JPS6384120A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明に、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基
板上に形成された金属層のウェットエツチング方法に関
する。

〔従来の技術〕

従来、半導体基板の一主面の所定領域に拡散層を形放し
、全面に絶縁膜を被覆形成しｔ後、絶縁膜の所定領域に
窓開けをした後、全面に金属たとえばアルミニウムを蒸
着し、フォトエツチング法により電極及び配線部分を形
成していた。この金Ｊｉ１層のフォトエツチング工程に
おいては、フォトレジストをマスク材としエツチング液
としては、リン酸または硝酸に必要に応じて酢酸ま友は
水を加えｔものを用い、半導体基板を所定の工・ソチン
グ時間ずっとエツチング液中に漬浸させるウェットエツ
チング法が行なわれている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述し几従来のエツチング方法は、エツチング液に半導
体基板を浸漬させてエツチングを進行させると、例えば
、アルミニウム層ヲリン酸でエツチングする場合は、Ｚ
ＡＪ＋３ＨｓＰＵ４−＋２ｋｌ　ＰＵ４＋３Ｈｚなる反
応が起こり、発生した水素（Ｈ２）ガスの気泡がアルミ
ニウム層やレジストａなどに付着することになる。従っ
て、この様に処理されｔ基板から放る半導体装置におい
ては、気泡が付着した部分は電極または配線部分が所定
通りに形成されないので、短絡を生じ之りなどして不良
となることが多い。そのｔめ、エツチング液をかくはん
し交り、超音波で撮動させるなどして半導体基板に付着
した水素ガスの気泡を除去しようとしているが、なかな
か十分に除去することができず金属層の一部全剥離させ
たりすることも起こり、所定通りのエツチング全行なう
事が困難であっｔｏ 〔問題点全解決するｔめの手段〕 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に被着
された金属層をウェットエツチング法で選択的に除去し
て金属層パターンを形成する工程を含む半導体装置の製
造方法において、前記基板をエツチング液中に所定時間
浸漬後、エツチング液外に取り出し、前記金属層表面に
気体を吹き付けて金属Ｎ表面に付着し几泡全除去する工
程を周期的に繰り返してエツチングすることにエフ前記
金属層パターン全形成することを特徴とするも■である
。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の半導体装置のエツチング方法の一実施
例を示す斜視図である。

エツチング液１を入れる槽２の底部には、エツチング液
を昇温させるためのヒータ３が設置されていて、このヒ
ータ３は温度制御器４に連絡されている。また槽２の上
方には、半導体基板５を収納し之キャリア６’ｉ上下さ
せて（図の矢印の方向）半導体基板を上記エツチング液
１中に入れたり出し文ジする昇降装置７が配置されてい
る。この昇降装置７は上記キャリア６を所定時間エツチ
ング液１中に浸漬させ、まｔ所定時間エツチング液１か
ら引き出しておくそれぞれの時間と出し入れ回数と全設
定できる機構を有している。キャリア６には、半導体基
板５を互いに平行−に併立式せて多数枚収納できる工す
に溝が設けられている。エツチング液面上には、ガス吹
き出しノズル８，９が半導体基板表面に平行に気体が吹
き出るよりに対向して設置されている。このガス吹＠　
出り、　／　スル８．９からは、半導体基板表面に発生
、付着し定水素ガスの気泡を除去するための９気、窒素
等の気体１０．１１が吹き出される。

この様な装置を用いてエツチング工程を進める時は、昇
降装置７に取り付けられｔキャリア６にエツチングし二
つとする半導体基板５を互いに平行に並べて収納する。

次いで、昇降装置７ｅ動作させてエツチング液１の充た
された槽２にキャリア６を下降させて、エツチング液中
に半導体基板全体を浸漬する。次いで、所定時間経過後
昇降装置７を割作させてキャリア６をエツチング液１か
ら引き上げる。次いで、空気、窒素等の気体１０゜１１
をガス吹き出しノズル８，９エク吹き付ける。

この工程を周期的に何回か繰り返すことによって、半導
体基板表面に発生、付着し定水素ガスの気泡の付着は非
常に減少するのでエツチングの不具合は除去きれて、所
定通９のエツチングを行なりことができ、従来多発して
い之水素ガス気泡残りによる配線部分の短絡をなくすこ
とが可能となる。

第２図は、第１図で示した一実施例における半導体基板
のエツチング液への出し入れの時間サイクルと気体吹き
出しタイミングを示す説明図である。縦軸はキャリアの
高さく位置）を示し、横軸はエツチング時間を示す。中
央線りがエツチング液の液面全示し、それエフ下はエツ
チング液があるものとする。ａ％ｂ、ｃ、・・・・・・
ｎは気体吹き出しタイミングを示す。

次に、具体的なエッチング工程ＱＪ１例を説明する。半
導体基板に所定の拡散領域を形成し、その上に被覆形成
した酸化膜に所定の窓開けをした後、アルミニラムラ膜
厚１．０μｍ蒸着させ、エツチングの之め所定領域をマ
スクする。エツチング液の液温４０℃に上昇させてこの
液中に半導体基板を浸漬する。１０秒間浸漬した後、エ
ツチング液外に取り出し５秒間窒素ガスを吹き付は再ひ
１０秒間浸漬する工程を８回繰り返す。この様にすると
、エツチング液中にて半導体基板表面に付着し几水索ガ
スの気泡の除去が、エツチング液から取り出した後窒素
ガスを吹き付ける。１Ｇを繰り返すことに工って行なわ
れ、水素ガスの気泡の付着によって不十分にエツチング
されることがなくなジ、効率良く所定通りエツチングす
ることができ、配線部分の短絡による不良の発生を見る
こともない。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、エツチングの途中で半導
体基板をエツチング液から取り出した後、半導体基板表
面に窒素、空気等の気体を吹き付け、エツチング液中に
て金属層とエツチング液との反応で生成され半導体基板
表面に付着しｔ水素ガスの気泡の除去が可能となるため
に、水素ガスの気泡の付着による金属層の短絡を防ぐ事
ができ、金属層からなる電極ま′ｆｃは配Ｍ部分を所定
通り形成できる。また、上記金属層は、アルミニウムに
限らず、エツチング時に気体を発生するその他の金属層
のエツチングにも適用でき、優れた効果全発揮する。さ
らに、本発明による水素ガスの気泡の除去は非常に効率
が高いため、半導体装置の製造歩留りを向上させる効果
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の半導体装置の製造方法を示
す斜視図、第２図は本発明の半導体基板のエツチング液
への出し入れの時間サイクルと気体吹き出しタイミング
との関係を示す説明図である。 １・・・エツチング液、２・・・槽、３・・・ヒータ、
４・・・温度制御器、５・・・半導体基板、６・・・キ
ャリア、７・・・昇降装置、８，９・・・気体吹き出し
ノズル、１０、・・気体、ａ、ｂ、ｃ、ｎ・・・・・・
気体吹き出しタイミング、Ｌ・・・エツチング液の液面
。 代理人　弁理士　　内　原　　　−パ−・＼８・１　“
１ ′　°、゛ニー・

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上に被着された金属層をウェットエッチング
   法で選択的に除去して金属層パターンを形成する工程を
   含む半導体装置の製造方法において、前記基板をエッチ
   ング液中に所定時間浸漬後、エッチング液外に取り出し
   、前記金属層表面に気体を吹き付けて金属層表面に付着
   した泡を除去する工程を周期的に繰り返してエッチング
   することにより前記金属パターンを形成することを特徴
   とする半導体装置の製造方法。