JPS6381925A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体処理技術、特に、複数個のチャンバを有
するエツチング装置に適用して効果のある技術に関する
ものである。

〔従来の技術〕

半導体ウェハに対してエツチング処理を施す技術につい
ては、株式会社工業調査会、昭和５９年１１月２０日発
行、「電子材料Ｊ　１９８５年別冊、Ｐ１１９〜Ｐ１２
４に記載されている。

ところで、本発明者は、２チャンバ式のエツチング装置
について検討した、以下は、本発明者によって検討され
た技術であり、その概要は次のとおりである。

すなわち、２つのエツチング用チャンバを有するエツチ
ング装置の構造として、半導体ウェハのローディング部
からロードロック室、第１チヤンバ、第２チヤンバ、さ
らにはアンロートロツタ室を経てアンロード部に至る各
機構部を平面的に水平方向に配置するものが考えられる
。この場合、被処理物である半導体ウェハはローディン
グ部からアンロード部に至るまで全体としてはほぼ水平
方向に搬送されながら、第１チヤンバと第２チヤンバで
所要のエツチング処理が施される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが、前記したエツチング装置では、各機構部が平
面方向に配置されているために、半導体ウェハの搬送過
程で水平方向のみならず、上下方向などの多くの搬送操
作が要求され、搬送トラブルが起こり易い上に、装置全
体の専有面積が大きくなり、スペース効率が悪いなどの
問題があることを本発明者は見い出した。

本発明の目的は、被処理物の搬送を簡単かつ容易に行う
ことのできる半導体処理技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、小形でスペース効率の良い半導体
処理技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔問題点を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。

すなわち、複数個の処理室どうしの境界部に回動可能に
設置した保持手段を回動させることにより、被処理物が
該保持手段に保持された状態で第１の処理室から第２の
処理室に移動されるようにしたものである。

〔作用〕

上記した手段によれば、被処理物を第１の処理室から第
２の処理室に移動させるに際して保持手段を単にたとえ
ば１８０度回動させるだけでよく、被処理物の搬送が簡
単かつ容易に行われる上に、装置の占有面積も少なくて
済むものである。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例であるエツチング装置の概略
的縦断面図である。

本実施例において、エツチング装置は全体的に縦形の構
造を有し、その下部には、被処理物としての半導体ウェ
ハのローディング、ロードロー／　り、アンロードロッ
ク、ならびにアンローディングを行うためのロード・ア
ンロード部ｌが設けられている。そして、このロード・
アンロード部１の上側には、複数個のエツチング用チャ
ンバを持つエツチング処理部２が設けられている。

前記ロード・アンロード部１の内部には、ロード・アン
ロートロツタ室３が形成され、該ロック室３内には、半
導体ウェハ４　（被処理物）を収容するロード用のウェ
ハカセット５と、アンロード用のウェハカセット６とが
互いに水平方向に設けられている。これらのウェハカセ
ット５と６はたとえば図示しないエアシリンダ装置によ
り水平方向に独立に移動可能である。

一方、前記エツチング処理部２は水平方向に２つのエツ
チング用のチャンバ（処理室）すなわち第１のチャンバ
７　（第１の処理室）と第２のチャンバ８　（第２の処
理室）とを並置した２チヤンバ溝造を有している。各チ
ャンバ７．８内には、プラズマ発生用の平板電極９．１
０がそれぞれ垂直方向に、互いに水平に設けられている
。各チャンバ７．８には、それぞれエツチングガスの供
給口１１．１２および排気口１３．１４が形成されてい
る。

また、チャンバ７と８との間の境界部には、両チャンバ
７．８間の閉鎖手段であると共に、半導体ウェハ４の保
持手段であるウェハステージ１５が垂直方向に配設され
ている。このウェハステージ１５はその一側面に半導体
ウェハ４を係止して保持するものであり、そのためにそ
の−側面にはフック状のウェハ係止部材１６を備えてい
る。また、ウェハステージ１５はその垂直方向中心線の
回りでたとえば１８０度回動可能に構成されており、そ
の回動の駆動源の一例としてのモータ１７は本実施例で
はエツチング処理部２の上壁面の上に設置されている。

したがって、ウェハステージ１５は第１図に実線で示す
ように半導体ウェハ４をチャンバ７内に保持できると共
に、モータ１７により垂直方向中心線の回りで１８０度
回動させれば該半導体ウェハ４を同図の二点鎖線の如く
チャンバ８内に保持することもできるものである。

さらに、前記ウェハステージ１５に対する半導体ウェハ
４の供給または取り出しを行うために、たとえば半導体
ウェハ４を保持してウェハステージ１５に対して供給ま
たは取り出しするウニ７％搬入・搬出機構１８はウェハ
の保持の他に、図示しないシリンダ装置などの駆動手段
で上下および水平方向への移動も行うことができるよう
構成されている。すなわち、ウェハ搬入・搬出機構１８
はウェハカセット５内の半導体ウエノ＼４を吸着保持し
、該ウェハカセット５からチャンバ７内におけるウェハ
ステージ１５に搬送してウニノー係止部材１６で保持さ
せることができる。

一方、ウェハ搬入・搬出機構１８は、チャンバ８内にお
けるウェハステージ１５に保持された半導体ウェハ４を
保持し、ウェハステージ１５から搬出してウェハカセッ
ト６の中に収容させることができる。

なお、ロード・アンロートロツタ室３とチャンバ７およ
び８との間には、可動仕切手段が設けられるが、図示は
省略する。

以下、本実施例の作用について説明する。

まず、エツチング処理される半導体ウェハ４は図示しな
いローディング手段により、ロード・アンロードロック
室３内に壜入され、ウエノ翫カセット５の中に収容され
る。

ウェハカセット５内の半導体ウニノー４はウエノ飄搬入
・搬出機構１８により保持され、該ウエノ１カセット５
からチャンバ７内のウェハステージ１５の一側面のウェ
ハ係止部材１６に係止し、垂直状態で保持される。

この状態で、図示しない電源から平板電極９に高周波電
力を印加してチャンバ７内にプラズマ励起状態を生成さ
せることにより、半導体ウェハ４に対してエツチング処
理を行う。

エツチング処理終了後、モータ１７によりウェハステー
ジ１５をその垂直方向中心線の回りで１８０度回動させ
ると、該ウェハステージ１５およびウェハ係止部材１６
ならびに半導体ウェハ４は第１図の実線位置から二点鎖
線位置に移動し、単導体ウェハ４はチャンバ８内に保持
された状態となる。

この状態で、図示しない電源から平板電極１０に対して
高周波電力を印加することにより、チャンバ８内のプラ
ズマが励起され、半導体ウェハ４に対するエツチング処
理が行われる。

チャンバ８内でのエツチングを終了した半導体ウェハ４
はウェハ搬入・搬出機構１８で吸着保持され、ウェハス
テージ１５から取り外されて下降され、ウェハカセット
６の中に収容される。ウェハカセット６内に収容された
半導体つ“工／Ｘ４は図示しないシリンダ装置などでケ
ロード・アンロードロック室３内から次の工程に搬送さ
れる。

このように、本実施例によればせ、以下の効果を得るこ
とができる。

（１）、　　２つのチャンバ７．８間における半導体ウ
ェハ４の移動をウェハステージ１５の１８０度の回動動
作のみで行うことができ、チャンバ７．８間でのウェハ
搬送の簡単化と容易化を図ることができる。

（２）、２チャンバ式のエツチング処理がロード・アン
ロード部１と、その上側に設けられたエツチング処理部
２とからなり、かつエツチング処理部２の２つのチャン
バ７と８との境界部に回動可能なウェハステージ１５が
設けられていることにより、このエツチング装置におけ
る半導体ウェハ４の搬送は、ウェハカセット５，６の水
平移動、ウェハカセット５からウェハステージ１５への
ウェハ搬入・搬出機構１８の上昇および水平移動、ウェ
ハステージ１５の１８０度回動、ウェハステージ１５か
らウェハカセット６へのウェハ搬入・搬出機構１９の水
平および下降移動だけで全て行うことができ、ウェハ搬
送動作が全体としても楊めて簡単かつ容易となり、搬送
トラブルを減少させることができる。

（３）、前記（１）、　（２）により、エツチング装置
が縦形構造で、ウェハ搬送も長い距離の水平移動を必要
としないよう構成されているので、エツチング装置の設
置のための占有面積が小さくて済み、スペース効率が改
善される。

（４）、前記（１）、　（２）により、ウェハ撮送系路
が簡略化および短縮化され、搬送工程も減少されている
上に、半導体ウェハ４の搬送姿勢が水平状態ではなくて
、垂直状態であるので、半導体ウェハ４への異物の付着
による不良を低減さぜることができる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもなたとえば、ウェハ搬入・搬出
機構を真空吸着方式以外のものとすることもできる。

また、必要であればチャンバを３つ以上設け、３段階以
上のエツチングなどの処理を行うよう構成し、でもよい
。

以」−の説明では主セして本発明者によってなされた発
明をその利用分野である半導体ウェハのエツチングに適
用した場合について説明したが、これに叩定されるもの
ではなく、たとえばエツチング以外の半導体処理装置に
適用することもできる。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
。

すなわち、複数個の処理室を有する半導体処理装置であ
って、被処理物を保持する保持手段を処理室どうしの境
界部に回動可能に設置し、第１の処理室で被処理物に所
定の処理を施した後、前記保持手段を所定量だけ回動さ
刊で、該保持手段で保持された被処理物を前記、第１の
処理室から第２の処理室に移動させ、該第２の処理室で
所定の処理を施すことにより、複数の処理室間での被処
理物の移動を保持手段の回動のみで行うことができ、搬
送の筒中４化と容易化、搬送トラブルの減少化を図るこ
とができる また、水平方向へ、の搬送距離が短くなり、装置の設置
のための占有面積を減少させ、スペース効率を改善する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるエツチング装置の概略
的縦断面図である。 １・・・ロート・アンロー）’部、２・・・エッチンク
処理部、３・・・ロード・アンロードロック室、４・・
・半導体ウェハ〈被処理物）、５・・・ロード用のウェ
ハカセット、６・・・アンロード用のウェハカセット、
７・・・第１のチャンバ（第１の処理室）、８・・・第
２のブヤンバ（第２の処理室）、９．１０・・・平板電
極、１１゜１２・・・供給口、１３．１４・・・排気口
、１５・・・ウェハステージ、１６・・・ウェハ係止部
＋４．１７・・・モータ、１８．１９　・・・ウェハ搬
入・搬出機構。 第　　１　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、複数個の処理室を有する処理装置であって、被処理
   物を保持する保持手段を処理室どうしの境界部に回動可
   能に設置し、第１の処理室で被処理物に所定の処理を施
   した後、前記保持手段を所定量だけ回動させて、該保持
   手段で保持された被処理物を前記第１の処理室から第２
   の処理室に移動させ、該第２の処理室で所定の処理を施
   すことを特徴とする処理装置。 ２、保持手段は被処理物を垂直方向に保持し、その垂直
   方向中心線の回りで１８０度回動可能であることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。 ３、処理装置がエッチング装置であることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項記載の処理装置。