JPS6377924A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS6377924A JPS6377924A JP22245086A JP22245086A JPS6377924A JP S6377924 A JPS6377924 A JP S6377924A JP 22245086 A JP22245086 A JP 22245086A JP 22245086 A JP22245086 A JP 22245086A JP S6377924 A JPS6377924 A JP S6377924A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- parts
- aluminum nitride
- diameter
- resin composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は半導体対土用エポキシ樹脂組成物に係り、特に
樹脂封止型１子部品が動作時に発生する熱をすみやかに
外部へ放散できる半導体封止用エポキシ樹肥組成物に関
する。
樹脂封止型１子部品が動作時に発生する熱をすみやかに
外部へ放散できる半導体封止用エポキシ樹肥組成物に関
する。
ＩＣ，ＬＳＩの電子部品を封止する方法としてけ熱硬化
性樹脂を用いて封止する方法が主流である。これは樹脂
を用いて封止する方法が、ガラス、金属、セラミックス
を用いたハーメチダクシ〜ル方式に比べて安価で量産性
に優れてｂるためである。半導体封土用樹脂胡放物の基
材樹脂としては成形性、耐湿性、電気特性に優れ、安価
なエポキシ樹脂が最も一般的に用いられている。
性樹脂を用いて封止する方法が主流である。これは樹脂
を用いて封止する方法が、ガラス、金属、セラミックス
を用いたハーメチダクシ〜ル方式に比べて安価で量産性
に優れてｂるためである。半導体封土用樹脂胡放物の基
材樹脂としては成形性、耐湿性、電気特性に優れ、安価
なエポキシ樹脂が最も一般的に用いられている。
近年、各種電子機器そのものの小型化ならびに回路動作
の高速化が強く望オれでｂる。この要求＋ｍ足するため
に回路そのものを半導体集積回路化するとともに回路動
作の高速化を図る取り組みがなされてｉる。
の高速化が強く望オれでｂる。この要求＋ｍ足するため
に回路そのものを半導体集積回路化するとともに回路動
作の高速化を図る取り組みがなされてｉる。
樹脂封止型１子部品が動作時に発生する熱をすみやかに
外部へ放散することので負る封止用ｍ脂の開発が求めら
れている。
外部へ放散することので負る封止用ｍ脂の開発が求めら
れている。
電子機器の小型化、回路動作の高速化の要求ｔ、満たす
ことのできる半導体集積回路では、その外形寸法は通常
のもののそれよりも小さく設定され、しかも回路の電力
消費は太き々ものとな。ている。
ことのできる半導体集積回路では、その外形寸法は通常
のもののそれよりも小さく設定され、しかも回路の電力
消費は太き々ものとな。ている。
このため、動作時に発生する熱をすみやかに外部へ放散
させることが重要になる。この熱放散を良好なものとす
るには通常光てん剤とり、で使用されて層るシリカの含
有量を多くしたり、全稈粉末等を充填し、その熱伝導度
を高めることなどの方法が考えられる。しかし前者のよ
うな方法ではレジンの溶融粘度が高くな構成形性が悪く
なったり、また成形品の弾性率が高くなり、素子に悪影
響を及ぼすなどの問題がある。一方、後者では封止用ｍ
脂の電気結縁性が損われる問題がある。
させることが重要になる。この熱放散を良好なものとす
るには通常光てん剤とり、で使用されて層るシリカの含
有量を多くしたり、全稈粉末等を充填し、その熱伝導度
を高めることなどの方法が考えられる。しかし前者のよ
うな方法ではレジンの溶融粘度が高くな構成形性が悪く
なったり、また成形品の弾性率が高くなり、素子に悪影
響を及ぼすなどの問題がある。一方、後者では封止用ｍ
脂の電気結縁性が損われる問題がある。
本発明は、内部で発生する熱の外部への放散をすみやか
に行うことので＾る良熱伝導性を有し、しかも電気結縁
性に良好な特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を提供することを目的とする。
に行うことので＾る良熱伝導性を有し、しかも電気結縁
性に良好な特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を提供することを目的とする。
本発明は一分子中に少なくともエポキシ基２個以上を含
むエポキシ樹脂１００Ｉｉｔ部に対しく１）粒径１００
μｍ以下で１μｍ以下の粒子含有率が０．５〜１０チで
ある平均粒径１０〜３０７ｊｍ である窒化アルミニ
ウム粉末２５０〜５００重′＃部（２Ｉ フェノール
樹脂系硬化剤４０〜６０重を部（３）硬化促進剤０．１
〜ＩＱ７１９部を含むことｆｌＦｐ徴とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物により達成される。
むエポキシ樹脂１００Ｉｉｔ部に対しく１）粒径１００
μｍ以下で１μｍ以下の粒子含有率が０．５〜１０チで
ある平均粒径１０〜３０７ｊｍ である窒化アルミニ
ウム粉末２５０〜５００重′＃部（２Ｉ フェノール
樹脂系硬化剤４０〜６０重を部（３）硬化促進剤０．１
〜ＩＱ７１９部を含むことｆｌＦｐ徴とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物により達成される。
本発明にお込て使用する窒化アルミニウム粉末は平均粒
径１０〜３０μｍ であり、かつ粒径１００μｍ以下で
１μｍ以下の粒子含有率が０．５〜１０％であることを
必頃とする。粒径１００μｍ以上の粒子を含むと硬化中
に窒化アルミニウムが沈降するので、均°−な便化物が
得られない。又１μｍ以下の粒子含有率が上記範囲外で
は、成形時の溶融粘度が高くなったりバリが発生し易く
なるなどの問題がある。寸た平均粒径が上記範匠外でけ
適正な流動特性が得られないなどの問題がある・エポキ
シ樹脂１００重量部に対する窒化アルミニウムの使用ｆ
は２５０〜５００重ｊ）部程度が適当である。
径１０〜３０μｍ であり、かつ粒径１００μｍ以下で
１μｍ以下の粒子含有率が０．５〜１０％であることを
必頃とする。粒径１００μｍ以上の粒子を含むと硬化中
に窒化アルミニウムが沈降するので、均°−な便化物が
得られない。又１μｍ以下の粒子含有率が上記範囲外で
は、成形時の溶融粘度が高くなったりバリが発生し易く
なるなどの問題がある。寸た平均粒径が上記範匠外でけ
適正な流動特性が得られないなどの問題がある・エポキ
シ樹脂１００重量部に対する窒化アルミニウムの使用ｆ
は２５０〜５００重ｊ）部程度が適当である。
本発明におけるエポキシ樹脂としては、特に限定される
ことなく公知のものがいずれも使用で良る。例えば「フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂、ビスフェノール大型エポキシ樹脂
、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、グリシジルエーテ
ル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エ
ポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキ
シ樹脂等の１分子中にエゼキシ基を１個以上有するもの
」を挙げることが出来、これらの少なくとも１種を用い
る。
ことなく公知のものがいずれも使用で良る。例えば「フ
ェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラ
ック型エポキシ樹脂、ビスフェノール大型エポキシ樹脂
、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、グリシジルエーテ
ル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エ
ポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキ
シ樹脂等の１分子中にエゼキシ基を１個以上有するもの
」を挙げることが出来、これらの少なくとも１種を用い
る。
また、硬化剤としては、「フェノールノボラック、クレ
ゾールノボラック、ノニルフェノールノボラックなどに
代表されるノボラック型フェノール樹脂、ビスフェノー
ルＡなどのフェノール樹脂、あるｂは無水７タル酸、無
水テトラヒドロフタル酸などの間熱水物、ジアミノジフ
ェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテルなどのアミ
ン化合物など」が挙げられる。この中で耐湿性の面から
ノボラック型フェノール樹脂が好まし−。フェノール樹
脂系硬化剤の添加量はエポキシ樹脂１００ｉ口部に対し
４０〜６０重量部が適当である。
ゾールノボラック、ノニルフェノールノボラックなどに
代表されるノボラック型フェノール樹脂、ビスフェノー
ルＡなどのフェノール樹脂、あるｂは無水７タル酸、無
水テトラヒドロフタル酸などの間熱水物、ジアミノジフ
ェニルメタン、ジアミノジフェニルエーテルなどのアミ
ン化合物など」が挙げられる。この中で耐湿性の面から
ノボラック型フェノール樹脂が好まし−。フェノール樹
脂系硬化剤の添加量はエポキシ樹脂１００ｉ口部に対し
４０〜６０重量部が適当である。
本発明におｈて使用される硬化促進剤としては、「トリ
エタノールアミン、テトラメチルペンタンジアミン等の
第３級アミン、セチルトリメチルアンモニウムブロマイ
ド、セチルトリメチルアンモニウムクロライド、トリメ
チルアンモニウムクロライド等の第４級アンモニウム塩
、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾー
ル、２−メチル−４エチルイミダゾール、ｌ−アジン−
２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、ある
いはトリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフ
ィン、Ｊ、Ｔ７７’チルホスフィン、７エ二ルホスフイ
ン等のホスフィン化合物ｈ Ｕ フェニルホスフィンテ
トラフェニルボレート、トリエチルアミンテトラフェニ
ルボレート等のテトラフェニルボレート塩々ど」が挙げ
られるが硬化反応を促進させる作用がある物質であれば
特に限定しない。
エタノールアミン、テトラメチルペンタンジアミン等の
第３級アミン、セチルトリメチルアンモニウムブロマイ
ド、セチルトリメチルアンモニウムクロライド、トリメ
チルアンモニウムクロライド等の第４級アンモニウム塩
、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾー
ル、２−メチル−４エチルイミダゾール、ｌ−アジン−
２−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物、ある
いはトリフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフ
ィン、Ｊ、Ｔ７７’チルホスフィン、７エ二ルホスフイ
ン等のホスフィン化合物ｈ Ｕ フェニルホスフィンテ
トラフェニルボレート、トリエチルアミンテトラフェニ
ルボレート等のテトラフェニルボレート塩々ど」が挙げ
られるが硬化反応を促進させる作用がある物質であれば
特に限定しない。
テトラオクチルビス（ホスファイト）チタネート等のチ
タン系カップリング剤を、離型剤としてカルナバワック
ス、ステアリン酸およびその金属塩、モンタン酸、エス
テルワックス等Ｊｆ＠燃剤として「臭素化二ボ先！樹脂
や、二酸化アンチモン、赤リン等」を、顔料としてカー
ボンブラックなどを添加しても差支えな−９ 〔実施例１〕 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当１２
００．軟化点６７’０）１００部、フェノールノボラッ
ク（水酸基当量１０５、軟化点９０℃） ５５部、平均
粒径１５μｍで１μｍ以下の粒子含有率が１．５％であ
る窒化アルミニウム粉末４５０（熱伝導率６２００Ｘ１
０−’ｃａｔ／ｃｒｒＬ、Ｓ−℃）部、トリフェニルホ
スフィン１．７ ｆｌｌエステルワックス２部、３−グ
リシドキシプａピルトリメトキシシラン３部赤リン５部
、カーボンブラック２部を加えたものを、熱ロール７０
〜９０°Ｃで１０分間混練した。混練後１０メツシュパ
スのパウダーとしタブレットを作製した。このタブレッ
トを圧力６０に９／ｄ１成形時間３分、成形温度１７０
’Ｏで成形した。本成形品の熱伝導率の測定値は３００
０Ｘ１０−’ｃａ Ｉ／α、ｓ、’ｃ であった。
タン系カップリング剤を、離型剤としてカルナバワック
ス、ステアリン酸およびその金属塩、モンタン酸、エス
テルワックス等Ｊｆ＠燃剤として「臭素化二ボ先！樹脂
や、二酸化アンチモン、赤リン等」を、顔料としてカー
ボンブラックなどを添加しても差支えな−９ 〔実施例１〕 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当１２
００．軟化点６７’０）１００部、フェノールノボラッ
ク（水酸基当量１０５、軟化点９０℃） ５５部、平均
粒径１５μｍで１μｍ以下の粒子含有率が１．５％であ
る窒化アルミニウム粉末４５０（熱伝導率６２００Ｘ１
０−’ｃａｔ／ｃｒｒＬ、Ｓ−℃）部、トリフェニルホ
スフィン１．７ ｆｌｌエステルワックス２部、３−グ
リシドキシプａピルトリメトキシシラン３部赤リン５部
、カーボンブラック２部を加えたものを、熱ロール７０
〜９０°Ｃで１０分間混練した。混練後１０メツシュパ
スのパウダーとしタブレットを作製した。このタブレッ
トを圧力６０に９／ｄ１成形時間３分、成形温度１７０
’Ｏで成形した。本成形品の熱伝導率の測定値は３００
０Ｘ１０−’ｃａ Ｉ／α、ｓ、’ｃ であった。
〔比較例１〕
窒化アルミニウム粉末のかわりに溶融シリカ粉末を用論
た以外は実施例１と同様の組成方法で成形した。本成形
品の熱伝導率ば２０Ｘ１０−’ｃａｌ／α、ｓ、’ａ
であった。
た以外は実施例１と同様の組成方法で成形した。本成形
品の熱伝導率ば２０Ｘ１０−’ｃａｌ／α、ｓ、’ａ
であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一分子中に少なくともエポキシ基２個以上を含むエポキ
シ樹脂１００重量部に対し （１）粒径１００μｍ以下で１μｍ以下の粒子含有率が
０．５〜１０％である平均粒径１０〜３０μｍである窒
化アルミニウム粉末２５０〜５００重量部（２）フェノ
ール樹脂系硬化剤４０〜６０重量部（３）硬化促進剤０
．１〜１０重量部 を含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22245086A JPS6377924A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22245086A JPS6377924A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6377924A true JPS6377924A (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=16782596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22245086A Pending JPS6377924A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6377924A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01182357A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-20 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂成形材料 |
| JPH01261435A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 樹脂用充填材 |
| JPH02110125A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-23 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 高熱伝導性樹脂組成物 |
| JPH03126765A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-29 | Siemens Ag | 耐高熱性複合材料 |
| US5232970A (en) * | 1990-08-31 | 1993-08-03 | The Dow Chemical Company | Ceramic-filled thermally-conductive-composites containing fusible semi-crystalline polyamide and/or polybenzocyclobutenes for use in microelectronic applications |
| JP2007137547A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Aisin Aw Co Ltd | 環状部材取出装置 |
| SG141222A1 (en) * | 2003-12-04 | 2008-04-28 | Sumitomo Bakelite Singapore Pt | Semiconductor devices containing epoxy moulding compositions and the compositions per se |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP22245086A patent/JPS6377924A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01182357A (ja) * | 1988-01-14 | 1989-07-20 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂成形材料 |
| JPH01261435A (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-18 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 樹脂用充填材 |
| JPH02110125A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-23 | Mitsubishi Plastics Ind Ltd | 高熱伝導性樹脂組成物 |
| JPH03126765A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-29 | Siemens Ag | 耐高熱性複合材料 |
| US5232970A (en) * | 1990-08-31 | 1993-08-03 | The Dow Chemical Company | Ceramic-filled thermally-conductive-composites containing fusible semi-crystalline polyamide and/or polybenzocyclobutenes for use in microelectronic applications |
| SG141222A1 (en) * | 2003-12-04 | 2008-04-28 | Sumitomo Bakelite Singapore Pt | Semiconductor devices containing epoxy moulding compositions and the compositions per se |
| JP2007137547A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Aisin Aw Co Ltd | 環状部材取出装置 |
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