JPS6381990A - 発光素子用材料 - Google Patents
発光素子用材料Info
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Links
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Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光通信用発光素子の材料に関し、詳細には、
プラスチック光フアイバ通信の光源として用いられる光
通信用発光ダイオードに最適な発光素子用材料に関する
ものである。
プラスチック光フアイバ通信の光源として用いられる光
通信用発光ダイオードに最適な発光素子用材料に関する
ものである。
従来、光通信に用いられているプラスチック光ファイバ
、特にコア部がポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）か
らなり、クラッド部がより低損失のポリメタクリル酸メ
チルにたとえばフッ素（Ｆ）を分子鎖に導入したものか
らなるプラスチック光ファイバの伝送損失は、第３図に
示すように、波長が６４０〜６７０ｎｍ（以下、６６０
ｎｍ帯波長と呼ぶ）、及び５５０〜６００ｎｍ（以下
、５７０ ｎｍ帯波長と呼ぶ）のところに顕著な低損失
領域があることが知られている。この伝送損失は、６６
０ ｎｍ帯波長で１５０〜２８０ ｄＢ／ｋｍ１５７０
ｎｍ帯波長では１２０〜１７０ｄＢ／ｋｍとなる。
、特にコア部がポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）か
らなり、クラッド部がより低損失のポリメタクリル酸メ
チルにたとえばフッ素（Ｆ）を分子鎖に導入したものか
らなるプラスチック光ファイバの伝送損失は、第３図に
示すように、波長が６４０〜６７０ｎｍ（以下、６６０
ｎｍ帯波長と呼ぶ）、及び５５０〜６００ｎｍ（以下
、５７０ ｎｍ帯波長と呼ぶ）のところに顕著な低損失
領域があることが知られている。この伝送損失は、６６
０ ｎｍ帯波長で１５０〜２８０ ｄＢ／ｋｍ１５７０
ｎｍ帯波長では１２０〜１７０ｄＢ／ｋｍとなる。
また、低損失領域の幅を見ると、６６ Ｑ ｎｍ帯波長
よシも５７０ ｎｍ帯波長の方が幅広−。この事は、発
光ダイオードの発光波長に分布があることを考えると、
よシ広い低損失領域を有する５ ７０ ｎｍ帯波長の発
光ダイオードであれば光ファイバによる伝送損失が少な
くな、ることを示すものである。
よシも５７０ ｎｍ帯波長の方が幅広−。この事は、発
光ダイオードの発光波長に分布があることを考えると、
よシ広い低損失領域を有する５ ７０ ｎｍ帯波長の発
光ダイオードであれば光ファイバによる伝送損失が少な
くな、ることを示すものである。
このように、プラスチック光ファイバを用いた光通信の
場合、発光中心波長が６６０ ｎｍ帯の赤色発光ダイオ
ードよりも、発光中心波長が５７０ ｎｍ帯の緑色発光
ダイオードを光源として用いた方が、伝送損失が少なく
なることは明白であ′る。
場合、発光中心波長が６６０ ｎｍ帯の赤色発光ダイオ
ードよりも、発光中心波長が５７０ ｎｍ帯の緑色発光
ダイオードを光源として用いた方が、伝送損失が少なく
なることは明白であ′る。
ところで従来、６６０ ｎｍ帯波長の赤色発光ダイオー
ド古しては、間接遷移型のＧａＡｓＰ ｓ及び直接遷移
型のＧａＡｌＡｓがあり、発光効率はそれぞれ０．１〜
０．２％（発光輝度でｉｏｏ〜３００ ／ｌＷ ） 、
及び２〜８チ（発光輝度で５００〜２，０００ ／＃）
である。これに対し、５７０ ｎｍ帯波長の緑色発光ダ
イオードとしては、間接遷移型のＧａＰやＧａＡｓＰが
あるだけで、その発光効率は０．１〜０．２％（発光輝
度で２５〜５０ｐＷ ）という低い値である。そのため
、従来の緑色発光ダイオードは、プラスチック光７アイ
パの伝送損失の点では有利であるが、低輝度のために光
通信用には不適当であった。
ド古しては、間接遷移型のＧａＡｓＰ ｓ及び直接遷移
型のＧａＡｌＡｓがあり、発光効率はそれぞれ０．１〜
０．２％（発光輝度でｉｏｏ〜３００ ／ｌＷ ） 、
及び２〜８チ（発光輝度で５００〜２，０００ ／＃）
である。これに対し、５７０ ｎｍ帯波長の緑色発光ダ
イオードとしては、間接遷移型のＧａＰやＧａＡｓＰが
あるだけで、その発光効率は０．１〜０．２％（発光輝
度で２５〜５０ｐＷ ）という低い値である。そのため
、従来の緑色発光ダイオードは、プラスチック光７アイ
パの伝送損失の点では有利であるが、低輝度のために光
通信用には不適当であった。
そこで現在、ＧａＰ基板またはＧａＡｓ基板上にＧａＡ
ｓＰ金成長させた５ ７０ ｎｍｍ帯波付付近黄色〜緑
色）の発光ダイオードが提供されているが、全て表示用
として使用されるものである。また、上記ＧａＰやＧａ
Ａｓ Ｐの発光ダイオードは、間接遷移型であるため、
発光出力及び変調速度が低く、６６０ ｎｍ帯波長の赤
色発光ダイオードのように使用できず、光通信用として
は実用化されていない。
ｓＰ金成長させた５ ７０ ｎｍｍ帯波付付近黄色〜緑
色）の発光ダイオードが提供されているが、全て表示用
として使用されるものである。また、上記ＧａＰやＧａ
Ａｓ Ｐの発光ダイオードは、間接遷移型であるため、
発光出力及び変調速度が低く、６６０ ｎｍ帯波長の赤
色発光ダイオードのように使用できず、光通信用として
は実用化されていない。
そのため、上記のＧａＰ或いはＧａＡ、ｓＰからなる緑
色発光ダイオードの欠点を克服Ｉ〜、５７０ ｎｍ帯波
長の有利性を活用することができる光通信用緑色発光ダ
イオードが提供されている。この緑色発光ダイオードは
、ＧａＡｓＰＯ代わりにＩｎＧａＰからなる眉をＧａＡ
ｓ基板上に成長させたもので、直接遷移型であるため、
発光効率が良く、発光出力が高く、変調も高速である。
色発光ダイオードの欠点を克服Ｉ〜、５７０ ｎｍ帯波
長の有利性を活用することができる光通信用緑色発光ダ
イオードが提供されている。この緑色発光ダイオードは
、ＧａＡｓＰＯ代わりにＩｎＧａＰからなる眉をＧａＡ
ｓ基板上に成長させたもので、直接遷移型であるため、
発光効率が良く、発光出力が高く、変調も高速である。
用途的には、プラスチック光フアイバ短距離通信用（移
動体内、家庭内、建物内など）、数字及び文字表示用（
大型表示灯、大型表示装置など）、ＯＡ機器用（ファッ
クス、複写機など）など多様に渡っている。
動体内、家庭内、建物内など）、数字及び文字表示用（
大型表示灯、大型表示装置など）、ＯＡ機器用（ファッ
クス、複写機など）など多様に渡っている。
一般に、半導体デバイスを製作する場合、バルク結晶よ
り得られる基板上にエピタキシャル成長を行う等の方法
によっているが、混晶半導体を用いる場合は現在のとこ
ろ、そのバルク結晶がないのが実情である。そのため、
化合半導体混晶のバルク結晶を得るために多くの研究が
なされているが、各元素の偏析係数が異ることと蒸気圧
の高い構成元素を含んでいるために未だ基板となるよう
なバルク結晶が得られていない。そのためＩｎＧａＰ混
晶の成長にはＧａＡｓ基板あるいはＧａＰ基板等の緑色
発光ダイオード用ＩｎＧａＰ混晶とは格子定数の異った
基板が用いられ、基板とＩｎＧａＰエピタキシャル成長
層との間に格子定数を整合するためのＧａＡｓＰ等の組
成傾斜層を設ける必要があった。
り得られる基板上にエピタキシャル成長を行う等の方法
によっているが、混晶半導体を用いる場合は現在のとこ
ろ、そのバルク結晶がないのが実情である。そのため、
化合半導体混晶のバルク結晶を得るために多くの研究が
なされているが、各元素の偏析係数が異ることと蒸気圧
の高い構成元素を含んでいるために未だ基板となるよう
なバルク結晶が得られていない。そのためＩｎＧａＰ混
晶の成長にはＧａＡｓ基板あるいはＧａＰ基板等の緑色
発光ダイオード用ＩｎＧａＰ混晶とは格子定数の異った
基板が用いられ、基板とＩｎＧａＰエピタキシャル成長
層との間に格子定数を整合するためのＧａＡｓＰ等の組
成傾斜層を設ける必要があった。
傾斜層は、別の材料を用いて基板の格子定数と同一の格
子定数の層をまず基板上に成長させ、その層上に徐々に
格子定数を変化させた層を順次成長させて、最後に発光
層であるエピタキシャル成長層の格子定数と同一の格子
定数の層を成長させたものである。それ故、ＧａＡｓ基
板上に発光材料のＩｎＧａＰ層をエピタキシャル成長さ
せる場合は、ＧａＡｓｙＰｌ−ｙからなる傾斜層を設け
る。すなわち、このｙの値を徐々に小さくした層（Ｐの
含有量を徐々に大きくした層）を基板上に順次に成長さ
せたものを傾斜層とすることにより、ＧａＡｓの格子定
数とＩｎＧａＰの格子定数との相違を緩和することがで
きる。
子定数の層をまず基板上に成長させ、その層上に徐々に
格子定数を変化させた層を順次成長させて、最後に発光
層であるエピタキシャル成長層の格子定数と同一の格子
定数の層を成長させたものである。それ故、ＧａＡｓ基
板上に発光材料のＩｎＧａＰ層をエピタキシャル成長さ
せる場合は、ＧａＡｓｙＰｌ−ｙからなる傾斜層を設け
る。すなわち、このｙの値を徐々に小さくした層（Ｐの
含有量を徐々に大きくした層）を基板上に順次に成長さ
せたものを傾斜層とすることにより、ＧａＡｓの格子定
数とＩｎＧａＰの格子定数との相違を緩和することがで
きる。
ところで、傾斜層を設けた緑色発光ダイオードでは、Ｇ
ａＡｓ基板上にＧａＡｓｙＰｌ−、傾斜層を設けた緑色
発光素子用材料が市販されている。しか１７ながら、こ
の傾斜層を設けた市販の発光素子用材料はＧａＡｓ基板
のみに比べて非常に高価であり、結果として製造される
種々の発光素子、たとえば発光ダイオードやレーデダイ
オードなども高価になる。
ａＡｓ基板上にＧａＡｓｙＰｌ−、傾斜層を設けた緑色
発光素子用材料が市販されている。しか１７ながら、こ
の傾斜層を設けた市販の発光素子用材料はＧａＡｓ基板
のみに比べて非常に高価であり、結果として製造される
種々の発光素子、たとえば発光ダイオードやレーデダイ
オードなども高価になる。
従って本発明の目的は、上述の問題点を解決し、ＧａＡ
ｓ基板上にＧａＡｓ ｙ Ｐ １−ｙ傾斜層を設けた緑
色発光素子用材料よシも安価で経済的な光通信に最適な
発光素子用材料を提供することにある。
ｓ基板上にＧａＡｓ ｙ Ｐ １−ｙ傾斜層を設けた緑
色発光素子用材料よシも安価で経済的な光通信に最適な
発光素子用材料を提供することにある。
前記目的は、緑色発光ダイオード用Ｉ ｎＧａＰ混晶と
格子整合するゲルマニウムシリコン（ＧｅＳｉ）！晶と
ＩｎＧａＰ混晶層からなシ、該ＩｎＧａＰ層の混晶組成
が燐化ガリウム（ＧａＰ ）のモル分率で０．５０〜０
．７５であり、該ＩｎＧａＰ層がｐｎ接合を有すること
を特徴とする発光素子用材料によって達成される。本発
明において、ＧｅＳｉ基板上のＩｎＧａＰ層の混晶組成
は、ＧａＰのモル分率で表わすと０．５０〜０．７５で
あシ、好ましくは０．７０〜０．７４である。ＧａＰ（
７）モル分率が０．７０〜０．７４の材料は発光出力及
び変調速度に優れたものである。
格子整合するゲルマニウムシリコン（ＧｅＳｉ）！晶と
ＩｎＧａＰ混晶層からなシ、該ＩｎＧａＰ層の混晶組成
が燐化ガリウム（ＧａＰ ）のモル分率で０．５０〜０
．７５であり、該ＩｎＧａＰ層がｐｎ接合を有すること
を特徴とする発光素子用材料によって達成される。本発
明において、ＧｅＳｉ基板上のＩｎＧａＰ層の混晶組成
は、ＧａＰのモル分率で表わすと０．５０〜０．７５で
あシ、好ましくは０．７０〜０．７４である。ＧａＰ（
７）モル分率が０．７０〜０．７４の材料は発光出力及
び変調速度に優れたものである。
ＩｎＧａＰ層は液相成長法あるいは気相成長法などの既
知の手段によって基板上に成長させることができる。Ｉ
ｎＧａ Ｐ混晶においては燐（ｐ）の蒸気圧が高い等の
理由からバルク結晶を得ることは大変困難であるが、Ｇ
ｅＳｉ混晶のバルク結晶は、ＧｅおよびＳｉのそれぞれ
のバルク結晶は様々な方法で充分に研究開発されて工業
化に至っているので、それらの組み合わせにより高品位
な結晶を得ることが可能である。第２図にＧｅＳｉ混晶
とＩｎＧａＰ混晶の格子定・数の関係を示す。第２図よ
、！ｌ） ＧｅＳｉとＩｎＧａＰは広い組成範囲で格子
整合していることが分る。特にＧａＰのモル分率が０．
７４であるＩｎＧａＰ混晶はＧ。
知の手段によって基板上に成長させることができる。Ｉ
ｎＧａ Ｐ混晶においては燐（ｐ）の蒸気圧が高い等の
理由からバルク結晶を得ることは大変困難であるが、Ｇ
ｅＳｉ混晶のバルク結晶は、ＧｅおよびＳｉのそれぞれ
のバルク結晶は様々な方法で充分に研究開発されて工業
化に至っているので、それらの組み合わせにより高品位
な結晶を得ることが可能である。第２図にＧｅＳｉ混晶
とＩｎＧａＰ混晶の格子定・数の関係を示す。第２図よ
、！ｌ） ＧｅＳｉとＩｎＧａＰは広い組成範囲で格子
整合していることが分る。特にＧａＰのモル分率が０．
７４であるＩｎＧａＰ混晶はＧ。
のモル分率で０．６であるＧｅＳｉ混晶と格子整合する
。
。
すなわち、Ｇｅのモル分率で０．５〜０，７、好ましく
は０．６のＧｅＳｉ混晶基板上にＧａＰのモル分率で０
．５〜０．７５、好ましくは０．７０〜０．７４のＩｎ
ＧａＰ混晶層を既知の成長方法によって作製するので、
安価な材料と既知の方法によシ大量製産の可能である基
板を用いることと、ＧａＡｓＰ等の傾斜層を成長する手
間が省けることから、本発明により、前記目的を全て達
成した、安価で経済的な光通信に最適な発光素子用材料
が得られることが明かとなった。
は０．６のＧｅＳｉ混晶基板上にＧａＰのモル分率で０
．５〜０．７５、好ましくは０．７０〜０．７４のＩｎ
ＧａＰ混晶層を既知の成長方法によって作製するので、
安価な材料と既知の方法によシ大量製産の可能である基
板を用いることと、ＧａＡｓＰ等の傾斜層を成長する手
間が省けることから、本発明により、前記目的を全て達
成した、安価で経済的な光通信に最適な発光素子用材料
が得られることが明かとなった。
以下、本発明の発光素子用材料の実施例を図面に基づい
て説明する。
て説明する。
第１図に本発明の一実施例を示す。
本発明の材料は、第１図（ａ）に示すようなｎ型Ｇｅ５
ｔ基板１上にｎ型Ｉ ｎＧａＰ層２を成長させ、さらに
その上にｐ・型ＩｎＧａＰ層３を設けた３層構造あるい
は（ｂ）に示すようなｐ型ＧｅＳｉ基板り′上にｐ型Ｉ
ｎＧａＰ層２′を成長させ、さらにその上にｎ型ＩｎＧ
ａＰ層３′を設けた３層構造からなシ、ＧｅＳｉ基板の
混晶組成ｆ’ｉ Ｇｅのモル分率で０．５〜０．７、好
ましくは０．６．ＩｎＧａＰ層の混晶組成は０．５０〜
０．７５、好ましくは０．７０〜０．７４である。また
明かなように２と３および２′と３′の界面にはＰｎ接
合が形成されている・この材料はＧａＡｓ Ｐなどの傾
斜層を設けることなしにＩｎＧａＰ層を格子整合して成
長することができるので、ミスフィツト転位等の問題が
全くない上に従来の方法よりも手間が省けて非常に安価
であシ、この材料を用いてたとえば緑色発光ダイオード
を製造すれば、すなわちこの材料にｐ側電極材及びｎ側
電極材を真空蒸着などの手段によって設けて発光ダイオ
ードとすれば、結果として発光ダイオードの製造コスト
を下げることができる。第１図においてｎ型ＩｎＧａＰ
層のドナー不純物としてはＳ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｓｅなど（
好適にはＴｅ）、ｐ型ＩｎＧａＰ層のアクセプタ不純物
としてはＧｅ、Ｂｅ。
ｔ基板１上にｎ型Ｉ ｎＧａＰ層２を成長させ、さらに
その上にｐ・型ＩｎＧａＰ層３を設けた３層構造あるい
は（ｂ）に示すようなｐ型ＧｅＳｉ基板り′上にｐ型Ｉ
ｎＧａＰ層２′を成長させ、さらにその上にｎ型ＩｎＧ
ａＰ層３′を設けた３層構造からなシ、ＧｅＳｉ基板の
混晶組成ｆ’ｉ Ｇｅのモル分率で０．５〜０．７、好
ましくは０．６．ＩｎＧａＰ層の混晶組成は０．５０〜
０．７５、好ましくは０．７０〜０．７４である。また
明かなように２と３および２′と３′の界面にはＰｎ接
合が形成されている・この材料はＧａＡｓ Ｐなどの傾
斜層を設けることなしにＩｎＧａＰ層を格子整合して成
長することができるので、ミスフィツト転位等の問題が
全くない上に従来の方法よりも手間が省けて非常に安価
であシ、この材料を用いてたとえば緑色発光ダイオード
を製造すれば、すなわちこの材料にｐ側電極材及びｎ側
電極材を真空蒸着などの手段によって設けて発光ダイオ
ードとすれば、結果として発光ダイオードの製造コスト
を下げることができる。第１図においてｎ型ＩｎＧａＰ
層のドナー不純物としてはＳ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｓｅなど（
好適にはＴｅ）、ｐ型ＩｎＧａＰ層のアクセプタ不純物
としてはＧｅ、Ｂｅ。
Ｃｄ 、Ｍｇ 、Ｚｎ （好適にはＺｎ ）を用いれば
よい。また、ＩｎＧａＰ混晶の電子および正相の移動度
を考慮するとｐ側での発光が望ましいが、その場合のｎ
形ＩｎＧａＰ層の不純物濃度は１０１６〜１ｏ１８／ｃ
ｒｎ３、ｐ形ＩｎＧａＰ層の不純物濃度は１０１５〜１
ｏ１７／ｃｒｎ３が適当である。通常はｐ形の方が高不
純濃度を達成しやすいのでｎ形ＩｎＧａＰ側での発光が
主となるが、その場合はｎ形ＩｎＧａＰ層の不純物濃度
は１０１５〜１０ ”７ｃｍ３、ｐ形ＩｎＧａＰ層の不
純物濃度は１０〜１０／ｃＩｎ が適当である。２，２
′のＩｎＧａＰ層は液相成長あるいは気相成長などの既
知の方法によって容易に成長でき、またｐｎ接合を形成
するための３，３′のＩｎＧａＰ層は拡散技術、液相成
長、気相成長などによって容易に形成できる。１，１′
のＧｅＳｉ混晶基板はＳｔ、およびＧｅにおいて既知の
工業的に完成しているバルク結晶成長法、例えば引上げ
法、フローティング・ゾーン法等によって容易に供給し
得る。又、用いるＧｅＳｉ混晶の面方位は（１００）ま
たは（１１１）が適当である。
よい。また、ＩｎＧａＰ混晶の電子および正相の移動度
を考慮するとｐ側での発光が望ましいが、その場合のｎ
形ＩｎＧａＰ層の不純物濃度は１０１６〜１ｏ１８／ｃ
ｒｎ３、ｐ形ＩｎＧａＰ層の不純物濃度は１０１５〜１
ｏ１７／ｃｒｎ３が適当である。通常はｐ形の方が高不
純濃度を達成しやすいのでｎ形ＩｎＧａＰ側での発光が
主となるが、その場合はｎ形ＩｎＧａＰ層の不純物濃度
は１０１５〜１０ ”７ｃｍ３、ｐ形ＩｎＧａＰ層の不
純物濃度は１０〜１０／ｃＩｎ が適当である。２，２
′のＩｎＧａＰ層は液相成長あるいは気相成長などの既
知の方法によって容易に成長でき、またｐｎ接合を形成
するための３，３′のＩｎＧａＰ層は拡散技術、液相成
長、気相成長などによって容易に形成できる。１，１′
のＧｅＳｉ混晶基板はＳｔ、およびＧｅにおいて既知の
工業的に完成しているバルク結晶成長法、例えば引上げ
法、フローティング・ゾーン法等によって容易に供給し
得る。又、用いるＧｅＳｉ混晶の面方位は（１００）ま
たは（１１１）が適当である。
以上説明したように本発明の発光素子用材料はＧｅＳｉ
混晶基板とｐｎ接合を有したＩｎＧａＰ混晶層からなり
、ＧｅＳｉ混晶基板の組成がＧｅのモル分率で０．５０
〜０．７０の範囲にあり、ＩｎＧａＰ混晶の組成がＧａ
Ｐのモル分率で０．５０〜０．７５の範囲でＧｅＳｉ混
晶基板上にＩｎＧａＰ混晶を格子整合した状態でエピタ
キシャル成長させたものであることにょシ、従来の傾斜
層を設けてなる材料よりも手間が省けて安価であり、こ
の材料を用いて光通信用発光ダイオード、レーザダイオ
ード、アバランシェ光ダイオードなどの発光素子を製造
した場合にその製造コストを下げることができる。
混晶基板とｐｎ接合を有したＩｎＧａＰ混晶層からなり
、ＧｅＳｉ混晶基板の組成がＧｅのモル分率で０．５０
〜０．７０の範囲にあり、ＩｎＧａＰ混晶の組成がＧａ
Ｐのモル分率で０．５０〜０．７５の範囲でＧｅＳｉ混
晶基板上にＩｎＧａＰ混晶を格子整合した状態でエピタ
キシャル成長させたものであることにょシ、従来の傾斜
層を設けてなる材料よりも手間が省けて安価であり、こ
の材料を用いて光通信用発光ダイオード、レーザダイオ
ード、アバランシェ光ダイオードなどの発光素子を製造
した場合にその製造コストを下げることができる。
第１図は本発明の発光素子用材料の一実施例の断面図、
第２図はＩｎＧａＰ混晶およびＧｅ５ｔ混晶の混晶組成
と格子定数の関係を示すグラフである。第３図はプラス
チック光ファイバにおける波長と伝送損失との関係を示
すグラフである。 １・・・ｎ形ＧｅＳｉ混晶基板、１′・・・ｐ形ＧｅＳ
ｉ混晶基板、２ ＝ ｎ形Ｉ ｎＧａ Ｐ混晶層、２
／ 、、、 ｐ形ＩｎＧａＰ混晶層、３−ｐ形ＩｎＧａ
Ｐ混晶層、３ ／ 、、−ｎ形ＩｎＧａＰ混晶層。 Ｐｎ・・・ｐｎ接合。
第２図はＩｎＧａＰ混晶およびＧｅ５ｔ混晶の混晶組成
と格子定数の関係を示すグラフである。第３図はプラス
チック光ファイバにおける波長と伝送損失との関係を示
すグラフである。 １・・・ｎ形ＧｅＳｉ混晶基板、１′・・・ｐ形ＧｅＳ
ｉ混晶基板、２ ＝ ｎ形Ｉ ｎＧａ Ｐ混晶層、２
／ 、、、 ｐ形ＩｎＧａＰ混晶層、３−ｐ形ＩｎＧａ
Ｐ混晶層、３ ／ 、、−ｎ形ＩｎＧａＰ混晶層。 Ｐｎ・・・ｐｎ接合。
Claims (1)
- ゲルマニウム−シリコン（ＧｅＳｉ）混晶基板と燐化イ
ンジウムガリウム（ＩｎＧａＰ）層とからなり、該Ｉｎ
ＧａＰ層の混晶組成が燐化ガリウム（ＧａＰ）のモル分
率で０．５０〜０．７５でありＧｅＳｉ混晶基板と格子
整合し、該ＩｎＧａＰ層がｐｎ接合を有することを特徴
とする発光素子用材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61226276A JPS6381990A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 発光素子用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61226276A JPS6381990A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 発光素子用材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6381990A true JPS6381990A (ja) | 1988-04-12 |
Family
ID=16842672
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61226276A Pending JPS6381990A (ja) | 1986-09-26 | 1986-09-26 | 発光素子用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6381990A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5164950A (en) * | 1990-06-05 | 1992-11-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device comprising a sige single crystal substrate |
| US5341001A (en) * | 1992-02-13 | 1994-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Sulfide-selenide manganese-zinc mixed crystal photo semiconductor and laser diode |
| KR100771999B1 (ko) * | 2004-05-20 | 2007-10-31 | 김상돈 | 그레이팅 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58191421A (ja) * | 1982-05-04 | 1983-11-08 | Nec Corp | 化合物半導体成長用基板と化合物半導体の製造方法 |
-
1986
- 1986-09-26 JP JP61226276A patent/JPS6381990A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58191421A (ja) * | 1982-05-04 | 1983-11-08 | Nec Corp | 化合物半導体成長用基板と化合物半導体の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5164950A (en) * | 1990-06-05 | 1992-11-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device comprising a sige single crystal substrate |
| US5341001A (en) * | 1992-02-13 | 1994-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Sulfide-selenide manganese-zinc mixed crystal photo semiconductor and laser diode |
| KR100771999B1 (ko) * | 2004-05-20 | 2007-10-31 | 김상돈 | 그레이팅 |
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