JPS6331117A - リソグラフイ装置における位置合わせ装置とその運転方法 - Google Patents
リソグラフイ装置における位置合わせ装置とその運転方法Info
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- JPS6331117A JPS6331117A JP62173738A JP17373887A JPS6331117A JP S6331117 A JPS6331117 A JP S6331117A JP 62173738 A JP62173738 A JP 62173738A JP 17373887 A JP17373887 A JP 17373887A JP S6331117 A JPS6331117 A JP S6331117A
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- mask
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、リソグラフィ装置の中でマスクと半導体基
板とを相互に正確に位置合わせするための装置とこの装
置の運転方法とに関する。
板とを相互に正確に位置合わせするための装置とこの装
置の運転方法とに関する。
[従来の技術]
平行な粒子線がパターンを描かれたマスク上とこのマス
クの後に間隔を離して置かれパターンを形成すべき半導
体基板上とに照射され、マスクが第1の固定具により第
1の支持板上に固定でき、この支持板が、台板に固定さ
れた枠状の支持部分の中で、マスクの平面に直角に配置
された三つの第1の調節ビンにより支持され、マスクの
平面に平行に配置された三つの第2の調節ビンが設けら
れ、第2の調節ビンのうち第1のビンが一つの座標軸に
平行な第1の支持板の位置合わせ運動を誘起し、他の二
つのピンが第2の座標軸に平行な支持板の位置合わせ運
動又は回転運動を誘起し、その際第2の調節ビンが、支
持部分に固定された第1の駆動装置を介して、それぞれ
長手方向に移動可能であるようになっている、リソグラ
フィ装置の中でマスクと半導体基板とを相互に正確に位
置合わせするための装置は、「アイビーエム テクニカ
ル ディスクロージャ ブレティン(IBM Tech
n、 Discl、 Bull、 ) J 、第25巻
、第12号、1983年3月、第6400ページないし
第6401ページに記載されている。かかる装置が採用
可能であるリソグラフィ装置は、例えば「ジャーナル
オブ バキューム サイエンステクノロジー(J、 V
ac、 Sci、 Technol、 ) J 、第B
3 (1)号、1985年1月72月、第241ページ
ないし第244ページに記載されている。
クの後に間隔を離して置かれパターンを形成すべき半導
体基板上とに照射され、マスクが第1の固定具により第
1の支持板上に固定でき、この支持板が、台板に固定さ
れた枠状の支持部分の中で、マスクの平面に直角に配置
された三つの第1の調節ビンにより支持され、マスクの
平面に平行に配置された三つの第2の調節ビンが設けら
れ、第2の調節ビンのうち第1のビンが一つの座標軸に
平行な第1の支持板の位置合わせ運動を誘起し、他の二
つのピンが第2の座標軸に平行な支持板の位置合わせ運
動又は回転運動を誘起し、その際第2の調節ビンが、支
持部分に固定された第1の駆動装置を介して、それぞれ
長手方向に移動可能であるようになっている、リソグラ
フィ装置の中でマスクと半導体基板とを相互に正確に位
置合わせするための装置は、「アイビーエム テクニカ
ル ディスクロージャ ブレティン(IBM Tech
n、 Discl、 Bull、 ) J 、第25巻
、第12号、1983年3月、第6400ページないし
第6401ページに記載されている。かかる装置が採用
可能であるリソグラフィ装置は、例えば「ジャーナル
オブ バキューム サイエンステクノロジー(J、 V
ac、 Sci、 Technol、 ) J 、第B
3 (1)号、1985年1月72月、第241ページ
ないし第244ページに記載されている。
通常マスクと半導体基板との上には調節マークが設けら
れ、これらの調節マークは光学装置を介して評価され、
かつ相互の位置合わせを実施する調節装置を制御する調
節信号の導出のために用いられる。完全な調節のために
はマスクと半導体基板との間の間隔を、一方ではそれら
が位置合わせ運動の際に相互に接触しないように大きく
選ばなければならない、もし接触すると、それらの表面
の損傷と発生した摩擦力に起因する誤mmとを招くおそ
れがあるからである。しかし他方では、高集植度の半導
体パターン特に0.1pm以下の解像度を有するパター
ンの製作のために、平行度の高いX線により半導体基板
を露光する際にも、パターンの縁での回折効果を実際上
防止するために、この間隔は十分小さくすべきである0
両要求は、マスクと半導体基板とが調節された位置にお
いて可能な限り相互に面平行に配置されているときにだ
け十分に満足される。
れ、これらの調節マークは光学装置を介して評価され、
かつ相互の位置合わせを実施する調節装置を制御する調
節信号の導出のために用いられる。完全な調節のために
はマスクと半導体基板との間の間隔を、一方ではそれら
が位置合わせ運動の際に相互に接触しないように大きく
選ばなければならない、もし接触すると、それらの表面
の損傷と発生した摩擦力に起因する誤mmとを招くおそ
れがあるからである。しかし他方では、高集植度の半導
体パターン特に0.1pm以下の解像度を有するパター
ンの製作のために、平行度の高いX線により半導体基板
を露光する際にも、パターンの縁での回折効果を実際上
防止するために、この間隔は十分小さくすべきである0
両要求は、マスクと半導体基板とが調節された位置にお
いて可能な限り相互に面平行に配置されているときにだ
け十分に満足される。
[発明が解決しようとする問題点]
この発明は、マスクと半導体基板との完全な相互の微r
11f!5ばかりでなく作られた半導体パターンのでき
るだけ高い解像度をも保証するような、前記の種類の装
置を提供することを目的とする。
11f!5ばかりでなく作られた半導体パターンのでき
るだけ高い解像度をも保証するような、前記の種類の装
置を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
この目的はこの発明に基づき、第1の調節ビンが支持部
分の中で長手方向に移動可能に支持され、かつ支持部分
に固定された制御可能な第2の駆動装置に連結されてい
ることより達成される。
分の中で長手方向に移動可能に支持され、かつ支持部分
に固定された制御可能な第2の駆動装置に連結されてい
ることより達成される。
この発明により得られる長所は特に、パターン微細化の
理由から目標とされるマスクと半導体基板との間の僅か
な距離が、これらの部品の間で達成可能な面平行度のた
めに、従来の装置におけるよりも著しく高い正確さで調
節できるということにある。管理された方法で調節可能
な間隔のこのようにして達成される低減は、他の条件が
同じときにパターン解像度の改善をもたらす。
理由から目標とされるマスクと半導体基板との間の僅か
な距離が、これらの部品の間で達成可能な面平行度のた
めに、従来の装置におけるよりも著しく高い正確さで調
節できるということにある。管理された方法で調節可能
な間隔のこのようにして達成される低減は、他の条件が
同じときにパターン解像度の改善をもたらす。
特許請求の範囲第2項ないし第7項はこの発明に基づく
装置の有利な実施態様に関する。特許請求の範囲第8項
ないし第10項はこの発明に基づく装置の運転方法に関
する。
装置の有利な実施態様に関する。特許請求の範囲第8項
ないし第10項はこの発明に基づく装置の運転方法に関
する。
[実施例]
次にこの発明に基づく装置の複数の実施例を示す図面に
より、この発明の詳細な説明する。
より、この発明の詳細な説明する。
第1図は、パターンを形成すべさ半導体基板lに対し設
定された間隔を置いて保持されパターンを描かれたマス
ク2を用いながら、管3を経て供給されるシンクロトロ
ン放射線によりパターンを形成すべき半導体基板1の露
光を行うためのリソグラフィ装とを示す。その際平行度
の高いX線が問題であり、このx!I&は電子加速器の
ストレイシリングから引き出されるのが合目的である。
定された間隔を置いて保持されパターンを描かれたマス
ク2を用いながら、管3を経て供給されるシンクロトロ
ン放射線によりパターンを形成すべき半導体基板1の露
光を行うためのリソグラフィ装とを示す。その際平行度
の高いX線が問題であり、このx!I&は電子加速器の
ストレイシリングから引き出されるのが合目的である。
管3には放射線案内部4が接続され、この放射線案内部
は円筒形の部分4aと方形断面を有する付加部4bとか
ら成り、この付加部4bは放射線窓4Cにより閉じられ
ている0円筒形部分4aは台座4d上に取り付けられて
いる。管3ないし付加部4bの中を導かれたX線は放射
方向を示す矢印5により示されている。その際付加部4
bないし放射線窓4Cの図の紙面に垂直に測られた内の
り幅は、これらの部分の垂直方向に測られた内のり高さ
より大きい寸法に選ばれているので、付加部4bと放射
線窓4Cとの断面は管3を経て供給されたX線束の断面
に適合している。内のり幅は例えば40mmとすること
ができ内のり高さは約8mmとすることができる。
は円筒形の部分4aと方形断面を有する付加部4bとか
ら成り、この付加部4bは放射線窓4Cにより閉じられ
ている0円筒形部分4aは台座4d上に取り付けられて
いる。管3ないし付加部4bの中を導かれたX線は放射
方向を示す矢印5により示されている。その際付加部4
bないし放射線窓4Cの図の紙面に垂直に測られた内の
り幅は、これらの部分の垂直方向に測られた内のり高さ
より大きい寸法に選ばれているので、付加部4bと放射
線窓4Cとの断面は管3を経て供給されたX線束の断面
に適合している。内のり幅は例えば40mmとすること
ができ内のり高さは約8mmとすることができる。
半導体基板1は支持板6上に取り付けられ、この支持板
自体は結合要素7により装てん板8に取り付けられてい
る。この装てん板8は台10の孔9の中に挿入され台1
0に強固に結合されている。台io自体は間隔要素11
を備え、この間隔要素11は台10を台板12に対し定
められた間隔に支持する0台板12は放射方向5に垂直
な平面上に設けられ、この平面上で垂直方向に移動可能
である。この目的のために台板の付加部13が孔14を
備え、この孔14は床板15上に固定されたピン16上
に移動可能に支持されている。床板の孔17を通って突
出し図示されていない駆動装置により長手方向に運動可
能なピン18は、台板12従って部品6ないし11を介
して台板12に結合された半導体基板1を放射方向5に
対し垂直に移動する。
自体は結合要素7により装てん板8に取り付けられてい
る。この装てん板8は台10の孔9の中に挿入され台1
0に強固に結合されている。台io自体は間隔要素11
を備え、この間隔要素11は台10を台板12に対し定
められた間隔に支持する0台板12は放射方向5に垂直
な平面上に設けられ、この平面上で垂直方向に移動可能
である。この目的のために台板の付加部13が孔14を
備え、この孔14は床板15上に固定されたピン16上
に移動可能に支持されている。床板の孔17を通って突
出し図示されていない駆動装置により長手方向に運動可
能なピン18は、台板12従って部品6ないし11を介
して台板12に結合された半導体基板1を放射方向5に
対し垂直に移動する。
補強された縁領域2aを有するマスク2は枠状の支持部
品19上に支持されている。その際支持部品19は、フ
ランジ状の付加部19aにより台板12の放射方向に前
側の面に取り付けられると共に、マスク2が微調節の目
的で半導体基板1に対し放射方向5に垂直な面上で二つ
の座標方向に移動可能でかつ補助的に回転可能であるよ
うに、構成されている0図を簡単にするために支・持部
品19,19aは第1図では詳細に示されていない、し
かし例えば「アイビーエム テクニカル ディスクロー
ジャ ブレティン(IBMTechn、 Discl、
Bull、 ) J 、第25巻、第12号、198
3年3月、第6400ページないし第6401ページか
ら知られている同様なマスク支持装置のような性状のも
のとすることができる。第1図を理解するためには、マ
スク2,2aが前記の方法で台板12に取り付けられた
支持部品19.19aに対して移動可能であることを思
い浮かべれば十分である。この運動は第1図に示されて
いない調節装置によりもたらされ、この調t!B装置は
導線例えば20を介して電気的に駆動される。枠状の支
持部品19.19aは台板12の孔12aの中に突出し
ている。それにより支持部品19,19aの孔21を覆
うマスク2も孔12aの中に、又はこの孔に対して放射
方向5にずれた位置に置かれている。しかしながら放射
方向5と逆向きの移動もまた同様に可能である。
品19上に支持されている。その際支持部品19は、フ
ランジ状の付加部19aにより台板12の放射方向に前
側の面に取り付けられると共に、マスク2が微調節の目
的で半導体基板1に対し放射方向5に垂直な面上で二つ
の座標方向に移動可能でかつ補助的に回転可能であるよ
うに、構成されている0図を簡単にするために支・持部
品19,19aは第1図では詳細に示されていない、し
かし例えば「アイビーエム テクニカル ディスクロー
ジャ ブレティン(IBMTechn、 Discl、
Bull、 ) J 、第25巻、第12号、198
3年3月、第6400ページないし第6401ページか
ら知られている同様なマスク支持装置のような性状のも
のとすることができる。第1図を理解するためには、マ
スク2,2aが前記の方法で台板12に取り付けられた
支持部品19.19aに対して移動可能であることを思
い浮かべれば十分である。この運動は第1図に示されて
いない調節装置によりもたらされ、この調t!B装置は
導線例えば20を介して電気的に駆動される。枠状の支
持部品19.19aは台板12の孔12aの中に突出し
ている。それにより支持部品19,19aの孔21を覆
うマスク2も孔12aの中に、又はこの孔に対して放射
方向5にずれた位置に置かれている。しかしながら放射
方向5と逆向きの移動もまた同様に可能である。
半導体基板1とマスク2との上に設けられた調節マーク
の読み取りは少なくとも二つの光学装置例えば22と2
3を用いて行われ、これらの光学装置は第1図では前後
に重なって置かれているので、これらの装置のうちの一
つ例えば22だけが見える。これらは特に顕微鏡の二つ
の対物レンズと解釈することができ、顕微鏡は支柱24
の中に配置されるのが有利であり、調節マークの像が鏡
25を介してテレビジョン撮影装置27の映像面上に伝
えられる。テレビジョン撮影装置はこの像から電気的な
信号を導出し、この信号が電子式のデータ処理装置28
に供給される。受は取られた信号は28の中で調節信号
に処理され、この調節信号が支持部品19.19aの中
に設けられた調節装置に導線20を介して供給される。
の読み取りは少なくとも二つの光学装置例えば22と2
3を用いて行われ、これらの光学装置は第1図では前後
に重なって置かれているので、これらの装置のうちの一
つ例えば22だけが見える。これらは特に顕微鏡の二つ
の対物レンズと解釈することができ、顕微鏡は支柱24
の中に配置されるのが有利であり、調節マークの像が鏡
25を介してテレビジョン撮影装置27の映像面上に伝
えられる。テレビジョン撮影装置はこの像から電気的な
信号を導出し、この信号が電子式のデータ処理装置28
に供給される。受は取られた信号は28の中で調節信号
に処理され、この調節信号が支持部品19.19aの中
に設けられた調節装置に導線20を介して供給される。
この調節信号を用いてマスク2の位置の微調節がここで
は定置されていると考えられる半導体基板に関して行わ
れるので、これらの両部品の正確な位置同調が得られる
。
は定置されていると考えられる半導体基板に関して行わ
れるので、これらの両部品の正確な位置同調が得られる
。
放射窓4Cが放射方向5にマスク2の直前に設けられ、
その際この窓4Cは孔21の内部に又は第1図に応じて
マスク2の枠状に補強された縁領域2aの内部に固定配
置されている。窓4Cとマスク2の間の間隔は例えば1
mmとすることができる。放射線案内部4bのそばに設
けられその光軸を放射方向5に平行に整列されている光
学装置22.23は、同様に孔21の中に置かれている
。マスク又は半導体基板の放射窓4Cに向かい合った部
分を照射面と呼ぶとき、光学装置22゜23は、基板l
、マスク2.窓4の第1図に示された相対位置において
、照射面の外側に存在するマスク2の部分上に向けられ
ている。
その際この窓4Cは孔21の内部に又は第1図に応じて
マスク2の枠状に補強された縁領域2aの内部に固定配
置されている。窓4Cとマスク2の間の間隔は例えば1
mmとすることができる。放射線案内部4bのそばに設
けられその光軸を放射方向5に平行に整列されている光
学装置22.23は、同様に孔21の中に置かれている
。マスク又は半導体基板の放射窓4Cに向かい合った部
分を照射面と呼ぶとき、光学装置22゜23は、基板l
、マスク2.窓4の第1図に示された相対位置において
、照射面の外側に存在するマスク2の部分上に向けられ
ている。
半導体基板lの露光のために、半導体基板lが、まず台
板12に対して従って台板12に支持されたマスク2に
対して、定められた露光域BFがマスク2に向かい合う
ような位置に、持って来られるように処置される。この
ことは後に第7図により詳細に説明するような方法で行
われる。それにより半導体基板lとマスク2との調節マ
ークは、それらの像を光学装置22.23を介して撮影
し映像面26上に伝達できるように、密接して並んでい
る。装置28の中で導出された調節信号は支持部品19
,19aの調節装置に影響し、その結果基板lとマスク
2の相互に正確な調節が達成される。調節された位置で
は台板12とそれと共に半導体基板1及びマスク2とが
、ピン18の上に向かう運動により垂直に上に向かって
動かされるので、平行なX線5の照射の際に照射面はゆ
っくりと上から下に向かって露光域BF全全体わたって
移動される。放射窓4Cのそばを通過する基板lとマス
ク2のこの共通な運動は走査運動と呼ぶこともできる。
板12に対して従って台板12に支持されたマスク2に
対して、定められた露光域BFがマスク2に向かい合う
ような位置に、持って来られるように処置される。この
ことは後に第7図により詳細に説明するような方法で行
われる。それにより半導体基板lとマスク2との調節マ
ークは、それらの像を光学装置22.23を介して撮影
し映像面26上に伝達できるように、密接して並んでい
る。装置28の中で導出された調節信号は支持部品19
,19aの調節装置に影響し、その結果基板lとマスク
2の相互に正確な調節が達成される。調節された位置で
は台板12とそれと共に半導体基板1及びマスク2とが
、ピン18の上に向かう運動により垂直に上に向かって
動かされるので、平行なX線5の照射の際に照射面はゆ
っくりと上から下に向かって露光域BF全全体わたって
移動される。放射窓4Cのそばを通過する基板lとマス
ク2のこの共通な運動は走査運動と呼ぶこともできる。
そして露光域BFの露光の後に、マスクが新しい露光域
BFI(第7図参照)に向かい合うように、半導体基板
1が台板12に対して従ってマスク2に対して移動され
るのが有利である。この調節はステップ運動と呼ぶこと
ができる。
BFI(第7図参照)に向かい合うように、半導体基板
1が台板12に対して従ってマスク2に対して移動され
るのが有利である。この調節はステップ運動と呼ぶこと
ができる。
この発明に基づき、マスク2.2aが放射方向5に垂直
に位置合わせでき、かつそのように定められたマスク面
の内部で高い精度をもってパターンを形成すべき半導体
基板に対して相対的に微調節できるように、第1図に略
示され符号19゜19aで示された枠状の支持部品が構
成されている。この支持部品の有利な一実施例が第2図
及び第3図に示されている。その際台板12に固定され
た支持部分19aの中に、マスク2の平面に垂直に配置
された三つの調節ピン29ないし31が長手方向に移動
可能に支持され、それぞれ制御可能な駆動装置に連結さ
れ、この駆動装置は19aに取り付けられている。第2
図に示す断面図において調節ピン29のための駆動装置
は符号32が付けられている。調節ピン29ないし31
は曲げ易く構成され、その端部は支持板34の孔33の
中に差し込まれ、支持板34上にマスク2.2aが取り
付けられている。それにより調節ピン29ないし31は
、駆動装置例えば32により調節可能なその長さにより
マスク面の位置を決定する。
に位置合わせでき、かつそのように定められたマスク面
の内部で高い精度をもってパターンを形成すべき半導体
基板に対して相対的に微調節できるように、第1図に略
示され符号19゜19aで示された枠状の支持部品が構
成されている。この支持部品の有利な一実施例が第2図
及び第3図に示されている。その際台板12に固定され
た支持部分19aの中に、マスク2の平面に垂直に配置
された三つの調節ピン29ないし31が長手方向に移動
可能に支持され、それぞれ制御可能な駆動装置に連結さ
れ、この駆動装置は19aに取り付けられている。第2
図に示す断面図において調節ピン29のための駆動装置
は符号32が付けられている。調節ピン29ないし31
は曲げ易く構成され、その端部は支持板34の孔33の
中に差し込まれ、支持板34上にマスク2.2aが取り
付けられている。それにより調節ピン29ないし31は
、駆動装置例えば32により調節可能なその長さにより
マスク面の位置を決定する。
支持板34は台板12の孔12aの中に存在し、それ自
体孔35を有し、この孔の中に放射線案内部の付加部4
bが突出している。
体孔35を有し、この孔の中に放射線案内部の付加部4
bが突出している。
支持部分19aの別の孔例えば36の中に三つの駆動装
置37ないし39が設けられ、長手方向に可動にマスク
2の平面に平行に配置されたその曲げ易い調節ピン40
ないし42は、それらの端部を支持板34の二つの付加
部44.45の孔例えば43の中に差し込まれている。
置37ないし39が設けられ、長手方向に可動にマスク
2の平面に平行に配置されたその曲げ易い調節ピン40
ないし42は、それらの端部を支持板34の二つの付加
部44.45の孔例えば43の中に差し込まれている。
調節ピン40の作動により、曲げ易い調節ピン29ない
し31により支持された支持板34は第1の座標軸に平
行な位置合わせ運動を誘起され、調節ピン41゜42の
作動により、第2の座標軸に平行な位置合わせ連動又は
回転運動を誘起される0回転運動は調節ピン41と42
の逆向きの運動の際に生じ、第2の座標軸に平行な位置
合わせ運動は41と42の同じ向きの運動の際に生じる
。圧縮ばね49ないし51の押力を受けて付加部44と
45に支えられた対向ピン46ないし48により、調節
ピン40ないし42従って支持板34は定められた位置
に保持される。
し31により支持された支持板34は第1の座標軸に平
行な位置合わせ運動を誘起され、調節ピン41゜42の
作動により、第2の座標軸に平行な位置合わせ連動又は
回転運動を誘起される0回転運動は調節ピン41と42
の逆向きの運動の際に生じ、第2の座標軸に平行な位置
合わせ運動は41と42の同じ向きの運動の際に生じる
。圧縮ばね49ないし51の押力を受けて付加部44と
45に支えられた対向ピン46ないし48により、調節
ピン40ないし42従って支持板34は定められた位置
に保持される。
調節ピン29ないし31の相応のtAmにより、マスク
2が放射方向5に垂直に位置合わせされる。そして調節
ピン40ないし42の作動が、このようにして調節され
たマスク面の内部で、半導体基板1に関するマスク2の
微調節をもたらす。
2が放射方向5に垂直に位置合わせされる。そして調節
ピン40ないし42の作動が、このようにして調節され
たマスク面の内部で、半導体基板1に関するマスク2の
微調節をもたらす。
第3図には更に、第1図により説明した光学装置22と
23の位置が放射窓4Cに対して相対的に示されている
。
23の位置が放射窓4Cに対して相対的に示されている
。
第4図は第2図及び第3図に示すマスク支持装置の有利
な一実施例を示し、その際駆動装置例えば32が初期荷
重を加えられた板ばね例えば52により実現されている
。更にクランプ装置例えば53が設けられ、このクラン
プ装置は支持部分19aに固定され、クランプ状態で調
節ピン例えば29がクランプあごを介して19aに強固
に結合されている。クランプあごを緩めると、このこと
は圧電式の調節要素により行うのが有利であるが、マス
ク2が向かい合った半導体基板1に接近するように、調
節ピンは板ばねの影響のもとに動かされる。クランプ状
態でこの運動を止める圧電式に作動可能なクランプあご
は、電子式のデータ処理装置28から供給された調節信
号により制御される。
な一実施例を示し、その際駆動装置例えば32が初期荷
重を加えられた板ばね例えば52により実現されている
。更にクランプ装置例えば53が設けられ、このクラン
プ装置は支持部分19aに固定され、クランプ状態で調
節ピン例えば29がクランプあごを介して19aに強固
に結合されている。クランプあごを緩めると、このこと
は圧電式の調節要素により行うのが有利であるが、マス
ク2が向かい合った半導体基板1に接近するように、調
節ピンは板ばねの影響のもとに動かされる。クランプ状
態でこの運動を止める圧電式に作動可能なクランプあご
は、電子式のデータ処理装置28から供給された調節信
号により制御される。
第5図及び第6図には、この発明の枠内にあり半導体基
板lの支持のために用いられる第1図に略示した支持板
6.結合要素7.装てん板8の有利な一実施例が示され
ている。その際第5図は第6図に示す切断線V−■に沿
った断面を示す。
板lの支持のために用いられる第1図に略示した支持板
6.結合要素7.装てん板8の有利な一実施例が示され
ている。その際第5図は第6図に示す切断線V−■に沿
った断面を示す。
半導体基板は、溝54により示され真空制御される吸引
装置により支持板6上に取り付けられている。しかし吸
引装置の代わりに他の固定具を用いることもできる。さ
て支持板6は曲げ易い結合要素55.56を介して装て
ん板8に結合されている。第5図に示すように結合要素
55.56は長く延びた曲げ易いつなぎ板であり、その
端部はそれぞれ結合ポルト57と58により支持板6と
装てん板8とに固定されている。加えて三つの駆動装置
59ないし61が設けられ、これらの駆動装置は支持板
6に取り付けられて調節ピン62ないし64に連結され
、これらの調節ピンは調節ねじ例えば64に支えられて
いる。半導体基板lの平面に垂直に可動な調節ピン62
ないし64は、それらのそれぞれの調節により装てん板
8に関する支持板6の位置を決定する。駆動装置59な
いし61の相応の制御により、半導体基板1の表面は放
射方向5に垂直に位置合わせできる。
装置により支持板6上に取り付けられている。しかし吸
引装置の代わりに他の固定具を用いることもできる。さ
て支持板6は曲げ易い結合要素55.56を介して装て
ん板8に結合されている。第5図に示すように結合要素
55.56は長く延びた曲げ易いつなぎ板であり、その
端部はそれぞれ結合ポルト57と58により支持板6と
装てん板8とに固定されている。加えて三つの駆動装置
59ないし61が設けられ、これらの駆動装置は支持板
6に取り付けられて調節ピン62ないし64に連結され
、これらの調節ピンは調節ねじ例えば64に支えられて
いる。半導体基板lの平面に垂直に可動な調節ピン62
ないし64は、それらのそれぞれの調節により装てん板
8に関する支持板6の位置を決定する。駆動装置59な
いし61の相応の制御により、半導体基板1の表面は放
射方向5に垂直に位置合わせできる。
第7図は放射方向5に逆向きに見た半導体基板l用支持
装置の全体の立面図を示す6図から分かるように、その
孔の中に半導体基板1と共に装てん板8を押し込まれた
台10が、駆動装置66゜67.68を用いて台板12
に対し相対的に動かすことができる。その校合10は台
板12とU字形のリンク69の間に支持されるのが有利
であり、このリンクは台板12に取り付けられた案内部
70の中に水平に移動可能に支持されている。
装置の全体の立面図を示す6図から分かるように、その
孔の中に半導体基板1と共に装てん板8を押し込まれた
台10が、駆動装置66゜67.68を用いて台板12
に対し相対的に動かすことができる。その校合10は台
板12とU字形のリンク69の間に支持されるのが有利
であり、このリンクは台板12に取り付けられた案内部
70の中に水平に移動可能に支持されている。
水平方向へのリンク69の駆動は同様に1台板12に固
定された駆動装置68の調節ピン71を介して行われる
。リンクに固定された駆動装置66.67の調節ピン7
2.73は、台10に固定されたピン74.75を介し
て台10を移動し、これらのピンのうちピン75は調節
ピン73の孔76の中に支持されている。調節ピン71
゜72.73はそれぞれ図示の二重矢印の両方向に運動
可能である。装置66ないし68により前記のステップ
運動が引き起こされ、この運動により半導体基板1はマ
スク2に対して異なる露光域BF又はBF’ に調節さ
れる。ここでも符号22と23により、マスクと半導体
基板との微調節のために用いられる両光学装置が示され
ている。
定された駆動装置68の調節ピン71を介して行われる
。リンクに固定された駆動装置66.67の調節ピン7
2.73は、台10に固定されたピン74.75を介し
て台10を移動し、これらのピンのうちピン75は調節
ピン73の孔76の中に支持されている。調節ピン71
゜72.73はそれぞれ図示の二重矢印の両方向に運動
可能である。装置66ないし68により前記のステップ
運動が引き起こされ、この運動により半導体基板1はマ
スク2に対して異なる露光域BF又はBF’ に調節さ
れる。ここでも符号22と23により、マスクと半導体
基板との微調節のために用いられる両光学装置が示され
ている。
さてマスク2を放射方向5に屯直に位置合わせするため
に、マスクは、:Jt、2図及び第4図において溝77
により示され真空制御される吸引装置により、第3図に
示した初期位置で支持板34に取り付けられるように扱
われる。その際光学装置22と23はそれぞれ、マスク
2の第1の範囲に設けられた調節マークに位置合わせさ
れる。装置22と23を介して調節マークから調節信号
が導出され、この調節信号が調節ピン29ないし31の
ための駆動装置例えば32に供給され、マスクを装置2
2と23との集束面上に調節するように、この駆動装置
を動かす。続いて台板12に支持されたマスク2と共に
1台板12の走査運動がピン18の作動により行われる
。それによりマスク2は部分4c 、22.23に対し
相対的に、第3図に符号4c’ 、22’ 、23
’ で示された新しい位置に達する。この位置で光学装
置22と23は、別の調節マークが設けられたマスク2
の別の二つの領域に位置合わせされている。装置22.
23,27.28を介して別の調節信号が導出され、マ
スク2の初期位置において導出された調節信号と共に、
この調節信号により装M22と23の集束面上のマスク
の正確な位置合わせが可能となる。こうして放射方向5
に垂直なマスク2の位置合わせが実施される。
に、マスクは、:Jt、2図及び第4図において溝77
により示され真空制御される吸引装置により、第3図に
示した初期位置で支持板34に取り付けられるように扱
われる。その際光学装置22と23はそれぞれ、マスク
2の第1の範囲に設けられた調節マークに位置合わせさ
れる。装置22と23を介して調節マークから調節信号
が導出され、この調節信号が調節ピン29ないし31の
ための駆動装置例えば32に供給され、マスクを装置2
2と23との集束面上に調節するように、この駆動装置
を動かす。続いて台板12に支持されたマスク2と共に
1台板12の走査運動がピン18の作動により行われる
。それによりマスク2は部分4c 、22.23に対し
相対的に、第3図に符号4c’ 、22’ 、23
’ で示された新しい位置に達する。この位置で光学装
置22と23は、別の調節マークが設けられたマスク2
の別の二つの領域に位置合わせされている。装置22.
23,27.28を介して別の調節信号が導出され、マ
スク2の初期位置において導出された調節信号と共に、
この調節信号により装M22と23の集束面上のマスク
の正確な位置合わせが可能となる。こうして放射方向5
に垂直なマスク2の位置合わせが実施される。
放射方向5に垂直な半導体基板1の個々の位置合わせは
、半導体基板1のくさび形誤差すなわち半導体基板1の
前面と後面との間の面平行度の角度誤差が十分小さい場
合には、行わないで済ますことができる。この場合には
半導体基板の位置合わせは、台板12に対する台10.
装てん板8゜支持板6の相対位置により与えられる。
、半導体基板1のくさび形誤差すなわち半導体基板1の
前面と後面との間の面平行度の角度誤差が十分小さい場
合には、行わないで済ますことができる。この場合には
半導体基板の位置合わせは、台板12に対する台10.
装てん板8゜支持板6の相対位置により与えられる。
しかし半導体基板のくさび形誤差がもはや無視できない
ほど大きいときには、第5図及び第6図に示す半導体基
板支持装置を用いながら次のように処置される。すなわ
ち半導体基板lを固定具54(第5図参照)を用いて支
持板6上に取り付けた後に、装てん板8が台10の中に
挿入される。その際マスク2は必ず既にマスク支持装置
19aの中に置かれている。半導体基板1は光学装22
22と23に関して第7図に示す初期位置を採る。その
際半導体基板1上に設けられた調節マークは、マスクの
透明な箇所を通して装置22と23により撮影され、こ
こでも調節信号に処理され、半導体基板を22と23の
集束面上に調節するように、調節信号が駆動装置59な
いし61を動かす、&f、いて台板12に支持された半
導体基板1と共に1台板12の走査運動がピン18の作
動により行われる。その際半導体基板は装置22と23
に対し相対的に新しい位置に達する。この位置では装置
22と23は、別の調節マークが設けられた半導体基板
1の別の二つの領域に位置合わせされている。装置22
,23.27.28を介して今や別の調節信号が導出さ
れ、基板lの初期位置で導出されたrA節信号と共に、
この調節信号により装置22と23の集束面上への基板
1の正確な位置合わせが可能である。こうして半導体基
板lが放射方向5に正確に垂直に位置合わせされる。
ほど大きいときには、第5図及び第6図に示す半導体基
板支持装置を用いながら次のように処置される。すなわ
ち半導体基板lを固定具54(第5図参照)を用いて支
持板6上に取り付けた後に、装てん板8が台10の中に
挿入される。その際マスク2は必ず既にマスク支持装置
19aの中に置かれている。半導体基板1は光学装22
22と23に関して第7図に示す初期位置を採る。その
際半導体基板1上に設けられた調節マークは、マスクの
透明な箇所を通して装置22と23により撮影され、こ
こでも調節信号に処理され、半導体基板を22と23の
集束面上に調節するように、調節信号が駆動装置59な
いし61を動かす、&f、いて台板12に支持された半
導体基板1と共に1台板12の走査運動がピン18の作
動により行われる。その際半導体基板は装置22と23
に対し相対的に新しい位置に達する。この位置では装置
22と23は、別の調節マークが設けられた半導体基板
1の別の二つの領域に位置合わせされている。装置22
,23.27.28を介して今や別の調節信号が導出さ
れ、基板lの初期位置で導出されたrA節信号と共に、
この調節信号により装置22と23の集束面上への基板
1の正確な位置合わせが可能である。こうして半導体基
板lが放射方向5に正確に垂直に位置合わせされる。
第4図に基づき構成されたマスク支持装置と第5図及び
第6図に基づき構成された半導体基板支持装ごとでは、
マスクの調節マークから導出された調節信号が駆動装置
59ないし61の制御のためにだけ利用されるという方
法によっても、マスクの正確な位置合わせを行うことが
できる。その際クランプ装置53の調節マークに関係す
る制御は行われない。かかる位置合わせ方法は次のよう
に進行する。まずマスク2が固定具54により支持板6
に一時的に取り付けられる。装てん板8を台10の中に
挿入後にマスクは部品4c。
第6図に基づき構成された半導体基板支持装ごとでは、
マスクの調節マークから導出された調節信号が駆動装置
59ないし61の制御のためにだけ利用されるという方
法によっても、マスクの正確な位置合わせを行うことが
できる。その際クランプ装置53の調節マークに関係す
る制御は行われない。かかる位置合わせ方法は次のよう
に進行する。まずマスク2が固定具54により支持板6
に一時的に取り付けられる。装てん板8を台10の中に
挿入後にマスクは部品4c。
22.23に対し相対的に第3図に示す初期位置に置か
れている。マスク2に設けられた調節マークは装置22
.23.27.28を介して調節信号に処理され、マス
ク2が装置22と23の集束面上に来るように、この調
節信号が駆動装置59ないし61を動かす。続いて台板
12に支持されたマスク2と共に、台板12の走査運動
がピン18の作動により行われる。その際マスク2は装
置22と23に対し相対的に新しい位置に達し、コノ位
置ハ第3図に符号4c’ 、22’ 、23’によ
り示されている。この位置では装置22と23は、別の
調節マークが設けられているマスク2の別の領域上に位
置合わせされている。そして装置22,23,27.2
8を介して別の調節信号が導出され、マスク2の装置2
2と23の集束面上への正確な位置合わせか、マスク2
の初期位置で導出された調節信号と共にこの信号により
可能となる。
れている。マスク2に設けられた調節マークは装置22
.23.27.28を介して調節信号に処理され、マス
ク2が装置22と23の集束面上に来るように、この調
節信号が駆動装置59ないし61を動かす。続いて台板
12に支持されたマスク2と共に、台板12の走査運動
がピン18の作動により行われる。その際マスク2は装
置22と23に対し相対的に新しい位置に達し、コノ位
置ハ第3図に符号4c’ 、22’ 、23’によ
り示されている。この位置では装置22と23は、別の
調節マークが設けられているマスク2の別の領域上に位
置合わせされている。そして装置22,23,27.2
8を介して別の調節信号が導出され、マスク2の装置2
2と23の集束面上への正確な位置合わせか、マスク2
の初期位置で導出された調節信号と共にこの信号により
可能となる。
マスク2がこうして放射方向5に垂直に位置合わせされ
た後に、調節ピン2りないし31を解放するようにクラ
ンプ装置53が動かされる。その際板ばね例えば52の
作用のもとに、支持板34が、支持板6に一時的に取り
付けられ位置合わせされたマスク2の方向に動かされ、
最後にマスク2に接触される。これに続いてクランプ装
置53が再びクランプ状態にもたらされ、マスク2が支
持板34に固定されるように固定要素77が制御され、
それに対してマスク2と支持板6との間の結合が解放さ
れるように固定要素54が動かされる。それにより調節
されたマスク2は支持板6から支持板34に引き渡され
る。続いて半導体基板1が支持板6に取り付けられ、場
合によっては上記の個々の位置合わせにより放射方向5
に垂直な定められた位置にもたらされる。
た後に、調節ピン2りないし31を解放するようにクラ
ンプ装置53が動かされる。その際板ばね例えば52の
作用のもとに、支持板34が、支持板6に一時的に取り
付けられ位置合わせされたマスク2の方向に動かされ、
最後にマスク2に接触される。これに続いてクランプ装
置53が再びクランプ状態にもたらされ、マスク2が支
持板34に固定されるように固定要素77が制御され、
それに対してマスク2と支持板6との間の結合が解放さ
れるように固定要素54が動かされる。それにより調節
されたマスク2は支持板6から支持板34に引き渡され
る。続いて半導体基板1が支持板6に取り付けられ、場
合によっては上記の個々の位置合わせにより放射方向5
に垂直な定められた位置にもたらされる。
駆動装置32.37ないし39.59ないし61はそれ
自体周知の圧電式の調節要素から成るのが合目的である
。台10に固定された間隔要素11は真空制御された吸
引装置を備えるのが有利であり、この吸引装置は第1図
において溝78により暗示されている。その際溝78の
中の真空の形成により、台板12と台10とが相互に固
定される。これが行われるのは、駆動装置66ないし6
8によるマスク2−と半導体基板lとの粗調節の後で、
かつ駆動装置32.37ないし39及び場合によっては
59ないし61による微調節の前である。半導体基板1
の露光中にも台10と台板12の強固な結合が維持され
ている。溝54と77とにより示され真空制御される吸
引装置は、マスク2又は半導体基板1を支持板34又は
6に取り付けるために、同様な方法で駆動される。
自体周知の圧電式の調節要素から成るのが合目的である
。台10に固定された間隔要素11は真空制御された吸
引装置を備えるのが有利であり、この吸引装置は第1図
において溝78により暗示されている。その際溝78の
中の真空の形成により、台板12と台10とが相互に固
定される。これが行われるのは、駆動装置66ないし6
8によるマスク2−と半導体基板lとの粗調節の後で、
かつ駆動装置32.37ないし39及び場合によっては
59ないし61による微調節の前である。半導体基板1
の露光中にも台10と台板12の強固な結合が維持され
ている。溝54と77とにより示され真空制御される吸
引装置は、マスク2又は半導体基板1を支持板34又は
6に取り付けるために、同様な方法で駆動される。
第1図はこの発明に基づく装置の一実施例の縦断面図、
第2図は第1図に示すマスク支持装置の第3図の切断線
■−Hによる断面図、第3図は第2図に示すマスク支持
装置の切断線■−■による断面図、第4図は第1図に示
すマスク支持装置の別の実施例の断面図、第5図は第1
図に示す半導体基板支持装置の別の実施例の第6図の切
断線V−■による断面図、第6図は第5図に示す半導体
基板支持装置の要部正面図、第7図は第6図に示す半導
体支持装置の全体正面図である。 1−、、半導体基板 2 e * *マスク、 6
・・・第2の支持板、 8・・・装てん板、 9・
・・孔、 10拳・・台、 12・・・台板、19
a・・・支持部分、 22.23−・・光学装置、
29ないし31・・舎弟1の調節ピン、32・・・第
2の駆動装置、 34・・・第1の支持板、 3
7ないし39赤・・第1の駆動装置、 4oないし4
2・・・第2の調節ピン、52・・・ばね、 53・
・・クランプ要素、54−・・第2の固定具、 55
.56−・・結合要素、 59ないし61・・6第
3の駆動装置、 62ないし64・・・第3の調節ピ
ン、69.70・・・支持装置、 77・・・第1の固
定具、 X・・・第1の座標軸、 Y・φ・第2の座標
軸。 IGI IG 2 IG4 FIG 6 ■ FIG 7
第2図は第1図に示すマスク支持装置の第3図の切断線
■−Hによる断面図、第3図は第2図に示すマスク支持
装置の切断線■−■による断面図、第4図は第1図に示
すマスク支持装置の別の実施例の断面図、第5図は第1
図に示す半導体基板支持装置の別の実施例の第6図の切
断線V−■による断面図、第6図は第5図に示す半導体
基板支持装置の要部正面図、第7図は第6図に示す半導
体支持装置の全体正面図である。 1−、、半導体基板 2 e * *マスク、 6
・・・第2の支持板、 8・・・装てん板、 9・
・・孔、 10拳・・台、 12・・・台板、19
a・・・支持部分、 22.23−・・光学装置、
29ないし31・・舎弟1の調節ピン、32・・・第
2の駆動装置、 34・・・第1の支持板、 3
7ないし39赤・・第1の駆動装置、 4oないし4
2・・・第2の調節ピン、52・・・ばね、 53・
・・クランプ要素、54−・・第2の固定具、 55
.56−・・結合要素、 59ないし61・・6第
3の駆動装置、 62ないし64・・・第3の調節ピ
ン、69.70・・・支持装置、 77・・・第1の固
定具、 X・・・第1の座標軸、 Y・φ・第2の座標
軸。 IGI IG 2 IG4 FIG 6 ■ FIG 7
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)平行な粒子線がパターンを描かれたマスク(2)上
とこのマスクの後に間隔を離して置かれパターンを形成
すべき半導体基板(1)上とに照射され、マスク(2)
が第1の固定具(77)により第1の支持板(34)上
に固定でき、この支持板が、台板(12)に固定された
枠状の支持部分(19a)の中で、マスクの平面に直角
に配置された三つの第1の調節ピン(29ないし31)
により支持され、マスクの平面に平行に配置された三つ の第2の調節ピン(40ないし42)が設 けられ、第2の調節ピンのうち一つのピン (40)が第1の座標軸(X)に平行な第1の支持板(
34)の位置合わせ運動を誘起 し、他の二つのピン(41、42)が第2の座標軸(Y
)に平行な支持板の位置合わせ 運動又は回転運動を誘起し、その際第2の 調節ピン(40ないし42)が、支持部分 (19a)に固定された第1の駆動装置 (37ないし39)を介して、それぞれ長手方向に移動
可能であるようになっている、リソグラフィ装置の中で
マスク(2)と半導 体基板(1)とを相互に正確に位置合わせ するための装置において、第1の調節ピン (29ないし31)が支持部分(19a)の中で長手方
向に移動可能に支持され、かつ支持部分(19a)に固
定された制御可能な 第2の駆動装置(32)に連結されている、ことを特徴
とするリソグラフィ装置における位置合わせ装置。 2)第2の駆動装置(32)が初期荷重を加えられたば
ね(52)から成り、制御可能なクランプ要素(53)
が設けられ、これらのクランプ要素が第1の調節ピン(
29)を任意の位置で支持部分(19a)に強固に結合
することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の装置
。 3)半導体基板(1)が第2の固定具(54)により第
2の支持板(6)上に取り付け可 能であり、この支持板が曲げ易い結合要素 (55、56)を介して装てん板(8)に結合され、制
御可能な第3の駆動装置(59ないし61)を介して操
作可能な三つの第3の調節ピン(62ないし64)が設
けられ、 第3の調節ピンがそれぞれ半導体基板(1)の平面に垂
直に可動で第2の支持板(6)と装てん板(8)との相
対位置を決め、装てん板(8)が台(10)の孔(9)
の中に挿入可能であり、台が台板(12)上に固定され
た支持装置(69、70)上に支持され、その際特に半
導体基板(1)の粒子線に対する相対的な粗調節が台(
10)の並進運動及び回転運動により行われるように、
この支持装置が構成されていることを特徴とする特許請
求の範囲第1項又は第2項記載の装置。 4)半導体基板(1)の代わりにマスク(2)が第2の
固定具(54)により第2の支持板上に固定可能である
ことを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の装置。 5)台板(12)が、支持部分(19a)及び場合によ
っては支持装置(69、70)と共に、粒子線の方向に
垂直に可動に配置され、粒子線の方向に向きかつ台板(
12)の運動方向に直角に相互にずらされた二つの光学
装置(22、23)が設けられ、マスク(2)及び/又
は半導体基板(1)上に設けられた調節マークが光学装
置(22、23)を介して評価され、駆動装置(32、
37ないし 39、59ないし61)を制御する調節信号の導出のた
めに用いられることを特徴とする特許請求の範囲第1項
ないし第4項のいずれか1項に記載の装置。 6)固定具(54、77)が真空制御された吸引装置か
ら成ることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第
5項のいずれか1項に記載の装置。 7)駆動装置(32、37ないし39、59ないし61
)が圧電式の調節装置から成ることを特徴とする特許請
求の範囲第1項ないし 第6項のいずれか1項に記載の装置。 8)マスク(2)が第1の固定具(77)により第1の
支持板(34)上に固定され、マスク(2)の第1の調
節マークが台板(12)の第1の位置において、マスク
(2)を両光学装置(22、23)の集束面上に調節す
るために用いられる調節信号の導出のために用いられ、
次に台板(12)が粒子線の方向に垂直に第2の位置に
移動され、それに基づいてマスク(2)の第2の調節マ
ークが、マスク(2)をこの集束面上に調節するために
用いられる別の調節信号の導出のために用いられること
を特徴とするリソグラフィ装置における位置合わせ装置
の運転方法。 9)半導体基板(1)が第2の固定具(54)により第
2の支持板(6)上に固定され、半導体基板(1)の第
1の調節マークが台板 (12)の第1の位置において、半導体基板(1)を両
光学装置(22、23)の集束面上に調節するために用
いられる調節信号の導出のために用いられ、台板(12
)が粒子線の方向に垂直に第2の位置に移動され、それ
に基づき半導体基板(1)の第2の調節マークが、半導
体基板(1)をこの集束面上に調節するために用いられ
る別の調節信号の導出のために用いられることを特徴と
するリソグラフィ装置における位置合わせ装置の運転方
法。 10)マスク(2)が第2の固定具(54)により第2
の支持板(6)上に固定され、マスク(2)の第1の調
節マークが台板(12)の第1の位置において、マスク
(2)を両光学装置(22、23)の集束面上に調節す
るために用いられる調節信号の導出のために用いられ、
次に台板(12)が粒子線の方向に垂直に第2の位置に
移動され、それに基づきマスク(2)の第2の調節マー
クが、マスク(2)をこの集束面上に調節するために用 いられる別の調節信号の導出のために用い られ、続いてマスク(2)がクランプ要素 (53)を緩めることにより第1の支持板 (34)に接触され、それに基づきマスク (2)が第1の支持板(34)上に固定されかつ第2の
支持板(6)から解放されるように、第1の固定具(7
7)と第2の固定具 (54)とが制御されることを特徴とするリソグラフィ
装置における位置合わせ装置の運転方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3623891.0 | 1986-07-15 | ||
| DE3623891A DE3623891A1 (de) | 1986-07-15 | 1986-07-15 | Anordnung zur genauen gegenseitigen ausrichtung einer maske und einer halbleiterscheibe in einem lithographiegeraet und verfahren zu ihrem betrieb |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331117A true JPS6331117A (ja) | 1988-02-09 |
| JPH0770462B2 JPH0770462B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=6305235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62173738A Expired - Lifetime JPH0770462B2 (ja) | 1986-07-15 | 1987-07-10 | リソグラフイ装置における位置合わせ装置とその運転方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4825086A (ja) |
| EP (1) | EP0253349B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0770462B2 (ja) |
| DE (2) | DE3623891A1 (ja) |
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- 1987-07-10 JP JP62173738A patent/JPH0770462B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-13 EP EP87110093A patent/EP0253349B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-13 DE DE8787110093T patent/DE3786201D1/de not_active Expired - Fee Related
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| EP0253349B1 (de) | 1993-06-16 |
| DE3786201D1 (de) | 1993-07-22 |
| EP0253349A2 (de) | 1988-01-20 |
| EP0253349A3 (en) | 1988-07-20 |
| DE3623891A1 (de) | 1988-01-28 |
| JPH0770462B2 (ja) | 1995-07-31 |
| US4825086A (en) | 1989-04-25 |
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