JPS6378543A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents

ワイヤボンデイング方法

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JPS6378543A
JPS6378543A JP61222692A JP22269286A JPS6378543A JP S6378543 A JPS6378543 A JP S6378543A JP 61222692 A JP61222692 A JP 61222692A JP 22269286 A JP22269286 A JP 22269286A JP S6378543 A JPS6378543 A JP S6378543A
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JP
Japan
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wire
bonding
wire bonding
laser beam
rotating polygon
Prior art date
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Pending
Application number
JP61222692A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Takayama
洋 高山
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産】」Ｊ■旧１土旺 本発明は半導体ベレットやリードフレーム等に金属細線
を熱圧着するワイヤボンディング方法に関するものであ
る。
従来■吸丘 ＩＣなどの半導体装置はリードフレームやセラミック基
板などに半導体ペレットをマウントする工程、半導体ペ
レット上の電極等に金やアルミニウムなどの金属細線を
ボンディングする工程、半導体ベレットの周辺を樹脂材
などで封止する工程などを経て製造される。上記ワイヤ
ボンディング工程で半導体ベレットのｍｉやこの電極を
外部に引出すリードに金属細線をボンディングする手段
として熱圧着を利用したものを第４図を参照して次に示
す。図において（１）は例えば金属板を打抜き加工した
平板状のリードフレーム、（２）はリードフレーム（１
）のベレットマウント部（１ａ）上にマウントされたＩ
Ｃなどの半導体ベレットで、上面の複数箇所にアルミニ
ウム膜等の被ワイヤボンディング箇所〔ポンディングパ
ッド）（３）　　（３）・・・を有する。（４）はリー
ドフレーム（１）を載置して加熱するヒータブロックで
、ワイヤボンディフグ時にヒータブロック（４）にてリ
ードフレーム（１）が加熱され、半導体ペレット（２）
が加熱される。（５）は金属細線、例えば金線、（６）
は金線（５）が上下方向に挿通されるキャピラリ、（７
）はキャピラリ　（６）を先端部で支持するホーン、（
８）はホーン（７）を介しキャピラリ（６）に超音波振
動を加える超音波据動源で、キャピラリ　（６）の先端
から突出する金線（５）の先端には水素トーチ〔図示せ
ず〕による溶断などで金球（５ａ）が形成される。
上記装置によるワイヤボンディングはヒータブロック（
４）でリードフレーム（１）を介し半導体ペレット（２
）を加熱しておいて、ホーン（１０）で支持されたキャ
ピラリ　（６）の先端で金線（５）の金球（５ａ）を被
ワイヤボンディング箇所（３）に押し付け、そのままの
状態でホーン（１０）を介しキャピラリ　（６）に超音
波振動を加え、この時の超音波エネルギーで金球（５ａ
）を被ワイヤボンディング箇所（３）に熱圧着すること
で行われる。
■　＜”しよ゛と　る１　占 ところで、上述した熱圧着は、ボンディング部分を適正
温度に加熱しなければならない、ところが、半導体ペレ
ット（２）を十分な温度に加熱する間にリードフレーム
（１）の熱酸化が進行しリードフレーム側でボンディン
グ不良が生じるという不都合があった。
占　　゛　るための″ 本発明は、被ワイヤボンディング箇所にレーザ光をスボ
７）照射して加熱し、金属細線を熱圧着することを特徴
とし、上記レーザ光の照射は回転多面鏡によって分配さ
れ、複数の異なる被ワイヤボンディング箇所にスポット
的に光を照射すること、又は上記回転多面鏡を連続的に
回転させ、複数の異なる被ワイヤボンディング箇所に連
続的に光を照射することを実施手段とする。
皿 被ワイヤボンディング箇所にレーザ光を照射して加熱す
ると、加熱時間が短縮され被ワイヤボンディング箇所の
熱酸化が防止される。
裏蓋■ 本発明に係るワイヤボンディング方法を半導体ペレット
のワイヤボンディングに適用した場合について第１図乃
至第３図を参照し以下説明する。第４図と同一参照符号
は同一物を示す。
ます、第１図及び第２図において（１ａ）は例えば金属
板を打抜き加工した平板状リードフレームのベレットマ
ウント部、（２）はペレットマウント部（１ａ）上にマ
ウントされたＩＣなどの半導体ペレットで、上面の複数
箇所にアルミニウム膜等の被ワイヤボンディング箇所〔
ポンディングパッド〕　（３）（３）・・・を有する。
（５）は金属細線、例えば金線、（６）は金線（５）が
上下方向に挿通されるキャピラリで、キャピラリ（６）
の先端から突出する金線（５）の先端には水素トーチ〔
図示せず〕などにより金球（５ａ）が形成される。（９
）はレーザ光源、（１０）はレーザ光源（９）から照射
されたレーザ光、（１１）はレーザ光（１０）が入射し
て被ワイヤボンディング箇所である複数の異なるポンデ
ィングパッド（３）（３）・・・にレーザ光（１０）を
分配する回転多面鏡である。
上記構成によるワイヤボンディングはレーザ光（ｌＯ）
でポンディングパッド（３）を約３００℃まで加熱して
おいてキャピラリ　（６）の先端で金線（５）の金球（
５ａ）をポンディングパッド（３）に押し付け、そのま
まの状態でキャピラリ（６）に超音波振動を加え、この
時の超音波エネルギーで金球（５ａ）をポンディングパ
ッド（３）に熱圧着することで行われる。ここで、第３
図に示すように、レーザ光（１０）のパルス（１０ａ）
をポンディングパッド（３）に照射した時、ポンディン
グパッド（３）の温度はほぼ瞬間的に約４００℃まで上
昇する。ところが、金球（５ａ）をポンディングパッド
（３）に押し付けると、その温度も下がっていくため、
圧着の際もレーザ光（１０）のパルス（１０ｂ）を照射
し続け、ポンディングパッド（３）の温度を約３００℃
に保持する。又、被ボンデイング箇所であるポンディン
グパッド（３）は異なる位置に複数個あってキャピラリ
　（６）もペレット上で逐次、移動していくためレーザ
光（１０）の照射位置もキャピラリ　（６）の位置に合
わせて変えていかなければならない、そこで、図に示す
ように、レーザ光源（９）から出た光を一旦、回転多面
ａｍ　（１１）に照射しその反射光をポンディングパッ
ド（３）にスポット照射する。そうすると、回転多面鏡
（１１）の回転によって上記反射光の方向が変わってい
くためその方向にポンディングパッド（３）が位置する
ように回転多面鏡（１１）の形状、回転方向等を設定し
ておけば、キャピラリ（６）の移動に伴ってレーザ光源
（９）からの光を各ポンディングパッド（３）（３）・
・・に分配することができる。この時、回転多面ｍ　（
１１）を間歇的に回転させてレーザ光（１０）を各ポン
ディングパッド（３）毎にスポット的に照射してもよく
、又、回転多面ｍ　（１１）を連続的に回転させてレー
ザ光（１０）を各ポンディングパッド（３）毎に繰返し
照射してもよい、更に、レーザ光源（９）より直接、回
転多面１ｔ　（１１）にレーザ光（１０）を照射する他
、レーザ光源（９）より光ファイバ〔図示せず〕で導光
して回転多面鏡（１１）に照射するようにしてもよい。
血ユｑ効且 本発明によれば、被ワイヤボンディング箇所にレーザ光
をスポット照射して加熱し、金属細線を熱圧着するよう
にしたから、ボンディングの際、被ワイヤボンディング
箇所が熱酸化されず良好なワイヤボンディングが得られ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図と第２図は本発明に係るワイヤボンディング方法
を示すその一実施手段の要部概略構成図と要部平面図、
第３図は本発明に係るレーザ光で加熱された被ワイヤボ
ンディング箇所の温度変化を示すグラフ、第４図は従来
の熱圧着を利用したワイヤボンディング方法を示す一具
体的手段の側面図である。 （３）−・−・被ワイヤボンディング箇所、（５）　−
・金属細線、　　　　（１０）　−レーザ光、（１１）
・一回転多面鏡。 特　許　出　願　人　　関西日本電気株式会社代　　　
　理　　　　人　　江　　　原　　　省　　苦節　２　
ｇ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）被ワイヤボンディング箇所にレーザ光をスポット
    照射して加熱し、金属細線を熱圧着することを特徴とす
    るワイヤボンディング方法。
  2. （２）上記レーザ光の照射は回転多面鏡によって分配さ
    れ、複数の異なる被ワイヤボンディング箇所にスポット
    的に光を照射することを特徴とする特許請求の範囲第１
    項記載のワイヤボンディング方法。
  3. （３）上記回転多面鏡を連続的に回転させ、複数の異な
    る被ワイヤボンディング箇所にスポット光を繰返し照射
    することを特徴とする特許請求の範囲第２項記載のワイ
    ヤボンディング方法。
JP61222692A 1986-09-20 1986-09-20 ワイヤボンデイング方法 Pending JPS6378543A (ja)

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JP61222692A JPS6378543A (ja) 1986-09-20 1986-09-20 ワイヤボンデイング方法

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JPS6378543A true JPS6378543A (ja) 1988-04-08

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5614113A (en) * 1995-05-05 1997-03-25 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for performing microelectronic bonding using a laser
US6892927B2 (en) * 2003-04-24 2005-05-17 Intel Corporation Method and apparatus for bonding a wire to a bond pad on a device
WO2008155013A1 (de) * 2007-06-19 2008-12-24 Ultrasonics Steckmann Gmbh Ultraschall-schweissstation

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WO2008155013A1 (de) * 2007-06-19 2008-12-24 Ultrasonics Steckmann Gmbh Ultraschall-schweissstation

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