JPS6379212A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS6379212A JPS6379212A JP22387286A JP22387286A JPS6379212A JP S6379212 A JPS6379212 A JP S6379212A JP 22387286 A JP22387286 A JP 22387286A JP 22387286 A JP22387286 A JP 22387286A JP S6379212 A JPS6379212 A JP S6379212A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- magnetic
- gap
- filling
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ヘッドに係り、特に磁気コアとして金属
磁性膜等の高飽和磁束密度の磁性材料を用いた磁気ヘッ
ドに関する。
磁性膜等の高飽和磁束密度の磁性材料を用いた磁気ヘッ
ドに関する。
磁気記録の高密度化に伴い、高保持力の磁気記録媒体と
高飽和磁束密度の磁性合金膜を磁気コアとして用いた磁
気ヘッドの組み合わせによる磁気記録が行なわれるよう
になった。
高飽和磁束密度の磁性合金膜を磁気コアとして用いた磁
気ヘッドの組み合わせによる磁気記録が行なわれるよう
になった。
磁気ヘッドは、磁気回路を構成する少くとも一対の磁気
コアを非磁性のギャップ規制材を介して接合し、このギ
ャップ規制材介挿部分で作動ギャップ（以下、単にギャ
ップと記す）を形成させている。そして、上記磁気コア
相互の接合には、磁気コアを上記ギャップ材を介して積
層した状態で鉛（Ｐｂ）系のガラスを充てんすることに
より行っている。なお、上記ギャップ規制材としては、
一般にＳｉＯ□膜が用いられる。
コアを非磁性のギャップ規制材を介して接合し、このギ
ャップ規制材介挿部分で作動ギャップ（以下、単にギャ
ップと記す）を形成させている。そして、上記磁気コア
相互の接合には、磁気コアを上記ギャップ材を介して積
層した状態で鉛（Ｐｂ）系のガラスを充てんすることに
より行っている。なお、上記ギャップ規制材としては、
一般にＳｉＯ□膜が用いられる。
また、上記高飽和磁束密度の磁性合金としては、例えば
特開昭５９−１４２７１６号公報に記載されているよう
に、Ｆｅ−３ｔ合金、Ｆｅ−Ａｌ−３ｔ合金、Ｎｔ−Ｆ
ｅ合金等の結晶質合金もしくはＦｅ−Ｇｏ−３ｔ−Ｂ系
、Ｇ ｏ −Ｍ ｏ −Ｚ ｒ系、Ｇｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系
、Ｃｏ−Ｗ−２ｒ系、Ｇｏ−Ｃｒ−Ｚｒ系、ＧＯ−Ｚｒ
−Ｂ系、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ系等の非晶質合金（アモルフ
ァス合金）が用いられる。
特開昭５９−１４２７１６号公報に記載されているよう
に、Ｆｅ−３ｔ合金、Ｆｅ−Ａｌ−３ｔ合金、Ｎｔ−Ｆ
ｅ合金等の結晶質合金もしくはＦｅ−Ｇｏ−３ｔ−Ｂ系
、Ｇ ｏ −Ｍ ｏ −Ｚ ｒ系、Ｇｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系
、Ｃｏ−Ｗ−２ｒ系、Ｇｏ−Ｃｒ−Ｚｒ系、ＧＯ−Ｚｒ
−Ｂ系、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｒ系等の非晶質合金（アモルフ
ァス合金）が用いられる。
磁気ヘッドは、非磁性の保護材、例えば非磁性フェライ
トのブロックに巻線溝及び山形溝を形成し、この上に磁
気コアとなる磁性合金をスパッタリングなどの手段で付
着させて磁性合金膜を成膜させる。次に、この上にガラ
ス材を充てんし、研磨加工により前記山形頂部に磁性合
金のギャップ形成面を露呈させ、同様に形成した一対の
ブロックのギャップ形成面に５ｉｎｔ等の傘ヤップ規制
材を介在させて突き合わせ接合する。これを、各ギャッ
プ形成面を一単位として切断することにより単体の磁気
ヘッドを得る。
トのブロックに巻線溝及び山形溝を形成し、この上に磁
気コアとなる磁性合金をスパッタリングなどの手段で付
着させて磁性合金膜を成膜させる。次に、この上にガラ
ス材を充てんし、研磨加工により前記山形頂部に磁性合
金のギャップ形成面を露呈させ、同様に形成した一対の
ブロックのギャップ形成面に５ｉｎｔ等の傘ヤップ規制
材を介在させて突き合わせ接合する。これを、各ギャッ
プ形成面を一単位として切断することにより単体の磁気
ヘッドを得る。
磁気コア材としてアモルファス合金を用いた磁気ヘッド
の製造においては、充てん接合材として用いるガラスは
、アモルファス合金の結晶温度以下で作業をする必要か
ら、低温で溶融する鉛系ガラスを用いている。しかし、
この種のガラスは充てん接着の信銀性が低く、かつ耐水
性、耐摩耗性及びガラス自身の強度が弱いために起る加
工性劣下環の問題を残している。
の製造においては、充てん接合材として用いるガラスは
、アモルファス合金の結晶温度以下で作業をする必要か
ら、低温で溶融する鉛系ガラスを用いている。しかし、
この種のガラスは充てん接着の信銀性が低く、かつ耐水
性、耐摩耗性及びガラス自身の強度が弱いために起る加
工性劣下環の問題を残している。
本発明は、上記従来技術の問題を解決し、耐水性、耐摩
耗性、耐加工性を向上させて、製造歩留りが高く、信鯨
性の大きい磁気ヘッドを提供することを目的とする。
耗性、耐加工性を向上させて、製造歩留りが高く、信鯨
性の大きい磁気ヘッドを提供することを目的とする。
上記目的を達成するためには、低温で溶融し、しかも耐
水性、耐摩耗性、耐加工性にすぐれたガラス材を作る必
要がある。これを満足するガラス材としては、ｖ２０．
とＰｔＯｓを含んだガラスが適している。例えばＶｚ
Ｏｓ ＋ Ｐ ｚ Ｏｓ ＋ Ｔ １ ｚＯ＋Ｓｂｔ
Ｏｓ ＋ＰｂｏのガラスはＰｂＯ＋Ｂ。
水性、耐摩耗性、耐加工性にすぐれたガラス材を作る必
要がある。これを満足するガラス材としては、ｖ２０．
とＰｔＯｓを含んだガラスが適している。例えばＶｚ
Ｏｓ ＋ Ｐ ｚ Ｏｓ ＋ Ｔ １ ｚＯ＋Ｓｂｔ
Ｏｓ ＋ＰｂｏのガラスはＰｂＯ＋Ｂ。
Ｏコ＋ＳｉＯ□＋Ａｌｔｏｓ等のいわゆるｐｂ系低融点
ガラスに比べ、耐水性は２桁、ビッカース硬度で３〜４
割向上しており、耐摩耗性、耐加工性にもすぐれている
。
ガラスに比べ、耐水性は２桁、ビッカース硬度で３〜４
割向上しており、耐摩耗性、耐加工性にもすぐれている
。
そこで上記ガラス材を用いてヘッドを作成する時、ギャ
ップ規制材として従来のＳｉｎ、膜を用いると、ＳｆＯ
□膜と上記ガラスではガラス化反応が生じにくく、ギャ
ップは形成されるものの、２つのコアがはがれやすいと
いう問題がある。この問題を解決するため、ギャップ規
制材としてｖｚＯ２とＰｚＯｓを含んだガラス膜ギャッ
プ規制材が有効である。しかもギャップ材として用いる
ため、ボンディング時の加熱温度に於いてギャップ材が
溶融したり、うずくつぶれたりしない事が要求される。
ップ規制材として従来のＳｉｎ、膜を用いると、ＳｆＯ
□膜と上記ガラスではガラス化反応が生じにくく、ギャ
ップは形成されるものの、２つのコアがはがれやすいと
いう問題がある。この問題を解決するため、ギャップ規
制材としてｖｚＯ２とＰｚＯｓを含んだガラス膜ギャッ
プ規制材が有効である。しかもギャップ材として用いる
ため、ボンディング時の加熱温度に於いてギャップ材が
溶融したり、うずくつぶれたりしない事が要求される。
すなわちボンディング加熱時まで、ギャップ規制膜は安
定していて、かつ充填ガラスとはガラス化反応し、２つ
のコアを接着することが望まれる。このギャップ規制材
としてＶ、Ｏ，−ＰｔＯｓ系ガラスが適しており、これ
を用いることにより上記目的は達成される。
定していて、かつ充填ガラスとはガラス化反応し、２つ
のコアを接着することが望まれる。このギャップ規制材
としてＶ、Ｏ，−ＰｔＯｓ系ガラスが適しており、これ
を用いることにより上記目的は達成される。
充てん接合材とギャップ規制材として共にｖ２０ｓとＰ
ｚＯｓを含むガラスを用い、かつギャップ規制材ガラス
の転移温度が充てん接合材ガラスの作業温度以上とした
ことにより、ギャップ規制材として安定し、コア接合部
ではギャップ規制材ガラスと充てん接合ガラスとはガラ
ス化反応を起こして、２つのコアを強固に接合すること
ができる。
ｚＯｓを含むガラスを用い、かつギャップ規制材ガラス
の転移温度が充てん接合材ガラスの作業温度以上とした
ことにより、ギャップ規制材として安定し、コア接合部
ではギャップ規制材ガラスと充てん接合ガラスとはガラ
ス化反応を起こして、２つのコアを強固に接合すること
ができる。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明による磁気ヘッドの要部模式図であって
、一対の磁気コア（コア半休）を突き合わせた状態を示
し、ｌはＭ ｎ −Ｚ ｎフェライトから成る非磁性の
保護材、２は磁性膜、３は充てん接合材としてのガラス
、４はギャップ規制材としてのガラス膜、Ａはガラス充
てん部分、Ｂはヘッドトラックを構成するギャップ部で
ある。
、一対の磁気コア（コア半休）を突き合わせた状態を示
し、ｌはＭ ｎ −Ｚ ｎフェライトから成る非磁性の
保護材、２は磁性膜、３は充てん接合材としてのガラス
、４はギャップ規制材としてのガラス膜、Ａはガラス充
てん部分、Ｂはヘッドトラックを構成するギャップ部で
ある。
同図において、各コア半休はＭ ｎ −Ｚ ｎフェライ
トから成る保護材１にグイシングツ−を用いて山形溝を
形成した後、高周波スパッタ装置を用いて Ｃｏ−Ｎｂ
−Ｚｒ系アモルファス合金磁性膜２を形成する。
トから成る保護材１にグイシングツ−を用いて山形溝を
形成した後、高周波スパッタ装置を用いて Ｃｏ−Ｎｂ
−Ｚｒ系アモルファス合金磁性膜２を形成する。
次に、ガラス３としてＶｚ Ｏｓ ： Ｐ ｚ Ｏｓ
： Ｓｂｚ ０３ ：Ｔｌｚ Ｏ：ＰｂＯ−６０
：２０： １０： ５ ： ５ｗｔ％を加熱溶融したの
ち荒研削、仕上ラップ工程をへて所定のトラック幅出し
を行なう。
： Ｓｂｚ ０３ ：Ｔｌｚ Ｏ：ＰｂＯ−６０
：２０： １０： ５ ： ５ｗｔ％を加熱溶融したの
ち荒研削、仕上ラップ工程をへて所定のトラック幅出し
を行なう。
その後、ギャップ規制材ガラスとしてＷＯｌ：Ｖｉｅｓ
：ＰｚＯｓ”−７０：１０：２０ｗｔ％をターゲッ
ト１、高周波スパッタ装置によりギャップ規制材の膜４
を形成し、一方のコア半休とする。
：ＰｚＯｓ”−７０：１０：２０ｗｔ％をターゲッ
ト１、高周波スパッタ装置によりギャップ規制材の膜４
を形成し、一方のコア半休とする。
このように作成した一対のコア半休を突き合わせ、加熱
ボンディングしたのち、個々のヘッドチップに切断加工
する。図中Ａで示した部分がガラス充てん部分に相当し
、ガラス３とガラス＠４は加熱されることによりガラス
化反応をおこして均質となり、両コア半休は接着される
。一方Ｂで示した部分はヘッドトラックを構成するギャ
ップ部であり、この部分は充てん接合ガラス３に接して
いないため、ガラス化反応することなくギャップ規制材
として安定に働く。
ボンディングしたのち、個々のヘッドチップに切断加工
する。図中Ａで示した部分がガラス充てん部分に相当し
、ガラス３とガラス＠４は加熱されることによりガラス
化反応をおこして均質となり、両コア半休は接着される
。一方Ｂで示した部分はヘッドトラックを構成するギャ
ップ部であり、この部分は充てん接合ガラス３に接して
いないため、ガラス化反応することなくギャップ規制材
として安定に働く。
第２図は本発明による磁気ヘッドに用いる充てん接合用
のガラスとギャップ規制材として用いるガラスの組成と
温度特性を示す図であって、それぞれ３サンプルについ
て示したものである。
のガラスとギャップ規制材として用いるガラスの組成と
温度特性を示す図であって、それぞれ３サンプルについ
て示したものである。
同図において、上記実施例における充てん接合用のガラ
スはサンプルＮｏ、１１で、ギャップ規制材用のガラス
はサンプルＮｏ、１４である。
スはサンプルＮｏ、１１で、ギャップ規制材用のガラス
はサンプルＮｏ、１４である。
この実施例では、充填ガラスの作業温度（ＴＶ）４２０
℃に対し、ギャップ規制ガラスの転移温度（Ｔｇ）は６
００℃であり、この差は１８０℃である。転移点は粘度
的にはＩＱＩ！、４センチボイズの温度を示し、経験的
に１０１１．４センチボイズ以下の状態でギャップ形成
するとギャップ長がばらつくということがある。つまり
ボンディングする時の温度（一般的には充てんガラスの
作業温度をボンディング温度と設定する）に対しギャッ
プ規制材は１Ｑ１３・４センチボイズ以上に設定されて
いることが望ましい、この実施例によれば、ギャップ長
バラツキもなく高歩留り、高出力の信頼性あるヘッドを
作成することができる。
℃に対し、ギャップ規制ガラスの転移温度（Ｔｇ）は６
００℃であり、この差は１８０℃である。転移点は粘度
的にはＩＱＩ！、４センチボイズの温度を示し、経験的
に１０１１．４センチボイズ以下の状態でギャップ形成
するとギャップ長がばらつくということがある。つまり
ボンディングする時の温度（一般的には充てんガラスの
作業温度をボンディング温度と設定する）に対しギャッ
プ規制材は１Ｑ１３・４センチボイズ以上に設定されて
いることが望ましい、この実施例によれば、ギャップ長
バラツキもなく高歩留り、高出力の信頼性あるヘッドを
作成することができる。
次に、本発明の他の実施例を説明する。
この実施例は、充てん接合用ガラスとして、サンプルＮ
ｏ、 １３ （Ｖｚ Ｏｓ ： Ｐｇ Ｏｓ ：
Ｓ ｂｚＯｓ ：ＴＪ富０： ＰｂＯ：Ｎｂ＊ Ｏ
ｓ ”６０ ：２０：９：５：５：１ｗｔ％）を用い、
ギャップ規制材として用いるガラスとしてサンプルＮｏ
。
ｏ、 １３ （Ｖｚ Ｏｓ ： Ｐｇ Ｏｓ ：
Ｓ ｂｚＯｓ ：ＴＪ富０： ＰｂＯ：Ｎｂ＊ Ｏ
ｓ ”６０ ：２０：９：５：５：１ｗｔ％）を用い、
ギャップ規制材として用いるガラスとしてサンプルＮｏ
。
１６ （Ｖｇ Ｏｓ ：Ｐｔ Ｏｓ ：ＷＯ
５−１８：２７：５５ｗｔ％）を用いた。
５−１８：２７：５５ｗｔ％）を用いた。
上記サンプルＮｏ、１３の充てん接合用ガラス（作業温
度Ｔｗ＝４３５℃）を、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ磁性膜が形成
された山形溝に充てんし、研削、ラップ、トラック幅出
しを行なった後、サンプルＮｏ、１６のギャップ規制材
用ガラス（Ｔｇ −５１０）を高周波スパッタリングに
より厚さ約１０００〜１１００人に形成し、この２つの
コアを４５０℃で１０分間保持してボンディングを行な
った。ボンディングされたブロックをチップ切断等の工
程をへて個々のヘッドに作成した。この場合、作業温度
Ｔｗと転移温度ＴｇＯ差は７５℃（５１Ｏ℃−４３５℃
）であり、実際のボンディング温度と転移温度の差は６
０℃（５１０℃−４５０℃）である。
度Ｔｗ＝４３５℃）を、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ磁性膜が形成
された山形溝に充てんし、研削、ラップ、トラック幅出
しを行なった後、サンプルＮｏ、１６のギャップ規制材
用ガラス（Ｔｇ −５１０）を高周波スパッタリングに
より厚さ約１０００〜１１００人に形成し、この２つの
コアを４５０℃で１０分間保持してボンディングを行な
った。ボンディングされたブロックをチップ切断等の工
程をへて個々のヘッドに作成した。この場合、作業温度
Ｔｗと転移温度ＴｇＯ差は７５℃（５１Ｏ℃−４３５℃
）であり、実際のボンディング温度と転移温度の差は６
０℃（５１０℃−４５０℃）である。
以上、実施例にて説明したように、第２図に示した充填
接合用ガラスとギャップ規制材用ガラスの組み合わせを
２種類について説明したが、この組み合わせだけに限定
されるものではない、また、ボンディング温度も４５０
℃、１０分に限るものではなく最適温度、プロファイル
を選んでもよい。
接合用ガラスとギャップ規制材用ガラスの組み合わせを
２種類について説明したが、この組み合わせだけに限定
されるものではない、また、ボンディング温度も４５０
℃、１０分に限るものではなく最適温度、プロファイル
を選んでもよい。
以上説明したように、本発明によれば、あまり作業温度
を上げることのできない材料を用いた磁気ヘッド作成に
於いて、低温を保ちながら、耐摩耗、耐水、耐加工性な
どの信顧性にすぐれかっまた、歩留りの良い１．高出力
ヘッドを作成することができる。
を上げることのできない材料を用いた磁気ヘッド作成に
於いて、低温を保ちながら、耐摩耗、耐水、耐加工性な
どの信顧性にすぐれかっまた、歩留りの良い１．高出力
ヘッドを作成することができる。
第１図は本発明による磁気ヘッドの一実施例を示す要部
模式図、第２図は本発明による磁気ヘッドに用いる充て
ん接合用のガラスとギャップ規制材として用いるガラス
の組成と温度特性を示す図である。 １・・・・・・保護材、２・・・・・・磁性膜、３・旧
・・充てん接合用ガラス、４・・・・・・ギャップ規制
用ガラスの膜。
模式図、第２図は本発明による磁気ヘッドに用いる充て
ん接合用のガラスとギャップ規制材として用いるガラス
の組成と温度特性を示す図である。 １・・・・・・保護材、２・・・・・・磁性膜、３・旧
・・充てん接合用ガラス、４・・・・・・ギャップ規制
用ガラスの膜。
Claims (1)
- １、非磁性体の保護材上にアモルファス合金磁性膜を形
成した一対の磁気コアを、その作動ギャップ部にギャッ
プ規制材を介して突き合わせ、該ギャップ部以外の磁気
コア間に充てんした充てん接合材により接合して成る磁
気ヘッドにおいて、前記充てん接合材及び前記ギャップ
規制材としてＶ＿２Ｏ＿５とＰ＿２Ｏ＿５を含み前記ギ
ャップ規制材の転移温度が充てん接合材の作業温度以上
であるガラスを用いたことを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22387286A JPS6379212A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22387286A JPS6379212A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6379212A true JPS6379212A (ja) | 1988-04-09 |
Family
ID=16805028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22387286A Pending JPS6379212A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6379212A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02273308A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド用基板材料及びそれを用いた磁気ヘッド |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP22387286A patent/JPS6379212A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02273308A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド用基板材料及びそれを用いた磁気ヘッド |
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