JPS6379022A - 焦電形赤外検出薄膜素子 - Google Patents

焦電形赤外検出薄膜素子

Info

Publication number
JPS6379022A
JPS6379022A JP61224486A JP22448686A JPS6379022A JP S6379022 A JPS6379022 A JP S6379022A JP 61224486 A JP61224486 A JP 61224486A JP 22448686 A JP22448686 A JP 22448686A JP S6379022 A JPS6379022 A JP S6379022A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
pyroelectric
infrared detection
electrode
vapor deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61224486A
Other languages
English (en)
Inventor
Kunio Nakamura
中村 邦雄
Shozo Takahashi
高橋 庄三
Toyoichi Ozaki
豊一 尾崎
Toshiko Mino
三野 俊子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP61224486A priority Critical patent/JPS6379022A/ja
Publication of JPS6379022A publication Critical patent/JPS6379022A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/34Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は赤外計測に使用される焦電形赤外検出薄膜素子
に関するもので、特に温度計測、地球資源観測、気象観
測、公害監視、防犯・防災監視、交通機関の運転管理、
工場での熱管理工程などへの利用が可能である。
従来の技術 赤外検出器は、感度及び空間分解能特性の向上をめざし
て開発が行われており、焦電素子の薄膜化もそのひとつ
である。具体例で述べると酸化マグネシウム(MgO)
単結晶上にチタン酸鉛(Pro)系蒸着膜をスパッタ蒸
着により形成して高い感度の赤外検出素子が得られてい
る。焦電素子は分極の温度による変化を利用して赤外線
を検出するので電極は薄膜をサンドインチのようにはさ
んで両面に信号取出し電極とアース電極を形成する構造
が感度特性の観点から望ましい。そこで、MgO単結晶
にまず白金を蒸着し次にp’ro系膜を蒸着し、最后に
赤外吸収層と電柱を兼ねてニクロムあるいは全黒等を蒸
着する。この時赤外受光電極は、基板の太きさより小さ
くしておく。これは下記の理由による。赤外検出器の特
性向上を目的として、有効受光部の熱容量をできるだけ
小さくするため、MgO基板を除去することが必要であ
る。ところがMgO基板を全面除去すると焦電材料及び
電極の薄膜層だけになり機械的強度が低く実用に耐えな
い。
更に云えば、内部歪のため平面を保つことができず、く
るりと曲面を形成し極端な例では巻いてしまう。
そこで、有効受光面をMgO基板よシ小さくし有効受光
面に対応するMgO基板をエツチングにより除去し、高
感度赤外検出器を形成する。
第3図(a)(b)は従来例の焦電形赤外検出薄膜素子
の断面図で、ta>は接地電極となる白金電極2が焦電
薄膜1の有効受光面部に形成された場合を、(b)は白
金電極2が焦電薄膜1の全面に形成された場合を示す。
各図で、蒸着基板3は、エツチングにより有効受光部に
相当する部分が削除されているが、白金電極2及びPr
o系焦電薄膜1がスパッタ蒸着される時は削除されてお
らず、スパッタ蒸着後にエツチング除去したものである
。赤外受光電極4は、基板3がエツチング処理された後
に蒸着する。
発明が解決しようとする問題点 ここで、第3図(blのように、白金膜2を全面蒸着す
ると2つの問題がある。
第1に、第3図(a)のように有効受光面のみに白金膜
2を蒸着した方が特性が良く、同図(b)の構成は特性
面で劣る。ところが同図(a)の構造では円℃系薄膜1
だけの部分5が生じ、この部分で亀裂が発生しやすい。
これが第2の問題である。まだ、基板3をエツチング除
去するには約70℃のりん酸液を用いるが、白金層2に
比較してPTO層1はこのエツチング液に弱い。すなわ
ち、部分5にエツチング作用が加わり、ますます機械的
、熱的強度が低下する。
このように、従来の焦電形赤外検出薄膜素子は特性面で
、あるいは機械的、熱的強度に問題があった。
本発明は上記問題を解決するもので、特性を損なわず機
械的、熱的強度にもすぐれ製造歩留りのよい焦電形赤外
検出薄膜素子を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段 上記問題点を解決するために、本発明は焦電素子薄膜の
一面に白金電極を裏面電極として有効受光面より広く蒸
着し、他面に有効受光面に略等しい大きさの受光電極を
形成し、これを有効受光面エリ広くかつ白金電極より狭
く中空にした基板上に形成した焦電赤外薄膜素子を提供
するものである。
作用 上記構造において、白金電極は、焦電素子薄膜の補強と
エツチング処理時の保獲膜としての作用をはたす。しか
も、焦電素子薄膜の結晶成長において、全面白金電極上
よりも、有効受光面程度に限定した白金電極上では、周
辺の白金電極のない蒸着基板上に直接焦電素子薄膜が蒸
着されるため、結晶配列の歪が周辺で緩和吸収されて、
結晶性の良い焦電薄膜が形成され、高感度の焦電形赤外
検出薄膜素子を得ることができる。
実施例 以下本発明の実施例について図面とともに詳細に説明す
る。
第1図は本発明による焦電形赤外検出薄膜素子の構成を
示す断面図である。1は焦電素子薄膜でPTO系スパッ
タ蒸着配向膜、たとえばチタン酸鉛膜である。2は結晶
の格子定数が焦電素子薄膜1と似ている裏面電極として
の白金電極、3は蒸着基板で同様に格子定数の近いもの
として酸化マグネシウム単結晶を使用した。酸化マグネ
シウム(MgO)単結晶基板としては1m1T10、厚
さ100μmとし、温度630℃でスパッタ蒸着により
白金、チタン酸鉛の順で蒸着し各々1μm、4μmの厚
さの薄層を形成する。白金層2は中央部0.5 mm 
lとし、チタン酸鉛層1は全面蒸着する。しかる後、M
gO単結晶基板3を全面エツチングにより60μm厚さ
まで二二チングし、次に中央部0.4 mmlのMgO
を完全に除去する。最後に、中央部0.3 mmlに赤
外受光電極4としてニクロム電極をシート抵抗300Ω
(1cm巾、1cm間隔)に蒸着して素子は完成する。
裏面電極2は有効受光面よシ広くかつその3倍以下の面
積で蒸着され、蒸着基板3は有効受光面よりも広く、か
つ裏面電極2より狭い範囲で、有効受光面を含む領域が
エツチング除去されている。
赤外受光電極4は有効受光面に略等しく形成される。
裏面電極2は蒸着基板3の除去部分をすべてカバーする
ように形成される。
第2図は、この素子を赤外集光レンズと一体化した赤外
検出素子を示すもので、同図(a)はその斜視図、同図
(b)は側面図、同図(C)は同図(b)の一部拡大図
である。赤外集光レンズ11の光学的設計は、本発明の
本質と関係なく、光学系全体の設計で決定するので、詳
細は省略するが、ゲルマニウム片凸レンズとし、凸面及
び平面に10μmを中心とした反射防止膜12.13を
コーティングしその上にあらかじめ赤外受光電極引出し
リード部9を蒸着しておく、また焦電薄膜赤外検出素子
にも、同様に赤外受光面側に電極引出し部16を蒸着し
かつ信号電極側にも裏面電極引出し部10を蒸着する。
全てAt蒸着膜とし、素子マウント後最終工程で、各々
リードa7.8を超音波ボンダで接続結線する。
赤外検出薄膜素子は、赤外受光面側の信号リードの出て
いる端部に絶縁接着剤14をまたアース引出し部のある
端部は導電性接着剤15を塗布し赤外集光レンズ11の
平面中央部に接着し一体化する。最后に上記の通りリー
ド線4.8を接続して赤外集光レンズ付赤外検出素子が
出来上る。
以上の実施例で、素子製作の歩留が従来より高くかつ特
性を損うことなく、焦電形赤外検出薄膜素子を完成する
ことができた。
発明の効果 以上のように本発明は信号電極の大きさを赤外受光電極
より少し大きめにしかつ蒸着基板の除去;得妄構成と比
較すれば、歩留シは同じであるが赤外検出特性の高い素
子を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による焦電形赤外検出薄膜素子の構造を
示す断面図、第2図(al乃至(C)は各々第1図の焦
電形赤外検出素子を赤外集光レンズと一体化したときの
斜視図、側面図及び拡大断面図、第3図(a)、(b)
は各々従来の焦電形赤外検出薄膜素子の構造を示す断面
図である。 1・・・焦電素子薄膜、2・・・裏面電極、3・・・蒸
着基板、4・・・赤外受光電極、6・・・焦電形赤外検
出薄膜素子、7・・・リード線、8・−・リード線、9
・・・赤外受光電極引出しリード部、10・・・裏面電
極引出し部、11・−・赤外集光レンズ、12.13・
・・反射防止膜、14・・・絶縁性接着剤、15・・・
導電性接着剤。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男ほか1名第1図 第2図 第 2 図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)蒸着基板と、焦電形蒸着薄膜と、有効受光面上の
    第1の電極と、対向する面上の第2の電極とで構成され
    、少くとも有効受光面の部分において前記蒸着基板が除
    去された状態になっており、前記第2の電極が前記蒸着
    基板の削除面を全てカバーし、かつ有効受光面より広い
    面積であることを特徴とする焦電形赤外検出薄膜素子。
  2. (2)蒸着基板が単結晶であり、焦電形蒸着薄膜は配向
    膜であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
    焦電形赤外検出薄膜素子。
  3. (3)蒸着基板が酸化マグネシウム単結晶であり、焦電
    形蒸着膜がチタン酸鉛系配向膜であることを特徴とする
    特許請求の範囲第2項記載の焦電形赤外検出薄膜素子。
JP61224486A 1986-09-22 1986-09-22 焦電形赤外検出薄膜素子 Pending JPS6379022A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61224486A JPS6379022A (ja) 1986-09-22 1986-09-22 焦電形赤外検出薄膜素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61224486A JPS6379022A (ja) 1986-09-22 1986-09-22 焦電形赤外検出薄膜素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6379022A true JPS6379022A (ja) 1988-04-09

Family

ID=16814549

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61224486A Pending JPS6379022A (ja) 1986-09-22 1986-09-22 焦電形赤外検出薄膜素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6379022A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0743215A (ja) 赤外線検知素子
US5122666A (en) Pyroelectric and other infrared detection devices with thin films
JPS58182285A (ja) 圧電気圧力センサ
KR100254611B1 (ko) 박막 적외선 센서의 제조방법 및 그 구조
JPH07146177A (ja) 焦電薄膜赤外線センサー及びその製造方法
US4053806A (en) Pyroelectric detector comprising nucleating material wettable by aqueous solution of pyroelectric material
JPS6212454B2 (ja)
US6361825B1 (en) Micro-bolometer cell structure
JPS6379022A (ja) 焦電形赤外検出薄膜素子
JPH01100426A (ja) アレイ伏焦電形赤外検出器
JPS62285029A (ja) 赤外検出器及びその製造法
KR100305671B1 (ko) 적외선 감지장치 및 그의 제조방법
CN118632609B (zh) 一种基于LiTaO3薄膜的热释电探头及其制备方法
JPS635225A (ja) 2次元アレイ焦電形赤外センサ
JPS62119418A (ja) 焦電形赤外検出薄膜素子
JPS6322633B2 (ja)
JPS635226A (ja) 2次元アレイ焦電形赤外センサ
JPH0676917B2 (ja) 焦電型赤外線アレイセンサ
KR100529130B1 (ko) 적외선 흡수 볼로메터 제조 방법
JPH0629780B2 (ja) 焦電型赤外検出器
JPH09196765A (ja) 焦電型赤外線検出素子
JPS61266927A (ja) 焦電形赤外検出素子
JPS635227A (ja) 2次元アレイ焦電形赤外センサ
JPH02284474A (ja) 密着型イメージセンサ
JPH0236048B2 (ja)