JPS6384185A - 光アイソレ−タ付半導体レ−ザモジユ−ル - Google Patents
光アイソレ−タ付半導体レ−ザモジユ−ルInfo
- Publication number
- JPS6384185A JPS6384185A JP61230370A JP23037086A JPS6384185A JP S6384185 A JPS6384185 A JP S6384185A JP 61230370 A JP61230370 A JP 61230370A JP 23037086 A JP23037086 A JP 23037086A JP S6384185 A JPS6384185 A JP S6384185A
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- JP
- Japan
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- light
- semiconductor laser
- crystal
- reflected
- laser element
- Prior art date
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光通信、光計測、光記録等の光源に用いる光ア
イソレータ付半導体レーザモジュールに関するものであ
る。
イソレータ付半導体レーザモジュールに関するものであ
る。
従来の技術
従来の光アインレータ付半導体レーザモジュールは特開
昭６１−１３２９２５号公報等があるが、第２図に示す
様に半導体レーザ素子１から出射した光は次にレンズ２
によって集光されてから、偏光子４．磁気光学結晶５お
よび検光子６を通過して光ファイバ７へと結合されてい
た。また昭和５７年電子通信学会総合全国大会２３２２
に発表された光アイソレータ付半導体レーザモジュール
は磁気光学結晶を球状に加工してレンズ機能をもたせた
ものを用いたものであった。
昭６１−１３２９２５号公報等があるが、第２図に示す
様に半導体レーザ素子１から出射した光は次にレンズ２
によって集光されてから、偏光子４．磁気光学結晶５お
よび検光子６を通過して光ファイバ７へと結合されてい
た。また昭和５７年電子通信学会総合全国大会２３２２
に発表された光アイソレータ付半導体レーザモジュール
は磁気光学結晶を球状に加工してレンズ機能をもたせた
ものを用いたものであった。
また、従来半導体レーザ素子は端面劣化を防ぐため、Ｎ
２ガスで気密封止して用いていた。
２ガスで気密封止して用いていた。
発明が解決しようとする問題点
光アイソレータは磁気光学結晶通過後の光部品端やコネ
クタ端等からの反射光が半導体レーザ素子に戻ることを
阻止するものであるが、磁気光学結晶の端面や磁気光学
結晶よりも半導体レーザ素子側にレンズ等の光部品があ
る場合は、光部品の端面からの近端反射が半導体レーザ
素子に戻り、半導体レーザ素子の雑音の原因となり発振
特性が劣化することがあった。そのうえ、さらに一般に
半導体レーザ素子は高信頼性を保つためＮ２ガスを充て
んし気密封止しているので、たとえ磁気光学結晶にレン
ズ機能をもたせてもそれより半導体レーザ素子側にある
その気密封止用キャップの光出射窓の裏表両端面からの
反射光が半導体レーザ索子に戻り、雑音を引きおこし、
伝送特注の劣化することがあった。
クタ端等からの反射光が半導体レーザ素子に戻ることを
阻止するものであるが、磁気光学結晶の端面や磁気光学
結晶よりも半導体レーザ素子側にレンズ等の光部品があ
る場合は、光部品の端面からの近端反射が半導体レーザ
素子に戻り、半導体レーザ素子の雑音の原因となり発振
特性が劣化することがあった。そのうえ、さらに一般に
半導体レーザ素子は高信頼性を保つためＮ２ガスを充て
んし気密封止しているので、たとえ磁気光学結晶にレン
ズ機能をもたせてもそれより半導体レーザ素子側にある
その気密封止用キャップの光出射窓の裏表両端面からの
反射光が半導体レーザ索子に戻り、雑音を引きおこし、
伝送特注の劣化することがあった。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点、半導体レーザ素子への近端反射戻
り光を最少におさえるべく、半導体レーザ素子の光出射
端から出射した光が最初に磁気光学結晶に入射すること
を特徴とする光アイソレータ付半導体レーザモジュール
を得るものである。
り光を最少におさえるべく、半導体レーザ素子の光出射
端から出射した光が最初に磁気光学結晶に入射すること
を特徴とする光アイソレータ付半導体レーザモジュール
を得るものである。
作用
本発明の光アイソレータ付ＬＤモジュールを用いれば、
半導体レーザ素子からの出射光は最初に磁気光学結晶に
入射するため、磁気光学結晶通過後の光部品の端面から
の反射光は半導体レーザ素子へは戻らない。この構成で
半導体レーザ素子へ戻りつる反射光は磁気光学結晶の半
導体レーザ素子側の端面のみであり、本発明によれば、
半導体レーザ素子からの出射光に対して磁気光学結晶の
端面が傾いているため、前記端面での反射光も半導体レ
ーザに戻ることはない。従って、低雑音で発振特性の良
好なモジュールが得られる。また、半導体レーザ素子を
気密封止しているために半導体レーザ素子の信頼性も高
い。
半導体レーザ素子からの出射光は最初に磁気光学結晶に
入射するため、磁気光学結晶通過後の光部品の端面から
の反射光は半導体レーザ素子へは戻らない。この構成で
半導体レーザ素子へ戻りつる反射光は磁気光学結晶の半
導体レーザ素子側の端面のみであり、本発明によれば、
半導体レーザ素子からの出射光に対して磁気光学結晶の
端面が傾いているため、前記端面での反射光も半導体レ
ーザに戻ることはない。従って、低雑音で発振特性の良
好なモジュールが得られる。また、半導体レーザ素子を
気密封止しているために半導体レーザ素子の信頼性も高
い。
実施例
本発明の実施例の構成図を第１図に示す。気密封止キャ
ップ１１の光出射窓の窓材に磁気光学結晶６を用い念も
ので、半導体レーザ素子１からの出射光に対して磁気光
学結晶６の端面ば８°傾けて配しである。半導体レーザ
素子１からの出射光はキャップ１１の光出射窓から出射
した後レンズ２、検光子６を通って光ファイバ了に結合
される。
ップ１１の光出射窓の窓材に磁気光学結晶６を用い念も
ので、半導体レーザ素子１からの出射光に対して磁気光
学結晶６の端面ば８°傾けて配しである。半導体レーザ
素子１からの出射光はキャップ１１の光出射窓から出射
した後レンズ２、検光子６を通って光ファイバ了に結合
される。
本実施例の光アイソレータ付半導体レーザモジュールを
用いれば、半導体レーザ素子への反射戻り光としては、
窓材に用いた磁気光学結晶５の半導体レーザ素子側の端
面での反射光だけを考慮すればよく、磁気光学結晶とし
て屈折率が２．３の（ＢｉＬｕＧｄ）５ Ｆｅ５０，２
を用いた場合、端面に反射防止膜をほどこさなくても半
導体レーザ素子と窓端面距離を約１００μｍにすれば反
射戻り光は一１１０ｄＢ、さらに反射防止膜をほどこせ
ば半導体レーザ素子と窓端面距離を同距離にした場合で
も反射戻り光は一１２５ｄＢと非常に少ない値であった
。
用いれば、半導体レーザ素子への反射戻り光としては、
窓材に用いた磁気光学結晶５の半導体レーザ素子側の端
面での反射光だけを考慮すればよく、磁気光学結晶とし
て屈折率が２．３の（ＢｉＬｕＧｄ）５ Ｆｅ５０，２
を用いた場合、端面に反射防止膜をほどこさなくても半
導体レーザ素子と窓端面距離を約１００μｍにすれば反
射戻り光は一１１０ｄＢ、さらに反射防止膜をほどこせ
ば半導体レーザ素子と窓端面距離を同距離にした場合で
も反射戻り光は一１２５ｄＢと非常に少ない値であった
。
実際には半導体レーザ素子と窓端面距離はもっと長く約
３００７１ｍ であるため、反射戻り光は無視できる値
であった。磁気光学結晶６より半導体レーザ素子１から
遠くにあるレンズ等の光学部品からの反射光は磁気光学
素子の消光比−４０ｄＢしか半導体レーザ素子には戻ら
ない。また本実施例の光アインレータ付半導体レーザモ
ジュールは気密封止されているため、高信頼性が得られ
る。
３００７１ｍ であるため、反射戻り光は無視できる値
であった。磁気光学結晶６より半導体レーザ素子１から
遠くにあるレンズ等の光学部品からの反射光は磁気光学
素子の消光比−４０ｄＢしか半導体レーザ素子には戻ら
ない。また本実施例の光アインレータ付半導体レーザモ
ジュールは気密封止されているため、高信頼性が得られ
る。
従って本実施例によれば、反射戻り光による雑音の非常
に少なく、高信頼性の安定な光源が得られた。
に少なく、高信頼性の安定な光源が得られた。
なお、本発明は本実施例に示した様に気密封止キャップ
の窓材に磁気光学結晶を用いたもののみを示すのではな
く、半導体レーザ素子からの出射光が最初に磁気光学結
晶に入射する構成であればどの様な構成でもよい。また
、磁気光学結晶もいかなる材料、いかなる形状でもよく
、例えば導波路を形成してもよい。
の窓材に磁気光学結晶を用いたもののみを示すのではな
く、半導体レーザ素子からの出射光が最初に磁気光学結
晶に入射する構成であればどの様な構成でもよい。また
、磁気光学結晶もいかなる材料、いかなる形状でもよく
、例えば導波路を形成してもよい。
発明の効果
本発明によれば、反射戻り光による雑音が非常に少なく
、高信頼性の安定な光源が得られた。
、高信頼性の安定な光源が得られた。
第１図は本発明の一実施例の光アインレータ付半導体レ
ーザモジュールの構成図、第２図は従来の同モジュール
の構成図である。 １・・・・・・半導体レーザ素子、２・・・・・・レン
ズ、５・・・・・・磁気光学結晶、７・・・・・・光フ
ァイバ。
ーザモジュールの構成図、第２図は従来の同モジュール
の構成図である。 １・・・・・・半導体レーザ素子、２・・・・・・レン
ズ、５・・・・・・磁気光学結晶、７・・・・・・光フ
ァイバ。
Claims (3)
- （１）半導体レーザ素子の光出射端から出射した光が最
初に磁気光学結晶に入射することを特徴とする光アイソ
レータ付半導体レーザモジュール。 - （２）半導体レーザ素子が気密封止されている特許請求
の範囲第１項記載の光アイソレータ付半導体レーザモジ
ュール。 - （３）磁気光学結晶の入射面が半導体レーザ素子からの
出射光に対して傾けて配した特許請求の範囲第１項記載
の光アイソレータ付半導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61230370A JPS6384185A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザモジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61230370A JPS6384185A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザモジユ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6384185A true JPS6384185A (ja) | 1988-04-14 |
Family
ID=16906795
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61230370A Pending JPS6384185A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 光アイソレ−タ付半導体レ−ザモジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6384185A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0273683A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-13 | Nec Corp | 半導体レーザモジュール |
| JPH02212806A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-08-24 | Alcatel Cit | 半導体レーザを導光体に結合するためのアイソレータ付きオプチカルヘッド |
| JPH036076A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-11 | Tokin Corp | 半導体レーザ装置 |
| US5020065A (en) * | 1989-09-05 | 1991-05-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP61230370A patent/JPS6384185A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0273683A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-13 | Nec Corp | 半導体レーザモジュール |
| JPH02212806A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-08-24 | Alcatel Cit | 半導体レーザを導光体に結合するためのアイソレータ付きオプチカルヘッド |
| JPH036076A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-11 | Tokin Corp | 半導体レーザ装置 |
| US5020065A (en) * | 1989-09-05 | 1991-05-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
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