JPS6382645A - Mri装置の多同調型クロスダイオ−ド - Google Patents
Mri装置の多同調型クロスダイオ−ドInfo
- Publication number
- JPS6382645A JPS6382645A JP61229173A JP22917386A JPS6382645A JP S6382645 A JPS6382645 A JP S6382645A JP 61229173 A JP61229173 A JP 61229173A JP 22917386 A JP22917386 A JP 22917386A JP S6382645 A JPS6382645 A JP S6382645A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- magnetic field
- cross diode
- mri apparatus
- sensing probe
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は磁気共鳴(M R: magnetic re
sonan−ce以下rMRJと称する)現像を用いて
、被検体のある断面における特定の原子核スピン密度の
分布をいわゆるコンピュータ断層法(CT : con
p−uted tosography )によりCT像
(computed t−omogram )として画
像化(imaging )するMRI装211(磁気共
鳴イメージンク装置)におけるセンシングプローブの励
起と受信とのスイッチングとして用いられるクロスダイ
オードに関する。
sonan−ce以下rMRJと称する)現像を用いて
、被検体のある断面における特定の原子核スピン密度の
分布をいわゆるコンピュータ断層法(CT : con
p−uted tosography )によりCT像
(computed t−omogram )として画
像化(imaging )するMRI装211(磁気共
鳴イメージンク装置)におけるセンシングプローブの励
起と受信とのスイッチングとして用いられるクロスダイ
オードに関する。
(従来の技術)
例えば診断用MRI装置では、被検体の特定位置の断層
像を得るために第3図に示すように被検体Pに図示Z軸
方向に沿う非常に均一な静磁場Hoを作用させ、一対の
傾斜磁場コイルIA、IBにより静磁場H8に線型磁場
勾配を付加する。静磁場H8に対して特定の原子核は次
式で示される角周波数ω。て共鳴する。
像を得るために第3図に示すように被検体Pに図示Z軸
方向に沿う非常に均一な静磁場Hoを作用させ、一対の
傾斜磁場コイルIA、IBにより静磁場H8に線型磁場
勾配を付加する。静磁場H8に対して特定の原子核は次
式で示される角周波数ω。て共鳴する。
ω。其rHo ・・・・(1)(1)式
においてrは磁気回転比であり、原子核の種類に固有の
ものである。特定の原子核のみ共1Bさせる角周波数ω
。て回転磁場H1を一対の送信コイル2A、2Bを介し
て、前記線型磁場勾配を利用して設定される図示x−y
y面内について被検体Pに作用させ、断層像を得る特定
のスライス部分S(v面状の部分であるか現実にはある
厚みをもっている)のみにMR現象を生せしめる。
においてrは磁気回転比であり、原子核の種類に固有の
ものである。特定の原子核のみ共1Bさせる角周波数ω
。て回転磁場H1を一対の送信コイル2A、2Bを介し
て、前記線型磁場勾配を利用して設定される図示x−y
y面内について被検体Pに作用させ、断層像を得る特定
のスライス部分S(v面状の部分であるか現実にはある
厚みをもっている)のみにMR現象を生せしめる。
MR現象は一対の受信コイル3A、3Bを介して自由誘
導減衰(F I D : free 1nductio
n decay)信号(以丁rFID信号」と称する)
として観測され、この信号をフーリエ変換することによ
り特定の原子核スピンの回転周波数についての単一のス
ペクトルか得られる。FJi層像をCT像として11)
るためには、スライス部分Sのx−yy面内の多方向に
ついての投影像が必要である。そのためにスライス部分
Sを励起してMR現象を生しさせた後、第4図に示すよ
うに磁場H8にX′軸方向(X軸より角度θ回転した座
標系)に直線的な傾斜を持つ線形磁場勾配G、yを作用
させると、被検体のスライス部分S内の等磁場線Eは直
線となり、その線上の特定の原子核スピンの回転周波数
は(1)式によりあられされる。ここで説明の便宜上等
磁場線Eの各々(E I〜E7とする)より信号D1〜
D、(一種のFID信号)を生ずると考える。D1〜D
、の振幅はそれぞれスライス部分Sを貫く等磁場線E、
〜Erl上の原子核スピン密度に比例することになる。
導減衰(F I D : free 1nductio
n decay)信号(以丁rFID信号」と称する)
として観測され、この信号をフーリエ変換することによ
り特定の原子核スピンの回転周波数についての単一のス
ペクトルか得られる。FJi層像をCT像として11)
るためには、スライス部分Sのx−yy面内の多方向に
ついての投影像が必要である。そのためにスライス部分
Sを励起してMR現象を生しさせた後、第4図に示すよ
うに磁場H8にX′軸方向(X軸より角度θ回転した座
標系)に直線的な傾斜を持つ線形磁場勾配G、yを作用
させると、被検体のスライス部分S内の等磁場線Eは直
線となり、その線上の特定の原子核スピンの回転周波数
は(1)式によりあられされる。ここで説明の便宜上等
磁場線Eの各々(E I〜E7とする)より信号D1〜
D、(一種のFID信号)を生ずると考える。D1〜D
、の振幅はそれぞれスライス部分Sを貫く等磁場線E、
〜Erl上の原子核スピン密度に比例することになる。
ところが実際に[110されるFID信号はり、〜D、
をすべて加え合せたもの(すなわち合成FID信号)と
なるのて。
をすべて加え合せたもの(すなわち合成FID信号)と
なるのて。
このFID信号信号Dをフーリエ変換することによりス
ライス部分SのX“軸への投影情報(1次元像)PDか
得られる。このX°袖をx−y面内て回転させることに
より、前述と同様にしてx −yy面内の各方向への投
影情報か得られ、これらの情報に基いてCT像を合成す
ることかてきる。
ライス部分SのX“軸への投影情報(1次元像)PDか
得られる。このX°袖をx−y面内て回転させることに
より、前述と同様にしてx −yy面内の各方向への投
影情報か得られ、これらの情報に基いてCT像を合成す
ることかてきる。
以北のようなMRI装置は、目的のスライス面を切るた
め磁場内に簡単に被検体を設定するために、第6図に示
すように、被検体を載置する移動可能な天板2の一部に
特定の原子核物質(例えば1)(、19F 、 Iff
C)を含むセンシングプローブ3を取付け、前記特定の
原子核物質の自由誘導減衰信号を検出することにより天
板2の位置決めを行なうようになっている。
め磁場内に簡単に被検体を設定するために、第6図に示
すように、被検体を載置する移動可能な天板2の一部に
特定の原子核物質(例えば1)(、19F 、 Iff
C)を含むセンシングプローブ3を取付け、前記特定の
原子核物質の自由誘導減衰信号を検出することにより天
板2の位置決めを行なうようになっている。
センシングプローブ3内の特定の原子核を励起してFI
D信号を検出する装置は第7図に示すようになっている
。第7図において、送信系4は交差ダイオード5を介し
てセンシングプローブ3内に配置されたサンプルコイル
6とサンプルコイル6に並列に接続された同調コンデン
サ7とに接続される。サンプルコイル6と同調コンデン
サ7の他端は大地に接続される。サンプルコイル6内に
はセンシングプローブ3の特定な原子核物質8か配置さ
れる。交差ダイオード5とqいに並列に接続されたサン
プルコイル6、同調コンデンサ7との中間部に受信系9
と交差ダイオード10か接続される。交差ダイオードl
Oの他端は大地に接続される。そして前記送信系4より
特定な原子核物質8内の核スピン系を励起する為の高周
波パルス電圧かセンシングプローブ3内に配置されたサ
ンプルコイル6へ印加され、高周波磁場H1か特定な原
子核物質8に印加される。この時交差ダイオードlOは
低インピーダンスとなり、受信系9へは高周波パルスは
入らない為、サンプルコイル6と同調コンデンサ7にの
み高周波パルスか送られる。特定な原子核物質8からの
FID信号はサンプルコイル6により検出され、受信系
9へ送られる。この時交差ダイオード5は高インピーダ
ンスとして働く為、受信系9は送信系4の影響は受ない
。
D信号を検出する装置は第7図に示すようになっている
。第7図において、送信系4は交差ダイオード5を介し
てセンシングプローブ3内に配置されたサンプルコイル
6とサンプルコイル6に並列に接続された同調コンデン
サ7とに接続される。サンプルコイル6と同調コンデン
サ7の他端は大地に接続される。サンプルコイル6内に
はセンシングプローブ3の特定な原子核物質8か配置さ
れる。交差ダイオード5とqいに並列に接続されたサン
プルコイル6、同調コンデンサ7との中間部に受信系9
と交差ダイオード10か接続される。交差ダイオードl
Oの他端は大地に接続される。そして前記送信系4より
特定な原子核物質8内の核スピン系を励起する為の高周
波パルス電圧かセンシングプローブ3内に配置されたサ
ンプルコイル6へ印加され、高周波磁場H1か特定な原
子核物質8に印加される。この時交差ダイオードlOは
低インピーダンスとなり、受信系9へは高周波パルスは
入らない為、サンプルコイル6と同調コンデンサ7にの
み高周波パルスか送られる。特定な原子核物質8からの
FID信号はサンプルコイル6により検出され、受信系
9へ送られる。この時交差ダイオード5は高インピーダ
ンスとして働く為、受信系9は送信系4の影響は受ない
。
さてスライス面に相当する位置をZ。とじ、第6図に於
てセンシングプローブ3がZ。より左側にある場合は、 (1)I = rHo+) rHo =(r)o ”
” ” ” (2)となり、又、センシングプローブ
3かZ。より右側にある場合は、 ω2=rHo2(rHo=ω。−−−−(3)となる(
第8図参照)、即ちセンシングプローブ3は、第5図に
示すように21の位とにおいてはω1 (〉ω。)、Z
oの位置に於てはω。、Z2の位置に於てはω2 (〈
ω。)で表わされる共鳴角周波数て共鳴する。
てセンシングプローブ3がZ。より左側にある場合は、 (1)I = rHo+) rHo =(r)o ”
” ” ” (2)となり、又、センシングプローブ
3かZ。より右側にある場合は、 ω2=rHo2(rHo=ω。−−−−(3)となる(
第8図参照)、即ちセンシングプローブ3は、第5図に
示すように21の位とにおいてはω1 (〉ω。)、Z
oの位置に於てはω。、Z2の位置に於てはω2 (〈
ω。)で表わされる共鳴角周波数て共鳴する。
そこて以」二のような装置を用いて天板2の位置決めを
するには、送信系4より、周波数ω。なる高周波電圧を
時間幅t1のパルス状でかけると、ω。近傍の角周波数
の成分か同時に生じ、FID信号を角周波数空間てみて
みると、センシングプローブ3かZI、Zo 、Z2
、の位置にあるときは、それぞれ第8図の(a)、(b
)、(c)に対応したスペクトルかl’iられることか
ら、天板2の位置をFID信t)スペクトルか第6UA
(b)のグラフになるように設定することにより、セン
シングプローブ3の位置をZ。の位tに設定することか
てき、天板2の任意の場所を目的の位置に設定すること
かてきるようになっている。
するには、送信系4より、周波数ω。なる高周波電圧を
時間幅t1のパルス状でかけると、ω。近傍の角周波数
の成分か同時に生じ、FID信号を角周波数空間てみて
みると、センシングプローブ3かZI、Zo 、Z2
、の位置にあるときは、それぞれ第8図の(a)、(b
)、(c)に対応したスペクトルかl’iられることか
ら、天板2の位置をFID信t)スペクトルか第6UA
(b)のグラフになるように設定することにより、セン
シングプローブ3の位置をZ。の位tに設定することか
てき、天板2の任意の場所を目的の位置に設定すること
かてきるようになっている。
(発明か解決しようとする問題点)
以」−のような装置に於てクロスダイオード5゜IOは
送受信兼用のスイッチング素子として用いられているか
、高周波て使用するとストレートキャパシターか効いて
きて、高周波の漏れが生じ、クロスダイオードとしての
役割りを果たさなくなるというlF1aがある。即ち、
ダイオードには第9図に示すように、タイオートに並列
にストレートキャパシター05か存在し、このインピー
ダンスZはl/(ω・C,)て表わされるのて周波数か
高くなるにつれて低インピーダンスとなり、ダイオード
をスイッチとして用いるとき高周波の漏れの現象として
表れ、スイッチ作用を妨げることとなる。これを防Iに
するためには、クロスダイオードに並列にLとCを入れ
て同調を取り、使用周波数てのインピーダンスを大きく
する・ISか考えられるか、L、Cは本来狭帯域のもの
であり、スペクトロスコピーなとて多核種を測定すると
きは使用てきない。
送受信兼用のスイッチング素子として用いられているか
、高周波て使用するとストレートキャパシターか効いて
きて、高周波の漏れが生じ、クロスダイオードとしての
役割りを果たさなくなるというlF1aがある。即ち、
ダイオードには第9図に示すように、タイオートに並列
にストレートキャパシター05か存在し、このインピー
ダンスZはl/(ω・C,)て表わされるのて周波数か
高くなるにつれて低インピーダンスとなり、ダイオード
をスイッチとして用いるとき高周波の漏れの現象として
表れ、スイッチ作用を妨げることとなる。これを防Iに
するためには、クロスダイオードに並列にLとCを入れ
て同調を取り、使用周波数てのインピーダンスを大きく
する・ISか考えられるか、L、Cは本来狭帯域のもの
であり、スペクトロスコピーなとて多核種を測定すると
きは使用てきない。
本発明の]1的は、以−[−のような問題点を解決し、
周波数可変型多核種スペクトロスコピーなどのMRI装
置における高周波漏れのないスイッチ作用を得ることに
ある。
周波数可変型多核種スペクトロスコピーなどのMRI装
置における高周波漏れのないスイッチ作用を得ることに
ある。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
L記目的を達成するため本発明は、直列につなげた複数
の並列共振回路をクロスダイオードに並列に設けた構成
とした。
の並列共振回路をクロスダイオードに並列に設けた構成
とした。
(作用)
本発明は上記の構成としたので、次のように作用する。
即ち、直列につなげたn個の並列共振回路をクロスダイ
オードに並列に設けると、このような回路のインピーダ
ンスは [i=1.2,3. ・・・・、n]となり、ω=
1 / r’[:”C−てインピーダンスZを大きくす
ることかてきる。
オードに並列に設けると、このような回路のインピーダ
ンスは [i=1.2,3. ・・・・、n]となり、ω=
1 / r’[:”C−てインピーダンスZを大きくす
ることかてきる。
そこて、本発明によれば、ストレートキャパシタC1が
存在する場合であっても、 なる式を満足するように予めC1を調整し、設定するこ
とにより高いインピーダンスを得ることかてき、多核種
スペクトロコピーて使用する種々の」(鳴周波数ω1ω
2.ω3.・・・、ω0についてストレートキャパシタ
ー〇、による高周波の漏れのないスイッチ作用を得るこ
とかてきる。
存在する場合であっても、 なる式を満足するように予めC1を調整し、設定するこ
とにより高いインピーダンスを得ることかてき、多核種
スペクトロコピーて使用する種々の」(鳴周波数ω1ω
2.ω3.・・・、ω0についてストレートキャパシタ
ー〇、による高周波の漏れのないスイッチ作用を得るこ
とかてきる。
又前述した(1)式からも分かるように、磁場H,か変
化するランバブルMR1″!S 21の場合についても
C1を上述のよう設定することによって同様な作用効果
か得られる。
化するランバブルMR1″!S 21の場合についても
C1を上述のよう設定することによって同様な作用効果
か得られる。
(実施例)
以下図示の実施例について説【!1する。
第1図に本ff1lJJに係る多回調型クロスダイオー
ドの一実施例を示す。
ドの一実施例を示す。
[:Z示のものは、直列につなげた3つの並列共振回路
11,12.13をクロスダイオード14に対し並列に
設けである。クロスダイオード14は第7図に於て説明
したクロスダイオード5及びlOに相当するものであり
、並列共振回路11゜12.13は第7図の例で言えば
、両方のクロスタイオート5.lOについてそれぞれ設
けることとなる。
11,12.13をクロスダイオード14に対し並列に
設けである。クロスダイオード14は第7図に於て説明
したクロスダイオード5及びlOに相当するものであり
、並列共振回路11゜12.13は第7図の例で言えば
、両方のクロスタイオート5.lOについてそれぞれ設
けることとなる。
このような回路のインピーダンスは
−ω、’ シ、1;、 + 1
[i=1.2.3]
となり、ω=l/II てインピーダンスZを大きくす
ることかできる。
ることかできる。
そこて1本実施例ては、ストレートキャパシタC,が存
在する場合、 なる式を満足するようにr・めC8を調整し、設定しで
ある。この場合のインピーダンスZと核周波数ωとの関
係を第2図に示す。
在する場合、 なる式を満足するようにr・めC8を調整し、設定しで
ある。この場合のインピーダンスZと核周波数ωとの関
係を第2図に示す。
以上から分かるように本実施例によれば第1IAに示し
た回路の01を上述のように設定することにより高いイ
ンピーダンスを得ることかてき、多核種スペクトロコピ
ーで使用する種々の共鳴周波数ω1.ω2.ωゴ、・・
・・についてストレートキャパシター〇、による高周波
の漏れのない送受信のスイッチ作用を得ることかできる
。
た回路の01を上述のように設定することにより高いイ
ンピーダンスを得ることかてき、多核種スペクトロコピ
ーで使用する種々の共鳴周波数ω1.ω2.ωゴ、・・
・・についてストレートキャパシター〇、による高周波
の漏れのない送受信のスイッチ作用を得ることかできる
。
又前述した(1)式からも分かるように、磁場H,か変
化するランバブルMRI装置の場合についてもC1を−
1−述のよう設定することによって同様な作用効果か得
られる。
化するランバブルMRI装置の場合についてもC1を−
1−述のよう設定することによって同様な作用効果か得
られる。
以」;末完IJJの一実施例について説IJ1シたか、
未発IJ1は」−記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内において適宜変形実施可能である
ことは汀うまてもない。
未発IJ1は」−記実施例に限定されるものではなく、
本発明の要旨の範囲内において適宜変形実施可能である
ことは汀うまてもない。
例えば」;記実施例は、3同調の場合について説!J1
シたが、3同調以」二の場合についても同様に本発明を
適用し得ることは言うまでもない。
シたが、3同調以」二の場合についても同様に本発明を
適用し得ることは言うまでもない。
[発明の効果]
以上詳述したように本発明によれば、周波数可変型多核
種スペクトロスコピーなどのMRI装置における高周波
漏れのないスイッチ作用を得ることかできる。
種スペクトロスコピーなどのMRI装置における高周波
漏れのないスイッチ作用を得ることかできる。
又、磁場か変化するランバブルMRI装置の場合につい
ても高周波漏れのないスイッチ作用を得ることかてきる
。
ても高周波漏れのないスイッチ作用を得ることかてきる
。
第1図は本発明に係る多回調型クロスタイオートの一実
施例を示す回路図、第2図は同」−作用説明図、第3図
は診断用MRI装置の一例の原理構成図、第4図は核磁
気共鳴現象により投影情報を得る原理図、第5図は第3
図のZ軸と静磁場Hとの関係を示すグラフ、第6図は診
断用PJRT装この天板部分の概略図、第7図は原r−
核を励起してFID信号を検出する装置の従来例を示す
概略図、第8図(a)(b)(c)はそれぞれ第6図に
於るセンシングプローブ3か第5図に於るZl。 2 、、2.の位置にあった時のFID信号のスペクト
ル図、第9図はストレートキャパシタの説明図である。 P・・・被検体、H,・・・静磁場、IA。 IB・・・傾斜磁場コイル、H5・・・回転磁場、2A
、2B・・・送信コイル、3A、3B・・・受信コイル
、S・・・断面像を得るスライス部分、G)lY・・・
線型勾配磁場、D・・・スライス部分Sの最大径、l・
・・寝台、2・・・天板、3・・・センシングプローブ
、4・・・送信系、5・・・交差ダイオード、6・・・
サンプルコイル、7・・・同調コンデンサ、8・・・原
f−核物質、9・・・受信系、11,12.13・・・
並列共振回路、14・・・クロスダイオード。 1A 第 3 図
施例を示す回路図、第2図は同」−作用説明図、第3図
は診断用MRI装置の一例の原理構成図、第4図は核磁
気共鳴現象により投影情報を得る原理図、第5図は第3
図のZ軸と静磁場Hとの関係を示すグラフ、第6図は診
断用PJRT装この天板部分の概略図、第7図は原r−
核を励起してFID信号を検出する装置の従来例を示す
概略図、第8図(a)(b)(c)はそれぞれ第6図に
於るセンシングプローブ3か第5図に於るZl。 2 、、2.の位置にあった時のFID信号のスペクト
ル図、第9図はストレートキャパシタの説明図である。 P・・・被検体、H,・・・静磁場、IA。 IB・・・傾斜磁場コイル、H5・・・回転磁場、2A
、2B・・・送信コイル、3A、3B・・・受信コイル
、S・・・断面像を得るスライス部分、G)lY・・・
線型勾配磁場、D・・・スライス部分Sの最大径、l・
・・寝台、2・・・天板、3・・・センシングプローブ
、4・・・送信系、5・・・交差ダイオード、6・・・
サンプルコイル、7・・・同調コンデンサ、8・・・原
f−核物質、9・・・受信系、11,12.13・・・
並列共振回路、14・・・クロスダイオード。 1A 第 3 図
Claims (1)
- 励起用及び受信用コイルを備え、特定原子核物質を含む
センシングプローブの励起と受信とのスイッチングとし
てクロスダイオードを設けたものに於て、直列につなげ
た複数の並列共振回路を前記クロスダイオードに並列に
設けたことを特徴とするMRI装置の多同調型クロスダ
イオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229173A JPS6382645A (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | Mri装置の多同調型クロスダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61229173A JPS6382645A (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | Mri装置の多同調型クロスダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6382645A true JPS6382645A (ja) | 1988-04-13 |
Family
ID=16887931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61229173A Pending JPS6382645A (ja) | 1986-09-27 | 1986-09-27 | Mri装置の多同調型クロスダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6382645A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5578986A (en) * | 1993-12-27 | 1996-11-26 | Tatsumi Co., Ltd. | Car display lamp |
-
1986
- 1986-09-27 JP JP61229173A patent/JPS6382645A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5578986A (en) * | 1993-12-27 | 1996-11-26 | Tatsumi Co., Ltd. | Car display lamp |
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