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP61221296A patent/JPH0783072B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59126654A (ja) * | 1983-01-10 | 1984-07-21 | Toshiba Corp | 高周波電力増幅器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0783072B2 (ja) | 1995-09-06 |
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Legal Events
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