JPS6379318A - 縮小投影露光方法 - Google Patents
縮小投影露光方法Info
- Publication number
- JPS6379318A JPS6379318A JP62226314A JP22631487A JPS6379318A JP S6379318 A JPS6379318 A JP S6379318A JP 62226314 A JP62226314 A JP 62226314A JP 22631487 A JP22631487 A JP 22631487A JP S6379318 A JPS6379318 A JP S6379318A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reduction projection
- projection exposure
- pattern
- reticle
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は縮小投影露光方法に関する。
半導体装置の製造において、半導体基板表面の選択的な
拡散、酸化、エツチングのために基板表面に塗布された
有機感光剤への光学処理のためにマスクアライナが使用
される。
拡散、酸化、エツチングのために基板表面に塗布された
有機感光剤への光学処理のためにマスクアライナが使用
される。
従来のマスクアライナを投影方式により大別すると、（
１）マスクのパターンをウェハ１ｌｃ１：１の比で投影
させる方式及び（２）マスクのパターンを例えば１／１
０に縮小してツエへ面に移動投影する方式とがある。こ
のうち（１）は一つのマスタマスクに例えば２００チッ
プ分のパターンを配列したものを使用するもので投光時
間は約１０秒と短いが被処理物と同寸法の微細なパター
ンであるため解像度に限界があり、精密なパターンのマ
スクの製作が困難である。これに対して（２）は第１図
に示すように一つのマスク１に一つのチップに対する約
１０倍の寸法を有するパターン２を配列したものを使用
するので極めて高い精度のものが得られ、投光用光量も
少なくてすむが、第２図に示すように一つのウェハ３に
対してマスクをＸＹ方向に相対移動させながら１例えば
２００チップ分の投影を順次行なうため処理時間が長く
、例えば２０分を要する。このような縮小投影アライナ
は少量生産品種、特急試作品種のごとく大量につくるよ
りも速急につくることを要求される場合に特に問題とな
る。
１）マスクのパターンをウェハ１ｌｃ１：１の比で投影
させる方式及び（２）マスクのパターンを例えば１／１
０に縮小してツエへ面に移動投影する方式とがある。こ
のうち（１）は一つのマスタマスクに例えば２００チッ
プ分のパターンを配列したものを使用するもので投光時
間は約１０秒と短いが被処理物と同寸法の微細なパター
ンであるため解像度に限界があり、精密なパターンのマ
スクの製作が困難である。これに対して（２）は第１図
に示すように一つのマスク１に一つのチップに対する約
１０倍の寸法を有するパターン２を配列したものを使用
するので極めて高い精度のものが得られ、投光用光量も
少なくてすむが、第２図に示すように一つのウェハ３に
対してマスクをＸＹ方向に相対移動させながら１例えば
２００チップ分の投影を順次行なうため処理時間が長く
、例えば２０分を要する。このような縮小投影アライナ
は少量生産品種、特急試作品種のごとく大量につくるよ
りも速急につくることを要求される場合に特に問題とな
る。
本発明は上記した従来技術の問題点を解決するべくなさ
れたものであり、本発明の目的は縮小投影露光装置によ
る作業時間を全体的に短縮できる縮小投影露光方法を提
供することにある。
れたものであり、本発明の目的は縮小投影露光装置によ
る作業時間を全体的に短縮できる縮小投影露光方法を提
供することにある。
第３図に本発明の縮小投影露光方法に用いられる縮小投
影アライナ用マスクの構造の一例を示す。
影アライナ用マスクの構造の一例を示す。
同図において、４はレチクル、５の一点釦線内はレチク
ル内の有効領域すなわち縮小レンズの有効径を示す。こ
の有効領域内に複数個の品種の異なるパターンＡ、Ｂ、
Ｃが設けられる。このＡ、Ｂ。
ル内の有効領域すなわち縮小レンズの有効径を示す。こ
の有効領域内に複数個の品種の異なるパターンＡ、Ｂ、
Ｃが設けられる。このＡ、Ｂ。
Ｃは処理される半導体ウェハ表面の同じ層に属し、同じ
工程で処理されるものである。
工程で処理されるものである。
このようなレチクルを使用することにより、第５図１ａ
ｌに示すよ’５に３品種のパターンを同時にウェハ内に
焼き込めば、従来、一つのレチクルで１つのパターンし
かないために３品種のパターンの焼付けＫはその３倍の
手間と時間が必要であったものが、１回ですみ、工程数
が大幅に短縮できる。
ｌに示すよ’５に３品種のパターンを同時にウェハ内に
焼き込めば、従来、一つのレチクルで１つのパターンし
かないために３品種のパターンの焼付けＫはその３倍の
手間と時間が必要であったものが、１回ですみ、工程数
が大幅に短縮できる。
本発明は、第５図（ｂｌ ｌ （Ｃ１に示すように１つ
のレチクルにおける品種の異なるパターンを２種又は１
種のみ取出して選択的に焼付ける場合で、選択用マスク
（遮蔽板）を使用する。
のレチクルにおける品種の異なるパターンを２種又は１
種のみ取出して選択的に焼付ける場合で、選択用マスク
（遮蔽板）を使用する。
第４図は本発明の縮小投影露光方法に使用される縮小投
影アライナにおけるマスク支持枠６を示し、支持枠中に
マスク（レチクル）４を固定し、遮蔽板７を開閉するこ
とによってマスクの異なるパターンごとの選択的投影を
可能としたものである。
影アライナにおけるマスク支持枠６を示し、支持枠中に
マスク（レチクル）４を固定し、遮蔽板７を開閉するこ
とによってマスクの異なるパターンごとの選択的投影を
可能としたものである。
このような本発明の一実施例によれば、縮小投光方式の
長所である精度の良さを有するとともに、異なる品種の
パターンを同時に焼付けることにより少量の多種生産の
場合の工程数を短縮することが可能となった。又、本発
明の一実施例によれば縮小投光アライナとして、複数個
の品種の異なるパターンを有するレチクルを使用し、異
なるパターン毎の選択的投影を可能ならしめ、その際マ
スクセツティング時間を節約することができ特に少量の
試作品を特急に処理する場合などに有効である。
長所である精度の良さを有するとともに、異なる品種の
パターンを同時に焼付けることにより少量の多種生産の
場合の工程数を短縮することが可能となった。又、本発
明の一実施例によれば縮小投光アライナとして、複数個
の品種の異なるパターンを有するレチクルを使用し、異
なるパターン毎の選択的投影を可能ならしめ、その際マ
スクセツティング時間を節約することができ特に少量の
試作品を特急に処理する場合などに有効である。
第１図は従来の投影方式に用いられる縮小投影アライナ
用レチクルの形態を示す平面図、第２図は縮小投影アラ
イナの原理的構造を示す概略図、第３図は本発明に用い
られる縮小投影アライナ用マスクの形態を示す平面図、
第４図は本発明に用いられる縮小投影アライナのマスク
支持部を示す概略断面図、第５図ｍ ＋ ｆｂ＋ ＋
（Ｃ１は本発明の一実施例による縮小投影マスクの異種
パターンを選択的に取出す場合の形態を示す平面図であ
る。 １・・・マスク、２・・・パターン、吐・・ウェハ、４
・・・レチクル、５・・・有効領域、６・・・マスク支
持枠、７・・・開閉する遮蔽板、Ａ、Ｂ、Ｃ・・・８狸
ごとに異なるパターン。 □Ｘγ 第 ３ 図 第 ５ 図 （ａ−Ｉ Ｏ） （ｃ）
用レチクルの形態を示す平面図、第２図は縮小投影アラ
イナの原理的構造を示す概略図、第３図は本発明に用い
られる縮小投影アライナ用マスクの形態を示す平面図、
第４図は本発明に用いられる縮小投影アライナのマスク
支持部を示す概略断面図、第５図ｍ ＋ ｆｂ＋ ＋
（Ｃ１は本発明の一実施例による縮小投影マスクの異種
パターンを選択的に取出す場合の形態を示す平面図であ
る。 １・・・マスク、２・・・パターン、吐・・ウェハ、４
・・・レチクル、５・・・有効領域、６・・・マスク支
持枠、７・・・開閉する遮蔽板、Ａ、Ｂ、Ｃ・・・８狸
ごとに異なるパターン。 □Ｘγ 第 ３ 図 第 ５ 図 （ａ−Ｉ Ｏ） （ｃ）
Claims (1)
- １、１枚のレチクルに設けられた素子パターンを半導体
ウェハに縮小投影露光する方法において、複数の素子パ
ターンが形成されたレチクルを用意し、このレチクルに
形成された前記半導体ウェハに露光される素子パターン
を露出するように前記レチクル表面を遮蔽板で覆い、露
光時前記遮蔽板により前記レチクル表面を選択的に遮光
して前記レチクルの露出された素子パターンを前記半導
体ウェハに露光することを特徴とする縮小投影露光方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62226314A JPS6379318A (ja) | 1987-09-11 | 1987-09-11 | 縮小投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62226314A JPS6379318A (ja) | 1987-09-11 | 1987-09-11 | 縮小投影露光方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60030354A Division JPS60221757A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6379318A true JPS6379318A (ja) | 1988-04-09 |
Family
ID=16843258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62226314A Pending JPS6379318A (ja) | 1987-09-11 | 1987-09-11 | 縮小投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6379318A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4830874A (ja) * | 1971-08-25 | 1973-04-23 | ||
| JPS5226902A (en) * | 1975-08-25 | 1977-02-28 | Hitachi Ltd | Method of making photomask pattern |
| JPS5339075A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Step and repeat exposure method of masks |
-
1987
- 1987-09-11 JP JP62226314A patent/JPS6379318A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4830874A (ja) * | 1971-08-25 | 1973-04-23 | ||
| JPS5226902A (en) * | 1975-08-25 | 1977-02-28 | Hitachi Ltd | Method of making photomask pattern |
| JPS5339075A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Step and repeat exposure method of masks |
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