JPS6376444A - チツプキヤリア - Google Patents

チツプキヤリア

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JPS6376444A
JPS6376444A JP61219414A JP21941486A JPS6376444A JP S6376444 A JPS6376444 A JP S6376444A JP 61219414 A JP61219414 A JP 61219414A JP 21941486 A JP21941486 A JP 21941486A JP S6376444 A JPS6376444 A JP S6376444A
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JP
Japan
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chip
lsi chip
ceramic substrate
lsi
chip carrier
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JP61219414A
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Mutsuo Tsuji
睦夫 辻
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Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子装置等に使用される配線基板１ｃＬＳ！チ
ツプを実装したチップキャリアに関するものである。
〔従来の技術〕
従来この種のチップキャリアは、第２図に示すように、
セラミック基板２１上の金属層２２にＬＳＩテップ２３
を固着し、ワイヤー２４でＬＳＩテップ２３と基板２１
上のパッド２５とを電気的に接続した後、キャップ２６
で封止して構成されている（例えば特開昭５７−１２６
１５１公報）。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のチップキャリアでは、ＬＳＩ　テップ１
がフェイスアップ実装のために上部にヒートシンク等の
放熱部品を配設しても放熱効果が少なく、マた、下部に
はチップキャリアを搭載する基板が配設されるので、放
熱部品が取付けられず、消費電力の多いＬＳＩチップの
実装には適さないという欠点があった。
本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなされたもので
あシ、その目的はＬＳＩチップの放熱性を向上させるこ
とができるチップキャリアラ提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のチップキャリアは、ＬＳＩチップと、内面に前
記ＬＳＩ　チップのリードと接続されるす−ド用パッド
および外面に前記リード用パッドと接層される入出力用
パッドを形成したセラミック基板と、前記ＬＳＩ　チッ
プをセラミック基板にフェイスダウンで実装するスペー
サーと、前記ＬＳＩチップに接着配置した熱伝導性プレ
ートと、前記プレートと前記セラミック基板との間を封
止する金属枠体とを有している。
〔作用〕
本発明におけるチップキャリアは、ＬＳＩ　チップが熱
伝導性プレート、と接層配置されるので、ＬＳＩチップ
の放熱れ路が形成される。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明によるチップ中ヤリアの一実施例を示す
縦断面図である。同図において、セラミック基板１の内
面には、リード用パッド２が、外面には入出力用パッド
３が、内部にはリード用パッド２と入出力用パッド３と
を接続する導体配線層４がそれぞれ設けられている。ま
た、このセラミック基板１の内面側周辺部にはシーム溶
接に適した例えば、コバールなどからなる第１の金属枠
５が例えば銀ろうなどの接着剤６によシ固漕されている
。また、このセラミック基板１の中央部には例えばシリ
コーンゴムなどからなるスペーサ７が例えばシリコン系
の接層剤８によシ接層配置されている。さらにこのスペ
ーサＴ上にはＬＳＩチップ９がフェイスダウンで前記同
様の接着剤８によシｌｉ！！漕され、ＬＳＩテップ９の
リード１０がセラミック基板１上のリード用パッド２に
接続されている。また、このＬＳＩテップ９上には、熱
伝導性の良好な例えばＣｕ、／Ｍ／　、　Ｂ　＠　０材
等からなるプレート１１と、その周辺部に例えば銀ろう
などの接層剤１２により接層された第２の金属枠１３と
からなるキャップ１４が、熱伝導性の良好な例えば、銀
粉式ジェポキシ系の接着剤１５により接着配置され、キ
ャップ１４の第２の金属枠１３はセラミック基板１上の
第１の金属枠５上にシーム溶接されて固着され、封止さ
れる。この場合、この第１の金属枠５の高さはスペーサ
７およプレート１０の高さを考慮に入れて可能な限り低
く設定される。
このよりなＷ成によれば、ＬＳＩ　　テップ９の上面に
は熱伝導性の高いキャップ１４のプレート１１が熱伝導
性の良好な接着剤１５を介して接着配置されているので
、このプレート１１上にヒートシンクなどの放熱部品が
容易に取シ付けることができるとともに、ＬＳＩチップ
９で発生した熱がプレート１１に良好に伝導されて放熱
される。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、フェイスダウン実装され
たＬＳＩチップと、熱伝導率の良いプレートとが接層さ
れることによｆｉ、ＬＳＩチップの発生する熱が効率良
くプレート上に取付けられるヒートシンク等の放熱部品
に伝導することができるのて、放熱性を向上させること
ができる。また、セラミック基板に接層された金属枠の
高さを低くしたことによシ、セラミック基板の幅を小さ
くすることができるのでチップキャリア全体の大きさも
小さくすることができる。さらにセラミック基板とプレ
ートとの間に金属枠体を介在させたことｋよシ金属枠を
シーム溶接によ）封止を行なうことができるので、封止
時ＫＬＳＩチップに与える熱が少なく、ＬＳＩチップの
信頼性が向上できるなどの極めて優れた効果が得られる
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のチップキャリアの縦断面図、第２図は
従来のチップキャリアの縦断面図である。 １・・壷・セラミック基板、２・・・・リード用パッド
、３・嚇・・入出力用パッド、４・・・・導体配線層、
５・・・・第１の金属枠、６・・・・接５ｆ剤、７・・
・・スペ−１−１８・・・・接着剤、９・・争・ＬＳＩ
テップ、１ｏ−・・・！Ｊ−）”、１１　・・働・プレ
ート、１２・・・・接層剤、１３・・・・第１の金属枠
、１４・・・・キャップ、１５Φ・＠Φ接溜剤。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　ＬＳＩチップと、内面に前記ＬＳＩチップのリードと
    接続されるリード用パッドおよび外面に前記リード用パ
    ッドと接続される入出力用パッドを形成したセラミック
    基板と、前記セラミック基板にＬＳＩチップをフエース
    ダウン実装するスペーサと、前記ＬＳＩチップに接着配
    置させる熱伝導性プレートと、前記プレートと前記セラ
    ミック基板との周辺部を封止する金属枠体とを備えたこ
    とを特徴とするチップキャリア。
JP61219414A 1986-09-19 1986-09-19 チツプキヤリア Pending JPS6376444A (ja)

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