JPS6379978A - 無電解めつき浴 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁気ディスク等の磁気記録体に用いられる磁気
記録媒体を作製するための無電解めっき浴に関するもの
である。

（従来の技術） 近年、高密度磁気記録体として記録媒体がめつき法によ
り作製されためっき磁気ディスク、めっき磁気ドラム等
が用いられ始めた。これらの磁気記録体の記録媒体に要
求される基本的特性は、保磁力（ｌｌｃ）、残留磁束密
度（Ｉｌｒ）、角形比（Ｂｒ／Ｂｓ、但しＢｓは飽和磁
束密度）等の磁気特性、及び、膜厚（ｔ　）である。こ
れらの値は、磁気記録体が用いられる磁気記録装置の種
類により決まり、線記録密度、及び、出力との間にはお
よそ次の様な関係がある。

（線記録密度）−（Ｉｌｃ／Ｂｒ−ｔ）””　　−（］
Ｊ（出力）　　　　−（Ｂｒ−ｔ−Ｈｅ）””　　−ｆ
２１また、（１１、（２１式はＢｒ／Ｂｓの値により変
化し、例えばＢｒ／Ｂｓが１に近くなるに従って線記録
密度及び出力は増大する。

従って、記録密度及び出力を増大させて磁性膜の高性能
化を図るにはＨｅを増大させ磁性膜の減磁を減少させる
必要がある。

一方、近年の高トラツク密度化に対応して種々のトラッ
クサーボ方式が提案され、研究が進められている。なか
でもデータ情報を記録する磁性膜（以下データ層という
）とトラックサーボ情報を記録する磁性膜（以下サーボ
層という）を２重層化したベリードサーボ方式が有効な
方法の１つであると考えられている。このベリードサー
ボ方式においては、サーボ層の上に直接ないしは非磁性
の分離層を介してデータ層が形成され、トラック位置情
報を読み出してヘッド位置決めをするとともにその上の
データ層にデータ情報の記録再生が行なわれる。従来広
く用いられているサーボ面サーボ方式においては、トラ
ック位置情報が記録されているサーボディスクとデータ
情報が記録されているデータディスクが異なるためサー
マルオフトラックが生じるおそれがあり、トラック密度
はせいぜい１５００ＴＰＩ（インチ当たりのトラック数
）が限度である。しかし、データ情報が記録されている
位置に１対１に対応したトラック位置情報を直接読み出
してボジショニングするベリードサーボ方式では、サー
ボ面サーボ方式の１０倍以上の位置決め精度があると考
えられている。ここに用いられるデータ層およびサーボ
層の材料は限定されないが、両者の磁気特性、特にＨｅ
の差が大きいことが好ましい。データ層については線記
録密度の向上のため磁性膜のＨｅを増加させる傾向があ
る。データ情報を記録するための磁気ヘッドにはより大
きな起磁力が要求され、このためデータ層の下にあるサ
ーボ層の磁化状態が影響を受け、場合によってはトラッ
ク位置情報が消去される可能性が増大する。従って、デ
ータ層のＨｅを所要の値とするとともにサーボ層のＨｅ
はより大きな値にする必要があり、両者の磁性膜を作製
するためＨｃをできるだけ広範囲に変化し得ることが望
まれている。

高Ｈｃの磁性膜を作製するための無電解めっき浴として
従来、クエン酸を錯化剤としたＣｏ−Ｐめっき浴に亜鉛
の塩を添加することが検討されている。

洛中の塩化亜鉛の濃度を増加することにより最大１２０
００ｅ弱程度の高Ｈｅ膜が得られている。（アイイーイ
ーイー　トランザクションズ　オン　マグネチックス、
第２巻、第４号、ｐ６８１〜６８６．１９６６年） （発明が解決しようとする問題点） クエン酸を錯化剤として用いている前記めっき浴（クエ
ン酸浴）では、クエン酸の錯化力が非常に強いため浴分
解を生じにくいという意味での安定性に優れているが、
得られる磁性膜の磁気特性の制御が困難であった。前記
めっき浴で亜鉛を加えることにより高保磁力膜を得るこ
とはできる力釈クエン酸の錯化力が強すぎるため洛中に
クエン酸を少量しか加えることができず、このため得ら
れる磁気特性の再現性は極めて乏しがった。また亜鉛の
添加はめっき浴の反応性を低下させるため、これもまた
めっき析出を困難とし再現性を低下させる要因であった
。

本発明の目的は、従来の問題を改善して、高保磁力の磁
性膜を再現性良く作製し得る無電解めっき浴を提供する
ことにある。

（問題点を解決するための手段） 本発明による無電解めっき浴は、金属イオンとして少な
くともコバルトイオンおよび亜鉛イオンを含み、添加剤
として少なくともこれら金属イオンの還元剤を含む水溶
液に前記金属イオンの錯化剤として少なくともマロン酸
基、酒石酸基およびピロリン酸基を含むことを特徴どし
ている。

本発明による無電解めっき浴の主要成分としては、金属
イオンとして少なくともコバルトイオンおよび亜鉛イオ
ンを含み、添加剤として少なくとも前記金属イオンの還
元剤を含む水溶液において、前記金属イオンの錯化剤と
して少なくともマロン酸基、酒石酸基およびピロリン酸
基を含むが、本発明の目的、効果を損なわない範囲にお
いて、他の錯化剤、ＰＨ緩衝剤、光沢剤、平滑剤、励起
剤、ピンホール防止剤、界面活性剤等の添加剤が用いら
れることがある。

コバルトイオンおよび亜鉛イオンは、コバルトないしは
亜鉛の硫酸塩、塩化塩等の無機酸塩、酢酸塩、酒石酸塩
等の有機酸塩などの可溶性塩を無電解めっき洛中に溶解
することによって供給される。コバルトイオンの濃度は
、０．００４〜２ｒｎｏ　ｎＩＱの範囲が用いられるが
、好ましくは０．０１〜０．２５ｒｎｏｊ、／Ｈの範囲
である。亜鉛イオンの濃度としては、０．００００１〜
１．５ｍｏＱバの範囲が用いられるが、好ましくは０．
００５〜０．１５ｍｏ　ｎＩＱの範囲である。本発明に
おいて用いられる金属イオンとしては、ＣｏおよびＺｎ
を主成分とするが、その他の成分として、Ｎｉ、Ｒｅ、
Ｍｎ、Ｗ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、　Ａ　ｆｌ　、Ｒｕ、Ｓ
ｉ、Ｆｅ。

Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｄ、　Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔａ、　
Ｉｒ、Ｈｇ、Ｔ　Ｑ　、Ｔｉ　、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ。

Ｇａ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｂ、Ｒａ、ｌ（ｆ、Ｒｈ、
Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、ＰＬ、Ｓｎ、Ｔｅ。

Ｂａ　、　Ｃｓ　、　Ｏｓ　、　Ｓｃ　、　Ｓｅ　、　
Ｐｂ　、　Ｂ　ｉおよびＳｍ、Ｇｄ、Ｔｂなどのランタ
ン系列希土類元素等の元素が本発明の効果に影響を与え
ない範囲で含まれていてもよく、これらのイオンはそれ
ぞれの可溶性塩によって供給される。めっき膜中にはこ
れらの元素のほか、還元剤の種類によっては、Ｐ、ＩＩ
等、添加剤の種類によってはＣ，Ｎ、０．Ｓ、Ａｓ、Ｎ
ａ、に、Ｆ、ＣＱ　、Ｂｒ、　Ｔ、Ｃａ等の非金属が含
有されることがある。

還元剤としては、次亜リン酸塩、水素化はう素化合物、
ヒドラジン、アミノボラン、ジメヂルボラン、ジエチル
アミンボラン、ジエチルアミンボランおよびこれらの誘
導体の１種または２種以」二が、０．０１〜１．３ｒｎ
ｏ　ｆｌ／Ｑ　、女子ましくけ０．０５〜［１，３５ｍ
ｏ　ｎＩＱの範囲で用いられる。

錯化剤として少なくともマロン酸基、酒石酸基およびピ
ロリン酸基が使用される。マロン酸基は、マロン酸また
はマロン酸の可溶性塩が０．００１〜４．０ｒｒ１　ｏ
　ＵＩＱの範囲で用いられるが、０．１〜２．３ｎｏ　
ｎＩＱの範囲が好ましい。酒石酸基は、酒石酸または酒
石酸の可溶性塩が０ロロ１〜２．Ｏｍ　ｏ　ＵＩＱの範
囲で用いられるが、［１，１〜］、、６ｍｏ見／ＩＩの
範囲が好ましい。またピロリン酸基は、ピロリン酸また
はピロリン酸の可溶性塩がｏ、ｏｏｏｔ〜１．５０ｍｏ
Ｑ／立の範囲で用いられるが、０．００１〜Ｏ，Ｂｍｏ
Ｑ／１！の範囲が好ましい。

また錯化剤としてほかに、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、
酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、シュウ酸、コハ
ク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン
酸、イタコン酸、トリカルバリル酸、グリコール酸、チ
オグリコール酸、乳酸、β−ヒドロキシプロピオン酸、
リンゴ酸、クエン酸、イソクエン酸、アロイソクエン酸
、ピルビン酸、オキサル酢酸、ジグリコール酸、千オシ
グリコール酸、メルカプトコハク酸、ジメルカプトコハ
ク酸、安息香酸、マンデル酸、フタル酸、サリチル酸、
タル１〜ロン酸、アスコルビン酸、スルホサリチル酸、
トロボロン、３−メチルトロボロン、タイロン等のカル
ボン酸、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ト
リエチレンテ１〜ラアミン、ピリジン等のアミンおよび
その誘導体、イミノジ酢酸、イミノジプロピオン酸、二
１−リロトリ酢酸、ニトリロトリプロピオン酸、エチレ
ンジアミンジ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、エチ
レンジアミンテトラプロピオン酸、ジエチレントリアミ
ンペンタ酢酸等のアミノポリカルボン酸、アラニン、ザ
ルコシン、バリン、ノルロイシン、チロシン、システィ
ン、グルタミン酸、グリシン、アスパラギン酸、アスパ
ラギン、ヒスチジン等のアミノ酸、グルコン酸、アロン
酸、イドン酸、ガラクトン酸、グロン酸、グロン酸、マ
ンノン酸等のヘキソン酸などの弱酸またはそれらの可溶
性塩の１種または２種以上の組み合わせが用いられるこ
とがある。これらの錯化剤の濃度は、０．００１〜３．
０ｍ　ｏ　ｎＩＱの範囲が用いられ、０．１〜１．５ｍ
　ｏ　ＵＩＱの範囲が好ましい。

ｐＨ緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、有機酸塩
などが使用され、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム
、ホウ酸等を用いることが好ましい。濃度範囲は０．０
１〜３ｍｏＱ／ｌ、好ましくは０．０３〜１．ｒｈｏｕ
ｌが用いられる。

ｐＨ調節剤としては、アンモニアまたは苛性アルカリと
してＮａＯＨ，ＬｉＯＨ，ＫＯＨ，Ｒｂ０１ｌ、ＣｓＯ
Ｈ，ＦｒＯＨ。

Ｂｅ（ＯＨ）２．　　Ｍｇ＜０１（）２．　　Ｃａ（Ｏ
Ｈ）２．　　Ｓｒ（ＯＨ）２．　　Ｂａ（ＯＢ）２゜Ｒ
ａ（ＯＨ）２等の金属の水酸化物が、１種または２種以
上を組み合わせて用いられる。

通常、ｐＨ調節剤を加えない建浴前のめっき液はほぼ中
性ないし酸性域にあり、前記水酸化物を加えてアルカリ
性にｐＨ調節される。所要のｐＨを上回った場合、ｐＩ
（降下には塩酸、硫酸、硝酸、酢酸等の酸が用いられる
。ｐＨ範囲は３〜１４．５、好ましくは８．５〜１１．
０の間で用いられる。めっき浴の温度は４０〜１００℃
、好ましくは７０〜８５℃の範囲が用いられる。

磁性膜厚は０．００５〜５μｍの範囲が用いられるが、
高密度記録用には０．２μｍ以下が好ましい。

磁性膜を形成する基板としては通常金属基板が用いられ
るが、適当な活性化処理により非金属基板にも適用でき
る。

（作用） 無電解めっき浴において錯化剤の果たす役割は重要であ
る。錯化剤の錯化力が弱すぎるとめっき浴は自己分解し
易く、浴寿命を長く保つことができない。また、錯化剤
の錯化力が強ずぎると金属イオンの還元析出が困難とな
り、めっき反応を進行させることができなくなる。本発
明の目的とする無電解めっき浴を得るためには、適度の
錯化力の錯化剤を用いて所要の磁気特性が得られる必要
がある。そこで発明者等は広範囲に各種錯化剤の検討を
行なった結果、本発明において用いているマロン酸基、
酒石酸基およびピロリン酸基の組み合わせにより適度な
錯化力が得られ、高保磁力の磁性膜を再現性良く作製し
得ることが見いだされた。錯化剤と磁気特性の関係は現
在のところ理論的に明らかになっていないが、本発明に
おいて得られる効果は次のことによると考えられる。先
ずめっき洛中にマロン酸基を含むと浴の安定性が向上す
ることが見いだされた。めっき洛中に酒石酸基ないしピ
ロリン酸基を含むことにより高保磁力の磁性膜が得られ
やすいことが見いだされた。そこで、めっき洛中にマロ
ン酸基およびピロリン酸基を加えたところ、これらの効
果に加えて磁気特性の再現性も向」ニするという予期で
きない相乗効果もあることが見いだされた。これは結果
的にマロン酸基、酒石酸基およびピロリン酸基の組み合
わせが亜鉛イオンの錯形成に適しており、めっき浴の反
応性を保つことに寄与したものと考えられる。本発明は
、このような知見を得たことによりもたらされたもので
ある。

次に具体的に実施例および比較例により本発明を説明す
る。

（比較例） アルミ合金基板内径１００ｍ　ｍ外径２］Ｏｒｏｍ上に
非磁性Ｎ１−Ｐ層をめっきし、表面を鏡面研磨した後そ
の上に下記のめっき浴およびめっき条件にて膜厚０．１
０μｍのＣｏ−７，ｎ−Ｐ合金磁性膜を形成して磁気デ
ィスクを作製した。

アルミ合金基板」二に非磁性Ｎ１−Ｐ層をめっきし、表
面を鏡面研磨した後その上に下記のめつき浴およびめっ
き条件にて膜厚０．１μｍのＣｏ−Ｚｎ−Ｐ合金磁性膜
を形成した。

めっき浴（１） めっき浴組成 硫酸コバルｌ−０，０３ｍｏＱ／Ｑ 硫酸亜鉛　　　　　　　　０．００４　　　ｍ　ｏ　Ｉ
Ｊ　／　Ｑ次亜リン酸ナトリウム　　０．０５　　　　
ｍｏｆＬ／ｕクエン酸ナトリウム　　　０〜０．５　　
ｍｏｆｌ／ｕ′Ｆａ酸アンモニウム　　　　０．２５　
　　　ｍｏ見／ｌ！めっき条件 浴温　　８０℃ めっき浴のｐＨ９’、Ｏ（室温にてＮＩ＋４０１１でＩ
ＩＨ調節）めっき液の容量　　１００Ｑ こうして得られた磁性膜のＨｅがめつき洛中のクエン酸
ナトリウムの濃度によって変化する様子を第７図に示す
。Ｈｃはクエン酸ナトリウム濃度とともに増加し０．１
２ｔＴｌｏｕ／ｕで最大値をとったのち減少するが、０
．１．２ｍｏｕｉ近辺で急激に変化している。

クエン酸浴では所要のＨｅ値を得るため、めっき洛中の
クエン酸ナトリウム濃度を非常に狭い範囲で制御しなけ
ればならない。事実）、ＨｃＯ値を自由に制御すること
は困難であり、必要な磁気特性を再現性良く得ることは
できない。

つぎに再現性試験によりこのことを確認した。

第８図に本比較例でクエン酸ナトリウム０．１６ｍｏΩ
／見の浴より得られる磁性膜のＩｌｃがめつき枚数とと
もに変化していく様子を示す。磁気ディスクは１枚づつ
作製し磁気特性の測定を行なったが、２０枚ごとのＨｃ
の値をここに示している。めっき開始時のＨｃは８５０
０ｅであるが、めっき枚数の増加とともに大きく変動し
、３００枚めっきが終了した時点で初期のＨｅ値の１１
０％の範囲におさまったのは６５枚に過ぎなかった。本
比較例のようにクエン酸を錯化剤としたＣｏ−Ｚｎ−Ｐ
浴ではの高保磁力の磁性膜を再現性良く得ることが困難
であった。

（実施例１） 比較例と同様の手順で磁性膜のめっきを行なったが、本
実施例では下記のめっき浴およびめっきン・ 一１Ｖσ− 条件を用いた。

めっき浴（２） めっき浴 硫酸コバルＩ〜　　　　　　ロ０５　　　　ｍ　ｏ　、
Ｑ　７→硫酸亜鉛　　　　　　　　０．０７　　　　ｍ
ａｌｌ、／ｆ１次亜リン酸ナトリウム　　０．２０　　
　　ｍｏＱ／Ｑマロン酸ナトリウム　　　０〜２．１．
　　ｍｏ１！／Ｑ酒石酸ナトリウム　　　　０．５０　
　　　ｍｏ楚／Ｑピロリン酸ナトリウム　　０．３０　
　　　ｍｏＱ／Ｑ硫酸アンモニウム　　　　０．２５　
　　　ｍｏＱ／Ｑめっき条件 浴温　　７５℃ めっき浴のｐＨ９，２（室温にてＮＨ４ＯＨでｐＨ調節
）めっき液の容量　　１００見 こうして得られた磁性膜のＨｃがめつき洛中のマロン酸
すＩ・リウムの濃度によって変化する様子を第１図に示
す。Ｈｃはマロン酸ナトリウム濃度とともに増加し０．
１．８ｍｏｌＥ！で最大値をとったのち減少するが、比
較例の場合に比べて変化の度合いははるかに緩やかであ
る。従って、必要な磁気特性の磁性膜を再現性良く作製
することが可能であった。つぎに再現性試験によりこの
ことを確認した。第２図に本実施例でマロン酸すＩ−リ
ウム］、１．ｍ　ｏ　Ｑ／ｌ！の浴より得られる磁性膜
のｌｉｅがめつき枚数とともに変化していく様子を比較
例と同様にして調べた結果を示す。めっき開始時のＨｃ
は１．３７００ｅであるが、めっき枚数の増加とともに
しだいに減少し３４０枚めっきが終了した時点でのｌｌ
ｃは］−２４００ｅとなり、更にめっき枚数が増加する
とこれらの値はより減少した。本実施例においてもめっ
き枚数の増加とともにＨｃが変化するが、変動の度合い
は比較例に比べてはるかに少なかった。

（実施例２） 比較例と同様の手順で磁性膜のめっきを行なったが、本
実施例では下記のめっき浴およびめっき条件を用いた。

めっき浴（３） めっき浴 硫酸コバルト　　　　　　０．１０　　　　ｍ　ｏ　Ｅ
！　／　１！硫酸亜鈴　　　　　　　　０．０４　　　
　ｍｏＱｔ→次亜リン酸す）−リウム　　０．３０　　
　　ｍｏｌ」マロン酸ナトリウム　　　１　、　［１ｍ
　ｏ身／■酒石酸ナトリウム　　　　０〜１．３　　ｍ
ｏＱ／ｕピロリン酸ナトリウム　　０．０５　　　　ｍ
ｏＱ／Ｑ硫酸アンモニウム　　　　０．４０　　　　ｍ
ａｉｌ／ｆｌめっき条件 浴温　　８５℃ めっき浴のｐＨ９，５（室温にてＮ１（４叶でｐＨ調節
）めっき液の容量　　１００楚 こうして得られた磁性膜のｌｌｃがめつき洛中の酒石酸
ナトリウムの濃度によって変化する様子を第３図に示す
。ｌｌｃは酒石酸ナトリウム濃度とともに増加し０．］
、ＯｍｏＵ／Ｉ！で最大値をとったのち減少するが、比
較例の場合に比べて変化の度合いははるかに緩やかであ
る。従って、実施例１と同様必要な磁気特性の磁性膜を
再現性良く作製することが可能であった。

つぎに再現性試験によりこのことを確認した。

第４図に本実施例で酒石酸ナトリウム０．３ｍｏｆＡ１
の浴より得られる磁性膜のＨｃがめつき枚数ととも−１
，７− に変化していく様子を比較例と同様にして調べた結果を
示ず。めっき開始時のＩｌｃは９２００ｅであるが、め
っき枚数の増加とともにしだいに減少し３２０枚めっき
が終了した時点でのｔｉｃは８３００ｅとなり、更にめ
っき枚数が増加するとこれらの値はより減少した。本実
施例においてもめっき枚数の増加とともにＨｃが変化す
るが、変動の度合いは比較例に比べてはるかに少なかっ
た。

（実施例３） 比較例と同様の手順で磁性膜のめっきを行なったが、本
実施例では下記のめっき浴およびめっき条件を用いた。

めっき浴（４） めっき浴 硫酸コバルト　　　　　　０．０４　　　　ｍｏｌ！／
＋！硫酸亜鉛　　　　　　　　０．０３　　　　ｍｏＱ
／見次亜リン酸ナトリウム　　０．２５　　　　ｍｏｌ
ｌ／Ａマロン酸ナトリウム　　　０．７０　　　　ｍｏ
Ｑ／ｕ酒石酸ナトリウム　　　　０．６０　　　　ｍｏ
Ｑ／Ｑピロリン酸ナトリウム　　０〜０．８　　ｍａｌ
ｌ、／ｆｌ硫酸アンモニウム　　　　０．５０　　　　
ｍｏ見／息めっき条件 浴温　　８０℃ めっき浴ノｐＨ９，１（室温にてＮＨ４０）１でｐ）Ｉ
調節）めっき液の容量　　１００見 こうして得られた磁性膜のｌｌｃがめつき洛中のピロリ
ン酸ナトリウムの濃度によって変化する様子を第５図に
示す。Ｈｅはビロリン酸ナトリウム濃度とともに増加し
０．ｌｂｒ＋　ｏ　ｆＬ／１１で最大値１３７００ｅと
なるが、比較例の場合に比べて変化の度合いははるかに
緩やかである。従って、実施例１と同様必要な磁気特性
の磁性膜を再現性良く作製することが可能であった。

つぎに再現性試験によりこのことを確認した。

第６図に本実施例でピロリン酸ナトリウム０．２ｍｏ　
Ｑ／Ｑの浴より得られる磁性膜のＨｅがめつき枚数とと
もに変化していく様子を比較例と同様にして調べた結果
を示す。めっき開始時のＨｅは８０００ｅであるが、め
っき枚数の増加とともにしだいに減少し２８０枚めっき
が終了した時点でのＨｃは７２００ｅとなり、更にめっ
き枚数が増加するとこれらの値はより減少した。本実施
例においてもめっき枚数の増加とともにｌｌｃが変化す
るが、変動の度合いは比較例に比べてはるかに少なかっ
た。

（発明の効果） 以上、比較例および実施例で示されたように、本発明に
よれば、金属イオンとして少なくともコバルトイオンお
よび亜鉛イオンを含み、添加剤として少なくともこれら
金属イオンの還元剤を含む水溶液に前記金属イオンの錯
化剤として少なくともマロン酸基、酒石酸基およびピロ
リン酸基を含むことにより、高保磁力の磁性膜を再現性
良く作製し得る無電解めっき浴が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第３図および第５図は、それぞれ実施例１．２
および３において、本発明の無電解めっき浴より得られ
る磁性膜のＨｃがそれぞれマロン酸す１〜リウム、酒石
酸ナトリウム、ピロリン酸ナトリウムの濃度とともに変
化していく様子を示す図である。第２図、第４図および
第６図は、それぞれ実施例１．２および３において、本
発明の無電解めっき浴より得られる磁性膜のＨｅがめつ
き枚数とともに変化していく様子を示す図である。第７
図および第８図は、それぞれ比較例において用いた無電
解めっき浴より得られる磁性膜の同様の関第　　１　　
図 ０　　１．０　　２．０ マロン酸ナトリウム　（ｍｏｌ／　ｌ　）めっき枚数　
（枚） 第　　３　　図 ０　　１．０　　２．０ 酒石酸ナトリウム　（ｍｏｌ／Ｉ） 第　　４　　図 めっき枚数　（枚） 第　　５　　図 ０　　１．０　　２．０ ピロリン酸ナトリウム　（ｍｏｌ／　ｌ　）第　　６　
　図 めっき枚数　（枚） 第　　７　　図 ０　　１．０　　２．０

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 金属イオンとして少なくともコバルトイオンおよび亜鉛
   イオンを含み、添加剤として少なくともこれら金属イオ
   ンの還元剤を含む水溶液に前記金属イオンの錯化剤とし
   て少なくともマロン酸基、酒石酸基およびピロリン酸基
   を含むことを特徴とする無電解めっき浴。